「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(381ページ目) - Weblio英語例文検索

The printing layer 4 is formed along the peripheral edge part of the resin film 5 as a bordering part (blackout) and a space 8 is formed between the peripheral edges of the first and second binder layers 6, 7 and the peripheral edge of the resin film 5.例文帳に追加

印刷部４は樹脂フィルム５の周縁部に沿った縁取り部（ブラックアウト）として形成され、第１のバインダ層６及び第２のバインダ層７の周縁と樹脂フィルム５の周縁との間にスペース８が形成されている。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer 14 is provided with a contact 14a having a recessed cross section that is provided with an inclined part whose bottom face or wall face is inclined to the substrate face, and the ohmic electrodes 16 and 17 are formed in the contact 14a.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 - 特許庁

An adhesive layer 15 is provided with an end face in the same size as the end face 12a of the second member 12, formed thin and composed of a part 15a corresponding to the optical filter 13 and a part 15b surrounding the part 15a.例文帳に追加

接着層１５は、第２部材１２の端面１２ａと同じ大きさの端面を有し、薄く形成されたものであり、光フィルタ１３と対応する部分１５ａと、１５ａを囲む部分１５ｂとから構成されている。 - 特許庁

The body 2 has a main portion 2M including two layer portions 10S1 and 10S2, and a plurality of first and second terminals 4 and 5 that are disposed on the top surface and the bottom surface of the main portion 2M and are connected to the plurality of wires W.例文帳に追加

本体２は、２つの階層部分１０Ｓ１，１０Ｓ２を含む主要部分２Ｍと、主要部分２Ｍの上面、下面に配置されて複数のワイヤＷに接続された複数の第１および第２の端子４，５を有している。 - 特許庁

Accordingly, the light leakage occurring due to alignment disorder of liquid crystal on the surrounding of the island like electrode parts on the first and the second transmission display regions can be concealed by the light-shielding layer and, as the result, the deterioration in contrast can be prevented.例文帳に追加

これにより、第１及び第２の透過表示領域の島状電極部の周辺にて液晶配向乱れにより発生する光漏れを遮光層により隠すことができ、その結果コントラストが低下するのを防止できる。 - 特許庁

To suppress deterioration of organic EL emission characteristics by preventing moisture contained in the inside of an edge cover and an interlayer insulating film from oozing out with the passage of time and giving damages to an organic EL layer and a second electrode.例文帳に追加

エッジカバーや層間絶縁膜の内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出し、有機ＥＬ層や第２電極に損傷を与え、有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制することを目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor laser having a first end face (front end face) 8 through which laser light is emitted and a second end face (rear end face) 9, a first coating film 8a composed of a single-layer dielectric film is provided on the first end face 8.例文帳に追加

レーザ光を出射する第１の端面（前端面）８と、第２の端面（後端面）９を有する半導体レーザにおいて、第１の端面８に、単層の誘電体膜からなる第１のコーティング膜８ａが設けられている。 - 特許庁

The side reinforcing rubber layer 10 is made of not less than two kinds of rubber materials at least including a first rubber part 11 and a second rubber part 12 made of the rubber material smaller by not less than four degrees in JIS durometer hardness than the first rubber part 11.例文帳に追加

サイド補強ゴム層１０は、第１のゴム部１１と、この第１のゴム部１１よりもＪＩＳデュロメータ硬さ４度以上小さいゴム材からなる第２のゴム部１２とを少なくとも含む２種以上のゴム材からなる。 - 特許庁

Related to an embedded second layer wiring L2, comprising a conductive barrier film 17a that has barrier properties for diffusion of copper and the main conductor film 18a containing copper as the main component, the upper corners of the main conductor film 18a are made round.例文帳に追加

銅の拡散に対してバリア性を有する導電性バリア膜１７ａおよび銅を主成分とする主導体膜１８ａを有する埋込第２層配線Ｌ２において、主導体膜１８ａの上部角に丸みを形成した。 - 特許庁

Subsequently, a capacitor insulating film is formed on the whole surface of the substrate 201, a second conducting film 206 is formed on the capacitor insulating film, the layer 206 is made to remain on the alignment mark formation region and a plate electrode 206 is formed on the memory cell region.例文帳に追加

続いて、全面に容量絶縁膜を形成し、その上に第２の導電層２０６を形成し、位置合わせマーク形成領域に第２の導電層２０６を残存させ、メモリセル領域にプレート電極２０６を形成する。 - 特許庁

When the magnetic fields along the X axis, Y axis and Z axis are applied to a free layer of a magnetic storage element storing "1" in combination according to a second magnetic field application sequence, the magnetization LM and the magnetization UM are inverted.例文帳に追加

“１”を記憶する磁気記憶素子の自由層に対して、第２磁場印加シーケンスに従って、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿った磁場が組み合わされて印加されると、磁化ＬＭ，ＵＭが反転する。 - 特許庁

In one of the first and the second seed layers, the normal orthogonal to a crystal lattice plane preferentially oriented in a prescribed direction of crystal grains of the one seed layer is inclined from the normal direction of the surface of the substrate.例文帳に追加

第１及び第２シード層の何れか一方は、該一方のシード層を構成する結晶粒の所定の方向に優先配向している結晶格子面に直交する法線が基板表面の法線方向から傾斜している。 - 特許庁

The dry immune analysis element is obtained by applying any of methods of (1) increasing the speed at which the maltoses are turned to a lower molecular compound of glucose (first pattern), and (2) removing the maltoses before reaching the reagent layer (second pattern).例文帳に追加

１）マルトースがグルコースに低分子化される速度を大きくする（第一の形態）、又は２）マルトースが試薬層に達する前に除去する(第二の形態)、のいずれかの方法を適用した乾式免疫分析要素によって解決される。 - 特許庁

Sum total sectional area of the first and the second connection electrode layers 5a and 5b in the width direction of the wiring substrate 4 is equal to or smaller than the sectional area of the base end electrode layer 5c in the width direction of the wiring substrate.例文帳に追加

第１接続部電極層５ａと第２接続部電極層５ｂの配線基板４の幅方向断面積の総和が、基端部電極層５ｃの配線基板の幅方向断面積と同等またはそれ以下に構成されている。 - 特許庁

The P-N rectifying junction includes a base region of first conductivity type (e.g., P-type) provided in the substrate and a semiconductor layer of second conductivity type extending between the base region and the light collecting surface.例文帳に追加

前記Ｐ−Ｎ整流接合は、前記基板に提供される第１導電型（例えば、Ｐ型）のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第２導電型の半導体層を含む。 - 特許庁

The second layers 7, 8, 9 has such an upper surface, when viewed from its section, that has a recess and a projection along a step shape formed between the upper surface of the underlying mark 1 and the upper surface of the first layer adjacent to the mark 1.例文帳に追加

また、第二の層７，８，９の上面は、断面視において、下地マーク部１の上面と当該下地マーク部１に隣接する第一の層上面との間で生じている段差形状に沿った、凹凸形状が生じている。 - 特許庁

An IP reception processing circuit 30 includes an IP reception processing section 31; a fragment managing section 32; a fragmentation information recording section 33; a first reception queue 34; a high-order layer transfer processing section 35; and a second reception queue 36.例文帳に追加

このＩＰ受信処理回路３０は、ＩＰ受信処理部３１と、フラグメント管理部３２と、フラグメンテーション情報記録部３３と、第１受信キュー３４と、上位レイヤ転送処理部３５と、第２受信キュー３６とを具備する。 - 特許庁

A first pattern 1 is formed on a substrate 3, and a layer 2 made of a material to be patterned is formed in the opening 4 of the first pattern 1, and then the first pattern 1 is removed to form a second pattern made of a material to be patterned.例文帳に追加

基板３上に第一のパターン１を形成し、その第一のパターン１の開口部４に被パターン材料からなる層２を形成し、その後、第一のパターン１を除去して被パターン材料からなる第二のパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a simple improved multi-layered permeation device (1) which can supply the first active agent in an outer layer (2) to one use environment and supply the second active agent in a core (5) to another use environment.例文帳に追加

本発明は外層(２)中の第一の活性剤を一つの使用環境に、そしてコア(５)中の第二の活性剤を別の使用環境に供給することが可能な簡素で改良された多層浸透デバイス(１)を供給する。 - 特許庁

In this liquid crystal display device, a liquid crystal panel, which has a first substrate on which nonlinear elements and electrodes are provided and a second substrate on which electrodes are provided and which is disposed to face to the first substrate and liquid crystal layer which is held between both substrates, is used.例文帳に追加

非線形素子および電極が設けられた第１の基板と、電極が設けられ、第１の基板と対向配置された第２の基板と、前記両電極間に挟持された液晶層とを有する液晶パネルを使用する。 - 特許庁

In the photosensitive layer 21, thickness or dynamic indentation hardness at the first end 22A in the latent image forming area 22 is larger than thickness or dynamic indentation hardness at the second end 22B in the latent image forming area 22.例文帳に追加

感光層２１は、潜像形成領域２２における第１の端部２２Ａの厚みまたは動的押し込み硬さが、潜像形成領域２２における第２の端部２２Ｂの厚みまたは動的押し込み硬さに比べて大きい。 - 特許庁

In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening.例文帳に追加

第２の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁

An outer circumferential end B of a bonding interface A between the first and second metal layers is positioned farther toward the outside in the direction to be away from the operating region than the outer circumferential side surface 3c of the first insulating layer 3a.例文帳に追加

第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 - 特許庁

The reflective layer 32 is parted by a pair of grooves 33 and 33 into a first reflective region M1 intersecting one bonding wire 14 three-dimensionally and a second reflective region M2 intersecting the other bonding wire 14 three-dimensionally.例文帳に追加

反射層３２は、一対の溝３３，３３によってボンディングワイヤ１４の一方と立体的に交差する第１の反射領域Ｍ１と、ボンディングワイヤ１４の他方と立体的に交差する第２の反射領域Ｍ２とに分断されている。 - 特許庁

In such a case, the laser light is reflected by the PBS surface of a PBS prism 5, and led to a objective lens actuator 6 via a second reflection surface (plane), and then condensed on the first recording layer 101 of a disk 100.例文帳に追加

かかる場合、レーザ光は、ＰＢＳプリズム５のＰＢＳ面によって反射され、その後、第２の反射面（平面）を経由して対物レンズアクチュエータ６に導かれ、ディスク１００の第１の記録層１０１上に集光される。 - 特許庁

Each pixel PX has: a cathode, an anode, and an organic light emitting diode OLED including an organic layer; an N channel type drive transistor DR; an output switch SWa; a first capacitor section Cs; and a second capacitor section Cx.例文帳に追加

各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｎチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、出力スイッチＳＷａと、第１容量部Ｃｓと、第２容量部Ｃｘとを有している。 - 特許庁

A penetration 53 leading to the sensor region 26 is formed in the substrate 50 beforehand, and thereby a sacrificial layer for forming the second electrode 22 can be removed using an etchant even after installing the sensor 20 at the tank 10.例文帳に追加

基板５０には、センサ領域２６に通じる貫通孔５３を予め設けておくことにより、センサ２０をタンク１０に取付けた後であっても第２の電極２２を形成するための犠牲層をエッチャントで除去できる。 - 特許庁

Additionally in the liquid crystal display panel, a black matrix region on the second substrate on the non-terminal side, vertical to a running into direction of the substrate in rubbing and with no alignment layer formed thereon is formed so as to be longer than the travelling distance of the substrate while a rubbing roll makes one rotation.例文帳に追加

前記第２基板上のラビングの基板突入方向と垂直な反端子側の配向膜が形成されていないブラックマトリクスの領域がラビングローラが１回転するあいだに進む距離よりも長く形成されている。 - 特許庁

To provide an A.C. drive type plasma display device having a high degree of freedom relative to a distance between electrodes formed between a first substrate and a second substrate and contributing to discharge, and allowing the increase of the area of a phosphor layer.例文帳に追加

第１の基板と第２の基板に設けられた放電に寄与する電極の間の距離に関する設計自由度が高く、しかも、蛍光体層の面積を拡大し得る交流駆動型プラズマ表示装置を提供する。 - 特許庁

In the figure, the magnetic substance 108 is contained only in the adhesive layer 106 and the magnetic substance 108 penetrateds the first base paper 102 and the second base paper 104 and exists in them in a pressing process after lamination in production.例文帳に追加

また、図中では、磁性体１０８は接着剤層１０６のみに含まれているが、磁性体１０８は、製造時貼り合わせ後の押圧工程で、第１原紙１０２及び第２原紙１０４内にもめり込んで存在する場合もある。 - 特許庁

In the metal sandwich panel, first and second metal plates materials 11 and 12 are provided on a surface, and a close contact layer 70, which is composed of a polyester-base coating liquid and whose surface is roughened, is pre-formed on the plate materials 11 and 12.例文帳に追加

金属サンドイッチパネル１０は表面に金属製の第１、２板材１１、１２を有し、第１、２板材１１、１２上には、ポリエステル系塗材からなり、表面が粗面化された密着層７０が予め形成されている。 - 特許庁

The master plate 10 has a plurality of first regions 14 and a second region 16, surrounding the periphery of the first regions 14 and having lower affinity with the first light-transmitting layer precursor 20 than the first regions 14.例文帳に追加

原盤１０は、複数の第１の領域１４と、第１の領域１４の周囲を囲むとともに第１の領域１６よりも第１の光透過性層前駆体２０との親和性が低い第２の領域１６と、を有する。 - 特許庁

A first wire 16 forming the upper layer mesh member is arranged in a direction inclined by a predetermined angle θ with respect to a y-axis, and a second wire 17 is arranged in a direction inclined by a predetermined angle θ with respect to an x-axis.例文帳に追加

上層メッシュ部材を形成する、第１のワイヤ１６は、ｙ軸に対して所定の角度θ傾いた方向に向けて配置され、第２のワイヤ１７は、ｘ軸に対して所定の角度θ傾いた方向に向けて配置される。 - 特許庁

A second gate 20, whose potential is fixed in order to control the potential of the silicon layer 12 by capacity coupling, is provided, in addition to a first gate 13 for forming a channel arranged between a source 15 and a drain 14.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソース１５、ドレイン１４間に配置されたチャネル形成のための第１のゲート１３とは別に、シリコン層１２の電位を容量結合により制御するための電位固定された第２のゲート２０が設けられる。 - 特許庁

The oblique vapor deposition film layer consists of a multilayer film formed by alternately depositing a first kind of oblique vapor deposition films 22 having steep inclination (at ≥60° inclination angle) and a second kind of oblique vapor deposition films having gentle inclination (at ≤25° inclination angle).例文帳に追加

前記斜め蒸着膜層は、急傾斜の第１種の斜め蒸着膜２２（傾斜角６０°以上）と緩傾斜の第２種の斜め蒸着膜２３（傾斜角２５°以下）とが交互に形成されてなる多層膜からなる。 - 特許庁

To provide a welding method, which reduces a welding bead which of a second layer to prevent shrinkage crack from occurring by property setting the weaving of welding torch and improves welding strength and welding quality without requiring repair.例文帳に追加

溶接トーチのウィービングを適切に設定することで、二層目の溶接ビード幅を狭くして収縮割れの発生を防ぎ、手直しを要することなく、溶接強度及び溶接品質の向上が図れる溶接方法を提案する。 - 特許庁

The bit conductive layer 80 connects the second impurity regions 24 of the memory cell 100 arranged in i row [j+1] column electrically with the first impurity regions 34 of the memory cell 100 arranged in [i+1] row [j+1] column.例文帳に追加

ビット導電層８０は、ｉ行［ｊ＋１］列に配置されたメモリセル１００の第２不純物領域２４と、［ｉ＋１］行［ｊ＋１］列に配置されたメモリセル１００の第１不純物領域３４とを電気的に接続する。 - 特許庁

Since the migration distance of conduction electrons generated by absorption of light in the power generation layer 14 is short in the transparent conductive film 16, a voltage drop caused by the resistance of the second transparent conductive film 16 is small and hence there is little loss.例文帳に追加

発電層１４内部で光の吸収により発生した伝導電子の透明導電膜１６における移動距離は短いため、第２の透明導電膜１６の抵抗による電圧降下が小さく、ロスが少ない。 - 特許庁

After rolling to a band shape in a second cold rolling stage R7, heat treatment is performed at about 600(°C) in a low temperature treatment stage R9, so that carbon and oxygen in the surface and surface layer part are removed.例文帳に追加

第２冷間圧延工程Ｒ７において帯状に圧延された後、低温熱処理工程Ｒ９において600(℃)程度の温度で熱処理が施されることにより、表面および表層部の炭素や酸素が除去される。 - 特許庁

A magnetic material shield 62 is formed on the surface of an insulating layer 40c laminated on a substrate (first seed forming step), and a conductive material seed 54 is further formed on the magnetic material seed 62 (second seed forming step).例文帳に追加

基板上に積層された絶縁層４０ｃの表面に、磁性材料シード６２を形成し（第１シード形成工程）、磁性材料シード６２上にさらに導電性材料シード５４を形成する（第２シード形成工程）。 - 特許庁

A semiconductor storage device according to the present invention comprises a first and a second selection lines arranged above laminates in each of which semiconductor layers are laminated, and a gate insulation layer formed on lateral faces of the laminates and at a bottom between the laminates.例文帳に追加

本発明に係る半導体記憶装置は、半導体層を積層した積層体の上方に第１および第２選択線を配置し、積層体の側面および積層体間の底部にゲート絶縁層を形成している。 - 特許庁

The main body 2 has a main portion 2M including layer portions 10S1 and 10S2, and a plurality of first and second terminals that are respectively disposed on the top surface and the bottom surface of the main portion 2M and are connected to the plurality of wires W.例文帳に追加

本体２は、階層部分１０Ｓ１，１０Ｓ２を含む主要部分２Ｍと、それぞれ主要部分２Ｍの上面、下面に配置されて複数のワイヤＷに接続された複数の第１および第２の端子とを有している。 - 特許庁

Next, by etching with using the second mask 10' and the first mask 9' as masks, the first insulating film 7 containing the hardening layer S is removed, whereby the connection hole 12 is dug down.例文帳に追加

次に、第２マスク１０’および第１マスク９’をマスクに用いたエッチングにより、硬化層Ｓを含む第１絶縁膜７を除去することで、接続孔１２を掘り下げることを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Thereafter, in a second immersing step, the other immersed rings 5D to 5I are further sequentially piled up on each other and press-fitted, to thereby immerse the immersed body 1 consisting of the nine immersed rings 5A to 5I to a farther depth by penetrating the hard layer.例文帳に追加

その後、第２の沈設工程で、上記沈設体１の上に、更に別の沈設リング５Ｄ〜５Ｉを順次積み重ねて圧入することにより、９つの沈設リング５Ａ〜５Ｉよりなる沈設体１を硬質層を貫いて更に深くまで沈設する。 - 特許庁

Similarly, a source 42SB and a gate 44B of the active layer 42 are connected to a second power supply line 102 on the other N-channel type thin film transistor TRB, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45B.例文帳に追加

同様に、他方のＮチャネル型薄膜トランジスタＴＲＢでは、能動層４２のソース４２ＳＢとゲート４４Ｂが第２の電源線１０２に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ｂの一方の端に接続されている。 - 特許庁