「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(390ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device is provided with an embedded conductive film 12A formed of a conductor including impurity embedded in a channel part formed to a semiconductor substrate 10, and a bit line 12 formed of a first diffusion layer 12B formed in the regions in both sides of the channel part and a second diffusion layer 12C formed at the side wall and the bottom surface of the channel part.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された溝部に埋め込まれた不純物を含む導電体からなる埋め込み導電膜１２Ａと、溝部の両側方の領域に形成された第１の拡散層１２Ｂと、溝部の側壁及び底面に形成された第２の拡散層１２Ｃとからなるビット線１２を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: a substrate 101; an emission member 150 which is composed of a semiconductor provided above the substrate 101; an electrical conduction layer 108 which is formed above the substrate 101 and receives light emitted from the emission member 150 and is composed of the semiconductor; and a first electrode 110 and a second electrode 111 which are connected to the electrical conduction layer 108.例文帳に追加

半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上方に設けられた半導体からなる発光部１５０と、基板１０１の上方に設けられ、発光部１５０から放射される光を受け、半導体からなる電気伝導層と、電気伝導層に接続された第１の電極１１０及び第２の電極１１１とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁

The antireflective laminate according to the present invention includes a cellulose resin substrate, a first layer that contains the cellulose resin and (A1) at least one resin selected from an acrylic resin and a vinyl resin, and a second layer that contains (A2) a binder resin and (B) particles having a refractive index of 1.40 or less, in this order.例文帳に追加

本発明に係る反射防止用積層体は、セルロース樹脂からなる基材と、前記セルロース樹脂並びに（Ａ１）アクリル系樹脂及びビニル系樹脂から選択される少なくとも一方の樹脂を含有する第１層と、（Ａ２）バインダー樹脂及び（Ｂ）屈折率が１．４０以下である粒子を含有する第２層と、をこの順番で備えることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an intermediate layer of an oxide containing a first element, i.e. one of group III elements or group V elements formed on a semiconductor substrate, an insulating film of an oxide containing a second element, i.e. the other of group III elements or group V elements formed on the intermediate layer, and an electrode formed on the insulating film.例文帳に追加

半導体基板上に形成された、ＩＩＩ族元素及びＶ族元素の一方である第１の元素を含む酸化物より成る中間層と、中間層上に形成された、ＩＩＩ族元素及びＶ族元素の他方である第２の元素の酸化物より成る絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極とを有している。 - 特許庁

Thus, since a hot carrier flows within the first embedded layer 110a formed near the first mesa 109 in a low voltage region before starting multiplication, a flat part of M=1 appears in optical current/voltage characteristics, and a leak bus of a current is hardly formed on an interface of a protecting film 113 and the second embedded layer 110b.例文帳に追加

これにより、増倍開始前の低電圧領域において、第１メサ１０９の近傍に形成された第１埋込み層１１０ａ内をホットキャリアが流れるので、光電流−電圧特性に増倍率（Ｍ）＝１の平坦部が現れるようになり、かつ保護膜１１３と第２埋込み層１１０ｂとの界面に電流のリークバスが形成され難くなる。 - 特許庁

The catalyst includes the first catalyst layer with platinum and/or palladium supported and the second catalyst layer in which rhodium is supported in a support containing alumina solid-dissolved with lanthanum oxide and ceria zirconia sold-dissolved with lanthanum oxide in a ratio of the lanthanum oxide to the total mass of the support of 1-7 mass%, in this order from the side of the supporting substrate, on a supporting substrate.例文帳に追加

支持基材の上に、該支持基材側から順に、白金及びパラジウムの少なくとも一方が担持された第１の触媒層と、酸化ランタンが固溶したアルミナと酸化ランタンが固溶したセリアジルコニアとを含む担体にロジウムが担持され、酸化ランタンの担体全質量に対する割合が１〜７質量％である第２の触媒層とを備えている。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a liquid crystal layer 40 containing a polymerizable monomer 40C sealed between a TFT substrate 20 and a CF substrate 30, wherein the liquid crystal layer 40 in each pixel has a first region 10A where a pretilt angle is imparted to liquid crystal molecules 40A and a second region 10B where the liquid crystal molecules 40A are vertically aligned to the substrate.例文帳に追加

ＴＦＴ基板２０およびＣＦ基板３０の間に、重合性を有するモノマー４０Ｃを含む液晶層４０が封止され、液晶層４０は、各画素内に、液晶分子４０Ａにプレチルト角が付与された第１領域１０Ａと、液晶分子４０Ａが基板に対して垂直に配向してなる第２領域１０Ｂとを有している。 - 特許庁

In one embodiment, the detector includes a source electrode (38) and a drain electrode (40) which consist of a first layer of a conductive material and a data line (44) which consists of a second layer of a conductive material so that the source electrode (38) and drain electrode (40) are vertically offset from the data line (44).例文帳に追加

一実施形態では、この検出器は、導電性材料の第一の層で形成されたソース電極（３８）及びドレイン電極（４０）と、導電性材料の第二の層で形成されたデータ線（４４）とを、ソース電極（３８）及びドレイン電極（４４）がデータ線（４４）から上下方向にオフセットして設けられるようにして含んでいる。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory has a substrate 1 having stripe-like trenches 50, each first electrode 10 buried in the bottom of each trench 50, each second electrode 20 covering the surface of the substrate interposed between the adjacent first electrodes to each other, each diffusion layer 40 served as each source or each drain, and each trap film 30 served as a charge accumulating layer.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、ストライプ状のトレンチ５０を有する基板１と、トレンチ５０の底部に埋設された第１の電極１０と、隣り合う第１の電極間１０の基板表面を覆う第２の電極２０と、ソース／ドレインとしての拡散層４０と、電荷蓄積層としてのトラップ膜３０とを備える。 - 特許庁

A high-pressure gas layer is formed between an object 105 and the lower face of the substrate part 3 by the gas jetted by the first and second air flow jetting means, and the gap between the object 105 and the lower face of the substrate part 3 is kept constant by the equilibrium of the pressure and weight of the gas layer.例文帳に追加

第１及び第２の空気流噴射手段により噴射される気体によって、対象物１０５と基材部３の下面部との間に高圧の気体層が形成され、この気体層の圧力と自重との均衡によって、対象物１０５と基材部３の下面部との間の間隔が所定の一定間隔に維持される。 - 特許庁

Next, a second semiconductor layer including a plurality of conical projections formed of an amorphous semiconductor and a microcrystal semiconductor formed in such a manner that the first semiconductor layer is partially grown as a seed crystal by generating plasma using a deposition gas containing silicon or germanium, hydrogen, and a gas containing nitrogen.例文帳に追加

次に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを用い、プラズマを発生させて、非晶質半導体と、第１の半導体層を種結晶として部分的に結晶成長させて、形成される微結晶半導体で形成される複数の錐形状の凸部を有する第２の半導体層を形成する。 - 特許庁

The first channel plate 32 and the second channel plate 34 are joined by a polyimide resin layer 42, and the polyimide resin layer 42 forms part of the inner wall of the ink channels.例文帳に追加

例えば、ノズルが設けられたノズルプレート３０と、インクチャンバ３８及びインクプール４０などのインク流路を設けた第１流路プレート３２及び第２流路プレート３４との積層体で構成し、第１流路プレート３２及び第２流路プレート３４とをポリイミド樹脂層４２で接合すると共に、ポリイミド樹脂層４２をインク流路の内壁の一部を構成させる。 - 特許庁

The retardation film having a property as an optical C plate comprises a first optical function layer having a property as an optically positive C plate and a second optical function layer having a property as an optically negative C plate.例文帳に追加

本発明は、光学的にＣプレートとしての性質を有する位相差フィルムであって、光学的に正のＣプレートとしての性質を有する第１光学機能層と、光学的に負のＣプレートとしての性質を有する第２光学機能層とを有することを特徴とする、位相差フィルムを提供することにより、上記課題を解決するものである。 - 特許庁

The method for producing the organic memory element having the organic active layer between a first electrode and a second electrode includes a step of forming the organic active layer by using the ferrocene-containing conductive polymer containing fluorenyl repeating units, thienyl repeating units and diallyl ferrocenyl repeating units.例文帳に追加

第１電極と第２電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子を製造するにおいて、フルオレニル繰り返し単位、チエニル繰り返し単位およびジアリールフェロセニル繰り返し単位を含むフェロセン含有伝導性高分子を用いて有機活性層を形成する段階を含むことを特徴とする、有機メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one plasma generating source can include a first plasma generating source for ionizing the fluorocarbon gas by applying high frequency plasma energy, and a second plasma generating source for keeping an auto-bias of the substrate in the vicinity of zero by high frequency during the deposition of the passivity layer while making the bias larger during the polymer layer deposition.例文帳に追加

また少なくとも１個のプラズマ発生源としては、高周波プラズマエネルギーを適用してフッ化炭素ガスをイオン化する第１のプラズマ発生源と、不動態層の蒸着の間は高周波数で基板の自己バイアスをゼロ近傍に保つと共にポリマー層蒸着の間はより大きなバイアスとする第二のプラズマ発生源とを含むことができる。 - 特許庁

The cable comprises a bundle of core wires in which a plurality of pair of wires 11 electrically insulated are bundled and a first covering material 21a and a second covering material 21b which are constructed by laminating at least a magnetic layer 23 and a conductor layer 25 and are arranged so as to contact all pair of wires 11 constituting the bundle of core wires.例文帳に追加

ケーブルにおいては、電気的に絶縁されたペア線１１を複数束ねてなる心線束と、少なくとも磁性体層２３および導電体層２５を積層して構成され、心線束を構成する全てのペア線１１に接触するように配置された第１被覆材２１ａおよび第２被覆材２１ｂと、を備えている。 - 特許庁

The growing step includes a first supplying step of supplying Be for use as a p-type impurity to the p-type semiconductor layer 11 and a second supply step of supplying at least one kind of group VI element out of S, Se, and Te having the amount smaller than that of Be supplied in the first supplying step to the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

成長工程は、ｐ型不純物１０としてのＢｅをｐ型半導体層１１に供給する第１供給工程と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅの少なくともいずれか１種のＶＩ族元素を、第１供給工程で供給されるＢｅよりも少ない量で、ｐ型半導体層１１に供給する第２供給工程とを含んでいる。 - 特許庁

The antenna circuit structure for IC card and tag 1 comprises a resin film substrate 11, a first circuit pattern layer composed of a copper foil containing copper as a main component, which is formed on one surface of the substrate 11, and a second circuit pattern layer composed of a copper foil containing copper as a main component, which is formed on the other surface of the substrate 1.例文帳に追加

ＩＣカード・タグ用アンテナ回路構成体１は、樹脂フィルム基材１１と、樹脂フィルム基材１１の一方表面の上に形成された、主成分として銅を含む銅箔からなる第１の回路パターン層と、樹脂フィルム基材１１の他方表面の上に形成された、主成分として銅を含む銅箔からなる第２の回路パターン層とを備える。 - 特許庁

The core board 110 has a laminated capacitor C1 constituted by a plurality of complex dielectric layers 111-115, containing epoxy resin and BaTiO3 powder and a plurality of metal layer 101-106 facing and pinching these layers, and inner metal layers 102-105 are connected to each other layer in first and second through-hole conductive bodies 107A, 107B.例文帳に追加

コア基板１１０は、エポキシ樹脂及びＢａＴｉＯ３粉末を含む複合誘電体層１１１〜１１５とこれを挟んで対向する複数の金属層１０１〜１０６とから構成される層状コンデンサＣ１を備え、内層金属層１０２〜１０５は、第１，第２スルーホール導体１０７Ａ，１０７Ｂで１層おきに接続されている。 - 特許庁

The substrate for power module is manufactured using processes of: bonding a ceramic substrate 20 with a metal plate 50 having a prescribed thickness by laminating alternately; and then, by cutting the metal plate 50 at a halfway position of the thickness direction along the surface direction, forming a first metal layer 30 and a second metal layer 40 of prescribed thicknesses respectively on both surfaces of the ceramic substrate 20.例文帳に追加

セラミックス基板２０と所定の厚さを有する金属板５０とを交互に積層して接合した後、金属板５０を厚さ方向の途中位置で面方向に沿って切断することにより、セラミックス基板２０の両面にそれぞれ所定厚さの第１金属層３０および第２金属層４０を形成して、パワーモジュール用基板を製造する。 - 特許庁

The second ground connection pattern is connected to only a reverse-surface ground pattern 40 of the high-frequency module through a via hole, and connected to neither an internal layer ground 55 connected to a semiconductor element 24 for power amplification nor an internal layer ground 57 connected to duplexers 4a and 4b before being connected to the reverse-surface ground pattern 40.例文帳に追加

前記第２のグランド接続パターンは、高周波モジュール２２の裏面グランドパターン４０にのみビアを介して接続されており、裏面グランドパターン４０に接続されるまで、電力増幅用半導体素子２４と接続される内層グランド５５やデュプレクサ４ａ、４ｂと接続される内層グランド５７とは接続されないことを特徴とするものである。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor chip 20 having bumps 22, a substrate 30 facing the semiconductor chip 20, on which interconnection patterns 32 are formed for electrical connection to the bumps 22, and the bonding member 10 having a first layer 11 comprising an insulating filler (e.g. silica filler 14) and a second layer 12 without comprising the insulating filler.例文帳に追加

半導体装置は、バンプ２２を有する半導体チップ２０と、半導体チップ２０と対向してバンプ２２と電気的に接続する配線パターン３２が形成された基板３０と、絶縁性のフィラー（例えばシリカフィラー１４）を含む第１の層１１と絶縁性のフィラーを含まない第２の層１２とを含む接着部材１０と、を有する。 - 特許庁

The spherical element equipped with an electrode formed on an area exposed from a part of a second semiconductor layer covering the spherical first semiconductor is positioned in the recess provided to the support of the first conductor layer, so as to protrude its electrode toward the back of the support and fixed by a process of thermally treating conductive paste applied around the bottom hole of the recess provided to the support.例文帳に追加

球状の第１半導体を被覆する第２半導体層の一部から露出させた面に電極を形成した球状素子を、第１導電体層である支持体の凹部に、電極が支持体の裏側に突出するように位置決めし、支持体の凹部の底部の孔周辺部に塗布した導電性ペーストの熱処理により固定する。 - 特許庁

In the solar cell comprising an intrinsic microcrystalline silicon layer 2, and an amorphous or microcrystalline silicon layer 3 of second conductivity type opposite to first conductivity type formed in this order on a first conductivity type crystalline silicon substrate 1, total impurity concentration of the crystalline silicon substrate 1 is in the range of 1 ppm to 2%.例文帳に追加

第１の導電型の結晶シリコン基板１上に、真性微結晶シリコン層２と、第１の導電型と反対導電型の第２の導電型の非晶質或いは微結晶シリコン層３の順に形成された太陽電池において、結晶シリコン基板１の不純物濃度の総量が１ｐｐｍ〜２％の範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering system which includes the magnetic circuit fastened with the permanent magnet at a yoke and is arranged to be supplied with a refrigerant 21 to the magnetic circuit is furnished with at least, film consisting of a first layer of an epoxy resin and a second layer of a fluororesin in the segment of the magnetic circuit, which segment comes into contact with the refrigerant 21.例文帳に追加

ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにしたスパッタリング装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層と、フッ素樹脂の第2層から成る膜が具備されているスパッタリング装置。 - 特許庁

In the photosensitive lithographic printing plate which has at least one polymerizable photosensitive layer on a hydrophilic support and is subjected to laser exposure, an unexposed portion of the photosensitive layer satisfies 2≤t≤30 wherein t is a time (second) in which the unexposed portion is thoroughly removed by dissolution in an alkaline aqueous developer of ≤pH 13.例文帳に追加

親水性支持体上に、重合性感光層を少なくとも１層有し、レーザーで露光する感光性平版印刷版において、該感光層の非露光部が、ｐＨ１３以下のアルカリ性水性現像液に対し完全に溶解除去される時間をｔ秒としたときに、２≦ｔ≦３０を満たすことを特徴とする光重合型感光性平版印刷版。 - 特許庁

The method of fabricating a low temperature ZnO polycrystalline film includes: a step of growing ZnO on a substrate at a first temperature during a first time period by means of MOCVD to form a ZnO buffer layer; and a step of heating the substrate at a temperature lower than the first temperature and growing ZnO on the buffer layer during a second time period longer than the first time period to form a ZnO film.例文帳に追加

MOCVDによって第１の温度で第１の時間の間基板にZnOを成長させてZnOバッファ層を形成する工程と、第１の温度より低い温度で基板を加熱し、第１の時間より長い第２の時間の間バッファ層上にZnOを成長させてZnOフィルムを形成する工程とを含む低温ZnO多結晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁

The capacitor of the semiconductor memory is provided with a lower electrode 10 for covering the bottom of a storage node hole 9, and for covering the side surface to a height lower than the height of the upper surface of a second interlayer insulating film 8, a capacity insulating layer 11 for covering the top of the lower electrode, and an upper electrode 12 for covering the top of the capacity insulating layer 11.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置のキャパシタは、ストレージノードホール９の底面を覆い、側面を第２の層間絶縁膜８の上面の高さよりも低い高さまで覆う下部電極１０と、下部電極の上を覆う容量絶縁膜１１と、容量絶縁膜１１の上を覆う上部電極１２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device also comprises a first region of the first conductivity type, which is formed in the depth direction along the side face of the trench formed in the semiconductor layer, with the bottom connected to the semiconductor substrate, and a second region of the first conductivity type, which is formed on the surface of the semiconductor layer near the side face of the trench and is connected to the first region.例文帳に追加

また、半導体層内の溝の側面に前記溝に沿って深さ方向に形成され、且つ下部が半導体基板と接続された、第１導電型の第１領域と、半導体層の表面で且つ溝の側面の近傍に形成され、且つ第１領域と接続された、第１導電型の第２領域と、を具備する。 - 特許庁

In the grounding structure 1 of a carpet coating the vehicle battery 3 mounted on a vehicle body 2, the carpet has a shield layer 8 for blocking out electromagnetic waves generated from the vehicle battery, and the shield layer has a coating part 20 for coating the vehicle battery and a contacting part (a first contacting part 21, a second contacting part 22) for contacting the vehicle body.例文帳に追加

本構造は、車両ボデー２に搭載された車両用電池３を被覆するカーペットの接地構造１であって、カーペットは、車両用電池から発生する電磁波を遮蔽するシールド層８を有し、シールド層は、車両用電池を被覆する被覆部２０と、車両ボデーに接触する接触部（第１接触部２１、第２接触部２２）と、を有する。 - 特許庁

The second gap holding members 6 with rectangular cross sectional shapes of which the four angles are made to be fan-shaped are formed in a matrix on an alignment layer of gate lines 12, and similarly, the first gap holding members 5 with rectangular cross sectional shapes of which the four angles are made to be fan-shaped are formed in a matrix on an alignment layer of source lines 13.例文帳に追加

ゲート線１２上の配向膜上に、長方形の４つの角を扇形状にさせた断面形状を有する第２ギャップ保持材６が、マトリックス状に形成され、同様に、ソース線１３上の配向膜上に、長方形の４つの角を扇形状にさせた断面形状を有する第１ギャップ保持材５が、マトリックス状に形成されている。 - 特許庁

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.例文帳に追加

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

A display device 1 has a display layer 5 which includes a cell 51, in which a positively charged first particle A and a negatively charged second particle B whose color has a relation of complementary color with the color of the first particle A are stored; and display surface side electrodes 321, 322 which are provided at one surface side of the display layer 5 corresponding to the cell 51.例文帳に追加

表示装置１は、正に帯電する第１の粒子Ａと、第１の粒子Ａの色と補色の関係にある色をなし負に帯電する第２の粒子Ｂとが収容されたセル５１を備える表示層５と、表示層５の一方の面側に、セル５１に対応して設けられた表示面側電極３２１、３２２とを有している。 - 特許庁

A display device with a touch detection function comprises: a display function layer (liquid crystal layer 6); a plurality of touch detection electrodes TDL arranged in parallel so as to extend in a first direction; and a plurality of driving electrodes (common electrodes COML) which are arranged in parallel so as to extend in a second direction crossing the first direction and form capacitance at an intersection with the plurality of touch detection electrodes.例文帳に追加

表示機能層（液晶層６）と、第１の方向に延在するように並設された複数のタッチ検出電極ＴＤＬと、第１の方向と交差する第２の方向に延在するように並設され、複数のタッチ検出電極との交差部分に静電容量を形成する複数の駆動電極（共通電極ＣＯＭＬ）とを備える。 - 特許庁

An acrylic resin multilayered film is constituted by laminating a first layer with a thickness of 80-150 μm comprising an acrylic resin containing an ultraviolet absorber to a second colored layer with a thickness of 150-400 μm comprising a resin compsn. containing an ethylene/alkyl methacrylate copolymer, acrylic rubber particles and an acrylic resin.例文帳に追加

厚みが８０〜１５０μｍであり紫外線吸収剤を含有するアクリル系樹脂からなる第１層と、厚みが１５０〜４００μｍでありエチレンとメタアクリル酸アルキルエステルとの共重合体、アクリル系ゴム粒子およびアクリル系樹脂を含有する樹脂組成物からなる着色された第２層とが積層されていることを特徴とするアクリル系樹脂多層フィルム。 - 特許庁

The laminated insulating film 2 includes a first insulating resin layer 2-1 comprising epoxy resin containing 80 wt.% of heat dissipating filler 7 formed on the heat sink 1 side, and a second insulating resin layer 2-2 comprising epoxy resin containing 70 wt.% of heat dissipating filler 7 formed on the lead frame 3 side.例文帳に追加

そして、積層絶縁膜２は、ヒートシンク１側に形成され、放熱性フィラー７を８０重量％の割合で含有したエポキシ樹脂を含む第１層絶縁性樹脂層２-1と、リードフレーム３側に形成され、放熱性フィラー７を７０重量％で含有したエポキシ樹脂を含む第２層絶縁性樹脂層２-2を含むことを特徴としている。 - 特許庁

In the liquid crystal panel, a first optical film 4 is bonded to the visual recognition side of a liquid crystal cell 2 through a first adhesive layer 3, and a second optical film 6 is bonded to the opposite side of the liquid crystal cell 2 through a second adhesive layer 5.例文帳に追加

液晶セル２の視認側に第１粘着剤層３を介して第１光学フィルム４が接着され、且つ液晶セル２の反対側に第２粘着剤層５を介して第２光学フィルム６が接着されている液晶パネルであって、第１粘着剤層３のクリープズレ量（Ｌ１）が５０〜３０００μｍ、第２粘着剤層５のクリープズレ量（Ｌ２）が１０〜４００μｍであり、第１粘着剤層３のクリープズレ量（Ｌ１）が第２粘着剤層５のクリープズレ量（Ｌ２）よりも大きい液晶パネル。 - 特許庁

The method comprises a first light irradiating step for irradiation with light within the absorption wavelength range of the first resin layer and a second light irradiating step for irradiating light within the absorption wavelength range of the second resin layer.例文帳に追加

第１の樹脂層と、当該第１の樹脂層を覆い、当該第１の樹脂層の吸収波長領域と異なる波長領域に吸収波長領域を有する第２の樹脂層と、を有する光硬化性樹脂組成物を用い、前記第１の樹脂層の吸収波長領域内にある光を照射する第１の光照射工程と、前記第２の樹脂層の吸収波長領域内にある光を照射する第２の光照射工程とを含む光硬化性樹脂成形物の製造方法。 - 特許庁

A thin film transistor substrate includes: a gate electrode formed on a substrate; an active layer including polycrystalline silicon formed on the gate electrode so as to overlap with the gate electrode; first ohmic contact layers formed on opposite sides of the gate electrode on the active layer; second ohmic contact layers formed on the first ohmic contact layers; and a source electrode and a drain electrode formed on the second ohmic contact layers.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 - 特許庁

In this case, the first soldering material of the first solder layer is the same as the second soldering material of the second solder layer.例文帳に追加

ケース１と、放熱側絶縁基板４ａと、吸熱側絶縁基板４ｂと、前記放熱側絶縁基板と前記ケースとを第１半田材により接合する第１半田層５ａと、前記放熱側絶縁基板と前記吸熱側絶縁基板との間にＰ型半導体チップ４ｆ及びＮ型半導体チップ４ｅを第２半田材により接合する第２半田層９ａ、９ｂとからなり、前記第１半田層の第１半田材は前記第２半田層の第２半田材と同一材料であることを特徴とする熱電モジュール。 - 特許庁

A semiconductor device having a switching circuit including an FET provided on a semiconductor layer on an insulating layer comprises: a first gate electrode and a second gate electrode provided in juxtaposition in a direction toward a drain region from a source region between the source region and the drain region of the FET; and a control terminal electrically connected to the intermediate region between the first gate electrode and the second gate electrode.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、絶縁膜の上の半導体層に設けられたＦＥＴを含むスイッチ回路を有する半導体装置であって、前記ＦＥＴのソース領域とドレイン領域との間に、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向に並んで設けられた第１のゲート電極および第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の中間領域に電気的に接続された制御端子と、を備える。 - 特許庁

The organic electroluminescence panel having an electroluminescence element including a first and second electrodes and one or more organic function layer composed of layered organic compounds interposed between the first and second electrodes, and a substrate supporting the electroluminescence element, comprises a polymer compound film covering the electroluminescence element and the surface of the substrate therearound, and an inorganic barrier layer covering the polymer compound film, the peripheral portion thereof, and the surface of the substrate therearound.例文帳に追加

第１及び第２表示電極並びに第１及び第２表示電極間に挟持かつ積層された有機化合物からなる１以上の有機機能層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス素子を担持する基板と、からなる有機エレクトロルミネッセンス表示パネルであって、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその周囲の基板の表面を覆う高分子化合物膜と、高分子化合物膜、その縁部及びその周囲の基板の表面を覆う無機バリア膜と、を有する。 - 特許庁

The elastic boundary wave apparatus 1 includes: a first medium 11 formed of a piezoelectric material; a second medium 12 formed on the first medium 11; a third medium 13 formed between the first medium 11 and the second medium 12; an IDT electrode 16 provided between the first medium 11 and the third medium 13; and an optical catalyst layer 17 provided between the third medium 13 and the second medium 12.例文帳に追加

弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されている第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第３の媒質１３と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に設けられているＩＤＴ電極１６と、第３の媒質１３と第２の媒質１２との間に設けられている光触媒層１７とを備えている。 - 特許庁

The flat display device provided with the display region for embodying a prescribed image between a first substrate and a second substrate includes a sealing material which adheres the first substrate to the second substrate, at least a wiring part disposed between the first substrate or the second substrate and the sealing material and a cover layer which intervenes between the sealing material and the wiring part and covers the wiring part.例文帳に追加

本発明は、第１基板と第２基板間に所定の画像を具現する表示領域が具備された平板表示装置において、前記第１基板と第２基板とを接着する密封材と、前記第１基板または第２基板と前記密封材との間に具備された少なくとも１つの配線部と、前記密封材と前記配線部との間に介在されて前記配線部を覆う被覆層と、を含むことを特徴とする平板表示装置である。 - 特許庁