「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(375ページ目) - Weblio英語例文検索

A second insulating layer 42 constituted by layering a plurality of layers of materials different from each other in contact with each other is formed to cover over a source area 34 and a drain area 36 and cover over the upside of a gate electrode 28.例文帳に追加

ソース領域３４及びドレイン領域３６を覆い、ゲート電極２８の上方を覆うように、相互に異なる材料の複数層が相互に接触して積層されてなる第２の絶縁層４２を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the solid-state image sensor is characterized in that the surface treatment for making at least part of the backside wiring electrodes hydrophobic is carried out, and a light-shielding layer is provided on the second main surface except that part.例文帳に追加

裏面配線電極の少なくとも一部を疎水化する表面処理を行い、その部分を除く第２の主面に遮光層を設けることを特徴とする固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

While the element group 42 is far from the electrode pad 20, the electric current is supplied thereto through a second common electrode layer 410 having a low resistance from the connection section 50 near the electrode pad 20 so that the wiring resistance is not large.例文帳に追加

素子群４２は電極パッド２０から遠いが、電極パッド２０に近接した接続部５０から低抵抗の第２共通電極層４１０を経由して通電されるため、配線抵抗が大きくならない。 - 特許庁

Further, the second insulation film 3c is formed in the other side surface of the active region 3a, and is formed from the surface of the SOI layer 3 to a predetermined depth not to reach the buried insulation film 2 across.例文帳に追加

また、第二の絶縁膜３ｃは、活性領域３ａの他方の側面において形成されており、かつ、ＳＯＩ層３の表面から、埋め込み絶縁膜２に至らない所定の深さにかけて形成されている。 - 特許庁

Each dummy gate electrode is embedded with a sidewall insulation film, the polysilicon film at an upper portion of each dummy gate is removed, a recess is formed on the insulation layer, and a second metal film is laminated in the recess to form a CMOS gate electrode.例文帳に追加

各ダミーゲート電極を、側壁絶縁膜で埋め込み、各ダミーゲートの上部のポリシリコン膜を除去し、絶縁層に凹部を形成した後、凹部内に第二の金属膜を積層し、ＣＭＯＳのゲート電極とする。 - 特許庁

In the organic EL element 11, the protection film 15 to cover a surface of the first electrode 13, the organic EL layer 14, and the second electrode 15 except a face opposing to the substrate 12 of the first electrode 13 is installed.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１１は、第１電極１３の基板１２と対向する面を除き第１電極１３、有機ＥＬ層１４及び第２電極１５の表面を覆う保護膜１６が設けられている。 - 特許庁

The first blade spring B_1 on the lowermost layer arranged on the innermost side and the second blade spring B_2 built up thereon are engaged with each other only at their one-end T_1 sides via an uneven engaging portion 20.例文帳に追加

最も内側に配置される最下層の第１のブレードスプリングＢ_１とその上に積層される第２のブレードスプリングＢ_２とを、それぞれの一端Ｔ_１側においてのみ凹凸状の係合部２０を介して係合する。 - 特許庁

Since the first electrode 2d and the second electrode 3a are arranged side by side on virtually the same flat surface, the battery B or the electric double layer capacitor easy in flat surface packaging and superior in productivity of a circuit board is provided.例文帳に追加

第一の電極２ｄと第二の電極３ａとが略同一平面に並んで配置されるので、平面実装が容易で回路基板の生産性に優れる電池Ｂまたは電気二重層キャパシタを提供できる。 - 特許庁

The n-type layer 12 has a groove 13 formed to extend from a second surface 12B as a surface on the opposite side from a first surface 12A as a surface on the side of the substrate 11 toward the first surface 12A.例文帳に追加

ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。 - 特許庁

Second diffusion preventive layers 123, 224 are formed on at least one copper-containing wiring layers 134, 238 other than the lowermost copper-containing wiring layer 132 while avoiding the upper side of the photoelectric converting section 103.例文帳に追加

第２の拡散防止層１２３、２２４が、最下層の銅含有配線層１３２以外の少なくとも１つの銅含有配線層１３４、２３８上に、光電変換部１０３上方を避けて形成される。 - 特許庁

A second bypass capacitor for connecting the power pattern and the ground layer is disposed in the vicinity of the power reception part of the semiconductor component suppressing the influence of noise and a board end part of the multilayer printed-circuit board (C).例文帳に追加

（Ｃ）ノイズの影響を抑制すべき半導体部品の電源受給部の近傍及び多層プリント基板の板端近傍に、電源パターン及びグラウンド層を接続する第２バイパスコンデンサが配置されている。 - 特許庁

The composite liner 1 for winding the rubber member has a three-layer composite structure in which second liners 3 and 3 of a plain weave fabric or knitting using a synthetic resin as a raw material are stuck on both sides of a plate-like film liner 2.例文帳に追加

プレート状のフィルムライナー２の両面に、合成樹脂を素材とする平織物または編み物の第２のライナー３，３を貼り付けて３層複合構造としたゴム部材巻取り用の複合ライナー１。 - 特許庁

The step (C) can include a step of adhering a protective film 13 through the second adhesive 14 to the surface opposite to the surface to adhere the transparent resin film 17 having an adhesive layer in the polarizer film 16.例文帳に追加

工程（Ｃ）は、偏光フィルム１６における粘着剤層付き透明樹脂フィルム１７が貼合される面と反対側の面に、第二の接着剤１４を介して保護フィルム１３を貼合する工程を含むことができる。 - 特許庁

After the irregular unevenness 10 is formed, an accumulation layer 11 having higher impurity density than that of the n^- type semiconductor substrate 1 is formed on the second principal surface 1b side of the n^- type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

不規則な凹凸１０を形成した後に、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ａ側に、ｎ^−型半導体基板１よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層１１を形成する。 - 特許庁

The second barrier metal film 41-2 has a minute layer 41-2a which is formed by irradiation of cluster ions on a surface on the side of the third barrier metal film 41-3 and has a higher density than the other portions.例文帳に追加

第２のバリアメタル膜４１−２は、第３のバリアメタル膜４１−３側の表面部分において、クラスタイオン照射によって形成された、その他の部分より高い密度の緻密層４１−２ａを有する。 - 特許庁

The display electrode 7 and the exterior second display electrode 8a and the interior display electrode 8b are electrically connected to the wiring electrode 4 or the gap electrode 5 through each of the contact areas formed in the insulation layer 6.例文帳に追加

表示電極７及び外側第二表示電極８ａ、内側表示電極８ｂは、絶縁膜６に設けたそれぞれのコンタクトエリアを介して配線電極４または隙間電極５と電気的に接続する。 - 特許庁

After other processes, the second insulating film 16 is etched on the fuse layer 12 in a first etching process selectively for the etching stopper film 14 to expose a surface of the etching stopper film 14.例文帳に追加

他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。 - 特許庁

The flexible integrated circuit board includes a first flexible integrated circuit board 20 bonded to the support substrate 22 by using an adhesion layer 24 and a second flexible integrated circuit board 19 disposed on the support substrate 22.例文帳に追加

フレキシブル集積回路基板は、接着層２４を用いて支持基板２２と接着された第１のフレキシブル集積回路基板２０と、支持基板２２上に配置された第２のフレキシブル集積回路基板１９と、を含む。 - 特許庁

A second assembly is manufactured by overlapping and compressing a first electrolyte membrane and the first assembly so as the first catalyst layer to be in contact with a part of the first electrolyte membrane.例文帳に追加

第１の電解質膜の一部である第１の電解質膜部分に第１の触媒層が接するように第１の電解質膜と第１の接合体とを重ねて圧縮することによって、第２の接合体を作製する。 - 特許庁

A first insulation film 105, a second insulation film 106 containing aluminum, a third insulation film 107 with a thickness larger than the first insulation film 105 are formed on a carrier supply layer 104.例文帳に追加

キャリア供給層１０４の上には第１の絶縁膜１０５と、アルミニウムを含む第２の絶縁膜１０６と、第１の絶縁膜１０５より膜厚が厚い第３の絶縁膜１０７とが形成されている。 - 特許庁

The electrical connection process includes a step of connecting the first internal electrode group to the second electrode group by allowing the first internal electrode group to pass through the insulating resin layer.例文帳に追加

前記電気的に接続する工程は、前記第１内部電極群が前記絶縁樹脂層を貫通することにより、前記第１内部電極群と前記第２電極群とを接続させる工程を含んでいる。 - 特許庁

The electromechanical transducer comprises a first electromagnetic element 12 and a second electromagnetic element 15 which are electrodes and such disposed facing to each other on both sides of a sealed cavity 13 which is formed by encapsulating after removing a sacrifice layer.例文帳に追加

電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙１３を挟んで対向して設けられた電極などの第１の電磁要素１２と第２の電磁要素１５を有する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of leakage current due to a crystal defect, in a semiconductor device having a plurality of second-conductivity-type regions that are selectively formed in a surface portion of a first-conductivity-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１導電型の半導体層の表面部分に選択的に形成された複数の第２導電型領域を備える半導体装置において、結晶欠陥に起因するリーク電流の発生を抑える。 - 特許庁

In the other embodiment, a via is omitted, the second electrode is in such a state that the electrode is electrically connected to the substrate or is formed on the dielectric layer, thereby forming a pair of capacitors in series.例文帳に追加

他の実施例ではビアは省略され、第二の電極は基板と電気的に接続されているか、誘電層上に形成されるかのどちらかであり、一対の連続して接続されたキャパシタを作り出す。 - 特許庁

A part of the wiring metal layer outside the plurality of groove portions is removed to form first and second inter-interconnect regions IW1 and IW2 and first to third interconnects WR1 to WR3.例文帳に追加

配線金属層のうち複数の溝部の外側の部分を除去することによって、第１および第２の配線間領域ＩＷ１，ＩＷ２と第１〜第３の配線ＷＲ１〜ＷＲ３とが形成される。 - 特許庁

A base material 106 (a second layer) is formed of a resin soluble to an alkaline etching liquid, for example, a polyimide resin and thin film layers 108, 110 insoluble to the alkaline etching liquid are formed on both faces of the base material 106.例文帳に追加

基材１０６（第２層）を、アルカリエッチング液に対して可溶する樹脂、例えば、ポリイミド樹脂で形成し、基材１０６の両面に、アルカリエッチング液に対して不溶性の薄膜層１０８、１１０を形成する。 - 特許庁

In the preprocessing, the device exposes the photoconducting layer 20, by using writing light with the first intensity lower than the second intensity required for an initializing process in which the writing process is performed without the preprocessing.例文帳に追加

また、前処理では、初期化処理において前処理を行わずに書込処理を行う場合には必要であった第２の強度より小さい第１の強度の書込光を光導電層２０に露光する。 - 特許庁

A semiconductor chip 15 is mounted on the first insulation layer 12, and after a chip electrode 16 and the second wiring pattern 14 are connected, the semiconductor chip 15 and a bonding wire 17 are sealed by a sealing resin 18.例文帳に追加

半導体チップ１５を第１の絶縁層１２上に搭載し、チップ電極１６と第２の配線パターン１４とを接続した後に、封止樹脂１８によって半導体チップ１５及びボンディングワイア１７を封止する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an impurity atom pair of a first impurity atom 106 and a second impurity atom 107 introduced to a semiconductor layer 101 in a region between a p-type region 102 and an n-type region 103.例文帳に追加

ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挾まれた領域の半導体層１０１に導入された第１不純物原子１０６および第２不純物原子１０７からなる不純物原子対を備える。 - 特許庁

The protection layer 103 preventing water/oxygen intrusion from the outside is arranged over the organic element 101 formed on a substrate 100 and including a first electrode 103, an organic compound 104, and a second electrode 105.例文帳に追加

基板１００上に形成された、第１電極１０３、有機化合物１０４、第２電極１０５を含む有機素子１０１上に、外部の水分や酸素の侵入を防ぐための保護層１０２を設ける。 - 特許庁

The display device comprises a cholesteric liquid crystal layer which is laminated on a display surface displaying the first information by the display medium and displays the second information in the region of invisible light (for example, ultraviolet light, infrared light).例文帳に追加

また、表示媒体にて第一の情報を表示する表示面上に積層され、不可視光（例えば、紫外光や赤外光）の領域で第二の情報を表示するコレステリック液晶層を備える。 - 特許庁

The first semiconductor layer has the first region 2 of a first conduction type, and the second region 3 of a first conduction type formed on the first region 2 and having impurity concentration lower than that of the first region 2.例文帳に追加

第１半導体層は、第１導電型の第１領域２と、該第１領域２の上に形成され、第１領域２よりも不純物濃度が低い第１導電型の第２領域３とを有している。 - 特許庁

When advancing instruction is input by button operation of an operation unit, a three-layer coil springs 54a and 54b for transmission to which driving force has been given by a first motor 22a and a second motor 22b rotate to a predetermined direction.例文帳に追加

操作ユニットのボタン操作により前進指示を入力すると、第一モーター２２ａと第二モーター２２ｂにより駆動力が与えられた伝達用三層コイルバネ５４ａ，５４ｂが所定方向に回転する。 - 特許庁

A first signal transmission path 11 is formed on the surface side of a first hierarchy L1 of the multilayer wiring board 1, and a first ground layer 15 pairing the first signal transmission path 11 is formed on a second hierarchy L2.例文帳に追加

多層配線基板１の第１階層Ｌ１の表面側に第１信号伝送路１１が形成され、第２階層Ｌ２には第１信号伝送路１１と対をなす第１グランド層１５が形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor element with film deposition by depositing by a cold spray device 30 the film on a semiconductor element 10, having an aluminum film 12 overlaid on a silicon layer 11, includes a first step and a second step.例文帳に追加

シリコン層１１に重ねてアルミ膜１２を有する半導体素子１０に対しコールドスプレー装置３０によって成膜する成膜付半導体素子の製造方法は、第１工程と、第２工程とを有する。 - 特許庁

The film 92 is equipped with water separating films 95, 96 through which the ketone, the alcohol, or the ketal does not pass and through which water passes and a catalyst layer 97 which is laminated on a second chamber 94 side of the water separating films 95, 96.例文帳に追加

その膜９２は、ケトンとアルコールとケタールとを透過しないで水を透過する水分離膜９５、９６と、水分離膜９５、９６の第２室９４の側に積層される触媒層９７とを備えている。 - 特許庁

The second prism layer 23 is formed on the surface 212 of the base film 21, includes a plurality of prisms 230 juxtaposed in the same direction as the juxtaposed direction of the prisms 220 and has a refractive index lower than that of the base film 21.例文帳に追加

第２プリズム層２３は、ベースフィルム２１の表面２１２上に形成され、プリズム２２０の並設方向と同じ方向に並設された複数のプリズム２３０を含み、ベースフィルム２１よりも低い屈折率を有する。 - 特許庁

In the assembly 13, two pairs of first and second central electrodes 21, 22 are provided on the top surface of the circular microwave ferrite 20 so that the electrode 21 orthogonally crosses the electrode 22 at right angles with an insulating layer intervening.例文帳に追加

中心電極組立体１３は、円板状のマイクロ波フェライト２０の上面に２組の第１および第２中心電極２１，２２を、絶縁層を介在させて直交して交差するように配置している。 - 特許庁

The insulating film 41 is formed to be able to secure the withstand voltage to the voltage applied to the resistor element 34 even when there occurs a defect in the second STI separating layer 33 in a manufacturing process.例文帳に追加

絶縁膜４１は、製造過程において第２ＳＴＩ分離層３３に欠陥が生じた場合であっても、抵抗素子３４に印加された電圧に対して耐圧を確保することが可能に形成されている。 - 特許庁

When a P-type semiconductor layer is epitaxilally grown, a first gas flow F1 flowing from a first gas flow port 11 via the zinc crucible 3 and sequential containers to a second gas flow port 12 is generated.例文帳に追加

Ｐ型半導体層をエピタキシャル成長させるときには、第１気体流通口１１から、亜鉛壺３および処理容器１群を順に通って第２気体流通口１２に至る第１気流Ｆ１が形成される。 - 特許庁

The memory device has a first insulating film 102, a charge storing insulating film 103, and a second insulating film 104 on the semiconductor layer 101; and further has a gate electrode 105 made of polysilicon on an upper surface thereof.例文帳に追加

半導体層１０１上には、第一の絶縁膜１０２、電荷蓄積絶縁膜１０３、および第二の絶縁膜１０４を有しており、さらに、その上側に、ポリシリコン等よりなるゲート電極１０５を有する。 - 特許庁

In a second step, releasing the flexible polymer from the template is followed by pressing the inverse pattern of the flexible polymer replica into a resist layer (14) on a substrate to imprint a replica of the pattern of the template surface in therein.例文帳に追加

第二工程で、可撓性重合体レプリカをテンプレートから引き離した後、可撓性重合体レプリカの逆パターンを、基材上のレジスト層１４中にプレスし、テンプレート表面のパターンのレプリカをインプリントする。 - 特許庁

An active layer 11c is formed on the second semiconductor substrate 12 via an oxide film 11a by conducting the heat treatment to the laminated material 13, and by separating the laminated material 13 with an ion-implanting region 11b.例文帳に追加

この積層体１３を熱処理して積層体１３をイオン注入領域１１ｂで分離することにより第２半導体基板１２上に酸化膜１１ａを介して活性層１１ｃを形成する。 - 特許庁

This charger is a device for charging the voltage generated by a dynamo 2, and comprises a full-wave rectifying circuit 5, an electric double layer capacitor 6, a first electrolytic capacitor 7, and a second electrolytic capacitor 8.例文帳に追加

この充電装置は、ダイナモ２で発電された電圧を充電するための装置であって、全波整流回路５と、電気２重層コンデンサ６と、第１電解コンデンサ７と、第２電解コンデンサ８とを備えている。 - 特許庁

A mold exterior resin 8 is formed around a second conductive layer 4b, the cathode terminal 6, and the anode terminal 7, such that the ends of the cathode terminal 6 and the anode terminal 7 are drawn out.例文帳に追加

また、陰極端子６および陽極端子７の端部が外部に引き出されるように、第２導電層４ｂ、陰極端子６および陽極端子７の周囲には、モールド外装樹脂８が形成されている。 - 特許庁