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「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(377ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > second-layerの意味・解説 > second-layerに関連した英語例文

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second-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21455



例文

In this case, the second substrate and the conductive substrate are formed by an InGaN-family material, the clad layer is in a composition where the amount of distortion for the conductive substrate is within ±0.01 and is formed by an InGaAlN-family material.例文帳に追加

引き続き、SiドープIn_x1Ga_1−x1N層6を5μm程度形成し、750℃で240層のSiドープIn_x2(Al_z2Ga_1−z2)_1−x2N(2.5nm)/In_x3(Al__z3Ga_1−z3)_1−x3N(2.5nm)超格子クラッド層7を形成する。 - 特許庁

The first wiring 51 of the second wiring layer 50 includes a head side wiring part 51a extending from a head side terminal part 4, and a plurality of division wiring parts 51b, 51c divided from the head side wiring part 51a.例文帳に追加

第2配線層50の第1配線51は、ヘッド側端子部4から延びるヘッド側配線部51aと、ヘッド側配線部51aから分割された複数の分割配線部51b、51cと、を含んでいる。 - 特許庁

Moreover, the second source/drain regions are doped with the same kind of impurity as the impurity that is contained at predetermined concentration in the LDD regions in the first semiconductor layer, at a concentration at least equal to the predetermined concentration.例文帳に追加

更に、第2ソース・ドレイン領域には、第1半導体層におけるLDD領域に所定濃度で含まれる不純物と同一種類の不純物が、少なくとも所定濃度に等しい濃度で含まれる。 - 特許庁

The heat resistant packing member 10 is wound on the outside of the through-part 26 on a through-body 22 laid through the through-part 26 of the fireproof division by opposing the second layer 14 to an outer surface 22a of the through-body 22.例文帳に追加

防火区画の貫通部26を通して敷設される貫通体22に、貫通部26の外側で、耐熱性パッキング部材10を、第2層14を貫通体22の外面22aに対向させて巻き付ける。 - 特許庁

例文

In a substrate forming method, a layer of a radiation sensitive material is arranged on a substrate surface, and is exposed by a patterning device (a lithography device) having a calibration pattern including a first set of pattern features and a second set of pattern features.例文帳に追加

基板形成方法は放射感応性材料の層を基板表面に設け、第一セットのパターンフィーチャ及び第二セットのパターンフィーチャを含むキャリブレーションパターンをもつパターンニングデバイス(リソグラフィ装置)により露光する。 - 特許庁


例文

Herein, during a period from the first positive/negative reversion of a value for the shift function σ to the second positive/negative reversion after starting the sliding mode control, overshoot is restricted by reducing the width of a boundary layer introduced into a change-over plane.例文帳に追加

ここで、スライディングモード制御開始後、切換関数σの値が初めて正負反転してから2回目の正負反転までの間、切換面に導入される境界層の幅を狭めることで、オーバーシュートを抑制する。 - 特許庁

In a view in a perpendicular direction with respect to the mesh-like conductor layer, at least a part of a confronted portion between an outer edge of the first conductor plate 202A and an outer edge of the second conductor plate 202B is tapered.例文帳に追加

メッシュ状導電体層に対して鉛直方向から見たとき、第1導電体板202Aの外縁と第2導電体板202Bの外縁の向かい合う部分の少なくとも一部がテーパー形をなしている。 - 特許庁

Furthermore, since the first bank pattern and the second bank pattern are electrically insulated, effect of enlarging applications of the concave portion such as drawing out of an inner layer wiring pattern to the concave portion side is achieved.例文帳に追加

さらに、第1堰堤パターン及び第2堰堤パターンが、電気絶縁性に構成されているので、例えば、凹部側への内層配線パターンの引き出しが可能になるなど、凹部の用途を拡大できるという効果がある。 - 特許庁

This coating system 10 for a protective layer-forming material comprises a first coating station ST1 and a second coating station ST2 in succession from the upstream side in the feed direction of the vehicle 14 and coating devices 11a and 11b are respectively arranged to the coating stations ST1 and ST2.例文帳に追加

塗布システム10は、車両14の搬送方向の上流側から順に、第1塗布ステーションST1及び第2塗布ステーションST2からなり、それぞれ塗布装置11a及び11bが配設される。 - 特許庁

例文

First, a lower layer CVD film 26 is formed with the use of a first raw gas comprising a mix of a first material gas comprising a straight-chain organosilicon compound and a second material gas comprising a cyclic organosilicon compound.例文帳に追加

まず、直鎖状有機ケイ素化合物からなる第1材料ガスと、環状有機ケイ素化合物からなる第2材料ガスとを混合した第1原料ガスを用いて、下層CVD膜26を成膜する。 - 特許庁

例文

This forms a parasitic bipolar transistor having the first-conductive-type drain isolation layer 6 as an emitter, the second-conductive-type isolation layers 5b as bases, and the collector layers 7 as collectors, thereby passing surge current to a ground line.例文帳に追加

これにより第1導電型のドレイン分離層6をエミッタ、前記第2導電型の分離層5bをベース、前記コレクタ層7をコレクタとする寄生バイポーラトランジスタを形成しサージ電流を接地ラインに流す。 - 特許庁

A first part 5 brought into contact with the light emitting layer 9 of this oxide transparent conductive film 10 is made of an amorphous material, and a second part 6 disposed on the first part 5 is made of a crystalline material.例文帳に追加

そして、この酸化物透明導電膜10における、発光層部9と接触する第一部分5は非晶質からなるものとし、該第一部分5上に位置する第二部分6は結晶質からなるものとする。 - 特許庁

Further a first communication portion is secured on the outside of the girth, to allow communication between the intra-wall air layers on upper and lower stories, and a second communication portion is arranged on the upper surface of the girth, to allow communication between the attic space and the intra-wall air layer.例文帳に追加

また第1連通部を胴差の屋外側に設けて上下階の壁内空気層を連通し、胴差の上面に設けた第2連通部によって天井裏空間と壁内空気層とを連通させる。 - 特許庁

The first handrail part 5 and the second handrail part 6 are constituted of a tubular member having a cross-sectional shape of an ellipse shape as a whole by coating the peripheral face of a metal circular tubular material 7 with a resin layer 8.例文帳に追加

第1の手摺部5と第2の手摺部6は、金属製の円形管材7の周面に樹脂層8を被覆して、全体として楕円形の断面形状を有する管状部材によって構成されている。 - 特許庁

The packaging substrate has a double-layer conductive pattern structure, has signal wiring patterns and power supply wiring patterns 300-307 for connecting the memory device to the data processing device on the first surface, and has a ground pattern on a second surface.例文帳に追加

前記実装基板は2層の導電パターン構造を有し、第1面にはメモリデバイスとデータ処理デバイスを接続する信号配線パターンと電源配線パターン(300〜307)を有し、第2面にはグランドパターンを有する。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive layer reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further it is made to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

さらに第1不純物拡散領域20と逆の導電層である第2不純物拡散領域22を、第1不純物拡散領域20と隣接させるとともにソース26とドレイン28とも隣接させる。 - 特許庁

A glass transition point of a dielectric paste that is used for forming the second dielectric layer 32B is set at a lower temperature than that of a sealing exhaust gas, and the softening point is set at a higher temperature than that of the sealing exhaust gas.例文帳に追加

第2誘電体層32Bの形成に用いる誘電体ペーストのガラス転移点を封着排気温度よりも低い温度に設定し、かつ、軟化点を封着排気温度よりも高い温度に設定している。 - 特許庁

The method for manufacturing the diaphragm structure comprises the steps of forming body parts 30A and 30B and diaphragms 31A and 31B of diaphragm constituting elements by using a normal semiconductor process on first and second substrates 1A and 1B via a mold release layer 2.例文帳に追加

第1および第2の基板1A,1B上に離型層2を介して通常の半導体プロセスを用いてダイヤフラム構成要素である胴体部30A,30Bおよびダイヤフラム部31A,31Bを形成する。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device is divided into first and second regions I, II, and in the first region I, an n+ layer 9 is formed so as to extend from a source region 3 into under a floating gate 6.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、第1、第2の領域I,IIに分割され、第1の領域Iにおいて、ソース領域3から浮遊ゲート6の下に拡張してn+層9が形成されている。 - 特許庁

A cooled PTFE powder 1 is dropped from a hopper 6 to a belt conveyor 10 and transferred to the second belt conveyor 14 which is continuously operated while continuously forming a layer having a defined thickness 12.例文帳に追加

冷却したポリテトラフルオロエチレン(PTFE)の粉末1は、ホッパ6からベルトコンベア10上に落とされ連続的に所定厚さの層12を形成しながら、連続運転されている第2のベルトコンベア14上に移動する。 - 特許庁

An effluent treatment by high-pressure air is executed by opening the first valve VL1 and the second valve VL2 and operating an air compressor 32 in waiting for the cathode electrode layer 11 when predetermined power generation is obtained.例文帳に追加

所定の発電量が得られたときに第1のバルブVL1及び第2のバルブVL2を開き、カソード電極層11に待機中であったエアコンプレッサ32を稼働させて高圧空気による排水処理を行う。 - 特許庁

A via hole 16 is formed in the insulating layer 12 by second laser light L2 with a spot diameter D3 larger than a diameter D1 of a ridgeline of a bump part 26a formed at the peripheral edge of the opening 26 of the masking film 24.例文帳に追加

マスキングフィルム24の開口部26の周縁に形成された隆起部26aの稜線の直径D1よりも大きなスポット径D3の第二のレーザ光L2により、絶縁層12にビアホール16を形成する。 - 特許庁

A portion 11a1 at least on one side of the wiring material 11 is bonded to a portion where first and second electrodes 23 and 24 are mixed on a first principal surface 20b with an adhesive resin layer 12.例文帳に追加

配線材11の少なくとも一方側の部分11a1は、第1の主面20bの第1及び第2の電極23,24が混在している部分に対して接着性樹脂層12により接着されている。 - 特許庁

The first and second metal oxide layers 31, 32 of the transparent function film comprise ZnO type metal oxide and the metal layer 33 comprises either one of Ag, Au, Pt and Pd.例文帳に追加

透明機能膜3における第1金属酸化物層31及び第2金属酸化物層32はZnO系金属酸化物からなり,一方金属層33はAg,Au,Pt,Pdのいずれか1種以上の金属からなる。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate 1; an insulating film 3 formed on the semiconductor substrate; and an inductor 4 formed in the insulating layer and connected between a first terminal 101 and a second terminal 102.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板上に形成された絶縁膜3と、絶縁膜中に形成され、第1の端子101と第2の端子102との間に接続されたインダクタ4と、を備える。 - 特許庁

Wood veneers are laid on top of each other for multi-layer wood, plywood, or some other sandwich material (20), the veneers included in the second density category serving a middle veneers (14).例文帳に追加

ベニア板は積層木材、合板又は他のサンドイッチ材料(20)を作るために積重ねて置かれ、第1密度カテゴリーに入るベニアは表面板(13)として使い、第2密度カテゴリーに入るベニアは中板(14)として使う。 - 特許庁

On an N type silicon substrate (first substrate) 110, an epitaxial silicon layer (second substrate) 111 is formed at an impurity concentration lower than that of the silicon substrate 110, e.g. a concentration of 1E14 or less, thus completing a silicon substrate.例文帳に追加

N型シリコン基板(第1基板)110の上に、このシリコン基板110より不純物濃度の低い、例えば1E14以下の濃度でエピタキシャルシリコン層(第2基板)111を形成してシリコン基板を完成する。 - 特許庁

The layer 12 is formed by a method, where calcined material powder, consisting of a second aggregate and the like different from the calcined material powder consisting of the first aggregate and the like are mixed with the calcined material powder consisting of the matrix material to bake the powders.例文帳に追加

第2誘電体磁器材料層は第1骨材の仮焼体粉末等とは異なる第2骨材の仮焼体粉末等と、上記マトリックス材の仮焼体粉末とを混合して焼成してなる。 - 特許庁

When a diffraction limit δ2, determined by the numerical aperture NA2 and the second wavelength λ2, is defined as δ2=0.61×λ2/NA2, a track pitch Tp1 of a track formed on the first information recording layer is Tp1<δ2.例文帳に追加

開口数NA2と第2の波長λ2とで決まる回折限界δ2を、δ2=0.61×λ2/NA2とすると、第1の情報記録層に形成されたトラックのトラックピッチTp1は、Tp1<δ2となる。 - 特許庁

The second substrate is disposed in opposition to the first substrate so as to have both ends in the first direction matched with both ends of the first substrate and has a light blocking layer formed so as to correspond to the peripheral region.例文帳に追加

第2基板は、第1方向への両端が第1基板の両端と互いに一致するように第1基板と対向して配置され、周辺領域と対応するように形成された遮光膜を有する。 - 特許庁

A first electrode 2 is deposited on a base body 1, a piezoelectric laminate 5 is formed of 3 layers where an intermediate layer 4 is inserted between piezoelectric bodies 3 made of e.g. zinc oxide and the like, and a second electrode 2 is deposited on it.例文帳に追加

基体1に第1の電極2を成膜し、例えば酸化亜鉛等の圧電体3の間に中間層4を挟んだ3層の圧電積層体5を形成し、その上に第2の電極2を成膜する。 - 特許庁

The seed layer 111 and the plating film 112 are integrated to form a wiring copper film 113, thereby forming vias 114 and second wirings 115 from the copper film 113.例文帳に追加

銅合金シード層111と銅メッキ膜112とを一体化して配線用銅合金膜113を形成することにより、配線用銅合金膜113からなるビア114及び第2の配線115を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes: a first electrode 120 and a second electrode 124, both provided on an element substrate 100; and a third electrode 218 provided on a counter substrate 200 that faces the element substrate 100 through a liquid crystal layer 300.例文帳に追加

第1電極120と第2電極124とは素子基板100に設けられ、素子基板100と液晶層300を介して対向する対向基板200に第3電極218が設けられている。 - 特許庁

In this case, the aluminum electrode 45b of the second layer is positioned at the upper portion of a CrSi film 41 via a third TEOS film 44, thus applying the side of high potential V to the CrSi film 41.例文帳に追加

このとき、CrSi膜41の上部には、第3TEOS膜44を介して第2層のアルミ電極45bが位置しているので、CrSi膜41に対して高電位V側が印加されることになる。 - 特許庁

Unless the light is rotated, the light is transmitted through the reflection polarizing element layer toward a reflective dial surface disposed on the lower side and is reflected by the dial surface, by which the timepiece surface is provided with a second color.例文帳に追加

光が回転されなければ、光は下方に配設された反射的文字盤表面に向かって反射偏光素子層を透過し、文字盤表面により反射されて時計面に第2色を提供する。 - 特許庁

A second flux layer 8 boiling at a temperature lower than the melting point of the solder ball 2 is then formed on the surface of the solder ball 2 and the contact pad is bonded thermally to a conductive perform thus forming a bump 3.例文帳に追加

次に、はんだボール2表面に、はんだボール2の溶融温度よりも低温で沸騰する第2のフラックス層8を形成した後、接続パッドと導電性プリフォームとを加熱して接合させ、バンプ3を形成する。 - 特許庁

The surface treatment layer 12 is formed on the surface of the lens substrate 11, and a first film 121, a second film 122, a third film 123, a fourth film 124, and a fifth film 125 are stacked in this order.例文帳に追加

表面処理層12は、レンズ基材11の表面に形成され、レンズ基材側から第一膜121、第二膜122、第三膜123、第四膜124、および第五膜125の順に積層されている。 - 特許庁

Then the second gas layer is formed of plural heat insulated chambers 24 adjacent through partitions 25 and a groove 26 is formed at least one of the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of each partition 25.例文帳に追加

そして、前記第2のガス層は仕切壁25を介して隣接させられた複数の断熱室24から成り、前記仕切壁25の外周面及び内周面のうちの少なくとも一方に溝26が形成される。 - 特許庁

The sand pump, the slime removing machine, the first feed pipe, the auxiliary sand pump, the second feed pipe connected as above are inserted from the upper part of a surface layer casing 3 toward the lower part of an excavated hole 2 in the direction of an arrow.例文帳に追加

前記のように連結されたサンドポンプ、スライム処理機、第1の送出管、補助サンドポンプ及び第2の送出管を、表層ケーシング3の上部から掘削孔2の下部に向って矢印方向に挿入する。 - 特許庁

The electrode part fp is located at a position distant from the surface of the phosphor coated on the side wall of the rib 7 with a distance nearly same with or larger than the thickness of a coating composed of the dielectric layer and the cathode membrane 11 in the second direction D2.例文帳に追加

電極部fpは、リブ7の側壁面に塗布された蛍光体表面から、誘電体層とカソード膜11とによる被覆厚の略等倍以上の距離を第2方向D2に隔てて位置している。 - 特許庁

The optical pickup device is tested by evaluating a reproduction signal using at least two or more types of test disks of a first test disk with one recording layer and a second test disk with two recording layers.例文帳に追加

記録層が1層である第1のテストディスクと、記録層が2層である第2のテストディスクとの少なくとも2種類以上のテストディスクを用いた再生信号評価により光ピックアップ装置を検査するようにする。 - 特許庁

In forming the organic functional layer of the organic electroluminescent element 110, the liquid composition is filled into a recess part 150, formed by the first barrier rib 105a and the second barrier rib 105b, and is solidified.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子110の有機機能層を形成する際には、第1の隔壁105aおよび第2の隔壁105bにより形成された凹部150内に液状組成物を充填し、固化させる。 - 特許庁

Each of the first and second LCD panels 11 and 12 includes a pair of transparent substrates, a liquid crystal layer sandwiched therebetween, and a pair of polarizing films sandwiching therebetween the pair of transparent substrates.例文帳に追加

第1及び第2の液晶表示素子11、12は、それぞれ、一対の透明基板と、透明基板間に挟み込まれた液晶層と、一対の透明基板を外側から挟み込む一対の偏光板とを有する。 - 特許庁

Each of electrodes of the electrode layer is formed so that a multitude of sensor electrodes extending from each bridge wire to horizontal direction and having a specific area precipitate aluminum following the second mask pattern.例文帳に追加

電極層の各々の電極は、各々のブリッジ線から各々水平方向に延び且つ所定の面積を有する多数のセンサ電極が、第2のマスクパターンに従ってアルミを析出させることにより形成される。 - 特許庁

This processing method comprises a first process of implanting nitrogen (n) ions into a semiconductor substrate 101 of silicon and a second process of forming a cluster-containing layer 103 in the semiconductor substrate 101 by annealing nitrogen (n) ions.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板101に窒素(n)イオンを注入する工程と、窒素(n)イオンをアニールすることにより、半導体基板101中に窒素を含むクラスター含有層103を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To enhance the weatherability of a multilayered sheet made of a thermoplastic resin wherein PMMA (methyl methacrylate resin) and ABS (acrylonitrile/butadiene/styrene copolymer) are combined by adding a light stabilizer to ABS used in a second layer.例文帳に追加

PMMA(メチルメタクリレート樹脂)とABS(アクリロニトリル・ブタジエン・スチレンのコポリマ)を組合せた熱可塑性樹脂製多層シートにおいて、第二層に用いられるABSを改質して多層シートの耐候性を改善する。 - 特許庁

Thus, the optical switch 1 having the InP substrate 11, the InGaAs layer 12, the first electrode 13, and the second electrode 14 generates terahertz waves by using light having a wavelength of 1.55 μm used for communication.例文帳に追加

そのため、InP基板11と、InGaAs層12と、第1の電極13と、第2の電極14とを備える光スイッチ1は、通信で用いられている波長1.55μmの光を用いてテラヘルツ波を発生する。 - 特許庁

The p-conductivity type layer contains, at least, a first dopant element and a second dopant element which are set different from each other in concentration and vary in concentration in the direction of thickness of the substrate.例文帳に追加

p導電型の層は、少なくとも第一のドーパント元素、および第二のドーパント元素を含み、第一および第二ドーパント元素の濃度分布が互いに異なり、かつ基板に垂直な方向に対して変化している。 - 特許庁

The inner electrode layer obtained from the conductive particles is composed of a first metal part with the nickel as a main component and a second metal part having at least one kind of element selected from the above elements as a main component.例文帳に追加

この導電性粒子により得られる内部電極層は、ニッケルを主成分とする第1金属部と、上記元素から選ばれる少なくとも1種の元素を主成分として有する第2金属部とを有する。 - 特許庁

例文

Then, by using a second blade 26 where the cutting depth reaches the dicing tape base material 23 and the width is narrower than that of the first blade 25, the adhesive layer 22 is cut along with one portion of the dicing tape base material 23.例文帳に追加

次いで、切り込み深さがダイシングテープ基材23に達すると共に、第1のブレード25より幅が狭い第2のブレード26を用いて、接着剤層22をダイシングテープ基材23の一部と共に切断する。 - 特許庁




  
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