「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(388ページ目) - Weblio英語例文検索

This micro movable element X1 is provided by processing the wafer, and is furnished with: a structural part 62A molded on a first layer; and a structural part 61 molded on a second layer having a portion to face the structural part 62A through a cavity and free to relatively displace against the structural part 62A.例文帳に追加

本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、例えば前記のウエハに加工を施すことによって得られたものであって、第１層において成形された構造部６２Ａと、構造部６２Ａに空隙を介して対向する部位を有して構造部６２Ａに対して相対変位可能な、第２層において成形された構造部６１とを備える。 - 特許庁

The display device has the electrode of the laminated structure in which transparent conductive films are laminated, and as for the electrode, a first transparent conductive film which does not form the residue in the etching using the weak acidic solution serves as the lowermost layer, and a second transparent conductive film with a work function of 5.0 eV or more serves as the uppermost layer.例文帳に追加

本発明の表示装置は、透明導電膜が積層した積層構造の電極を有する表示装置であり、前記電極は、弱酸性溶液を用いたエッチングにおいて残渣を生じない第１の透明導電膜を最下層とし、仕事関数が５．０ｅＶ以上の第２の透明導電膜を最上層としていることを特徴としている。 - 特許庁

The ultrasonic probe 2 is equipped with: a first substrate 20 having the silicon substrate 21 and a ultrasonic transmitting/receiving element 3; an acoustic lens 11 installed on the upper surface of the first substrate 20; a damping layer 41 installed beneath the first substrate 20; and a second substrate 31 installed between the lower surface of the first substrate 20 and the upper surface of the damping layer 41.例文帳に追加

超音波探触子２は、シリコン基板２１及び超音波送受信素子３を有する第１基板２０と、第１基板２０の上面に設置された音響レンズ１１と、第１基板２０の下方に設置されたダンピング層４１とを備え、さらに、第１基板２０の下面とダンピング層４１の上面との間に第２基板３１が設置されている。 - 特許庁

On the substrate, having the drive electrodes arranged on at least one facing surface side of the first and second substrates, the charge control layer, charged with a polarity reverse to that of the opaque charged migrating particles, is arranged, and on the substrate having no drive electrode, the charge control layer, charged with polarity equivalent to that of the opaque charged migrating particles, is arranged.例文帳に追加

前記第１基板と前記第２基板の対向面側の少なくとも一方に、駆動電極が配置される基板では、前記不透明帯電泳動粒子と逆極性に帯電する前記帯電制御層が配置され、駆動電極が配置されない基板では該不透明帯電泳動粒子と同極性に帯電する帯電制御層が配置される。 - 特許庁

The method for molding the multilayered product comprises injecting a first resin which becomes a skin layer into a cavity 12 of a mold provided with a slide mold capable of varying a volume of the cavity, thereafter sandwich-molding by injecting a second resin which becomes a core layer, and successively injecting a third resin into a room obtained by expanding the volume of the cavity 12 by transferring the slide mold.例文帳に追加

また、キャビティの容積を変更可能なスライド型を備える金型のキャビティにスキン層となる第一の樹脂を射出したのちコア層となる第二の樹脂を射出しサンドイッチ成形し、次いでスライド型を移動させてキャビティの容積を拡大してできた空間に仕上層となる第三の樹脂を射出する多層成形品の成形方法である。 - 特許庁

The organic EL display device comprises a transparent first electrode AD which is formed on a first insulating film BNK that is formed for every pixel on the inner face of an insulating substrate SUB with its cross-section of right trapezoid, an organic light-emitting layer LML formed on the first electrode AD, and a second electrode ED of reflective performance formed on the organic light-emitting layer LML.例文帳に追加

絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす第１絶縁膜ＢＮＫの上に形成された透明性の第１電極ＡＤと、第１電極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層ＬＭＬの上に形成された反射性の第２電極ＥＤとを有する。 - 特許庁

On the surface of the low-concentration n-type semiconductor layer 202, an insulating layer 205 is formed so that a portion of the surface of the n-type semiconductor region 204 is exposed, and a first electrode 206 covering the exposed portion of the n-type semiconductor region 204 and a second electrode 207 covering the back surface of the n-type semiconductor substrate 201 are provided.例文帳に追加

また、低濃度Ｎ型半導体層２０２の表面には、Ｎ型半導体領域２０４の表面の一部が露出するように絶縁膜２０５が形成され、Ｎ型半導体領域２０４の露出部分を覆う第１電極２０６と、Ｎ型半導体基板２０１の裏面を覆う第２電極２０７とが形成されている。 - 特許庁

The first chip M2 includes a first conductive layer 14(X) penetrating from one surface side of the first semiconductor substrate to the other surface side and connected to a first semiconductor integrated circuit E1; and a second conductive layer 14(Y) penetrating from the one surface side of the first semiconductor substrate to the other surface side and not connected to the first semiconductor integrated circuit E1.例文帳に追加

第一のチップＭ２は、第一の半導体基板の一面側から他面側に突き抜け、第一の半導体集積回路Ｅ１に接続される第一の導電層１４（Ｘ）と、第一の半導体基板の一面側から他面側に突き抜け、第一の半導体集積回路Ｅ１に接続されない第二の導電層１４（Ｙ）とを備える。 - 特許庁

The negative electrode for a lithium secondary battery is obtained by arranging a conductive middle layer 2 including a second binder 2b and conductive particles 2a, between a mixture layer 3 including an activator particle 3a including silicon and/or a silicon alloy and a first binder 3b, and a metal foil current collector 1, and baking it in the above state under a non-oxidative atmosphere.例文帳に追加

ケイ素及び／またはケイ素合金を含む活物質粒子３ａと第１のバインダー３ｂとを含む合剤層３と、金属箔集電体１との間に、第２のバインダー２ｂと導電性粒子２ａとを含む導電性中間層２を配置し、この状態で非酸化性雰囲気下に焼結して得られることを特徴とするリチウム二次電池用負極。 - 特許庁

In a low-voltage region before multiplication develops, since a hot carrier flows inside the first embedded layer 110a formed in the vicinity of the first mesa 109, a flat part of multiplication factor (M)=1 appears in the photocurrent-voltage characteristic, and a leakage bus of current becomes less apt to be formed at an interface between a passivation membrane 113 and the second embedded layer 110b.例文帳に追加

これにより、増倍開始前の低電圧領域において、第１メサ１０９の近傍に形成された第１埋込み層１１０ａ内をホットキャリアが流れるので、光電流−電圧特性に増倍率（Ｍ）＝１の平坦部が現れるようになり、かつ保護膜１１３と第２埋込み層１１０ｂとの界面に電流のリークバスが形成され難くなる。 - 特許庁

When modifying a wiring path for connecting an interconnection F and an interconnection D', an interconnection for connecting the dummy vias 7a and 13a is formed when forming the second-layer metal 9 and an interconnection for connecting the dummy via 13a, and the interconnection D' is formed when forming the third-layer metal 15, instead of changing a reticle for forming a via.例文帳に追加

配線Ｆと配線Ｄ’を接続する配線経路改定を行なう場合、ＶＩＡ形成用のレティクルは変更せずに、第２層目メタル９の形成時にダミーＶＩＡ７ａと１３ａを接続するための配線を形成し、第３層目メタル１５の形成時にダミーＶＩＡ１３ａと配線Ｄ’を接続するための配線を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element having a light generation layer for radiating light and a translucent substrate to the light at the side of the substrate, there are a first side that is formed by cleavage and prevents a crystal defect, a second side for injecting one portion of the light from the light generation layer to the outside, and a third side for facilitating mounting.例文帳に追加

光を放射する発光層と、この光に対して透光性を有する基板と、を備える半導体発光素子において、上記基板の側面に、へき開によって得られ結晶欠陥を防止する第１の側面と、上記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、マウントを容易にする第３の側面と、を設ける。 - 特許庁

The plastic bag 9 is held in a state along the rear face 21 of the concave mirror plate 2 by a first intermediate layer 10 formed of an air mat filled between the concave mirror plate 2 and the bag 9 and a second intermediate layer 11 formed of an air mat 12 and an insulator 13 filled between the bag 9 and the mounting plate 3.例文帳に追加

プラスチック袋９は、凸面鏡板２と袋９の間に充填されたエアーマットによって形成された第１の中間層１０と、袋９および取付板３の間に充填されたエアーマット１２および断熱材１３からなる第２の中間層１１によって、凸面鏡板２の背面２１に沿った状態に保持されている。 - 特許庁

When the voltage applied across electrodes 11 and 10 becomes higher and a depletion layer reaches a second N-type embedded diffused layer 3, punch- through occurs, and the voltage and current characteristics between the electrodes 10 and 11 become a clamping characteristic such as the reverse breakdown characteristic of a P-N junction diode, and the diode is energized and protects an element to be protected.例文帳に追加

電極１１、１０間の印加電圧が大きくなり、空乏層が第２のＮ型埋め込み拡散層３に到達するとパンチスルーを起こし、電極１０、１１間の電圧電流特性は、ＰＮ接合ダイオードの逆方向降伏特性のようなクランプ特性になり、このダイオードが導通して被保護素子を保護することができる。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device provided with the fuse part 3a to which blowing processing is applied for the purpose of revising the circuit structure, a 2-layer structure comprising a first insulation film 11 with high packing performance and a second insulation film 12 with immunity to intrusion of the water contents and impurities is adopted for a passivation film for coating an uppermost wiring layer.例文帳に追加

回路構造を変更するために切断処理がなされるヒューズ部３ａを備える半導体回路装置において、最上位の配線層を被覆するパッシベーション膜を、充填性の高い第１の絶縁膜１１と、水分や不純物の進入に対する耐性を有する第２の絶縁膜１２との２層構造とする。 - 特許庁

In one of the production methods of the display device, a first electrode is formed by adding a material for preventing crystallization to a conductive material, the first electrode is heated at a temperature of 350°C or more under reduced pressure, a layer containing an organic compound is formed on the first electrode, and a second electrode is formed on that layer containing the organic compound.例文帳に追加

本発明の表示装置の作製方法の一は、導電性材料に結晶化を防ぐ材料を添加して第１の電極を形成し、第１の電極を減圧下で、３５０度以上の温度で加熱し、第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に第２の電極を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The first electrode 25g of the unit element Ug with a different resonant wavelength from the unit element Ur includes a first conductive part 271 formed by patterning of the conductive film L1 and blocking the contact hole H, and a second layer 262 formed by patterning of the conductive film L2 filmed after forming of the conductive film L1 and overlapping with the light reflecting layer 21.例文帳に追加

共振波長が単位素子Ｕrとは相違する単位素子Ｕgの第１電極２５gは、導電膜Ｌ1のパターニングによって形成されてコンタクトホールＨを塞ぐ第１導通部２７１と、導電膜Ｌ1の形成後に成膜された導電膜Ｌ2のパターニングによって形成されて光反射層２１と重なり合う第２層２６２とを含む。 - 特許庁

A rear surface protecting sheet 1 for a solar cell is constituted by integrally laminating a first weatherability base 3 consisting of resin, and a second weatherability base 4 including a white layer 4a obtained by coloring resin white and a barrier layer 5 of an inorganic compound deposited on the side of the first weatherability base 3.例文帳に追加

本発明の太陽電池用裏面保護シート１は、樹脂からなる第１の耐候性基材３と、樹脂を白色に着色してなる白色層４ａを含むとともに、第1の耐候性基材３側に無機化合物からなるバリア層５が蒸着された第２の耐候性基材４と、を積層し一体化してなることを特徴とする。 - 特許庁

The lithium ion battery pack 10 is constituted by connecting in parallel a first lithium ion secondary battery 12 in which thickness of an anode active material layer is within a range of 10 to 40 μm and furthermore thickness of a cathode active material layer is within the range of 10 to 40 μm to a second lithium ion secondary battery 14 in which volume energy density is 250 Wh/l or more.例文帳に追加

リチウムイオン組電池１０は、アノード活物質層の厚みが１０〜４０μｍの範囲にあり、且つ、カソード活物質層の厚みが１０〜４０μｍの範囲にある第１のリチウムイオン二次電池１２と、体積エネルギー密度が２５０Ｗｈ／ｌ以上である第２のリチウムイオン二次電池１４を並列に接続して構成されている。 - 特許庁

The construction method of the water retentive paving body includes: the first process injecting a water retentive grout 21 in a continuous void 10a of an open-graded asphalt mixture layer 10 up to the surface side of the open-graded asphalt mixture layer 10a; and the second process sucking the water retentive grout 21 to be injected and forming a continuous void 3 in the surface side.例文帳に追加

開粒度アスファルト混合物層１０の連続空隙１０ａに、開粒度アスファルト混合物層１０の表面側まで保水性グラウト２１を注入する第１工程と、注入された保水性グラウト２１を吸引し、表面側に連続空隙３１ａを形成する第２工程と、を含む保水性舗装体の施工方法である。 - 特許庁

The second substrate 2 includes: an electrode 21 for heaters, which is arranged in a display area 51 on the side opposite to the first substrate 1, and a frame area 52; and an insulating layer 25 which is arranged above the electrode 21 for heaters so as to cover the electrode 21 for heaters, and includes an overcoat layer 24 having at least a flattening function.例文帳に追加

第２の基板２は、第１の基板１と対向する側の表示領域５１、及び額縁領域５２に配設されたヒーター用電極２１と、ヒーター用電極２１より上層に、当該ヒーター用電極２１を被覆するように配設され、少なくとも平坦化機能を有するオーバーコート層２４を有する絶縁層２５とを具備する。 - 特許庁

The first phase difference compensation layer performs phase difference compensation for the bundle of rays made incident obliquely with respect to the optical axis, and the second phase difference compensation layer rotates the polarizing direction of linearly polarized light passing through a polarizer into a direction which is not in accord with the transmission axis of an analyzer, suppresses leaked light from the analyzer and improves the light shielding performance.例文帳に追加

第一位相差補償層は光軸に関して斜めに入射した光線束に対して位相差補償を行い、第二位相差補償層は偏光子を通過した直線偏光の偏光方向を検光子の透過軸に合致しない方向に回転させ、検光子からの漏れ光を抑えてその光遮断特性を向上させる。 - 特許庁

The resin-made optical waveguide is characterized in that it includes a substrate 1, a resin-made optical propagation member 3 composed of a first resin, and a resin layer 5 (base layer) which is installed between the substrate 1 and the resin-made optical propagation member and which is mixed with the first resin and a second resin having a refractive index smaller than that of the first resin.例文帳に追加

基板１と、第１の樹脂からなる樹脂製光伝搬部材３と、前記基板１と前記樹脂製光伝搬部材との間に設けられ、前記第１の樹脂と前記第１の樹脂より屈折率の小さい第２の樹脂とが混合された樹脂層５（ベース層）を有することを特徴とする樹脂製光導波路。 - 特許庁

A connection part of the wiring 30 of a first electrode 12 and a driving circuit 20 is electrically connected by capacity coupling in a state where an insulation layer 40 for a capacitor used as a capacitor made of same material as a second insulation layer 15 for structuring the inorganic EL element 10 is inserted in series between the wiring 30 and the driving circuit 20.例文帳に追加

第１の電極１２の配線３０と駆動回路２０との接続部は、これら配線３０と駆動回路２０との間に、無機ＥＬ素子１０を構成する第２の絶縁層１５と同じ材料よりなるコンデンサとしてのコンデンサ用絶縁層４０を直列に挿入した状態で容量結合により電気的に接続されている。 - 特許庁

The lighting device includes the translucent substrate 2 having a first surface and a second surface, a plurality of semiconductor light emitting elements 7 arranged on the first surface and a phosphor layer 18 provided on the first surface so as to cover the plurality of semiconductor light emitting elements, and a light diffusion layer 50b provided on the other surface.例文帳に追加

請求項１の発明は、第１の面及び第２の面を有してなる透光性基板２と；前記第１の面に配設された複数の半導体発光素子７と；前記複数の半導体発光素子を覆うように第１の面に設けられた蛍光体層１８と；前記第２の面に設けられた光拡散層５０ｂと；を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

A line 181 for a phase matching circuit, a first ground level layer 183P placed between the transmission purpose side face conductor 133T and the line 181, and a second ground layer 183Q placed between the received signal purpose side conductor 133R and the line 181 are formed between fifth and sixth ceramic layers 145 and 146.例文帳に追加

そして、第５，第６セラミック層１４５，１４６の層間には、位相整合回路用の線路１８１と、送信用側面導体１３３Ｔと線路１８１との間に位置する第１接地電位層１８３Ｐと、受信用側面導体１３３Ｒと線路１８１との間に位置する第２接地電位層１８３Ｑと、が形成されている。 - 特許庁

In the method for machining a material by super-short pulse laser beams, a circuit substrate 3 with metal layers 2a and 2b and an organic material layer 1 laminated thereon and an electronic circuit formed in a plurality of layers is irradiated with femto-second laser beams 11 to form an aperture 5 to arrange a conductor to connect the electronic circuits on each layer to each other.例文帳に追加

本発明の超短パルスレーザーによる材料加工方法においては、金属層２ａ、２ｂと有機材料層１とが積層されかつ複数層に亘って電子回路が形成された回路基板３に対してフェムト秒レーザー１１を照射して、各層の電子回路を互いに接続する導体を配線するための孔５を形成する。 - 特許庁

The VCSEL includes a p-side upper electrode 130 which is electrically connected to the contact layer 114 of the post P, and where an opening 132 is formed for regulating the emitting region of the laser beam; and a second upper electrode 140 which is formed on the pad formation region, and electrically connects the contact layer 114 of the pad formation region to the lower DBR 106.例文帳に追加

ポストＰのコンタクト層１１４に電気的に接続され、レーザ光の出射領域を規定する開口部１３２が形成されたｐ側の上部電極１３０と、パッド形成領域１１８上に形成され、パッド形成領域のコンタクト層１１４を下部ＤＢＲ１０６に電気的に接続するための第２の上部電極１４０とを有している。 - 特許庁

When the semiconductor multilayer reflection film is grown by alternately laminating a first semiconductor layer and a second semiconductor layer on a substrate by an organic metal vapor growth method using an apparatus in which a substrate tray mounting a substrate on a self-rotating mechanism is self-rotated in a reactor, the inclination of the growth effect distribution of the semiconductor multilayer film is set to 3 to 10 (10^-3/mol).例文帳に追加

自転機構上に基板を取り付けた基台をリアクタ内で公転させる装置を用いて、有機金属気相成長法により基板上に第１の半導体層と第２の半導体層を交互に積層して半導体多層反射膜を成長させる際、半導体多層膜の成長効率分布の傾斜を３〜１０（１０^−３／ｍｏｌ）とする。 - 特許庁

The electroforming shell 1 has a molded layer 11 the surface of which becomes the molding surface 10, a temperature adjusting part 16 constituted by forming the medium flow channel 2 between first and second heat conductive layers 12 and 13 mutually comprising the same material and the reinforcing layers 14 formed on the side opposite to the molded layer 11 so as to hold the temperature adjusting part 16.例文帳に追加

電鋳シェル１は、表面が成形面１０となる成形層１１と、互いに同材料からなる第一熱伝導層１２と第二熱伝導層１３との間に媒体流路２を形成してなる温度調整部１６と、温度調整部１６を挟んで成形層１１と反対側に形成された補強層１４とを有する。 - 特許庁

The silicon nitride film as the first layer is made to contain the Si-H group more to make it harder to desorb H_2 from the silicon nitride film and the CAP effect that the film density of the silicon nitride film as the second layer is increased to prevent H_2 from being discharged to the outside is increased to enhance H_2 passivation of the antireflection film of the silicon nitride films.例文帳に追加

第１の層の窒化シリコン膜のＳｉ−Ｈ基の含有の程度を高めることによってＨ_２が窒化シリコン膜から脱離し難くし、また、第２の層の窒化シリコン膜の膜密度を高くすることによってＨ_２の外部への放出を防ぐＣＡＰ効果を高めることによって、窒化シリコン膜の反射防止膜のＨ_２パッシベーションを高める。 - 特許庁

The first switching element 10 has: a semiconductor layer laminate 13 composed of a nitride semiconductor formed on a substrate 11; a gate electrode 18, a first ohmic electrode 16 and a second ohmic electrode 17 formed on the semiconductor layer laminate 13; and a back electrode 20 formed on the back of the substrate 11.例文帳に追加

第１のスイッチング素子１０は、基板１１の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体１３と、半導体層積層体１３の上に形成されたゲート電極１８、第１のオーミック電極１６及び第２のオーミック電極１７と、基板１１の裏面に形成された裏面電極２０とを有している。 - 特許庁

The electron emission element comprises a cathode electrode formed on a substrate; a gate electrode positioned on the cathode electrode and other layers with a first insulating layer inbetween; an electron emitting section electrically connected to the cathode electrode; and the focusing electrode formed on the cathode and gate electrodes with a second insulating layer inbetween.例文帳に追加

本発明による電子放出素子は、基板上に形成されるカソード電極と、第１絶縁層を間に置いてカソード電極と他の層に位置するゲート電極と、カソード電極に電気的に連結される電子放出部と、第２絶縁層を間に置いて前記カソード電極及びゲート電極上に形成される集束電極とを含む。 - 特許庁

A Rh catalyst layer (the second catalyst layer 4) contains a carrier 5 consists mainly of zirconia, a Rh particle (a noble metal particle 6) supported on the carrier 5 and a binding member 7 which exists among carriers 5 and consists mainly of zirconia.例文帳に追加

基材２上に複数の触媒層（第１の触媒層３，第２の触媒層４）が形成された排ガス浄化触媒１であって、ジルコニアを主成分とした担体５と、担体５上に担持されたRh粒子（貴金属粒子６）と、担体５間に存在するジルコニアを主成分とした結合部材７と、を含むRh触媒層（第２の触媒層４）を有することを特徴とする。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer on an electrically conductive substrate and the photosensitive layer contains at least phthalocyanine compounds as an electric charge generating material, that is, a first phthalocyanine compound as a principal component and a second phthalocyanine compound having a higher capacity to generate negative charges than the first phthalocyanine compound as an assistant component.例文帳に追加

導電性基体上に感光層を有し、該感光層が電荷発生物質として少なくともフタロシアニン化合物を含有する電子写真用感光体であって、主成分としての第一のフタロシアニン化合物と、該第一のフタロシアニン化合物に比して負電荷発生能が高い副成分としての第二のフタロシアニン化合物とを含有する。 - 特許庁

A wall charge necessary for sustaining discharging can be formed by the first dielectric layer 1051, and relative dielectric constant between the display electrode 103 and the display scanning electrode 104 can be reduced by the second dielectric layer 1052, whereby the power consumption upon sustaining discharging can be reduced while restraining lighting failure.例文帳に追加

第１誘電体層１０５１によって、維持放電に必要な壁電荷を形成するとともに、第２誘電体層によって、表示電極１０３と表示スキャン電極１０４の間において比誘電率を下げることができるので、点灯不良を抑制しながら維持放電時における消費電力を抑制することができる。 - 特許庁

The liquid ejecting head I includes: a pressure generating chamber 12 communicating with a nozzle opening 21; a first electrode 60 containing platinum; a piezoelectric layer 70 composed of an oxide containing potassium, sodium, niobium, bismuth, and iron, which is formed on the first electrode 60; and the piezoelectric element 300 having a second electrode 80 formed on the piezoelectric layer 70.例文帳に追加

ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、白金を含む第１電極６０と、第１電極上６０に設けられカリウム、ナトリウム、ニオブ、ビスマス及び鉄を含む酸化物からなる圧電体層７０と、圧電体層７０上に形成された第２電極８０とを備えた圧電素子３００とを具備する液体噴射ヘッドＩとする。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element, having an emission layer arranged between a pair of electrodes, the emission layer contains an emission material, and a host polymer having a first unit interacting with the emission material and a second unit having a conjugated and nonconjugated structure so that energy can be transmitted to the emission material.例文帳に追加

一対の電極間に配置された発光層を備える有機エレクトロルミネッセント素子において、発光層が、発光材料と、発光材料にエネルギーを伝達することができるように発光材料と相互作用する第１のユニット及び共役及び非共役構造を有する第２のユニットを有するホストポリマーとを含有することを特徴としている。 - 特許庁

The light emitting device 1 includes a first conductive base substrate 11 and a second conductive base substrate 12, an insulator 41 arranged therebetween, a semiconductor light emitting function layer 2 arranged on a first main surface 11A of the first base substrate 11, and a transparent sealing body 7 for covering the semiconductor light emitting function layer 2.例文帳に追加

発光装置１において、導電性を有する第１のベース基板１１及び第２のベース基板１２と、それらの間に配設された絶縁体４１と、第１のベース基板１１の第１の主面１１Ａ上に配設された半導体発光機能層２と、半導体発光機能層２を被覆する透明性を有する封止体７とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10 on which an integrated circuit is formed, an electrode 34 formed inside a through hole H4 formed from an active surface 10a to a rear surface 10b in the semiconductor substrate 10 via a first insulating layer 22, and a second insulating layer 26 formed on the rear surface 10b of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

集積回路が形成された半導体基板１０と、この半導体基板１０における能動面１０ａから裏面１０ｂにかけて形成された貫通孔Ｈ４の内部に、第１の絶縁層２２を介して形成された電極３４と、半導体基板１０の裏面１０ｂに形成された第２の絶縁層２６とを有する構成とした。 - 特許庁

This optical disk having two layers on one side has such a structure that the disk having a first RAM layer and a disk 28 having a second RAM layer are joined to each other with a UV-curable resin film.例文帳に追加

相変化型光ディスクにおいては、光ビームの照射によってアモルファスと結晶との間で可逆的に相変化する相変化型の第１及び第２の記録膜が接着層によって接合され、光ビームの入射側に前記第１の記録膜が配置され、この第１の記録膜を通過した光ビームが前記第２の記録膜に照射されるように配置されている。 - 特許庁

For example, the wiring central part separator 2 is formed in a structure subject to observation as a wiring pattern by exposing the second wiring layer 4 at the front surface by the length L of separator and the other wiring central part is formed in a structure not subject to observation as the wiring pattern by electrically connecting the wiring end part from the principal wiring part via a first wiring layer 5.例文帳に追加

例えば配線中央部セパレータ２は、セパレータ長Ｌの長さ分だけ第２配線層４を表面に露出させて、配線パターンとして観察される構造とし、その他の配線中央部は第１配線層５を経由して基幹配線部から配線端部へと電気的に接続することにより、配線パターンとして観察されない構造とする。 - 特許庁

The production method includes: a step of forming an insulating film equipped with a plurality of openings having a predetermined interval; a step of forming a first electrode on the bottom face and the sidewall of the opening; a step of forming a magnetic tunnel junction layer on the first electrode; and a step of forming a second electrode filled in residual openings on the magnetic tunnel junction layer.例文帳に追加

所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜を形成するステップと、前記開口部の底面および側壁に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に磁気トンネル接合層を形成するステップと、前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

This image pickup element has a plurality of light receiving sensors 11 and vertical transfer registers 12 arranged on one side of a light receiving sensor array, and insulation films 21 thicker than the gate insulation films 16 are formed just under ends of transfer electrodes 17A, 17C on first layer, and 17B, 17D on second layer arranged between vertically adjacent light receiving sensors 11.例文帳に追加

複数の受光センサ部１１と各受光センサ列の一側に配されて垂直転送レジスタ１２を有し、垂直方向に隣り合う受光センサ部１１間上に１層目及び２層目の転送電極１７Ａ及び１７Ｃ，１７Ｂ及び１７Ｄが転送電極１７の端部直下にゲート絶縁膜１６より厚い絶縁膜２１が形成されて成る。 - 特許庁

In the diamond pellet 13 used by being bonded to a bed plate of the surface plate for grinding machine, on the side of bonding to the bed plate of a first layer 11 to be the diamond pellet body in which metal powders with diamond abrasive grains scattered are sintered, a second layer 12 in which metal powders not including the diamond abrasive grains is integrally sintered.例文帳に追加

研削機用定盤の台板に接着して用いられるダイヤモンドペレット１３において、ダイヤモンド砥粒を分散させた金属粉を焼結したダイヤモンドペレット本体となる第一の層１１の台板への接着側に、ダイヤモンド砥粒を含有しない金属粉を焼結した第二の層１２が一体的に焼結されている。 - 特許庁