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second-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21455件
In the ridge waveguide type III group nitride compound semiconductor laser diode element, a ridge part including a first region including a central part and continuing in a lengthwise direction, and a second region sandwiching both the sides of the first region with an average thickness of its layer thinner than that of the second region, is formed.例文帳に追加
リッジ導波路型のIII族窒化物系化合物半導体レーザダイオード素子において、中央部を含み且つ長手方向に連続する第1領域と、該第1領域を両側から挟み且つその平均層厚が該第1領域の平均層厚よりも小さい第2領域と、を含むリッジ部を形成する。 - 特許庁
As a result, the inductance elements present respectively in the first and second layer which comprise respectively the first and second ferrite sheets 115, 116 respectively generate their magnetic saturation by different superimposed DC currents from each other to give resultingly an laminated inductor having an arbitrary DC-current superimposition characteristic.例文帳に追加
これにより、第1フェライトシート115からなる第1強磁性体層におけるインダクタンス素子と、第2フェライトシート116からなる第2強磁性体層におけるインダクタンス素子が、異なる大きさの重畳直流電流により磁気飽和を生じさせるので、任意の直流重畳特性を有する積層インダクタが得られる。 - 特許庁
The vertexes of the integral compressible spacer dots extend through the second conductive layer, whereby, when a force is applied to the flexible transparent cover sheet at the location of one of the compressible spacer dots, the compressible spacer dot is compressed to allow electrical contact between the first and second conductive layers.例文帳に追加
一体型圧縮性スペーサードットの頭頂は、その第2伝導層を貫いて延び、それにより、力が圧縮性スペーサードットの1つの位置でフレキシブル透明カバーシートに加えられると、圧縮性スペーサードットは圧縮され、その結果、第1の伝導層と第2の伝導層との間の電気的接触が可能となる。 - 特許庁
The optical recording medium has a recording layer with at least a first recording sublayer (R1) and a second recording sublayer (R2) for recording information marks by alloying the material of at least the first and second recording layers (R1 and R2).例文帳に追加
本発明によれば、この目的は、少なくとも第1の記録副層(R1)および第2の記録副層(R2)を有する記録層を備え、これらの少なくとも第1の記録層および第2の記録層(R1、R2)の材料を合金化することによって情報マークを記録する光記録媒体によって実現される。 - 特許庁
A disk housing file 20 is composed of a first film 21 and a second film 22 which is joined to the first film 21 so as to form a pocket between the first film and the second film, and a temporary adhesive means comprising of a weak adhesive layer 25 or the like is formed at a part where the pocket does not exist.例文帳に追加
ディスクを収納するためのディスク収納ファイル20は、第1のフィルム21と、第1のフィルム21の一部との間にポケットを形成するように第1のフィルム21に接合された第2のフィルム22とから成り、第1のフィルムの、ポケットが存在しない部分の一部に、弱粘着層25などの仮接着手段が形成されている。 - 特許庁
Each of the plurality of light scattering parts is held between a first electrode 34 and a second electrode 35 in a driving region A1 in which the first electrode 34 and the second electrode 35 are overlapped to each other and has a liquid crystal layer 33 for scattering incident light in accordance with voltage applied between these electrodes 34, 35.例文帳に追加
複数の光散乱部の各々は、第1電極34と第2電極35とが重なり合う駆動領域A1において第1電極34と第2電極35との間に挟持されこれら電極間の印加電圧に応じて入射光を散乱させる液晶層33を有している。 - 特許庁
Continuously, a second resist pattern 20 is formed over the Si substrate 10, and with the first and second resist patterns 16 and 20 as masks, impurity ions 22 are implanted in the Si substrate 10 with efficiently high energy for forming an impurity-ion- implanted layer 24 at a specified depth D in the Si substrate 10.例文帳に追加
続いて、Si基板10上に第2のレジストパターン20を形成し、第1及び第2のレジストパターン16、20をマスクとして十分に高いエネルギーでSi基板10に不純物イオン22を注入して、Si基板10中の所定の深さDに不純物イオン注入層24を形成する。 - 特許庁
A cutting line is formed by cutting the lining layer along the predetermined first direction by using a cutting machine, then first holes are formed at specific intervals in the second direction orthogonal to the cutting line and with predetermined widths in the first direction by using a core drill, and further second holes are formed along the cutting line.例文帳に追加
切断機を用いてライニング層を所定の第1の方向に沿って切断して切断線を形成した後、コアドリルを用いて切断線に直交する第2の方向に所定の間隔で、しかも第1の方向に所定の幅をもって第1の穴を形成するとともに、切断線上に沿って第2の穴を形成する。 - 特許庁
The semiconductor apparatus comprises a first diffusion region 22 provided in the surface layer of a semiconductor substrate 10, having a first impurity and germanium, and a second diffusion region 24 provided more shallowly than the first diffusion region 22 from the surface of the first diffusion region 22, having a second impurity not contributing to conductivity.例文帳に追加
半導体基板10の表面層に設けられ、導電性に寄与する第1の不純物及びゲルマニウムを含む第1の拡散領域22と、第1の拡散領域22の表面から第1の拡散領域22より浅く設けられ、導電性に寄与しない第2の不純物を含む第2の拡散領域24とを備える。 - 特許庁
The molecules in the liquid crystal layer (15) can be switched between a first state providing a first angular viewing range and a second state providing a second angular viewing range which is within and smaller than the first angular viewing range.例文帳に追加
また、少なくとも1つの液晶層(15)を有する液晶装置(4)を備え、この液晶層(15)の分子は、第1の視野角範囲を提供する第1の状態と、第1の視野角範囲内にあり、第1の視野角範囲よりも狭い第2の視野角範囲を提供する第2の状態との間で切替え可能である。 - 特許庁
The liquid crystal display panel is provided with a first substrate such as a TFT array substrate and a second substrate such as a color filter substrate and is constructed together with a sealing material which is present on peripheral parts of the first and second substrates and surrounds a region where a liquid crystal layer is present on the outside of a display region, and fixes both the substrates.例文帳に追加
TFTアレイ基板などの第1基板およびカラーフィルタ基板などの第2基板を備え、前記第1基板と第2基板の周縁部に前記表示領域の外側で前記液晶層の存在する領域を取り囲み、両基板を固定するシール材とからなる液晶表示パネル。 - 特許庁
In the liquid crystal device 100 and the method for manufacturing the same, a second insulating film 162 is formed after a first insulting film 161 is formed on the upper layer side of pixel electrodes 9a, and then, the second insulating film 162 is polished until regions planarly overlapping the pixel electrodes 9a, of the first insulating film 161 is exposed.例文帳に追加
液晶装置100およびその製造方法において、画素電極9aの上層側に第1絶縁膜161を形成した後、第2絶縁膜162を形成し、その後、第1絶縁膜161において画素電極9aと平面的に重なる領域が露出するまで第2絶縁膜162を研磨する。 - 特許庁
The probe card includes the probe substrate 12 having a first surface in which contact probes 11 are formed and a second surface in which a resin layer 40b is formed, an ST substrate 20 opposed to the second surface of the probe substrate 12 with an interval, and three stud bumps 23 or more dotted and sandwiched between the probe substrate 12 and the ST substrate 20.例文帳に追加
第1面にコンタクトプローブ11が形成され、第2面に樹脂層40bが形成されたプローブ基板12と、プローブ基板12の第2面と間隔を空けて対向するST基板20と、プローブ基板12及びST基板20に挟持された点在する3以上のスタッドバンプ23により構成される。 - 特許庁
A near-field light generating element 23 accommodated in the groove 24g of an encasing layer 24 has an outer surface that includes a first end face 23a having a near-field light generating part 23f, a second end face opposite the first end face 23a, and a coupling portion that couples the first end face and the second end face.例文帳に追加
収容層24の溝部24g内に収容された近接場光発生素子23は、近接場光発生部23fを含む第1の端面23aと、第1の端面23aの反対側に位置する第2の端面と、第1の端面と第2の端面を連結する連結部とを含む外面を有している。 - 特許庁
The organic EL panel includes a light emitting portion holding at least an organic light emitting layer between a first electrode 2 and a second electrode 7 and a plurality of barrier ribs 4 formed to separate the second electrode 7 into a plurality, both of which are formed on a support substrate 1, and is formed with a protective film covering the light emitting portion.例文帳に追加
第一電極2と第二電極7の間に少なくとも有機発光層を挟持してなる発光部と第二電極7を複数に分離するように複数形成される隔壁4とを支持基板1上に形成し、前記発光部を覆う保護膜を形成してなる有機ELパネルである。 - 特許庁
The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.例文帳に追加
半導体層10の主面10aに形成され、第1開口部38Nと第2開口部38Pとを有する素子分離絶縁膜30と、第1開口部の内側に設けられたn型MOSFET101Nと、第2開口部の内側に設けられたp型MOSFET101Pと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
In an electrooptic device 100 in which an electrooptic material 31 is placed between a first substrate 5 and a second substrate 4 that are arranged facing each other, a reinforcing layer 4A is formed at least on surfaces 4a, 4b on the other side of a surface 4C, facing the first substrate 5, of the second substrate 4.例文帳に追加
互いが対向して配置される第1基板5と第2基板4との間に電気光学物質31が挟持されてなる電気光学装置100において、少なくとも第2基板4における第1基板5との対向面4Cとは反対側の面4a,4bに強化層4Aが形成されている。 - 特許庁
The above problem of the liquid crystal display device of a horizontal alignment system having a first substrate and a second substrate and a liquid crystal layer injected between these substrates is solved by forming alignment layers 5 alternately lined up with hydrophilic regions A and hydrophobic regions A on the first substrate and the second substrate.例文帳に追加
第1の基板と第2の基板と当該基板間に注入された液晶層とを有する水平配向方式の液晶表示装置において、第1の基板および第2の基板に、親水性領域Aと疎水性領域Bとが交互に並んでいる配向膜5を形成したことにより、上記課題を解決した。 - 特許庁
The liquid crystal display device has a first substrate 1, having a common electrode 2 and a pixel electrode 5, a second substrate 14 disposed facing the first substrate and having recesses 19 on the counterposed face to the first substrate, and a liquid crystal layer 9, having positive dielectric anisotropy held between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加
共通電極2と画素電極5とを備えた第1基板1と該第1基板に対向配置された第2基板14と、該第2基板の第1基板と対向面に凹部19を有し、該第1基板と該第2基板とで挟持された正の誘電異方性の液晶9層を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁
To appropriately limit the impregnation of molding material into a fuel cell-sealing structure comprising a generator, second gas diffusion layers on both sides thereof, and a gasket molded integrally with the generator and the second gas diffusion layers via the impregnated portion of the molding material, the generator comprising a membrane-electrode complex and a first gas diffusion layer.例文帳に追加
膜−電極複合体及び第一ガス拡散層からなる発電体と、その両側の第二ガス拡散層と、これら発電体及び第二ガス拡散層に成形材料の含浸部を介して一体に成形されたガスケットからなる燃料電池用シール構造体において、成形材料の含浸を適切に制限する。 - 特許庁
The abrasive layer includes abrasive grains and a binder, the binder being formed from a binder formulation having first and second binder components mixed together uniformly with the abrasive grains, wherein the first binder component is radiation curable and the second binder component comprises a powder and is thermally curable.例文帳に追加
研磨層には砥粒と結合剤が含まれ、結合剤は、砥粒と共に均等に混合された第1及び第2の結合剤構成要素を有する結合剤処方から形成され、第1の結合剤構成要素は放射線硬化性であり、第2の結合剤構成要素は粉末を含みかつ熱硬化性である。 - 特許庁
An overcurrent does not flow between source/drain region of the transistor as protective circuit, but comes into contact with the part of the well region of first conductive type intruding the well region of second conductive region with a depletion layer being extending from the drain region, and flows between the drain region and the part intruding the well region of second conductive type.例文帳に追加
過電流は保護回路のトランジスタのソース/ドレイン領域間を流れずに、ドレイン領域から空乏層が延びて第1導電型ウエル領域の第2導電型ウエル領域に入り込んだ部分に接触して、ドレイン領域と第2導電型ウエル領域に入り込んだ部分との間を流れるようになる。 - 特許庁
The first and second memory element include respectively insulating layers 20 and 120, floating gates 22 and 122, third impurity diffused regions 15 and 25, and a common intermediate insulating layer 26, and a common control gate 28 connected to the first and second impurity diffused layers in common.例文帳に追加
第1および第2記憶素子100はそれぞれ、ゲート絶縁層20,120、フローティングゲート22,122、選択酸化絶縁層24,124、および第3不純物拡散層15,25を含み、かつ、共通の中間絶縁層26、共通のコントロールゲート28を有し、共通の第1および第2不純物拡散層16,14に接続されている。 - 特許庁
The first memory cell array 110, in which memory cells are arranged in a matrix pattern, comprises a first signal electrode 112, a second signal electrode 116 arranged in the direction in which the first signal electrode 112 intersects, and at least a ferroelectric layer 114 arranged between the first signal electrode 112 and the second signal electrode 116.例文帳に追加
第1メモリセルアレイ110は、メモリセルがマトリクス状に配列され、第1信号電極112と、第1信号電極112が交差する方向に配列された第2信号電極116と、少なくとも第1信号電極112と第2信号電極116との間に配置された強誘電体層114とを含む。 - 特許庁
The main metal layer 20A has a first surface 21, a second surface 22 opposite thereto, and a through hole 25A, which is formed extending from the first surface 21 and a second surface 22 and corresponds to a part of the conductive ball housing through hole 15, and corresponds to a maximum diameter part of the conductive ball 200 in the through hole 25A.例文帳に追加
メイン金属層20Aは、第1面21及びその反対側の面である第2面22と、第1面21と第2面22との間にわたって形成され導電性ボール収容貫通孔15の一部に該当する貫通孔25Aとを有し、その貫通孔25Aにおいて導電性ボール200の最大径部分に対応する。 - 特許庁
An intermediate wiring layer 30 is prepared which is a plate-like member, and includes an insulating portion 31 constituting the plate-like member and first and second conduction portions 32 and 33 provided to be exposed from the front surface and back surface of the insulating portion 31, and in which the first conduction portion 32 and second conduction portion 33 are insulated.例文帳に追加
板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部31と、絶縁部31の表面および裏面から露出するように備えられている第1、第2導電部32、33を備え、第1導電部32と第2導電部33とが絶縁されている中間配線層30を用意する。 - 特許庁
A first connection part 9 to which a second connection part 14 formed in a second conductor wiring 12 of a flexible printed wiring board 10 is formed in a first conductor wiring 3 other than the outermost layer of a plurality of layers of first conductor wirings 3 of a multilayer rigid printed wiring board 23.例文帳に追加
多層リジットプリント配線板23が有する複数層の第1の導体配線3の最外層以外の第1の導体配線3に、フレキシブルプリント配線板10が有する第2の導体配線12に形成された第2の接続部14が接続される第1の接続部9が形成されている。 - 特許庁
This invention is accomplished by finding out the method for processing the lining by which the stable adhering strength (peeling strength) can be obtained with a small applying quantity of the adhesive by adhering to each other after fluffing the adhering face of a second bath cloth before adhering a skin layer and the second bath cloth in the processing the lining of the tufted carpet.例文帳に追加
本発明は、タフテッドカーペットの裏加工において、表皮層とセカンド基布を貼り合わす前に、セカンド基布の貼り合せ面を毛羽立たせてから貼り合わすことによって、少ない接着剤の塗布量で安定した接着強度(剥離強度)の得られる裏加工方法を見出し、本発明に到達した。 - 特許庁
An n-type FLR region 6 including P as an impurity is formed in an annular shape at a position near the boundary between the first and second Si layers 2 and 3 surrounding the base region 4 and the emitter region 5, and the FLR region 6 is formed in the embedded structure not exposed to the surface of the second Si layer 3.例文帳に追加
ベース領域4及びエミッタ領域5を取り囲むように、不純物としてPを含むn型のFLR領域6が、第1Si層2と第2Si層3との境界近傍の位置に環状に形成されており、FLR領域6は第2Si層3の表面に露出しない埋め込み構造となっている。 - 特許庁
A transfer gate electrode connected to the respective photoelectric conversion elements of the light receiving part is turned to the 2-layer structure of a first transfer gate electrode and a second transfer gate electrode, and the second transfer gate electrode is constituted of a laminated part stacked with the first transfer gate electrode and a non-laminated part not stacked with the first transfer gate electrode.例文帳に追加
受光部の各光電変換素子に接続した転送ゲート電極は、第1転送ゲート電極と、第2転送ゲート電極の2層構造とするとともに、第2転送ゲート電極は、第1転送ゲート電極と積重した積層部と、第1転送ゲート電極と積重しない非積層部とから構成する。 - 特許庁
Further, at least one of a first electrode 215 and a second electrode 213 opposed to each other across the light-emitting layer 214 is divided into a partial electrode provided at a position opposed to the first region, a partial electrode provided at a position opposed to the second region, and a partial electrode provided at a position opposed to the third region.例文帳に追加
また、発光層214を挟んで対向する第1電極215と第2電極213の少なくとも一方は、第1領域と対向する位置に設けられた部分電極と、第2領域と対向する位置に設けられた部分電極と、第3領域と対向する位置に設けられた部分電極とに分かれている。 - 特許庁
The electric wire parts 30 include: an electric wire 31 having a lead wire 31c; and a zygote 32 for lead wire connected to the lead wire 31c, and the zygote 32 for lead wire is connected to the second conductor layer pattern 22p through a conduction opening conductor 41 which is formed in a conduction opening 40c for lead wire penetrating the second wiring board 20.例文帳に追加
電線部品30は、導線31cを有する電線31と、導線31cに接続された導線用接合子32とを備え、導線用接合子32は、第2配線基板20を貫通する導線用導通孔40cに形成された導通孔導体41を介して第2導体層パターン22pに接続される。 - 特許庁
The light-emitting element comprises a first electrode and a second electrode which are installed opposite to each other and of which at least one is transparent or semi-transparent, and a light-emitting layer which is pinched between the first electrode and the second electrode and which is constituted by dispersing the light-emitting particles in a matrix made of positive hole transport materials.例文帳に追加
発光素子は、互いに対向して設けられ、少なくとも一方が透明又は半透明である、第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に挟持され、正孔輸送材料からなるマトリクス中に発光体粒子が分散して構成された発光層と、を備える。 - 特許庁
A resin film 77 includes a first resin film 77a which is formed to cover the area 70a-a third area(a laminated layer including the thin-film piezo-electric body 73 and the first and second electrode films 75a, 75b) and a second resin film 77b which is formed on an area of an electrode 71a to be formed.例文帳に追加
樹脂膜77は、第1領域70a〜第3領域(薄膜圧電体73と第1及び第2の電極膜75a,75bとを含む積層体)それぞれを覆うように形成される第1の樹脂膜77aと、電極71aが形成される領域に形成される第2の樹脂膜77bとを含む。 - 特許庁
A first and a second thermistor layer 7 and 8, are formed on the edge faces of a thermistor element 2; a first and a second external electrode 9 and 10, are formed on the thermistor layers 7 and 8 respectively for the formation of a thermistor; and the electrical characteristics of the thermistor can be regulated easily, by selecting those materials that constitute the thermistor layers 7 and 8.例文帳に追加
サーミスタ素体2の端面2a,2bに第1,第2のサーミスタ層7,8が形成されており、第1,第2のサーミスタ層7,8上に第1,第2の外部電極9,10が形成されており、サーミスタ層7,8を構成する材料を選択することにより電気的特性を容易に調整し得るサーミスタ1。 - 特許庁
A first conductor 132K and a second conductor 132L, or the like whose sections are slender along the signal conductor wire 126 or the like are disposed which connect the surface side first and second ground layers 129K, 129L or the like with the rear side ground layer 131 in the vicinity of the signal conductor wire 126 or the like.例文帳に追加
さらに、信号導体線126等の近傍において、表面側第1または第2グランド層129K,129L等と裏面側グランド層131とを接続する導体であって、断面が信号導体線126等に沿う細長い形状とされた第1及び第2断面細長導体132K,132L等を備える。 - 特許庁
An inside joining portion 30 of opposed base clothes provided in the air chamber of the airbag is constituted of a first sewn portion 31 for defining the air chamber formed by sewing the base clothes together, a second sewn portion 32 for surrounding and protecting the end portion 31T, and an adhesive layer 35 formed around the first and second sewn portions 31 and 32.例文帳に追加
エアバッグの気室内に設けられた対向する基布同士の内側接合部30を、基布同士を縫製して形成された気室を区画する第1縫製部31と、その端部31Tを囲んで保護する第2縫製部32及び、縫製部31、32の周りに形成された接着剤層35から構成する。 - 特許庁
The grounding patterns 140, 141 are fitted between first and second contact connecting pads 123, 133 and the grounding layer 122, and an impedance at a solder connection part (a section 80) to the first and the second contact connecting pads 123, 133 is matched to 100 Ω.例文帳に追加
インピーダンス整合用グランドパターン140、141は、夫々第1、第2のコンタクト接続用パッド123、133とグランド層122との間に設けてあり、第1、第2の信号コンタクト13、14の第1、第2のコンタクト接続用パッド123、133への半田付け接続部分(区間80)のインピーダンスを100Ωに整合させる。 - 特許庁
A second transfer table 13 is movably provided movable from a peeling start station A to a peeling completion station B between a temporary bonding station 5 and a laminated layer station 6 to the direction along the diagonal line from a peeling start end side corner part 2a of the sheet 2 with film on the second transfer table 13 to a peeling terminal end side corner part 2b.例文帳に追加
仮接合ステーション5と積層ステーション6間の剥離開始ステーションAから剥離完了ステーションBへ、第2搬送テーブル13を第2搬送テーブル13上のフイルム付シート2の剥離始端側隅角部2aから剥離終端側隅角部2bの対角線に沿う方向へ移動可能に設ける。 - 特許庁
On the resin layer 109, a second insulating film 110 composed of an inorganic material is formed and on the second insulating film 110 and the mesa structure 120, an upper contact electrode 111 having an electrode opening 111a for exposing part of the top surface of the mesa structure 120 is formed.例文帳に追加
樹脂層109の上には無機材料からなる第2の絶縁膜110が形成され、該第2の絶縁膜110及びメサ構造体120の上には、該メサ構造体120の上面の一部を露出する電極開口部111aを有する上部コンタクト電極111が形成されている。 - 特許庁
On the silicon substrate 1, while an accumulation layer 11 of the first conductivity type containing impurity concentration higher than the silicon substrate 1 is formed on the side of second principal plane 1b, irregular unevenness 10 is formed on a domain facing at least to a semiconductor domain 3 on the second principal plane 1b.例文帳に追加
シリコン基板1には、第2主面1b側にシリコン基板1よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層11が形成されていると共に、第2主面1bにおける少なくとも半導体領域3に対向する領域に不規則な凹凸10が形成されている。 - 特許庁
This cooling method is accomplished by a first cooling process of cooling the steam turbine until the steam turbine temperature reaches a designated temperature after the stop of the steam turbine and a second cooling process of removing a second thermal insulation layer 14 and further cooling the steam turbine when the steam turbine temperature becomes a designated value or lower.例文帳に追加
蒸気タービン停止後、蒸気タービン温度が所定温度になるまで該蒸気タービンの冷却を行う第1の冷却工程と、前記蒸気タービン温度が所定値以下になった時に、第2の保温層14を取り外して更に前記蒸気タービンの冷却を行う第2の冷却工程とによって達成される。 - 特許庁
The variable wavelength semiconductor laser has at least two regions of a first region and a second region in the direction of the resonator, and the width of the optical waveguide at the active-layer depth position in the first region is made shorter than the width of the waveguide in the second region.例文帳に追加
共振器方向に第1の領域と第2の領域の少なくとも2つの領域を有する波長可変半導体レーザにおいて、前記第1の領域の領域における前記活性層の深さ位置での前記光導波路の幅を前記第2の領域における光導波路の幅より狭く形成する。 - 特許庁
The liquid crystal display is equipped with a first transparent substrate 110, a second transparent substrate 111, and an isotropic liquid crystal layer 200 held between the substrates, the second transparent substrate 111 having pixel electrodes 190 and common electrodes 130, 170 and one pixel having a reflective region RA and a transmissive region TA.例文帳に追加
第1の透明基板110と第2の透明基板111と、これらの基板間に挟持された等方性液晶層200を備え、第2の透明基板111には、画素電極190と共通電極130,170とを有し、1つの画素内に反射領域RAと透過領域TAとを備える。 - 特許庁
The functional thin film has a transition layer containing a first component selected from aluminum (Al) and silicon (Si) and at least one second component selected from an oxygen atom (O) and a nitrogen atom (N), and each of the first and second components has a gradual concentration gradient along the thickness of the thin film.例文帳に追加
アルミニウム(Al)及びケイ素(Si)より選択される第1成分ならびに酸素原子(O)及び窒素原子(N)より選択される少なくとも一の第2成分を含む転移層を有し、該第1成分及び第2成分は薄膜の厚みに沿って漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする機能性薄膜。 - 特許庁
This is the organic light emitting device which is provided with at least one light emitting organic material layer arranged between a first electrode and a second electrode, in which either one of the first and the second electrodes is multi-layered, and in which respective layers of the multi-layered structure are the layers sputtered by a DC magnetron.例文帳に追加
第1の電極と第2の電極との間に配置された少なくとも1つの発光性有機材料層を有し、前記第1の電極及び第2の電極の一方が多層構造であり、前記多層構造の各層がDCマグネトロンによりスパッタされた層である有機発光デバイスにつき開示する。 - 特許庁
The memory cell includes a first transistor and a second transistor for holding charges accumulated in a capacitor, and the second transistor includes a channel formed using an oxide semiconductor layer.例文帳に追加
ビット線と、m(mは3以上の自然数)本のワード線と、ソース線と、m本の信号線と、第1乃至mのメモリセルと、駆動回路と、を有する半導体装置において、メモリセルは、第1のトランジスタ、容量素子に蓄積された電荷を保持する第2のトランジスタを含み、第2のトランジスタは酸化物半導体層で形成されるチャネルを有する。 - 特許庁
The liquid crystal display device 20 is comprises a first substrate 21 on which a plurality of the electrodes for display are formed, a second substrate 23 disposed opposite to the first substrate 21, a seal member 24 which sticks the first substrate 21 and the second substrate 23 so as to form a predetermined gap and a liquid crystal layer 25.例文帳に追加
液晶表示装置20は、複数の表示用電極が形成される第1基板21と、第1基板21に対向して設けられる第2基板23と、第1基板21と第2基板23とが予め定められる間隔を有するように貼り合わせるシール部材24と、液晶層25とを含んで構成される。 - 特許庁
In a first substrate 100, TFTs 110 (thin film transistors) provided by every pixel and a reflective layer 44 that is insulated from the TFTs 110 and reflects light to be made incident by transmitting a second transparent electrode from the side of a second substrate are formed in a reflection area of one pixel region on an insulation film covering the TFTs 110.例文帳に追加
第1基板100には、画素毎に設けられたTFT110と、TFT110を覆う絶縁膜上の1画素領域の反射領域に、TFT110と絶縁され、第2基板側から透明第2電極を透過して入射される光を反射する反射層44を形成する。 - 特許庁
A semiconductor laser element 1 comprises: a semiconductor layer 10 having an active region 13 extending along a reference axis A, and a principal surface P1; a first end surface E1 and a second end surface E2 which intersect the reference axis A; and a first groove 24 and a second groove 25 which are provided on the principal surface P1.例文帳に追加
半導体レーザ素子1は、基準軸Aに沿って延在する活性領域13と主面P1とを有する半導体積層10と、基準軸Aに交差する第1の端面E1及び第2の端面E2と、主面P1に設けられた第1の溝24及び第2の溝25とを備える。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
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