「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(389ページ目) - Weblio英語例文検索

Since rolling direction of a lamination 20 by a first roll press portion 150 or a second roll press portion 160 is perpendicular to the border line of a portion on a collector 16 covered with a polarizable electrode layer 18 and a portion not covered with the polarizable electrode layer 18, deformation or creasing does not take place at the end of the collector 16.例文帳に追加

第１のロールプレス部１５０や第２のロールプレス部１６０による積層体２０の圧延方向が、集電体１６上の分極性電極層１８に覆われている部分と分極性電極層１８に覆われていない部分との境界線と直交する方向であるため、集電体１６の端部に変形や皺を生じることがない。 - 特許庁

The manufacturing installation of the organic EL element comprises a first film forming unit 10 for carrying out applying formation of an organic thin film layer in an inert gas atmosphere and a second film forming unit 20, which is connected to this first film forming unit 10 in an airtight state, for forming a negative electrode on the organic thin film layer in a vacuum atmosphere.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子製造装置は、不活性ガス雰囲気中において有機薄膜層を塗布形成するための第１の成膜ユニット１０と、この第１の成膜ユニット１０と気密的に接続され、真空雰囲気中において有機薄膜層上に陰極を形成するための第２の成膜ユニット２０とを有する。 - 特許庁

This clutch disc 4 is held between a fly wheel and a pressure plate to transmit torque, and its frictional facing 11 comprises a first layer 71 as a frictional material, and a second layer 72 as a warning device for detecting that the frictional material is abraded approximately reading the limit of abrasion, and generating warning to the driver by smell or sound/ vibration.例文帳に追加

クラッチディスク４は、フライホイールとプレッシャープレートとの間に挟まれてトルク伝達を行うためのものであり、その摩擦フェーシング１１は、摩擦材としての第１層７１と、摩擦材が摩耗限界付近に達したことを検出し臭い又は音／振動によってドライバーに警報を発する警報装置としての第２層７２とを備えている。 - 特許庁

The region of the hologram element includes a diffraction grating, transmittance of respective regions making diffraction light is set so that a first region having high transmittance, a second region having low transmittance, and a third region having intermediate transmittance are arranged in order from the outside, and stray light which causes cross talk and which is light from a layer different from the information recording layer is reduced by the photodetector.例文帳に追加

ホログラム素子の領域は回折格子を含み、回折光とする各領域の透過率を設定し、外側から透過率の高い第１の領域、透過率の低い第２の領域、その中間の透過率の第３の領域をとなるようにし、クロストークの原因となる情報記録層と異なる層からの迷光を光検出器で低減させる。 - 特許庁

The electrodeless discharge lamp 1 includes the bulb 2 having the inwardly protruding bottomed cylindrical part 4, the first phosphor layer 3a formed on the part other than the part corresponding to the bottomed cylindrical part 4 within the bulb 2, and the second phosphor layer 3b formed on the part corresponding to the bottomed cylindrical part 4 within the bulb 2.例文帳に追加

無電極放電ランプ１は、内部に突出した有底筒状部４を有するバルブ２と、バルブ２の内側における有底筒状部４に対応する部位以外の部位に形成された第１蛍光体層３ａと、バルブ２の内側における有底筒状部４に対応する部位に形成された第２蛍光体層３ｂとを備える。 - 特許庁

A first interlayer connection part 48 to connect the drain region 44 and the lower electrode 52 and a second interlayer connection part 50 to connect the drain region 44 and the pixel electrode layer 34 are drawn out from respectively different positions on the drain region 44 and the upper electrode 56 for the capacitor covers the lower electrode 52 for the capacitor via the dielectric layer 54.例文帳に追加

ドレイン領域４４と下部電極５２とを接続する第１層間接続部４８と、ドレイン領域４４と画素電極層３４とを接続する第２層間接続部５０とが、ドレイン領域４４の異なる位置から引き出されており、キャパシタ用上部電極５６が誘電体層５４を介してキャパシタ用下部電極５２を覆っている。 - 特許庁

In the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit using a multilayered wiring process, the wiring is formed of lower first-layer aluminum wiring 201, and upper second-layer aluminum wiring 202, and through holes 203 which electrically connect the aluminum wirings 201 and 202 to each other are disposed in an array-like (lattice-like) state.例文帳に追加

多層配線プロセスを用いた半導体集積回路の製造工程において、配線を下位層の第１層アルミ配線２０１と上位層の第２層アルミ配線により形成するとともに、この第１層アルミ配線２０１−第２層アルミ配線２０２間を電気的に接続するスルーホール２０３をアレイ状（格子状）に配置する。 - 特許庁

The method includes steps of: rubbing a long plastic film F; applying and fixing liquid crystalline molecules on the surface of the rubbed film to form a first optical compensation layer 13 satisfying nx>ny=nz; and laminating a second optical compensation layer 14 satisfying nx>ny>nz and 1.2≤Nz≤2 thereon.例文帳に追加

本発明は、長尺のプラスチックフィルムＦをラビング処理する工程と、ラビング処理されたフィルムの表面に液晶性分子を塗工し固定して、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの第１の光学補償層１３を形成する工程と、この上に、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚで１．２≦Ｎｚ≦２を満足する第２の光学補償層１４を積層する工程とを含む。 - 特許庁

A hydrogen gas passing through the gas diffusion speed-controlling layer 2 and reaching the first electrode 3 is dissociated into protons by the catalysis operation of Pt contained in the electrode and voltage being applied to the first electrode 3, passes through the proton conduction layer 5, is pumped out to the second electrode 4, becomes a hydrogen gas again, and is diffused to the gas atmosphere to be measured.例文帳に追加

ガス拡散律速層２を通り第１の電極３に到達した水素ガスは電極に含有されるＰｔの触媒作用と第１の電極３への印加電圧によりプロトンに解離されてプロトン伝導層５を通り第２の電極４へ汲み出され、再び水素ガスとなって被測定ガス雰囲気に拡散していく。 - 特許庁

To irradiate nearly all of recordable regions of a second information recording layer with a light of uniform intensity without using an intricate recording and reproducing system even when the transmittance of the light in the recordable regions of the first information recording layer on a light incident side varies according to whether the recordable regions are already recorded or not.例文帳に追加

光入射側の第１の情報記録層の記録可能領域での光の透過率がその記録可能領域が記録済であるか否かにより異なる場合であっても、複雑な記録再生システムを用いることなく、第２の情報記録層のほぼ全ての記録可能領域に対して、均一な強度で光を照射できるようにする。 - 特許庁

Material having dielectric constant lower than that of a front substrate is used for a first dielectric layer between the front substrate and a bus electrode and for a second dielectric layer between the bus electrode and a protective film, and a substrate component of XY inter-electrode capacity is thereby reduced; and electric field smearing to an electric discharge space is increased to reduce electric discharge sustaining voltage.例文帳に追加

前面基板とバス電極との間の第１誘電体層、バス電極と保護膜との間の第２誘電体層に、前面基板よりも低誘電率の材料を用いることで、XY電極間容量の基板成分を軽減し、かつ放電空間への電界染み出しを増加させることで放電維持電圧を低減する。 - 特許庁

The flat panel display includes the conductive substrate 21, an insulating layer 22 formed on the conductive substrate 21, a thin film transistor (a gate electrode 28, a second insulating layer 27, and source/drain electrodes 29a, 29b) formed on the conductive substrate 21, and a ground 23 formed in a region of the conductive substrate 21 to ground the conductive substrate 21.例文帳に追加

伝導性基板２１と、伝導性基板２１上に形成された絶縁層２２と、伝導性基板２１上に形成された薄膜トランジスター（ゲート電極２８、第２絶縁層２７及びソース／ドレイン電極２９ａ、２９ｂ）と、伝導性基板２１の一領域に形成され、伝導性基板２１を接地させる接地部２３を含む平板表示装置。 - 特許庁

A conduction portion which electrically connects the first and second electrodes through an opening formed in a gate insulating film is provided in a region from a nearly center portion of the grounding electrode to one end of the grounding electrode disposed on the side of the conductive layer, and the portion of the conductive layer and the conduction portion are covered with a conductive member.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に形成された開口を介して第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する導通部は、接地用電極の略中央部から導電層側に位置する接地用電極の一端に至るまでの間の領域に設けられており、導電層の一部と導通部は導電部材により覆われている。 - 特許庁

The substrate 100 includes a plurality of compound semiconductor columns 3 standing on a bottom 1D of a recess or on the summit 1P of the protrusion of the uneven surface of the layer 1, and a second compound semiconductor layer 2 formed on the uneven surface to have the columns 3 buried.例文帳に追加

化合物半導体基板１００は、第１化合物半導体層１の凹凸表面の凹部の底面１Ｄ上（又は凸部の頂面１Ｐ：図７参照）上に立設した複数の化合物半導体柱３と、化合物半導体柱３が埋設されるよう凹凸表面上に形成された第２化合物半導体層２とを備えている。 - 特許庁

The electrooptical device has, on a substrate, a semiconductor layer, the floating gate provided on the semiconductor layer with a first insulating film interposed, a thin film transistor constituted including a gate electrode provided on the floating gate with a second insulating film interposed, and a pixel electrode electrically connected to the floating gate of the thin film transistor.例文帳に追加

電気光学装置は、基板上に、半導体層と、該半導体層上に第１の絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、該フローティングゲート上に第２の絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含んで構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのフローティングゲートに電気的に接続される画素電極とを備える。 - 特許庁

This manufacturing method of an actuator includes: a first process of forming a bonding layer formed of glass mainly including mobile ions on at least one of a substrate 2 mainly composed of silicone and a counter base plate 3 mainly composed of silicone; and a second process of anodic bonding the substrate 2 and the counter base plate 3 through the bonding layer 4.例文帳に追加

シリコンを主材料として構成された基体２と、シリコンを主材料として構成された対向基板３との少なくとも一方に、主として可動イオンを含むガラスで構成された接合層４を形成する第１の工程と、接合層４を介して基体２と対向基板３とを陽極接合する第２の工程とを有する。 - 特許庁

This organic EL panel 9 has: a substrate 10; the layered product 11 having first electrodes 13, a luminescent layer 15a and second electrodes 16 stacked and formed on the substrate 10; a sealing member 12 installed on the substrate 10 through an adhesive G for airtightly covering the luminescent layer 15a; and the absorbent K attached to the sealing member 12.例文帳に追加

有機ＥＬパネル９は、基板１０と、基板１０に積層形成された第一電極１３と発光層１５ａと第二電極１６とを有する積層体１１と、接着剤Ｇを介して基板１０上に配設され発光層１５ａを気密的に覆う封止部材１２と、封止部材１２に配設された吸湿剤Ｋとを有する。 - 特許庁

The optical compensation sheet used is produced by laminating a transparent supporting body, a first optical anisotropic layer consisting of discotic liquid crystal molecules aligned at 0 to 50° average tilt angle, and a second optically anisotropic layer consisting of discotic liquid crystal molecules aligned at 50 to 90° average tilt angle.例文帳に追加

透明支持体、０乃至５０度の平均傾斜角で配向しているディスコティック液晶性分子から形成された第１光学的異方性層、および５０乃至９０度の平均傾斜角で配向しているディスコティック液晶性分子から形成された第２光学的異方性層が積層されている光学補償シートを使用する。 - 特許庁

The inkjet recording material includes, on its support body, an ink receiving layer containing inorganic particles of 500 nm or less in the second average particle diameter, the ink receiving layer containing both polyvinyl alcohol and polyalkylene oxide compound as hydrophilic binders at a compounding rate of 100:1 to 100:40 by mass ratio.例文帳に追加

支持体上に、平均二次粒子径が５００ｎｍ以下の無機微粒子を主体に含有するインク受容層を有し、前記インク受容層が親水性バインダーとしてポリビニルアルコールとポリアルキレンオキサイド化合物を共に含有し、それらの配合比が質量比で１００：１〜１００：４０であることを特徴とするインクジェット用記録材料。 - 特許庁

The organic TFT has a source electrode/drain electrode and a source bus which are formed separately and discontinuously on a first base layer, an organic semiconductor film formed by dripping an organic semiconductor solution onto the source electrode/drain electrode, and a conductive pattern formed on a second base layer, the source electrode and source bus being electrically connected to each other through the conductive pattern.例文帳に追加

第１の下地層の上に分離して不連続に形成されたソース電極・ドレイン電極およびソースバスと、ソース電極・ドレイン電極の上に有機半導体溶液を滴下し形成された有機半導体膜と、第２の下地層の上に形成された導電パターンと、を有し、ソース電極とソースバスは、導電パターンを介して電気的に接続されている。 - 特許庁

The moisture-permeable watertight coated fabric with the excellent tear strength is obtained by forming a nonporous film having <8 g/m^2 weight of the dried resin film comprising a mixed resin of an acrylic resin and a polyurethane resin as the first layer, and a fine porous film having 8-25 g/m^2 weight of a dried resin film consisting essentially of a polyurethane resin as the second layer.例文帳に追加

繊維布帛上に、第１層としてアクリル樹脂とポリウレタン樹脂との混合樹脂からなる乾燥樹脂膜質量が８ｇ／ｍ^2 未満の無孔質膜、第２層としてポリウレタン樹脂を主体とする乾燥樹脂膜質量が８〜25ｇ／ｍ^2 の微多孔質膜を形成している引裂強力の優れた透湿防水性コーティング布帛。 - 特許庁

The columnar spacer (401) is installed on at least one substrate out of first and second substrates sandwiching a liquid crystal layer in between and on a surface, to install the spacer thereon, of the side opposite to the liquid crystal layer of the one substrate and concurrently is provided with a slope part (410) having a face smoothly connected to the surface to install the spacer thereon formed at the basal portion thereof.例文帳に追加

本発明に係る柱状スペーサ（４０１）は、液晶層を挟持してなる第１基板及び第２基板の少なくとも一方且つ該少なくとも一方における液晶層に対向する側の被設置面に設けられるとともに、その根元に前記被設置面と滑らかに接続される面を有するスロープ部（４１０）が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises transistors QP1 to QP6 connected in series, wirings 1 to 7 made of aluminum or the like formed on the transistors QP1 to QP6 via a first insulating layer, and wirings 8 to 9 made of aluminum or the like formed on the transistors QP1 to QP6 and the wirings 1 to 7 via a second insulating layer for supplying a ground potential VSS.例文帳に追加

直列接続されたトランジスタＱＰ１〜ＱＰ６と、トランジスタＱＰ１〜ＱＰ６上に第１の絶縁層を介して形成されたアルミニウム等の配線１〜７と、トランジスタＱＰ１〜ＱＰ６及び配線１〜７上に第２の絶縁層を介して形成され接地電位Ｖ_SSを供給するアルミニウム等の配線８〜９とを具備する。 - 特許庁

This organic EL display device 10 is characterized in that a first transparent electrode 12, a light emitting layer 13, and a second electrode (back plate) 14 are stacked on one surface of a glass substrate 11 in this order, an opposed substrate 16 is fixed by a spacer 15 and adhesive 17 to seal its internal space, and a moisture absorbent layer 18 is disposed on the opposed substrate 16.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１０はガラス基板１１の一表面に第１の透明電極１２、発光層１３、第２の電極（背面電極）１４が順に積層され、対向基板１６がスペーサ１５および接着剤１７で固定されて内部空間が封止され、対向基板１６上に吸湿剤層１８が配置されることを特徴とする。 - 特許庁

The emission gas cleaning catalyst 1 comprises a carrier substrate 2 having a plurality of cells 2C which are divided by a partition 2' and penetrate in a predetermined direction, a first catalyst layer 2_C1 carried on at least one of the wall faces among the wall faces of the partition 2' which divide the same cell 2C and a second catalyst layer 2_C2 carried on the other wall face.例文帳に追加

本発明の排ガス浄化用触媒１は、隔壁２’で区画され所定の方向に貫通する複数のセル２Ｃを有する担体基材２と、同一のセル２Ｃを区画する隔壁２’の壁面のうちの少なくとも１つの壁面に担持された第一触媒層２_C1と、他の壁面に担持された第二触媒層２_C2と、を有する。 - 特許庁

The passing-through direction switching means 5 switches the passing-through direction of the volatile organic gas switched in the passing direction to the second direction to the first direction, the volatile organic gas is passed from the discharge line 4 to the return line 6, a part of the supply line 2 from a communication point of the return line 6 to the adsorption layer 3, the adsorption layer 3 and the discharge line 4.例文帳に追加

さらに通過方向切換え手段５は通過方向を第２方向に切り換えた揮発性有機ガスの通過方向を第１方向に切り換え、その揮発性有機ガスを排出路４から戻し路６、その戻し路６の連通箇所から吸着層３までの供給路２の一部、吸着層３及び排出路４へと通過させる。 - 特許庁

The light reflecting plate is constituted by integrally laminating a second light reflecting layer, containing 100 pts.wt. of thermoplastic resin and 5-70 pts.wt. of anatase type titanium oxide on one surface of a first light reflecting layer containing 100 pts.wt. of the thermoplastic resin and 10-100 parts by weight of rutile type titanium oxide.例文帳に追加

本発明の光反射板は、熱可塑性樹脂１００重量部及びルチル型酸化チタン１０〜１００重量部を含有する第一光反射層の一面に、熱可塑性樹脂１００重量部及びアナターゼ型酸化チタン５〜７０重量部を含有する第二光反射層が積層一体化されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The liquid sensing unit 100 has a unit body 10 which includes at least an ultrasonic wave outputting section 1 and a first acoustic impedance matching layer 21 fixed thereto, and further has a replacement second acoustic impedance matching layer 22 which is detachably fixed to the unit body 10 through a liquidity binder 6.例文帳に追加

液体検知ユニット１００であって、少なくとも超音波出力部１と、これに固定される第一音響インピーダンス整合層２１とを備えるユニット本体１０を有するとともに、該ユニット本体１０に対し流動性結合剤６を介して着脱可能に固定される交換用の第二音響インピーダンス整合層２２を設ける。 - 特許庁

The transparent electrode 60 and an orientation film 40 are formed on the first transparent substrate 50, the partition 35 and a Fresnel lens 100 are integrally formed in an imprint process as an imprint resin layer 30 on the second transparent substrate 51, and a transparent electrode 41 and an orientation film 61 are formed on the imprint resin layer 30.例文帳に追加

第１の透明基板５０上には透明電極６０と配向膜４０が形成されており、第２の透明基板５１上にはインプリント樹脂層３０として隔壁３５とフレネルレンズ１００がインプリント工程にて一体に形成されており、インプリント樹脂層３０の上に透明電極４１と配向膜６１が形成されている。 - 特許庁

The protective layer forming material, which comprises an acrylic copolymer agent acting as the peelable protective layer after drying, is ejected toward a car body 14 from the first jet gun tips 44a, second gun tips 44b and first-third interposed jet gun tips 44c-44e of the jet mechanisms 42 when the car body 14 is fed through a coating process.例文帳に追加

乾燥後に剥離性保護層として作用するアクリル系コポリマ剤からなる保護層形成材は、塗装工程を経た自動車車体１４が搬入された際、この噴出機構４２の第１噴出ガンチップ４４ａ、第２噴出ガンチップ４４ｂ、第１〜第３介在噴出ガンチップ４４ｃ〜４４ｅから自動車車体１４に指向して噴出される。 - 特許庁

A manufacturing process for a corrugated mattress structure comprises a step of disposing a stack of plant fiber long members 25 at least between a first layer 24 and a second layer 21 of plant fiber sheets to form a precompressed assembly, and a step of compressing the precompressed assembly to form a corrugated mattress structure.例文帳に追加

波形マットレス構造体の製造工程であって、該工程には、植物繊維細長体２５のスタックを、少なくとも植物繊維シートの第１層２４と第２層２１と間に配置して、予圧縮した組立体を形成するステップ；及び、該予圧縮した組立体を圧縮して、波形マットレス構造体を形成するステップを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁

A first resin layer 50 made of a cured liquid resin is provided at bonding portions of the ferrite-magnet element 30 and the elements CS1, R to the substrate 20; and a second resin layer 60 made of a cured soft sheet-shaped resin adhered to a rear surface of the flat yoke 10 is provided around the ferrite-magnet element 30 and the elements CS1, R.例文帳に追加

フェライト・磁石素子３０及び素子ＣＳ１，Ｒの基板２０に対する接合部には液状樹脂が硬化した第１の樹脂層５０が設けられ、フェライト・磁石素子３０や素子ＣＳ１，Ｒの周囲には平板状ヨーク１０の裏面に貼着された軟質シート状樹脂が硬化した第２の樹脂層６０が設けられている。 - 特許庁

A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。 - 特許庁

In the lochia absorption sheet comprises at least a liquid holding layer and a liquid leakage preventive layer in such a manner that the respective layers are connected at peripheral edges, a connecting line is provided along a contour line of a second using shape capable of conforming to the lingerie wearing time of the T-back shape, and the sheet can be cut short along the line.例文帳に追加

少なくとも液保持層と液防漏層とを備え、周縁部で各層が接合されたおりもの吸収シートにおいて、その平面形状の内側に、Ｔバック形状の下着装着時に適合できる第２の使用形状の輪郭線に沿う接合ラインを設け、この接合ラインに沿っておりもの吸収シートを切り詰めることを可能とする。 - 特許庁

While adjoining an electrode H1, forming the branching of the charge transfer channel 1, a pair of transfer electrodes connected to a first-layer electrode 2 and a second-layer electrode 3 are arranged, as well as, the horizontal shift register before branching, on each charge transfer channel 1, to form transfer electrodes HLa and HLb, respectively, of the horizontal shift register of the transfer channel 1.例文帳に追加

電荷転送経路１の分岐を形成する電極Ｈ１に隣接して、それぞれの電荷転送経路１上には分岐前の水平シフトレジスタと同様に第１層目の電極２と第２層目の電極３が接続された電送電極が１対配置され、それぞれの転送経路1の水平シフトレジスタの転送電極ＨＬａ、ＨＬｂを形成する。 - 特許庁

Among a plurality of power source lines 103R, 103G and 103B which are provided at the outside of an effective region, the power source line 103B, located at the outermost side, comprises a conductive film provided at a first wiring line layer 135 and a conductive film provided at a second wiring line layer 136, thereby narrowing the width of the power source line.例文帳に追加

有効領域の外側に設けられた複数の電源線１０３Ｒ,１０３Ｇ,及び１０３Ｂのうちの最も外側に位置する前記電源線１０３Ｂが第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜の双方により構成することにより、電源線の線幅を狭くすることができる。 - 特許庁

In this method for manufacturing a planar optical waveguide circuit device, a mask layer for lift-off is formed on an optical waveguide circuit composed of cores and clads, and a mask having a plurality of first patterns corresponding to the respective cores and a plurality of second patterns formed at at least one side of each of the first patterns apart from the first pattern is used to expose the mask layer for lift-off.例文帳に追加

平面光導波回路デバイスの製造方法であって、コアとクラッドから成る光導波回路上にリフトオフ用マスク層を形成し、各コアに対応する複数の第１パターンと該各第１パターンの少なくとも片側に該第１パターンから離間して形成された複数の第２パターンを有するマスクを使用してリフトオフ用マスク層を露光する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a semiconductor layer 13 formed on an insulating film 12, and a memory cell array having a plurality of memory cells 10 in which first and second transistors Tr1, Tr2 formed in the semiconductor layer are connected in series, formed and disposed in a matrix state connected to a bit line BL in which one side of the cell is connected and a reference potential is imparted to other side.例文帳に追加

絶縁膜１２上に形成された半導体層１３と、半導体層内に形成された第１および第２のトランジスタTr1，Tr2が直列接続されたメモリセル１０が複数個マトリックス状に配置形成され、前記メモリセルの一方側が接続されたビット線ＢＬに接続され、他方側に基準電位を与えられたメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

After that, the barrier film 13 and unreacted metal elements of the metal film 12 are removed and then a second heat treatment of higher temperature than the first heat treatment is carried out to form a metal silicide layer of an MSi phase thinner than the metal silicide layer of the MSi phase, formed on the surface of the n^+ type semiconductor region 9b, in the p^+ type semiconductor region 10b.例文帳に追加

続いて、バリア膜１３、未反応の金属膜１２の金属元素を除去後、第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行って、上記ｐ^＋型半導体領域１０ｂに、上記ｎ^＋型半導体領域９ｂの表面に形成されたＭＳｉ相の金属シリサイド層よりも薄いＭＳｉ相の金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁

Of two base surfaces adjacent on the upper surface 5c, the lower surface 5d and side surfaces 5e, 5f of the ceramic base 5, the base surface having a smaller distance to the inner electrode layer disposed nearest in the plurality of first and second inner electrode layers 7, 8 has a surface roughness larger than the surface roughness of the base surface having a larger distance to the inner electrode layer.例文帳に追加

セラミック素体５の上面５ｃ、下面５ｄ、及び側面５ｅ，５ｆにおいて隣り合う２つの素体面のうち、複数の第１及び第２の内部電極層７，８の中で最も近くに配置された内部電極層との間の距離が小さい方の素体面の表面粗さは、その距離が大きい方の素体面の表面粗さより大きい。 - 特許庁

Further as the transparent resin body 40 has a refrigerant flow channel 44 of a three-layered structure formed by integrating a transparent core portion 41 penetrating through a shaft center portion, a first transparent reinforcement layer 42 and a second transparent reinforcement layer 43, a problem on sink can be solved by successively molding the same from the transparent core portion 41 toward the outer side.例文帳に追加

また、透明樹脂製ボディ４０は、冷媒流路４４が軸心部を貫通した透明コア部４１と第１透明補強層４２と第２透明補強層４３とを一体に有した三層構造をなしているので、透明コア部４１から外側に向かって順番に成形していけば、従来の「ヒケ」の問題も解決される。 - 特許庁

When the electric field strength at the outermost piezoelectric body layer positioned in the outermost area on the second face 5b side opposite the first face 5a is lower than the electric field strength at the outermost piezoelectric body layer positioned in the outermost area on the first face 5a side, the piezoelectric element 5 is bent with the first face 5a positioned inside and thereby drives the driven member 4.例文帳に追加

圧電素子５は、第一面５ａと対向する第二面５ｂ側の最も外側に位置する最外圧電体層における電界強度が、第一面５ａ側の最も外側に位置する最外圧電体層における電界強度より小さいことにより、第一面６ａを内側にして屈曲し、被駆動部材４を駆動する - 特許庁

An n^+-type impurity region 52 is formed in an n^--type semiconductor layer 2 in a high potential island region 201 partitioned by a p-type impurity region 3, and first field plate 55a-55e and a plurality of second field plates are formed in multiplex above the n^--type semiconductor layer 2 between the n^+-type impurity region 52 and the p-type impurity region 3.例文帳に追加

ｐ不純物領域３で区分された高電位島領域２０１内のｎ^-半導体層２にはｎ^+不純物領域５２が形成されており、ｎ^+不純物領域５２とｐ不純物領域３との間のｎ^-半導体層２の上方には第１フィールドプレート５５ａ〜５５ｅと複数の第２フィールドプレートとが多重に形成されている。 - 特許庁

When the phase difference compensation element 400 is used for a liquid crystal projector which performs projection of an image by means of the base color light of RGB, the thicknesses d1, d2 of the first optical anisotropic layer 401 and the second optical anisotropic layer 402 are adjusted in accordance with respective base color light and the phase difference compensation most suitable for respective base color light is performed.例文帳に追加

この位相差補償素子４００をＲＧＢの基本色光によって画像の投影を行なう液晶プロジェクタに使用するにあたり、各基本色光に合せて第１光学異方性層４０１と第２光学異方性層４０２との厚みｄ１，ｄ２を調整し、各基本色光に最適な位相差補償を行なう。 - 特許庁