「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(385ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, a domain 123 related to a base part, which is the tip corresponding part 121 of the second aperture part 12, is positioned on a domain facing the corner part continuing to the surface part of the bolster part 21 on the exfoliation layer 23.例文帳に追加

このとき、第２開口部１２の先端対応部分１２１であって前述した基部に係る領域１２３は、剥離層２３上の前記枕部２１の表面部に連なる角部に対向する領域に位置している。 - 特許庁

In the coating film 20, a region acting on cutting (a ridge part 1 on the edge here) has an exposed part 30 in which the film other than oxide (the second layer 22 (TiCN) here) is exposed on the surface, by removing one or more layers containing oxide films.例文帳に追加

被覆膜20のうち、切削に作用する領域(ここでは刃先稜線部1)は、酸化物の膜を含む1層以上を除去することで、酸化物以外の膜（ここでは第2層22(TiCN)）が表面に露出された露出部30を備える。 - 特許庁

The minute liquid droplet of the functional liquid for a luminescent layer is discharged to each pixel forming region 5 that is partitioned from the nozzle of a second liquid drop discharge head 45, and the liquid droplet 17 of the functional liquid is stuck to the pixel forming region 5.例文帳に追加

また、区画形成された各画素形成領域５に、第２液滴吐出ヘッド４５のノズルから、発光層用の機能液の微小液滴を吐出し、画素形成領域５に機能液の液滴１７を付着する。 - 特許庁

If the mesh is the first layer, a speed gradient is calculated at an approximate flow rate by a wall function (S120), a coefficient ν_t of eddy viscosity is approximated by the formula of Cebecci & Smith (S125), and the dissipative energy is calculated by a second total pressure loss expression (S130).例文帳に追加

メッシュが第１層であれば、壁関数で近似した流速で速度勾配を算出する（Ｓ１２０）とともに、渦粘性係数ν_tをＣｅｂｅｃｃｉ＆Ｓｍｉｔｈの式で近似して（Ｓ１２５）、第２総圧損失式で散逸エネルギを算出する（Ｓ１３０）。 - 特許庁

In the core element 2 of a tension member layer 2d at a band-shaped element first end 1b and a band-shaped element second end, a plurality of tension member connecting portions 2f are formed by each tension member 4 and a remaining portion of the core element 2 around each tension member 4.例文帳に追加

帯状体第１端１ｂ及び帯状体第２端のテンションメンバ層２ｄの芯体２において、各テンションメンバ４と各テンションメンバ４の周囲の芯体２の残部とにより複数のテンションメンバ接続部２ｆが形成される。 - 特許庁

The layer 5 is preferably formed in a semispherical, conical, pyramidal, or gable roof-like shape and is caused to act to liberate hot air in such a way that the air does not come into contact directly with the second surface 10 of the parts 1 on one side of the parts 1.例文帳に追加

断熱層５は好ましくは略半球形状、略円錐形状、略角錐形状、略切妻屋根形状とし、熱風を逃がして部品１の側面にある第２の面１０に直接当たらない作用を持たせる。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte second battery, a fine negative electrode current collector exposed portion, on which lines are provided having a width of not more than 100 μm, or lines having a width of not more than 100 μm and intersected each other is formed on a negative electrode active material layer coated on a negative electrode current collector.例文帳に追加

負極集電体上に形成された負極活物質層に、１００μｍ以下の幅を持つ線、もしくは１００μｍ以下の幅を持つ線が交差複合された微細な負極集電体露出部を設ける。 - 特許庁

The trunk part 25a of a common electrode to be laid in layer overlaps the discrete electrodes 24b and 24c in the second and third arrays in the plan view and the branch part 25b overlaps the discrete electrodes 24a and 24d in the first and fourth arrays in the plan view.例文帳に追加

積層するコモン電極の幹部２５ａは、第２列、第３列目の個別電極２４ｂ、２４ｃと平面視で重複し、枝部２５ｂは、前記第１列、第４列の個別電極２４ａ、２４ｄと平面視で重複させる。 - 特許庁

Furthermore, the device has a control means 204 for controlling the potential difference between the first and second electrodes so as to make the liquid crystal layer generate a DC electric field from powering on of the liquid crystal display device, until up to before lighting of the light source.例文帳に追加

さらに、該液晶表示装置の電源投入から光源の点灯前までの間に、液晶層に直流電界を発生させるよう第１および第２の電極間の電位差を制御する制御手段２０４を有する。 - 特許庁

Pedestals 31, 32 are formed on a buffer region 4 so that the height of the surface of a second metal layer 19 on the buffer region 4 is higher than that on a gate region 3 before pressure is applied to a contact terminal member 6.例文帳に追加

コンタクト端子体６の未加圧状態においては、第２金属層１９の、バッファ領域４上の表面高さがゲート領域３上の表面高さよりも高くなるように、バッファ領域４上に台座部３１，３２を設ける。 - 特許庁

On the upper surface of the p-type clad layer 104 positioned on both sides of the ridge part Ri, a first insulating film 107a of SiO_2 fine particles and a second insulating film 107b comprising an SiO_2 film are formed in this order.例文帳に追加

リッジ部Ｒｉの両側方に位置するｐ型クラッド層１０４の上面には、ＳｉＯ_２微粒子からなる第１の絶縁膜１０７ａ、およびＳｉＯ_２膜からなる第２の絶縁膜１０７ｂがこの順で形成されている。 - 特許庁

One impurity diffusion region of the first transistor constitutes a common diffusion region continuously up to one impurity diffusion region of the second transistor through the impurity diffusion region arranged to the surface layer section of a substrate.例文帳に追加

第１のトランジスタの一方の不純物拡散領域が、基板の表層部に配置された不純物拡散領域を介して第２のトランジスタの一方の不純物拡散領域まで連続して共通拡散領域を構成している。 - 特許庁

A contact hole 135 defined as a side wall part having a first side wall having at least one inclined face forming a first inclined angle with respect to the first substrate and a second side wall facing the first side wall is formed in the insulating layer.例文帳に追加

絶縁膜には、第１基板から第１傾斜角で傾いた一つ以上の傾斜面を有する第１側壁及び第１側壁と向き合う第２側壁を有する側壁部により定義されるコンタクトホール１３５が形成される。 - 特許庁

The heat generated at the pn junction of the ESD protective element and conducted through the contact 12 is simultaneously diffused in three directions through the first metal wiring 21 and the second metal wiring 22 in the metal layer 13 and radiated to the pad.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子のｐｎ接合部で発生し、コンタクト１２を伝導してきた熱は、金属層１３において第１金属配線２１と第２金属配線２２を通って３方向に同時に拡散され、パッドに放熱される。 - 特許庁

The additives for the electrode material are used for the electrode material for the electric double layer capacitor which contains the first active carbon of ≤1 μm in mean particle diameter and with which the second active carbon of >1 μm in mean particle diameter is mixed.例文帳に追加

電極材料用添加材は、平均粒径１μｍ以下の第一活性炭を有し、平均粒径が１μｍを超える第二活性炭が混合されている電気二重層キャパシタ用電極材料に使用されるものである。 - 特許庁

In the first passage component 140, a first gas passage 143 on the side of the first projection part 141 is a power generating body layer side passage, and its volume is larger than that of the second gas passage 144 which is a separator side passage.例文帳に追加

第１流路構成体１４０は、第１凸部１４１の側方の第１ガス流路１４３を発電体層側流路とし、その体積をセパレーター側流路である第２ガス流路１４４の体積より大きくしている。 - 特許庁

In a semiconductor layer, a first impurity region 8, a second impurity region 9, a third impurity region 10, a fourth impurity region 11, a fifth impurity region 12 and a sixth impurity region 13 are formed.例文帳に追加

半導体層には、第１不純物領域８、第２不純物領域９、第３不純物領域１０、第４不純物領域１１、第５不純物領域１２および第６不純物領域１３が形成されている。 - 特許庁

The widths of the first and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are operated as the field alleviating layer correspond to the widths L1 and L3 of the space of the first insulating film pattern, and correspond to the amount of gate overlap.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３の幅は、第１の絶縁膜パターンのスペースの幅Ｌ１、Ｌ３にそれぞれ相当すると共に、ゲートオーバーラップ量に相当する。 - 特許庁

A metallized layer 10 is composed of a first metallized pattern 11 provided to the edge of the plate member of a frame member 5 and a second metallized pattern 12 provided to the outer edge 11a of the frame member of the first metallized pattern 11.例文帳に追加

メタライズ層１０は、枠部材５の反板部材側の端部に設けられる第１のメタライズパターン１１、ならびに第１のメタライズパターン１１の反枠部材側の外縁部１１ａに設けられる第２のメタライズパターン１２からなる。 - 特許庁

The rice transplanter includes a first transmission 50 to change speed of driving force of an engine 6 and transmit to a side line fertilizing pump 23 and a second transmission 70 to change speed of output of the side line fertilizing pump 23 and transmit to a deep layer fertilizing pump 24.例文帳に追加

エンジン６からの駆動力を変速して側条施肥ポンプ２３に伝達する第１変速装置５０、側条施肥ポンプ２３の出力を変速して深層施肥ポンプ２４に伝達する第２変速装置７０を備えている。 - 特許庁

The electrode 12 of the first circuit board 11 is electrically connected to the electrode 14 of the second circuit board through the solder particle 22 sandwiched between these electrodes 12, 14 to break the surface oxide layer 22a.例文帳に追加

第１の回路基板１１の電極１２と第２の回路基板１３の電極１４は、これらの電極１２，１４の間に挟み込まれて表面の酸化膜２２ａが破られた半田粒子２２によって電気的に接続される。 - 特許庁

The double layer glass panel 100 after molding the glazing gasket by the first applying gun 405, is horizontally placed on a second work table 30 by reversing by a reversing mechanism 60 so that the other surface of not molding the glazing gasket turns upward.例文帳に追加

第１塗布ガン４０５でグレージングガスケットを成形した後の複層ガラスパネル１００をグレージングガスケットが成形されていない他方の面が上方を向くように反転機構６０で反転して第２ワークテーブル３０上に水平に載置する。 - 特許庁

A forming method of a ferroelectric capacitor used in an integrated circuit comprises steps of forming a lower electrode, a ferroelectric layer, and an upper electrode, and forming/defining an upper electrode by using a first mask and thereafter performing second annealing.例文帳に追加

集積回路に使用される強誘電性コンデンサを形成する方法は、下部電極、強誘電体層、上部電極を形成し、第一のマスクを用いて上部電極を画成した後第二のアニールを行う工程より成る。 - 特許庁

A second semiconductor stacked layer etching step S7-3 in the ridge waveguide part forming step S7 and a first semiconductor part etching step S9-3 in the semiconductor diffracting grating element forming step S9 are performed together at a time.例文帳に追加

リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第２半導体積層エッチング工程Ｓ７−３と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第１半導体部エッチング工程Ｓ９−３とは、一括して行われる。 - 特許庁

Consequently, in the same layer of a multilayer wiring board, a first wiring pattern 100 interposed connectively between the power-supply terminals 110, 120 and a second wiring pattern 200 interposed connectively between the ground terminals 210, 220 can be so disposed in parallel with each other that they do not intersect each other.例文帳に追加

これにより、多層配線基板の同一層において、電源端子間を結ぶ第１配線パターン１００と接地端子間を結ぶ第２配線パターン２００とを交差しないように平行に設けることが可能となる。 - 特許庁

The electrically conductive layer has a plurality of conducting wires and a second hole part that at least partially overlaps the first hole part and through which the local part of the upper surface of the heat dissipation component is exposed to the outside.例文帳に追加

前記導電層は、複数の導線と、前記第一穴部の穴部と一部が重なってるかすべてが重なっている穴部によって前記放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させる第二穴部と、を具備する。 - 特許庁

In this case, members, which are pinchingly arranged towards the outer periphery of a three-dimensional layer 3, are projectingly pasted by utilizing the spaces between the board 2 and the first elastic member 3a and between the first elastic member 3a and the second elastic member 3b.例文帳に追加

この際、ボード２と第１の弾性部材３ａとの間、第１の弾性部材３ａと第２の弾性部材３ｂとの間を利用して立体層３の外周方向に介装した部材を突出させながら貼着する。 - 特許庁

A first electrode 12a, a second electrode 12b, and a conductive portion 12c made of the first conductive layer constitute a connection terminal of an IC circuit and an inductor portion 15a provided to the semiconductor substrate, an input/output terminal of the IC circuit, and wiring.例文帳に追加

第一導電層からなる第一電極１２ａ、第二電極１２ｂ、導電部１２ｃは各々、半導体基板に設けたＩＣ回路とインダクタ部１５ａの接続端子、ＩＣ回路の入出力端子、配線を構成する。 - 特許庁

CCD11 of the imaging device 2 includes a first pixel 38a and a second pixel 38b with symmetrical element structures and an LCS terminal 37 capable of independently applying voltage to an element separation layer 48 for separating respective pixels 38a, 38b.例文帳に追加

撮影装置２のＣＣＤ１１は、素子構造が対称な第一画素３８ａ、第二画素３８ｂと、各画素３８ａ、３８ｂ同士を分離する素子分離層４８に独立した電圧印加を可能とするＬＣＳ端子３７とを有する。 - 特許庁

The invention also has a circulation pump unit 21 which circulates water W among the first well section 1, the connection section 3, the second well section 2 and a methane hydrate layer G1 in a normal direction T1 or a reverse direction T2 through normal driving or reverse driving.例文帳に追加

また、正転又は逆転駆動することにより、第１井戸部１と連結部３と第２井戸部２とメタンハイドレート層Ｇ１の間で水Ｗを正逆方向Ｔ１、Ｔ２に循環させる循環ポンプユニット２１を備える。 - 特許庁

The surface light emitting element 10 is provided with a transparent substrate 11; and a first electrode 12, a light emitting layer 13 which emits a light by implanting holes and electrons, and a second electrode 14 that are formed in order on the transparent substrate 11.例文帳に追加

面発光素子１０は、透明基板１１と、透明基板１１上に順に形成された、第１の電極１２、正孔および電子を注入することにより発光する発光層１３および第２の電極１４とを備える。 - 特許庁

The micro lens array 28 may be provided with: a first surface 28a formed into a plane and brought into contact with the crystal layer; and a plurality of convex lens cells 27 arranged in the width direction of the photosensitive medium on a second surface 28b opposite the first surface.例文帳に追加

マイクロレンズアレイ２８は、液晶層に接する第１面２８ａが平面に形成され、第１面とは反対側の第２面２８ｂに感光媒体の幅方向に配列された複数個の凸レンズセル２７を備えることができる。 - 特許庁

In the display apparatus, at least a thin-film transistor, a planarization film and a plurality of light-emitting elements are formed on a substrate, wherein each light-emitting element has at least a light-emitting layer, a first electrode and a second electrode.例文帳に追加

表示装置において、基板上に少なくとも薄膜トランジスタ、平坦化膜及び複数の発光素子が形成されており、発光素子には、少なくとも発光層と、第１の電極及び第２の電極を有している。 - 特許庁

A flat parallel surface plate 5 is placed between the beam splitter 3 and the collimator 6 to correct the spherical aberration caused by the thickness difference of the transparent substrate for the first and second information recording layer 9a, 9b of an optical disk 9.例文帳に追加

光ディスク９の第一と第二の情報記録層９ａ、９ｂに対する透明基板の厚み差異により生じる球面収差を補正するための平行平板５をビームスプリッタ３とコリメータ６との間に配置する。 - 特許庁

A sealing resin of an integrated circuit covered with a film layer member is removed by a first step of cutting by means of a metal file or the like, a second step of cutting by means of laser irradiation, and a third step of cutting by means of compressed gas.例文帳に追加

層膜部材を被覆した集積回路の封止樹脂を、金属製やすり等による第１の掘削工程とレーザ照射による第２の掘削工程と圧搾気体による第３の掘削工程により除去する。 - 特許庁

The winding 5 takes a right-half region (between flanges 22, 26) of the tube 21 as a winding region and a flange 24 sections it into a first single-layer winding part 5a and a second multilayer winding part 5b.例文帳に追加

すなわち、巻線５は、筒部２１の右半分（鍔２２と２６の間）の領域を巻回領域とし、さらに、鍔２４によって第１巻線部に単層巻きされた部分５ａと第２巻線部に多層巻きされた部分５ｂに分けられている。 - 特許庁

In this manner, the alumina shaped body on the first alumina sintered body 21 is sintered into a dense second alumina sintered body as a support layer 12 and the electrode paste 23 is sintered into the flat-plate electrode 13.例文帳に追加

こうすることにより、第１アルミナ焼結体２１上のアルミナ成形体を焼成して支持体層１２としての緻密な第２アルミナ焼結体とすると共に電極ペースト２３を焼成して平板電極１３とすることができる。 - 特許庁

The semiconductor device 14 comprises a semiconductor substrate 1, a switch element 2 provided on the substrate 1, a first wiring layer 5 formed above the substrate 1, phase-change memory chips 6, first heating elements 7, second heating elements 9, and the like.例文帳に追加

半導体装置１４は、半導体基板１、基板１上に設けられたスイッチ素子２、基板１の上方に設けられた第１の配線層５、相変位メモリ素子６、第１の加熱素子７、第２の加熱素子９等を具備する。 - 特許庁

In this case, where d_1 is the diameter of pores 12a making up the first pore layer 15, at least one among the pores 12a constituting the second to the fourth pore layers 16-18 is formed with a diameter d_2 that is smaller than d_1.例文帳に追加

このとき、第１空孔層１５をなす空孔１２ａの直径をｄ_1とした場合、第２〜第４空孔層１６〜１８をなす空孔１２ａのうち少なくとも１つを直径ｄ_1よりも小さな直径ｄ_2で形成する。 - 特許庁

An integrated circuit device is provided with the ferroelectric material positioned between a first metal electrode and a second metal electrode and a passivation layer containing a titanium doped aluminum oxide positioned on the first metal electrode.例文帳に追加

本発明による集積回路デバイスは、第１の金属電極と第２の金属電極との間に位置する強誘電体材料と、第１の金属電極上に位置する、チタンドープトアルミニウム酸化物を含むパッシベーション層とを備える。 - 特許庁

A surface layer of the active material particle containing a nickel oxide having a NaCl type crystal structure or second lithium nickel compound oxide and an element M not constituting a crystal structure of the first lithium nickel compound oxide.例文帳に追加

活物質粒子の表層部は、ＮａＣｌ型結晶構造を有するニッケル酸化物もしくは第２リチウムニッケル複合酸化物を含み、更に、第１リチウムニッケル複合酸化物の結晶構造を構成しない元素Ｍを含む。 - 特許庁

The electrode catalyst layer for fuel cell comprises a catalyst aggregate consisting of catalyst particles, a polymer electrolyte and first carbon particles not carrying the catalyst particles, and second carbon particles carrying the catalyst particles.例文帳に追加

燃料電池用の電極触媒層は、触媒粒子と高分子電解質と当該触媒粒子を担持していない第１の炭素粒子とからなる触媒凝集体と、触媒粒子を担持していない第２の炭素粒子とを備える。 - 特許庁

A laminated layer structure is formed with the first metal electrode film, the dielectric film of dielectric constant 15 or more formed using the amorphous metal oxide of BiZnNb, and the second metal electrode film in order.例文帳に追加

ポリマー基盤複合体基材上に、順次、第１金属電極膜と、ＢｉＺｎＮｂ系非晶質金属酸化物を用いて成る、誘電率が１５以上の誘電体膜と、第２金属電極膜を形成して積層構造物とする。 - 特許庁

A contact layer 3a made of titanium, a first electrode film 3 made of platinum, a piezoelectric film 4 made of PZT and a second electrode film 6 made of platinum, are formed on an ALTiC substrate 1 in order by a sputtering method.例文帳に追加

アルチック基板１の上にチタンよりなる密着層３ａと、白金よりなる第１の電極膜３と、ＰＺＴよりなる圧電体膜４と、白金よりなる第２の電極膜６をスパッタ法により順番に形成する。 - 特許庁

Respective semiconductor layers from the second semiconductor laminate structure 20 to an n-type DBR layer 38 laminated on a substrate 10 constitute a resonator 50 for laser oscillation and the optical detection mechanism is incorporated in the resonator 50.例文帳に追加

基板１０上に積層された第２半導体積層構造２０からｎ型ＤＢＲ層３８までの各半導体層がレーザ発振用の共振器５０を構成しており、光検出機構が共振器５０に内蔵されている。 - 特許庁