「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(373ページ目) - Weblio英語例文検索

The result to be stored is data related to the interlayer interface nodes, and the quantity of data to be stored and the time required for the second processing are never influenced by the hierarchical depth or order of the layer.例文帳に追加

保存すべき結果データは階層間インタフェースノードに関するデータであり、保存データ量と第２処理に要する時間は階層の深さ若しくは上位階層であるか下位階層であるかによって影響されない。 - 特許庁

With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the second metallic layer 45 to have the smaller width W2 of 1 μm to 4 μm than the width W1 of the photosensitive film through the use of an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).例文帳に追加

感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。 - 特許庁

After the upper conductive film, the lower conductive film and the semiconductor layer are subjected to photographic etching, a protective film is vapor deposited and subjected to photographic etching to expose a first part and a second part of the upper conductive film.例文帳に追加

次に、上部導電膜、下部導電膜、及び半導体層を写真エッチングした後、保護膜を蒸着し、保護膜を写真エッチングして上部導電膜の第１部分及び第２部分を露出する。 - 特許庁

In a first layer 3 deposited on the principal surface of a substrate 2, a plurality of first grooves 6 are formed to be arranged in a first direction x and to extend in a second direction y intersecting the first direction x.例文帳に追加

基板２の主面に堆積された第１層３に、第１方向ｘに沿って並びかつ第１方向ｘと交差する第２方向ｙに沿って各々が延在する複数の第１溝６が形成される。 - 特許庁

An overhung part 5 overhanging it side wall outward is constructed at least on a part of an upper layer floor from a second floor 2b of a surface 2 of this building 1 on the building 1 of at least more than two floors.例文帳に追加

少なくとも２階立て以上の建物１において、この建物１の妻面２の２階２ｂから上層階の少なくとも一部に、その側壁を外方に張り出させたオーバーハング部５が構築されている。 - 特許庁

A fine resist aperture pattern is formed of single layer EB resist on a semiconductor substrate, a first metal thin film is formed on the entire surface, and second resist is applied to form an aperture pattern at the umbrella part of a T-type gate.例文帳に追加

半導体基板に単層EBレジストにより微細なレジスト開口パターンを形成し、全面に第１の金属薄膜を形成し、更に第２のレジストを塗布し、Ｔ型ゲートの傘の部分の開口パターンを形成。 - 特許庁

The process for forming the light shielding layer 68 includes a process for forming an aperture 72 at a position remote by a prescribed distance H from an edge of a second edge 52 side of a region where a third color filter 60 is formed.例文帳に追加

遮光層を形成する工程は、第３カラーフィルタ６０が形成される領域の第２端辺５２側の端辺から所定の距離Ｈだけ離間した位置に開口部７２を設ける工程を含む。 - 特許庁

After a first blasting is performed on the surface of the mold to remove a hardened layer produced on the surface and/or to adjust surface roughness, a second blasting is performed to form fine irregularities on the surface.例文帳に追加

金型の表面に第１のブラスト処理を行って前記表面に生じた硬化層の除去及び／又は面粗度の調整を行った後，第２のブラスト処理を行って前記表面に微小な凹凸を形成する。 - 特許庁

The outer layer 9 has a region, made of a second element body that has ZnO as a main constituent, without containing Co, and containing only all additives except Co in the plurality of additives, as the auxiliary elements.例文帳に追加

外層部９は、ＺｎＯを主成分とすると共に、Ｃｏを含まず且つ前記複数の添加物のうちＣｏを除くすべての添加物のみを副成分として含有する第２の素体からなる領域を有する。 - 特許庁

An P-type third semiconductor layer 14 is formed on an inner surface of the third recess part 52a so as to generate a fourth recess part 53a being smaller than the third recess part 52a; and has a third impurity concentration higher than the second impurity concentration.例文帳に追加

Ｐ型第３半導体層１４は第３凹部５２ａの内面にそれより小さい第４凹部５３ａを生じるように形成され、第２不純物濃度より高い第３不純物濃度を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a layer that is not sealed with a seal ring of one of the doubly arranged first seal ring 18 and the second seal ring 17 for the passage of the wiring line 60 is sealed with the other seal ring.例文帳に追加

半導体装置は、２重に配置された第１シールリング１８及び第２シールリング１７のうちの一方のシールリングが配線６０を通すためにシールしていない層を、他方のシールリングでシールする構造となっている。 - 特許庁

The angle θ (acute angle) is preferably in the range of 45°-80° between each side face of the first terminal 2a and the second terminal 2b with which the connection pin 21 comes into contact and the surface of a base insulation layer 1.例文帳に追加

接続用ピン２１が接触する第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの上記各側面と、ベース絶縁層１の表面とのなす角度θ（鋭角）は、例えば４５°〜８０°であることが好ましい。 - 特許庁

An insulation layer 15 covering the organic luminescence elements 10R, 10G and 10B is formed with a first opening 15A and a second opening 15B in each of the organic luminescence elements 10R, 10G and 10B.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆う絶縁層１５には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに、第１の開口部１５Ａおよび第２の開口部１５Ｂが設けられている。 - 特許庁

This film material 1 for the trim is excellent in weatherability and chipping resistance and has a colored layer 15 visually confirmed through the first and second transparent layers 11 and 13 to provide coating-like design effect having depth.例文帳に追加

この外装用フィルム材１は、耐候性、耐チッピング性に優れるとともに、着色層１５が第一及び第二の透明層１１，１３を通して視認されることで塗装様の深みのある意匠を提供することができる。 - 特許庁

Between the first inner tube 21 and the second inner tube 22, a hollow heat insulating layer 27 is held where the double inner tube is sealed at its upstream end to preclude the entry of exhaust gas from the upstream side.例文帳に追加

第１内管２１と第２内管２２との間には、当該二重内管の上流側端部を封止することで上流側からの排気ガスの進入を不能とした中空断熱層２７が確保されている。 - 特許庁

On the other hand, on the second inter-layer film 20, there are provided main wiring 36 of X-bridge wiring 31 and main wiring 36 of Z-detection upper electrode wiring 33 in a direction crossing the inter-element wiring 43.例文帳に追加

一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。 - 特許庁

The liquid crystal layer 101 has at least first and second domains 101a, 102b varying in the alignment of liquid crystal molecules from each other with each of display picture element regions and, therefore, the change in the display quality by the visual angle direction may be suppressed.例文帳に追加

液晶層は、表示絵素領域ごとに、液晶分子の配向が互いに異なる第１及び第２ドメインを少なくとも有するので、視角方向による表示品質の変化を抑制することができる。 - 特許庁

In the method, a hot hole eliminated is conducted, where hot holes are injected into the nonconductive trap material, thereby first electrons trapped in the nonconductive trap material are eliminated, and several holes are remained in the second silicon dioxide layer.例文帳に追加

本方法は、ホットホール消去が実行され、ホットホールを非導電性トラップ材に注入して、非導電性トラップ材にトラップした第１電子を消去し、幾つかのホールを第２二酸化シリコン層に残留させる。 - 特許庁

An opening is formed on the circuit board, and a concave reflecting mirror for reflecting light emitted from the second light-emitting element and guiding the reflected light from the opening to the first light-emitting element side is arranged on the lowest layer of an LED package.例文帳に追加

また、回路基板には開口部を設け、ＬＥＤパッケージの最下層には、第二の発光素子から発した光を反射し、開口部から第一の発光素子側に導く凹面状反射鏡を配置する。 - 特許庁

A circuit pattern formed by connecting a first conductor 6 and a second conductor 7 in parallel with each other is disposed in the upper part of a deformed part 3 deformed and pressure-broken by rise of the internal pressure of the electric double layer capacitor.例文帳に追加

電気二重層コンデンサの内圧の上昇によって変形及び圧力破壊する被変形部３の上部には、第１の導体６と第２の導体７が並列接続された回路パターンが配置されている。 - 特許庁

In the laminate 1 in which the first base material 2 and the second base material 3 are laminated through an adhesive layer 4, a protective member 10 is formed integrally with the circumferential side end face 1a of the laminate 1.例文帳に追加

第１の基材２と第２の基材３とを接着層４を介して貼り合わせてなる積層体１において、積層体１の外周側端面１ａに保護部材１０を—体化して形成している。 - 特許庁

This chemical sensor element includes a resonator wherein a first reflector in which metal fine structures 101 are arranged two-dimensionally and periodically is counterposed with interposition of a dielectric layer 102 to a second reflector 103.例文帳に追加

化学センサ素子は、金属微細構造体１０１が二次元的かつ周期的に配置された第１の反射体が誘電体層１０２を介して第２の反射体１０３と対向して配置された共振器を有する。 - 特許庁

The brazing sheet exhibits satisfactory brazability by the second aluminum alloy brazing filler metal so as to be the surface layer of the internal face of the tube, and further exhibits satisfactory corrosion resistance since suitable eutectic phases are almost uniformly present in the facial direction.例文帳に追加

管内面の表層となる第２のアルミニウム合金ろう材によって、良好なろう付け性を示すとともに、面方向において適度な共晶相が略均等に存在して良好な耐食性を示す。 - 特許庁

There is provided a semiconductor circuit comprising: a gate region shared between a first transistor and a second transistor; a gate insulating film arranged so as to contact the gate region; and a semiconductor layer arranged so as to contact the gate insulating film.例文帳に追加

半導体回路は、第１および第２のトランジスタで共有されるゲート領域と、ゲート領域に接するように配置されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接するように配置される半導体層と、を備える。 - 特許庁

The n-type layer 12 has a channel 13 which is formed so as to extend from a second surface 12B as a surface opposite to a first surface 12A as the surface of the substrate 11 toward the first surface 12A.例文帳に追加

ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。 - 特許庁

An etching stop layer 124 and an interlayer insulating film 126 are sequentially formed on the entire surface of a resultant substrate, and then subjected to etching operation to form a first contact hole 128a and a second contact hole 128b for a borderless contact.例文帳に追加

結果物の全面にエッチング阻止層１２４および層間絶縁膜１２６を順次に形成した後、これをエッチングして第１コンタクトホール１２８ａおよびボーダレスコンタクト用第２コンタクトホール１２８ｂを形成する。 - 特許庁

A method for removing bubbles is carried out by removing bubbles (22) in the liquefied layer (21) disposed between an uneven pattern (CC) formed on the first substrate (TP1) and a second substrate (SW) disposed opposite to the uneven pattern.例文帳に追加

脱泡方法は、第１基板（ＴＰ１）に形成された凹凸パターン（ＣＣ）と該凹凸パターンに対向して配置された第２基板（ＳＷ）との間に設けられた液状層（２１）中の泡（２２）を除去する方法である。 - 特許庁

Further, a low-k interlayer insulating film 11 having a dielectric constant not higher than 4 is formed on the Al wiring 10, and an Al wiring 13 for a second layer is formed on the low-k interlayer insulating film 11.例文帳に追加

さらに、Ａｌ配線１０の上に誘電率４未満からなるｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１１を形成し、このｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１１に第２層のＡｌ配線１３を形成する。 - 特許庁

The second conductor layer 21B is disposed so as to fill the gap between the two end edge demarcation parts 21A1 and 21A2 without projecting from the end edge on the outer side at the two end edge demarcation parts 21A1 and 21A2.例文帳に追加

第２の導体層２１Ｂは、２つの端縁画定部２１Ａ１，２１Ａ２における外側の端縁よりはみ出すことなく、２つの端縁画定部２１Ａ１，２１Ａ２の間の間隙を埋めるように配置されている。 - 特許庁

A covering layer 40 for covering a region where the plurality of first and second terminals 14, 24 overlap is provided on a surface at a side opposite to the surface in which the first terminal 14 is formed on the first substrate 10.例文帳に追加

第１の基板１０における第１の端子１４が形成された面とは反対側の面には、複数の第１及び第２の端子１４，２４のオーバーラップする領域を被覆する被覆層４０が設けられている。 - 特許庁

Between a first laminate in which a prescribed number of ceramic plates each having a level difference are laminated and a second laminate in which a prescribed number of ceramic plates each having no level difference are laminated, another ceramic plate forming an intermediate layer is placed and laminated.例文帳に追加

段差のあるセラミック板を所定枚数積層した第一の積層体と、段差のないセラミック板を所定枚数積層した第二の積層体との間に、中間層をなす他のセラミック板を介在し積層した。 - 特許庁

A JFET region 7 contacts the body region 4 on the drift layer 3 and has an impurity concentration N_1j of the first conductivity type and an impurity concentration N_2j of the second conductivity type smaller than the impurity concentration N_1j.例文帳に追加

ＪＦＥＴ領域７は、ドリフト層３上においてボディ領域４に隣接し、第１導電型の不純物濃度Ｎ_1jと、不純物濃度Ｎ_1jよりも小さい第２導電型の不純物濃度Ｎ_2jとを有する。 - 特許庁

A gate insulation layer, whose film is formed through plasma CVD method, has a laminated structure comprised of a first silicon nitride film 3 and a second silicon nitride film 4 that is formed at a film formation speed which is than that of a first silicon nitride film.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により成膜されるゲート絶縁層を、第１の窒化シリコン膜３及び該第１の窒化シリコン膜よりも低速の成膜速度で成膜した第２の窒化シリコン膜４の積層構造とした。 - 特許庁

This capacitor 101 to be built in a wiring board is provided with a dielectric layer 105 and electrode layers 141, 142, and has a hole portion 161 opened on a first main surface 102 and a second main surface 103.例文帳に追加

本発明の配線基板内蔵用キャパシタ１０１は、誘電体層１０５と電極層１４１，１４２とを備えるとともに、第１主面１０２及び第２主面１０３にて開口する穴部１６１を有する。 - 特許庁

As a result, a volume of light irradiated from an irradiation face 22a (a light-emitting face of the light guide body 13) of the second light guide member 22 as an outermost layer is increased to enable to secure brightness of the irradiation face 22a.例文帳に追加

その結果、最上層である第２の導光部材２２の出射面２２ａ（導光体１３の発光面）から出射する光の量も増大し、当該出射面２２ａの輝度を確保することができる。 - 特許庁

Since the first refrigerant is condensed in the second refrigerant, the condensed droplets 14aq are not enclosed by a thick layer of an uncondensed gas, and there occurs no hindrance of the heat or substance movement by an uncondensed gas.例文帳に追加

第１冷媒は、第２冷媒中で凝縮するので、凝縮した液滴１４ａｑが不凝縮気体の濃い層に囲まれることがなく、不凝縮気体による熱および物質移動の阻害が生じない。 - 特許庁

Thereafter, the cured layer M is obtained by revolving a shaping table 50 by 180° and irradiating the light beam L to whole of the first stage 20a and part of the overlapping region 20v and curing the powder material P (second shaping step).例文帳に追加

その後、造形テーブル５０を１８０度回転し、第１ステージ２０ａの全体とオーバーラップ領域２０ｖの一部に光ビームＬを照射し、粉末材料Ｐを硬化させて硬化層Ｍを得る（第２形成工程）。 - 特許庁

A second nitride-based III group compound semiconductor layer 32 can be grown even to an upper region above the steps by epitaxially growing in horizontal directions by utilizing the upper face and the side faces of each upper part of the steps for the nuclei.例文帳に追加

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分の上方にも成長させることができる。 - 特許庁

A second grout having the longer time until fluidity loses in comparison with the first grout is supplied to each of the areas divided by the weir, and it is infiltrated into the gaps in the ballast layer and is hardened.例文帳に追加

上記堰によって分割された領域のそれぞれに、流動性を失うまでの時間が前記第１の注入材より長い第２の注入材を供給し、バラスト層内の間隙中に浸透させて硬化させる。 - 特許庁

Since the anode collector 1 is hardly expanded in case of expansion of the anode active material layer 2 at charging and discharging, by an expansion restraining function of the second thickness part P2, generation of wrinkles can be restrained.例文帳に追加

第２の厚さ部分Ｐ２による伸長抑制機能により、充放電時に負極活物質層２が膨張した場合においても負極集電体１が伸長しにくくなるため、しわの発生が抑制される。 - 特許庁

The second aluminum alloy brazing material, which is to be a surface layer in the refrigerant side, shows adequate brazing properties, and simultaneously shows adequate corrosion resistance because of having appropriate eutectic phases almost equally existing in the surface direction.例文帳に追加

冷媒側の表層となる第２のアルミニウム合金ろう材によって、良好なろう付け性を示すとともに、面方向において適度な共晶相が略均等に存在して良好な耐食性を示す。 - 特許庁

The hard magnet layer is patterned to form a first pattern 43A covering the MR elements 42C, 42D and second and third patterns 43B, 43C holding the MR elements 42A, 42B therebetween in the in-plane direction.例文帳に追加

ハードマグネット層をパターニングし、ＭＲ素子４２Ｃ，４２Ｄを覆う第１のパターン４３Ａと、面内方向においてＭＲ素子４２Ａ，４２Ｂを挟むように第２および第３のパターン４３Ｂ，４３Ｃとを形成する。 - 特許庁

In this solar cell 100, a second surface 17S_2 of a protection layer 17 has higher acid-resistance than a first surface 17S_1.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池１００において、第１実施形態に係る太陽電池１００において、保護層１７の第２表面１７Ｓ_２は、第１表面１７Ｓ_１の耐酸性よりも高い耐酸性を有する。 - 特許庁

After a bottom part S of the pit is covered by the second group III nitride compound semiconductor 4 in the manner of lateral growth, epitaxial growth is conducted again for forming a first group III nitride compound semiconductor layer 32 (c).例文帳に追加

アルミニウム組成が高くなったことで、第１のIII族窒化物系化合物半導体層３１が覆えなかった小領域Ｓを、第２のIII族窒化物系化合物半導体層４が覆えるようになる（ｂ）。 - 特許庁

The end face of the pole layer 24 arranged at a medium facing surface has a first portion 41 and a second portion that is loacated apart from a substrate at the first portion and connected to the first portion.例文帳に追加

媒体対向面に配置された磁極層２４の端面は、第１の部分４１と、この第１の部分４１よりも基板から遠い位置に配置され、且つ第１の部分に接続された第２の部分４２とを有している。 - 特許庁