「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(391ページ目) - Weblio英語例文検索

The termination structure includes: a trench 220; a MOS gate 240 formed on the sidewall of the trench 220 as a spacer; a termination structure oxide layer 245 formed so as to cover the spacer and a portion of the bottom of the second trench 220; and first and second electrodes respectively formed on the back surface and the front surface 260 of a semiconductor substrate.例文帳に追加

終端構造は、トレンチ２２０と、このトレンチ２２０の側壁にスペーサとして形成されたＭＯＳゲート２４０と、スペーサ及び第２のトレンチ２２０の底面の一部を覆うように形成された終端構造酸化層２４５と、半導体基板の背面及び表面２６０にそれぞれ形成された第１及び第２の電極とを備える。 - 特許庁

In the multiple exposure method for at least one substrate covered with a photosensitive layer, first exposure is performed in a first projection system (17) according to an exposure parameter of a first group, and second exposure is performed in a second projection system (18) spatially separated from the first projection system (17).例文帳に追加

感光層により被覆される少なくとも１個の基板の多重露光方法において、第１の露光は、第１組の露光パラメータにしたがって第１の投影系（１７）において行なわれ、第２の露光は、第２組の露光パラメータを用いて、前記第１の投影系（１７）から空間的に分離される第２の投影系（１８）において行なわれる。 - 特許庁

The printed wiring board includes the first and second signal pads for differential signals, at least one ground pad arranged close to them, and the via arranged an approximately equal distance from each of the first and second signal pads for connecting a ground pattern portion on a layer adjacent thereto directly to the ground pad, or through a drawn wire.例文帳に追加

プリント配線基板は、差動信号用の第１、第２の信号用パッドと、その近傍に配置された少なくとも１個のグラウンド用パッドと、前記第１、第２の信号用パッド夫々から略等距離に配置されて隣接層のグラウンドパターン部を前記グラウンド用パッドに対して直接に或いは引き出し線を介して接続するビアとを備える。 - 特許庁

The first capacitor, comprising the first electrode part 103a and the third electrode part 106a and the second capacitor that comprises the second electrode part 103b and the fourth electrode part 106b are connected in series by electrical connections formed by including the third electrode part 106a and the fourth electrode part 106b in the conductive layer 106.例文帳に追加

第３の電極部１０６ａ及び第４の電極部１０６ｂが導電層１０６に含まれることによる電気的接続によって、第１の電極部１０３ａ及び第３の電極部１０６ａからなる第１のキャパシタと、第２の電極部１０３ｂ及び第４の電極部１０６ｂからなる第２のキャパシタとは直列に接続されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a memory cell including a first transistor 160, a second transistor 162, and an insulation layer 128 provided between a source region or a drain region 120 of the first transistor 160 and a channel formation region 144 of the second transistor 162.例文帳に追加

第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、第１のトランジスタ１６０のソース領域またはドレイン領域１２０と、第２のトランジスタ１６２のチャネル形成領域１４４との間に設けられた絶縁層１２８と、を含むメモリセルを有し、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２とは、少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置である。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor nano-wire 1 having a first region 7 provided with pn junction or pin junction, and a second region 8 provided with a field effect transistor structure; a pair of electrodes (2, 3) to be connected to both ends of the semiconductor nanowire 1; and a gate electrode 4 provided on at least one part of the second region via an insulation layer 5.例文帳に追加

ＰＮ接合またはＰＩＮ接合を備える第１の領域７と、電界効果型トランジスタ構造を備える第２の領域８とを有する半導体ナノワイヤ１と、半導体ナノワイヤ１の両端に接続される一対の電極（２，３）と、第２の領域の少なくとも一部に絶縁層５を介して設けられているゲート電極４とを備えている。 - 特許庁

In the multi-layer release film arranged between a sheet and a circuit board when the board is heated/pressed, the first release film, the second release film, the third release film, and the fourth release film are laminated in this order, and the Rockwell's hardness of the second release film is 70-88.例文帳に追加

回路基板を加熱、加圧成形する際に、板状体と回路基板との間に配置される離型多層フィルムであって、第１の離型フィルムと、第２の離型フィルムと、第３の離型フィルムと、第４の離型フィルムとがこの順に積層されてなり、かつ前記第２の離型フィルムのロックウェル硬度が７０〜８８であることを特徴とする離型多層フィルムである。 - 特許庁

Each transistor 21 includes a first ohmic contact region 115 and a second ohmic contact region 119 formed in a region demarcated by crossing of each conductive line 8 and each function line 7, and a channel region demarcated by the first ohmic contact region 115 and the second ohmic contact region 119 in the semiconductor layer.例文帳に追加

各トランジスタ２１は、各導電線８と各機能線７との交差によって画定される領域に形成された第１のオーミックコンタクト領域１１５、第２のオーミックコンタクト領域１１９および前記半導体層中において前記第１のオーミックコンタクト領域１１５および前記第２のオーミックコンタクト領域１１９によって画定されたチャネル領域含む。 - 特許庁

The piezoelectric element 1 includes a plurality of piezoelectric layers 11 laminated in a thickness direction, an element body 10 including a plurality of first and second counter electrodes 12a, 12b alternately disposed to face each other via the piezoelectric layer 11 in the thickness direction, and first and second external electrodes 13a, 13b.例文帳に追加

圧電素子１は、厚み方向に積層されている複数の圧電体層１１と、厚み方向において、圧電体層１１を介して互いに対向するように交互に配置されている複数の第１及び第２の対向電極１２ａ、１２ｂとを有する素子本体１０と、第１及び第２の外部電極１３ａ、１３ｂとを備える。 - 特許庁

A phosphor conversion light emitting device includes a light emitting layer disposed between n-type region and a p-type region, so as to emit light having a first peak wavelength; a first phosphor constituted so as to emit light having a second peak wavelength; a second phosphor constituted so as to emit light having a third peak wavelength.例文帳に追加

蛍光体変換発光デバイスが、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置され第１のピーク波長を有する光を発するように構成された発光層と、第２のピーク波長を有する光を発するように構成された第１の蛍光体と、第３のピーク波長を有する光を発するように構成された第２の蛍光体と、を具備する。 - 特許庁

An array base plate 100 includes an organic EL element 40 formed by a first electrode 60 formed like an independent island in each pixel arranged in a matrix, a second electrode 66 disposed opposite to the first electrode 60 and formed in common to all pixels, and a light emitting layer 64 held between the first electrode 60 and the second electrode 66.例文帳に追加

アレイ基板１００は、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極６６と、第１電極６０と第２電極６６との間に保持された発光層６４と、によって構成された有機ＥＬ素子４０を備えている。 - 特許庁

The intermediate layer comprises a melt-processible thermoplastic solution which is solidified containing the first melt-processible thermoplastic resin and the second thermoplastic resin, wherein in this solution the first thermoplastic resin and the second thermoplastic resin exist as individually identifiable components dispersed relative to one another in an essentially non-homogenous manner.例文帳に追加

中間層は、第１の溶融加工可能な熱可塑性樹脂と、第２の熱可塑性樹脂とを含み、固化される溶融加工可能な熱可塑性溶液でできており、この溶液中で、第１の熱可塑性樹脂と第２の熱可塑性樹脂とは、基本的に非均質な状態で互いに対して分散された個別的に識別できる形で存在している。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer, a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film, and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

The liquid crystal alignment processing method further includes a process of performing rubbing treatment on the alignment layer 7 by using the rubbing roller 5, wherein the rubbing cloth 3 is provided with first piles 2 formed on a region near the seam 4 and second piles 1 formed on a region except the first piles 2 and the first piles 2 have smaller alignment control power than the second piles 1.例文帳に追加

ラビングローラ５を用いて配向膜７にラビング処理を施す工程をさらに備えており、ラビング布３は、継ぎ目４に近い領域に形成された第１のパイル２と、第１のパイル２を除く領域に形成された第２のパイル１とを備え、第１のパイル２は第２のパイル１よりも小さい配向規制力を有する。 - 特許庁

In the solid-state image sensing element having the selective transistor 206 adjacent to an amplifying transistor 205, an interlayer insulating layer 7 is provided between a first well region 2a of the amplifying transistor 205 and a second well region 2b of the selective transistor 206, and an impurity concentration of the second well region 2b is higher than that of the first well region 2a.例文帳に追加

増幅トランジスタ２０５と隣接した選択トランジスタ２０６を有する固体撮像素子において、増幅トランジスタ２０５の第１ウェル領域２ａと選択トランジスタ２０６の第２ウェル領域２ｂとの間には層間絶縁層７が設けられ、第１ウェル領域２ａの不純物濃度よりも第２ウィル領域２ｂの不純物濃度が高い。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

A liquid crystal display element has a first liquid crystal layer formed in contact with the same electrode keeping a first liquid crystal for selecting and reflecting a first wavelength band, and a second liquid crystal for selecting and reflecting a second wavelength band different from the first wavelength band and allowing a threshold voltage required for drive to differ from the first liquid crystal arranged in a pixel unit.例文帳に追加

液晶表示素子は、第一波長帯域を選択反射する第一液晶と、第一波長帯域とは異なる第二波長帯域を選択反射し、駆動に要する閾値電圧が第一液晶とは異なる第二液晶とが、画素単位で配置される同一の電極に接して形成される第一液晶層を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display apparatus which has a display device including a first substrate having an electrode terminal at the outer edge and a second substrate placed opposite to the first substrate so that the electrode terminal is exposed, wherein a wiring connection part and also the end of the second substrate can be coated with a resin layer.例文帳に追加

外縁部に電極端子を有する第１の基板と、電極端子を露出させるように対向配置した第２の基板とからなる表示デバイスを有する表示装置の製造方法において、配線接続部および第２の基板の端部までを樹脂層で被覆することが可能な表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The SOI 100 includes: a silicon substrate 101; a first insulating film 102 formed on the silicon substrate 101; a second insulating film 103 formed on the first insulating film 102; a third insulating film 104 formed on the second insulating film 103; and a silicon layer 106 formed on the third insulating film 104.例文帳に追加

シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、第１絶縁膜１０２上に形成された第２絶縁膜１０３と、第２絶縁膜１０３上に形成された第３絶縁膜１０４と、第３絶縁膜１０４上に形成されたシリコン層１０６とからなるＳＯＩ基板１００の構成を有する。 - 特許庁

The liquid crystal lens includes a liquid crystal layer 3, that contains liquid crystal molecules having refractive index anisotropy, is disposed between the first and second electrodes 11Y and 21, and forms a phase difference distribution in a predetermined direction relative to incident rays of light, as a result of a changing the arrangement of the liquid crystal molecules, according to voltages applied by the first and second electrodes 11Y and 21.例文帳に追加

屈折率異方性のある液晶分子を含み、第１の電極１１Ｙと第２の電極２１との間に配置され、第１の電極１１Ｙと第２の電極２１とによって印加される電圧に応じて液晶分子の配列が変化することで入射光線に対して所定方向に位相差分布が形成される液晶層３を備える。 - 特許庁

The organic luminescent device includes: a first electrode, a light emitting member located on the first electrode and including at least two light emitting units displaying the same colors or colors different from each other, a second electrode located on the light emitting member, and a sealing filler layer located on the second electrode and including a light emitter displaying at least one color.例文帳に追加

有機発光装置は、第１電極と、前記第１電極上に位置し、同一または互いに異なる色を表示する少なくとも二つの発光ユニットを含む発光部材と、前記発光部材上に位置する第２電極と、前記第２電極上に位置し、少なくとも一つの色を表示する発光体を含む封止用充填層と、を含む。 - 特許庁

A first protrusion electrode 103 and a second protrusion electrode 104 at ends of the first spiral electrode 101 and the second spiral electrode 102 that are opposite to the connection electrode 105 have a shape extending in a direction perpendicular to the plane, have a length at which each of the protrusion electrodes protrudes from the first magnetic layer 11, and function as the end electrodes of the inductor 1.例文帳に追加

第１スパイラル電極１０１と第２スパイラル電極１０２の接続電極１０５側と反対の端部である第１突起電極１０３および第２突起電極１０４は、前記平面に垂直な方向へ延びる形状からなり、第１磁性体層１１からも突出する長さを有し、インダクタ１の両端電極として機能する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first semiconductor element and second semiconductor element whose back surfaces don't have each of the terminal surfaces and are bonded with an adhesive layer interposed between them; a terminal member provided on the same surface as the terminal surface of the second semiconductor element; and a conductive wire connecting the terminal member with the terminal surface of the first semiconductor element.例文帳に追加

半導体装置が、互いの端子面を有さない背面同士が接着剤層を介して接着された第1の半導体素子と第２の半導体素子と、第２の半導体素子の端子面と同一面に設けられた端子部材と、前記端子部材と前記第１の半導体素子の端子面とを接続する導電性ワイヤとを備える。 - 特許庁

A side face electrode electrically connected to the second ohmic electrode is formed on an insulation film formed on an inner wall surface of the opening, and a first contact electrode electrically connected to the first ohmic electrode and a second contact electrode electrically connected to the side face electrode are formed on the insulation film formed on the contact layer.例文帳に追加

開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する。 - 特許庁

A boundary 16 between a circuit protection region 14 of a second electronic component 12 and a terminal region 15 is located on a single layer region 23 of an anisotropic conductive film 20, and thermo-compression bonding is applied to the anisotropic conductive film 20 after temporarily installing the anisotropic conductive film 20 so as to make the terminal region 15 of the second electronic component 12 located on a two-layered region 24 of the anisotropic conductive film 20.例文帳に追加

異方性導電フィルム２０の単層領域２３上に第２の電子部品１２の回路保護領域１４と端子領域１５との境界１６が位置し、異方性導電フィルム２０の２層領域２４上に第２の電子部品１２の端子領域１５が位置するように異方性導電フィルム２０を仮設置して熱圧着する。 - 特許庁

The method for manufacturing the guide wire includes processes for preparing a first linear wire 2 made of a Ni-Ti alloy and a second linear wire 3 made of stainless steel, welding the first wire 2 and the second wire 3 to obtain a wire body 10 with a weld part 14, and forming a coating layer 5 for covering the weld part 14.例文帳に追加

ガイドワイヤの製造方法は、Ｎｉ−Ｔｉ系合金で構成された線状の第１ワイヤ２と、ステンレス鋼で構成された線状の第２のワイヤ３とを用意する工程と、第１ワイヤ２と第２ワイヤ３とを溶接し、溶接部１４を有するワイヤ本体１０を得る工程と、溶接部１４を覆う被覆層５を形成する工程とを有する。 - 特許庁

There are provided a touch screen which includes: a first transparent electrode formed in a transparent substrate; a second transparent electrode formed in a transparent film; and a transparent adhesive layer positioned between the first transparent electrode and the second transparent electrode, and formed of a transparent adhesive containing conductive balls, and a method for continuously manufacturing the touch screen.例文帳に追加

透明基板に形成された第１透明電極、透明フィルムに形成された第２透明電極、および前記第１透明電極と第２透明電極との間に位置する、導電性ボールの含まれる透明接着剤で形成された透明接着層を含んでなるタッチスクリーン、およびその連続式製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on a insulating film on a semiconductor layer and a gate electrode; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes provided in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

In the front type projector having a thin film transistor including a semiconductor layer having a channel forming region, a source region and a drain region and an island-shaped gate electrode, first wiring to which the gate electrode is connected and second wiring to which the source region or the drain region is connected are orthogonal to each other and the second wiring is disposed so as to be parallel to and superposed on the capacity wiring.例文帳に追加

チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する半導体層と、島状のゲート電極とを備えた薄膜トランジスタを有し、ゲート電極が接続する第１配線と、ソース領域又はドレイン領域が接続する第２配線とは直交し、第２配線や容量配線と平行かつ重なるように配置されている。 - 特許庁

In the set operation of changing the resistance change layer from the first state of having a first resistance value to the second state of having a second resistance value lower than the first resistance value, the control unit increases the upper limit value of the current to be supplied to the first wiring on the basis of the change of the potential of the first wiring when applying a set operation voltage to the first wiring.例文帳に追加

制御部は、抵抗変化層を、第１抵抗値を有する第１状態から、第１抵抗値よりも低い第２抵抗値を有する第２状態に変化させるセット動作において、第１配線にセット動作電圧を印加する際に、第１配線の電位の変化に基づいて第１配線に供給される電流の上限値を増やす。 - 特許庁

The method further comprises: a step of forming a resist pattern in the second region by the photolithography process; and a step of processing the insulating layer and the film to be processed using the side wall film in the first region and the resist pattern in the second region as masks and then forming a wiring trench in the film to be processed.例文帳に追加

さらに、前記第２領域においてフォトリソグラフィ工程によりレジストパターンを形成する工程と、前記第１領域における前記側壁膜と前記第２領域における前記レジストパターンとをマスクとして前記絶縁膜および前記被加工膜を加工し、前記被加工膜に配線溝を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

The liquid crystal display is equipped with: a liquid crystal panel produced by laminating first and second substrates each having a display region and a non-display area, with a liquid crystal interposed therebetween; and a thermally conductive layer (163) formed on one substrate (242) of the first and second substrates so as to prevent the liquid crystal from being cooled.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は表示領域と非表示領域を有する第１及び第２基板が液晶を間に置いて合着された液晶パネルと、第１及び第２基板の中のいずれか一つの基板（２４２）の上に形成されて前記液晶の冷却を防ぐための熱伝導層（１６３）を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The laminated flexible wiring board has a first laminated layer 51a attached to the movable unit and a second laminated part 51b connected to the electric circuit part, where a plurality of conductor layers are laminated through insulating layers respectively, and the connection part 51c which connects the first and the second laminated parts and whose shape is changed with the movement of the movable unit.例文帳に追加

該積層フレキシブル配線板は、それぞれ複数の導体層が絶縁層を介して積層され、可動ユニットに取り付けられる第１の積層部５１ａおよび電気回路部に接続される第２の積層部５１ｂと、第１および第２の積層部間を接続し、可動ユニットの移動に伴って形状が変化する接続部５１ｃとを有する。 - 特許庁

The active matrix apparatus is composed of a plurality of pixel sections arranged in matrix, and at least one pixel section comprises: a first circuit section having a defective part; a second circuit section laminated on the first circuit section and replaced with at least the defective part in the first circuit section; and an adhesive layer 126 provided between the first circuit section and the second circuit section.例文帳に追加

複数の画素部がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス装置であって、少なくとも一つの画素部は、不良箇所を有する第１の回路部と、第１の回路部上に積層され、第１の回路部の少なくとも不良箇所を置き換える第２の回路部と、第１の回路部と第２の回路部との間に設けられた接着層１２６とを備える。 - 特許庁

The electrochemical cell 10 includes: a first electrode which contains a gas flow passage along which a first gas flows and is in contact with the first gas; a solid electrolyte layer; a second electrode 15 exposed to a main surface of the cell and coming into contact with a second gas; and a conduction part 9 exposed to the main surface of the cell to electrically conduct with the first electrode.例文帳に追加

電気化学セル１０が、第一のガスを流すガス流路を内蔵しており、第一のガスと接触する第一の電極、固体電解質層、セルの主面に露出して第二のガスと接触する第二の電極１５、およびセルの主面に露出して第一の電極と電気的に導通する導電部９を備える。 - 特許庁

The power constituent part is formed in an N-type silicon board defined by a P-type wall surface and has a lower surface including a first P-type region 3 connected to the wall surface, an upper surface including a second P-type region and a conductive layer extending between the second region 4, and a wall surface on a board.例文帳に追加

Ｐ型壁面によって画定されたＮ型シリコン基板中に形成されたパワー構成部品であって、この壁面に接続された第１のＰ型領域を含む下側表面、第２のＰ型領域を含む上側表面、および基板の上で第２の領域と壁面の間に延びる導電層を有するパワー構成部品である。 - 特許庁

In a laminated body 10 where piezoelectric layers 1 and first and second inner electrodes 7a and 7b are laminated, insulators 14 whose dielectric constant is lower than the piezoelectric layer 1 are installed in the insulating regions 13 between an end of the first inner electrode 7a and a side 3b, and between an end of the second inner electrode 7b and a first side 3a.例文帳に追加

圧電体層１と第１および第２の内部電極７ａ、７ｂとが積層され構成された積層体１０において、第１内部電極７ａの端部と第２側面３ｂとの間、第２内部電極７ｂの端部と第１側面３ａとの間の絶縁領域１３に前記圧電体層１よりも比誘電率の低い絶縁部１４を設けた。 - 特許庁

The screen has configuration such that an opening is provided nearby the focus of a lenticular lens on an image observation side surface of a first component, the opening having a light absorption layer with a finite width at a border part between the openings, antireflection processing is applied to an image observation side surface of a second component, and the first component and second component are coupled to each other.例文帳に追加

スクリーンとして、第１の構成要素の画像観視側面のレンチキュラーレンズの焦点近傍には開口部を設け、該開口部が相互の境界部分には有限幅の光吸層を設け、また、第２の構成要素の画像観視側面には反射防止処理を施し、前記第１の構成要素と前記第２の構成要素とを結合した構成とする。 - 特許庁

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

Sheet-like structure comprises: a plurality of linear structure bundles 12 each of which comprises linear structure made of a plurality of carbon atoms arranged with first gap, and which are arranged with second gap which is larger than the first gap; and a filling layer 14 filled in the first gap and the second gap and supporting the plurality of the linear structure bundles 12.例文帳に追加

互いに第１の間隙をもって配置された複数の炭素元素からなる線状構造体を含み、互いに第１の間隙よりも大きな第２の間隙をもって配置された複数の線状構造体束１２と、第１の間隙及び第２の間隙に充填され、複数の線状構造体束１２を保持する充填層１４とを有する。 - 特許庁

The screen is constituted by providing an aperture part near the focus of a lenticular lens on the image viewing side surface of a first component element, providing a light absorption layer having finite width at a boundary part between the aperture parts, and performing antireflection treatment to the image viewing side surface of a second component element, and then combining the first component element and the second component element.例文帳に追加

スクリーンとして、第１の構成要素の画像観視側面レンチキュラーレンズの焦点近傍には開口部を設け、該開口部が相互の境界部分には有限幅の光吸層を設け、また、第２の構成要素の画像観視側面には反射防止処理を施し、前記第１の構成要素と前記第２の構成要素とを結合した構成とする。 - 特許庁

The above problem is solved by heat sink equipment for providing electrical insulating properties to an integrally shielded electronic circuit, comprising a substrate having a first hole extending between first and second surfaces, a conductive layer attached to the second surface, an electrically and thermally conductive heat sink attached to the first surface and having a protrusion.例文帳に追加

上記課題は、第一及び第二の面間に延びる第一の穴を有する基板と、第二の面に取り付けられた導電層と、第一の面に取り付けられた、突起を有する電気的及び熱的に伝導性のヒートシンクとを含む、一体的にシールドされた電子回路に電気絶縁性を提供するヒートシンク装置により解決される。 - 特許庁

The porosity ink acceptance layer is composed of the first part made of amine functionalized (14) particles and the second part made of epoxy functionalized (16) particles and the (semi-) metal oxide particles (10) containing the above-mentioned first and second part, and at least a part of amine functionalized particles are covalent bonded (20) with at least a part of epoxy functionalized particles.例文帳に追加

多孔質インク受容層は、アミン官能基（１４）化微粒子からなる第１部分とエポキシ官能基（１６）化微粒子からなる第２部分とを含む（半）金属酸化物微粒子（１０）とを含んで成り、少なくとも一部のアミン官能基化微粒子は少なくとも一部のエポキシ官能基化微粒子に共有結合（２０）している。 - 特許庁

The semiconductor device according to this embodiment has a first wiring 5 formed on a substrate 1; a second wiring 16 formed on an upper layer of the first wiring 5 and disposed with an air gap 20 interposed between itself and the first wiring 5; and a carbon nano-tube 11 formed in the air gap 20 and used to connect the first wiring 5 to the second wiring 16.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体装置は、基板１上に形成された第１配線５と、第１配線５の上層に形成され、第１配線５との間にエアギャップ２０を介在させて配置された第２配線１６と、エアギャップ２０内に形成され、第１配線５と第２配線１６とを接続するカーボンナノチューブ１１とを有する。 - 特許庁

This absorbent article includes a sheetlike first leak preventor, a sheetlike second leak preventor which exists at an upper rear section of the first leak preventor, and at least one layer of an absorber having a highly water absorbent resin to absorb a body liquid which is disposed from the upper front section of the first leak preventor to the bottom side of the second leak preventor.例文帳に追加

シート状の第１防漏体と、前記第１防漏体の上部の後部に存在するシート状の第２防漏体と、前記第１防漏体の上部の前部から前記第２防漏体の下側に至るまで、少なくとも１層配置された、高吸水性樹脂を含有し体液を吸収しうる吸収体とを具備する吸収体物品。 - 特許庁