「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(379ページ目) - Weblio英語例文検索

Then a resist 15 is patterned, and the wiring material lamination layer 12 is anisotropically etched, by utilizing a resist pattern containing a hard mask HM of the first and second insulating films 13 and 14, to form a wiring pattern 12 (Fig. 1 (b)).例文帳に追加

次に、レジスト１５をパターニングし、第１、第２絶縁膜１３，１４のハードマスクＨＭを含むレジストパターンに従って配線材料積層１２が異方性エッチングされ配線パターン１２が形成される（図１（ｂ））。 - 特許庁

First electrical biases are applied to a pair of adjacent contacts 6 and a second electrical bias such as ground reference is applied to the other contact 6 whereupon an inversion layer is formed in the semiconductor wafer or sample 10.例文帳に追加

１対の隣接した接触子６に第１電気バイアスが印加され、他の接触子６に接地基準のような第２電気バイアスが印加されると、半導体ウエハまたはサンプル１０に反転層が生成される。 - 特許庁

The second electrode 40 is provided with a plurality of openings 41 for extracting light from the functional layer 30 to be formed in a mesh form, while being formed more densely as closer to the center part from the periphery.例文帳に追加

第２電極４０は、機能層３０からの光の取り出し用の開口部４１が複数設けられて網状に形成されるとともに、周部から中心部に近づくにつれて密になるように形成されている。 - 特許庁

The semiconductor probe equipped with a resistive tip formed in the end of a cantilever includes the cantilever doped with first impurities, a resistive tip doped lightly with second impurities, and a doping control layer formed on both sides of the protruding end of the resistive tip, and first and second electrode regions formed under the doping control layer and doped heavily with second impurities.例文帳に追加

カンチレバーの端部に形成された抵抗性チップを備える半導体探針において、第１不純物がドーピングされたカンチレバーと、カンチレバーの端部に突出して形成され、第２不純物が低濃度でドーピングされた抵抗性チップと、抵抗性チップの突出した端部の両側部に形成されたドーピング制御層と、ドーピング制御層の下部に形成され、第２不純物が高濃度でドーピングされた第１電極領域及び第２電極領域と、を備えるドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針である。 - 特許庁

A magnetic field induced at the region by at least one of the first conductive pattern or the second conductive pattern is stronger than a magnetic field induced at an another region between a first conductive layer and a second conductive layer, by at least one of the first conductive pattern or the second conductive pattern.例文帳に追加

インダクタ装置は、基板の第一の層の上の第一の導電性パターンと、基板の第二の層の上の第二の導電性パターンと、少なくともひとつの穴が前記第一の層と第二の層の間で連結される領域と、を備え、第一の導電性パターンまたは第二の導電性パターンのうちの少なくともひとつによって上記領域において誘起される磁場が、第一の導電性パターンまたは第二の導電性パターンうちの少なくともひとつによって第一の導電層と第二の導電層の間の別の領域において誘起される磁場より強力である。 - 特許庁

The liquid crystal panel comprises a liquid crystal cell, a first polarizer arranged on one side of the liquid crystal cell, a second polarizer arranged on the other side of the liquid crystal cell, and at least two optical compensation layers including a first optical compensation layer and a second optical compensation layer arranged between the first polarizer and the second polarizer.例文帳に追加

本発明の液晶パネルは、液晶セルと；該液晶セルの一方の側に配置された第１の偏光子と；該液晶セルの他方の側に配置された第２の偏光子と；該第１の偏光子と該第２の偏光子との間に配置された、第１の光学補償層および第２の光学補償層を含む少なくとも２つの光学補償層とを備え、該第１の光学補償層が、光弾性係数の絶対値が４０×１０^−１２（ｍ^２／Ｎ）以下であり、かつ、下記式（１）および（２）の関係を有し、該第２の光学補償層が、下記式（３）および（４）の関係を有する、液晶パネル。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer formed between both the first and second substrates, a first sealing material formed between both the substrates so as to surround the liquid crystal layer and having a liquid crystal injection port, and a second sealing material sealing the injection port of the first sealing material.例文帳に追加

第１基板、第２基板、前記両基板間に形成された液晶層、及び前記液晶層を取り囲みながら前記両基板間に形成された第１シール材を備えてなる液晶セルを用意する工程と、前記液晶セル内の液晶量を検査する工程と、前記第１シール材に液晶の注入口を形成する工程と、前記注入口を介して液晶量を調節する工程と、及び前記注入口を封じる工程とを備えてなる液晶表示素子の製造方法及びその方法によって製造された液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the plasma display panel having a partition 19 formed on the highly refractive substrate 13, a light-absorbing photosensitive first partition material layer 14 is formed on the substrate 13, and a photosensitive second partition material layer 15 is formed on the first partition material layer 14 when the partition 19 is formed on the substrate 13 by using the photolithography.例文帳に追加

高反射率を有する基板１３上に隔壁１９を形成してなるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、フォトリソグラフィを用いて前記基板１３上に隔壁１９を形成する際に、前記基板１３上に光を吸収する特性を有する感光性の第一隔壁材料層１４を形成した後、前記第一隔壁材料層１４の上に感光性の第二隔壁材料層１５を形成する。 - 特許庁

The second layer is stacked on one face of a plate-like first layer 1 made of the first material and provided with an extended part 20 extended to cover at least a part of the outer peripheral surface S1 of the first layer 1.例文帳に追加

第１の材料からなる層及び第２の材料からなる層を有する積層体の製造方法であって、第１の材料からなる板状の第１層１の一面上に積層され、当該第１層１の外周面Ｓ１の少なくとも一部を覆うように延出した延出部２０を有し第２の材料からなる第２層２を、第１層１と反対側から研磨する工程を備える、積層体１００の製造方法。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a single layer type or multilayer type photosensitive layer containing a hole transport agent and a binder resin on a conductive substrate, wherein a first polycarbonate resin and a second polycarbonate resin having mutually different molecular structures are contained as the binder resin, and the photosensitive layer contains a triphenylamine compound represented by formula (1) as an additive.例文帳に追加

導電性基体上に、正孔輸送剤、及び結着樹脂を含有する単層型あるいは積層型の感光層を備えた電子写真感光体であって、結着樹脂としてそれぞれ分子構造が異なる第１のポリカーボネート樹脂及び第２のポリカーボネート樹脂を含むとともに、感光層が、添加剤として、下記一般式（１）で表されるトリフェニルアミン化合物を含有する電子写真感光体。 - 特許庁

A semiconductor element 9 on the lowermost stage in the second element group 13 is stacked directly above a semiconductor element 9 on the uppermost stage in the first element group 12 through an insulating adhesive layer 15 functioning as a spacer layer, and the element side end of a metal wire 14 connected with the semiconductor element on the uppermost stage is buried in the insulating adhesive layer 15.例文帳に追加

第２の半導体素子群１３における最下段の半導体素子９は、第１の半導体素子群１２における最上段の半導体素子９の直上に、スペーサ層として機能する絶縁性接着層１５を介して積層されており、かつ最上段の半導体素子に接続された第１の金属ワイヤ１４の素子側端部は絶縁性接着層内１５に埋め込まれている。 - 特許庁

The lipophilic surface layer material which can be used for the surface of the decorative sheet comprises a first surface and a second surface, wherein a lipophilic resin layer is formed on at least the uppermost surface of the first surface, and the lipophilic resin layer is formed of a lipophilic resin composition containing a melamine resin and an oil-modified alkyd resin.例文帳に追加

化粧板表面に用いられる親油性表面層材料であって、 前記親油性表面層材料は、第一の面と、第二の面とを有し、少なくとも前記第一の面の最表面に親油性樹脂層が形成されており、 前記親油性樹脂層は、メラミン樹脂と、油変性アルキド樹脂とを含有する親油性樹脂組成物により形成されていることを特徴とする親油性表面層材料。 - 特許庁

The fiber-reinforced plastic molding 10 having the curved shape is made of a laminate having three or more layers including a continuous fiber-reinforced sheet having a continuous fiber bundle, keeps a nonwoven fabric sheet 13 inserted into the second layer from the outermost layer 11 constituting a design surface and is curved in the direction perpendicular to the orientation direction of the continuous fiber bundle of the outermost layer 11.例文帳に追加

連続繊維束を有する連続繊維強化シートを含む少なくとも３層以上からなる積層体からなり、意匠面を構成する最表層１１から２層目に不織布シート１３が挟まれるとともに、最表層１１の連続繊維束の配向方向に直交する方向に湾曲してなることを特徴とする湾曲形状を有する繊維強化プラスチック成形品１０。 - 特許庁

The thin film photoelectric conversion device includes a structure wherein a first electrode layer, a semiconductor layer including one or more photoelectric conversion units, and a second electrode are arranged in order from a side close to a substrate, wherein a base layer is included between the substrate and first electrode and has fine periodical unevenness in a direction parallel with one principal surface of the substrate.例文帳に追加

本発明によれば、基板に近い側から順に、第一電極層、１以上の光電変換ユニットを含む半導体層、第二電極層を、順次配置した構造を含む薄膜光電変換装置であって、基板と第一電極の間に下地層を含み、かつ前記下地層が基板の一主面に平行な方向に微細な周期的凹凸を有することを特徴とすることによって、課題を解決する。 - 特許庁

The substrate for a heating element package includes a metal plate; an insulating oxide layer partially formed on the surface of the metal plate; a first conductive pattern formed in one region of the insulating oxide layer and providing a heating element mounting area; and a second conductive pattern formed in other regions of the insulating oxide layer so as to be separated from the first conductive pattern.例文帳に追加

本発明による発熱素子パッケージ用基板は、金属プレートと、前記金属プレートの表面に部分的に形成された絶縁酸化物層と、前記絶縁酸化物層の一領域に形成され、発熱素子の実装領域を提供する第１の導電パターンと、前記第１の導電パターンと離隔するように前記絶縁酸化物層の他の領域に形成された第２の導電パターンとを含む。 - 特許庁

The window has a glass substrate having a first surface, and a second surface disposed facing the first surface and including a display area and a decoration area formed around the display area, an ultraviolet curing layer formed partly on the surface of the decoration area, and a background color layer formed at least on the surface not covered with the ultraviolet curing layer of the decoration area.例文帳に追加

本発明に係るウィンドーは、第一表面、及び前記第一表面に対向設置され且つ表示エリア及び前記表示エリアの周囲に設置される装飾エリアを含む第二表面を有するガラス基体と、前記装飾エリアの部分的な表面に形成される紫外線硬化層と、少なくとも前記装飾エリアの前記紫外線硬化層に覆われない表面に形成される底色層と、を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a metallized ceramic substrate includes a first step of forming an organic underlayer on a ceramic substrate, a second step of forming a metal paste layer on the organic underlayer to manufacture a metallized ceramic substrate precursor, and a third step of baking the metallized ceramic substrate precursor in which the organic underlayer absorbs a solvent in the metal paste layer and is thermally decomposed at a temperature for baking the metal paste layer.例文帳に追加

セラミック基板上に、有機下地層を形成する第一工程、該有機下地層上に金属ペースト層を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体を作製する第二工程、および、該メタライズドセラミック基板前駆体を焼成する第三工程を含むメタライズドセラミック基板の製造方法において、有機下地層が、金属ペースト層中の溶媒を吸収し、金属ペースト層を焼成する温度で熱分解する層とする。 - 特許庁

The construction method of a concrete structure comprises a first step of laying an electrode for electric protection on a lower layer-side concrete, a second step of placing a concrete for protection to cover the electrode for electric protection on the lower layer-side concrete, a third step of assembling reinforcements after the concrete for protection is placed, and a fourth step of placing an upper layer-side concrete after the reinforcements are assembled.例文帳に追加

コンクリート構造物の施工方法として、下層側コンクリート上に電気防食用電極を敷設する第１の工程と、前記下層側コンクリート上において前記電気防食用電極を覆うように保護用コンクリートを打設する第２の工程と、前記保護用コンクリートの打設後に鉄筋を組み立てる第３の工程と、前記鉄筋の組み立て後に上層側コンクリートを打設する第４の工程とを含む。 - 特許庁

The method of forming a three-dimensional image includes: a first step of forming a sheet layer by using a photo-curable transparent resin on a recording medium on which an image is formed; a second step of irradiating the sheet layer with light insufficient to completely cure the transparent resin; a third step of forming a lens on the sheet layer by using the transparent resin; and a fourth step of radiating light to completely cure the lens.例文帳に追加

画像が形成された記録媒体上に光硬化型の透明樹脂を用いてシート層を形成する第一工程と、シート層に透明樹脂を完全に硬化させるには不十分な光を照射する第二工程と、シート層上に透明樹脂を用いてレンズを形成する第三工程と、レンズを完全に硬化させる光を照射する第四工程と、を含むことを特徴とする立体画像形成方法。 - 特許庁

The original plate has a first layer containing alkali-soluble resin as a main component; and a second layer having (a) another alkali-soluble resin different from the alkali-soluble resin contained as the main component in the first layer, and (b) an infrared absorbent with a phthalocyanine skeleton on a support body in this order, and can form images by irradiation of infrared lasers.例文帳に追加

支持体上に、アルカリ可溶性樹脂を主成分として含有する第１層、および、（ａ）該第１層に主成分として含有されるアルカリ可溶性樹脂とは異なる他のアルカリ可溶性樹脂と、（ｂ）フタロシアニン骨格を有する赤外線吸収剤とを含有する第２層をこの順に有することを特徴とする赤外レーザーの照射により画像形成可能な平版印刷版用原版。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a support substrate of a first semiconductor comprising a hole penetrating in thickness direction, a semiconductor layer of a second semiconductor which is provided on the support substrate and has a band gap larger than that of the first semiconductor, an ohmic electrode provided on the semiconductor layer, and a Schottky electrode provided on the surface of the semiconductor layer exposed in the hole.例文帳に追加

第１の半導体からなり厚み方向に貫通する穴を有する支持基板と、前記支持基板の上に設けられ前記第１の半導体よりもバンドギャップが大なる第２の半導体からなる半導体層と、前記半導体層の上に設けられたオーミック電極と、前記穴の中に露出した前記半導体層の表面に設けられたショットキー電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁

A manufacturing method of an epitaxial structure includes: a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface; a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of gaps so as to be suspended on the epitaxial growth surface of the substrate; and a third step of causing a growth of an epitaxial layer on the epitaxial growth surface of the substrate so as to include the carbon nanotube layer.例文帳に追加

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。 - 特許庁

Accordingly, the quantity of hot electrons injected to a charge storage layer CSL under a gap section and the first memory gate electrode MG1 is made smaller than that to the charge storage layer CSL under the second memory gate electrode MG2 when the data is written, and incomplete erasing of data in the gap section and the charge storage layer CSL under the first memory gate electrode MG1 is prevented.例文帳に追加

これにより、データ書き込み時に、ギャップ部および第１メモリゲート電極ＭＧ１下の電荷蓄積層ＣＳＬに注入されるホットエレクトロンの注入量を第２メモリゲート電極ＭＧ２下の電荷蓄積層ＣＳＬに注入されるホットエレクトロンの注入量よりも減少させて、ギャップ部および第１メモリゲート電極ＭＧ１下の電荷蓄積層ＣＳＬにおけるデータの消去残りを防ぐ。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises a silicon substrate 109 containing a p-type impurity in a first concentration, an epitaxial layer 108 formed on the substrate 109 and containing a p-type impurity in a second concentration lower than the first concentration, a storage area 191 provided on the layer 108, and a logic circuit region 192 provided at a different position from the area 191 on the layer 108.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ｐ型の不純物を第１の濃度で含むシリコン基板１０９と、シリコン基板１０９に形成され、第１の濃度よりも低い第２の濃度でｐ型の不純物を含み、有するエピタキシャル層１０８と、エピタキシャル層１０８の上に設けられた記憶領域１９１と、エピタキシャル層１０８の上で記憶領域１９１と異なる位置に設けられた論理回路領域１９２とを備える。 - 特許庁

The solar cell has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer of a first compound semiconductor material and at least one quantum well layer of a second compound semiconductor material having a plurality of protrusions between the p- and n-type semiconductor layers, and one or any of a plurality of quantum well layers has protrusions different in size.例文帳に追加

太陽電池は、第一の化合物半導体材料からなるｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有し、前記ｐ型半導体層とｎ型半導体層の間に、複数の凸部を表面に有する第二の化合物半導体材料からなる量子井戸層の少なくとも１層を含み、一つの量子井戸層または複数の量子井戸層のいずれかの層に大きさの異なる凸部を有する。 - 特許庁

This radioactive waste disposal facility is constituted of the gallery 3 having a circular section formed in the ground G for storing the radioactive waste 5, the first improved layer 2 comprising bentonite grout or clay grout formed as a peripheral wall of the gallery 3, and the second improved layer 1 comprising a cement-based grout or a silica-based grout formed on the outer peripheral part of the first improved layer 2.例文帳に追加

本発明に係る放射性廃棄物処分施設は、放射性廃棄物５を貯蔵するために地盤Ｇ内に形成された断面視円形の坑道３と、坑道３の周壁として形成されたベントナイトグラウトまたは粘土グラウトからなる第一改良層２と、第一改良層２の外周部に形成されたセメント系グラウトまたはシリカ系グラウトからなる第二改良層１とから構成される。 - 特許庁

In the organic electric field light emitting device wherein a laminated body which includes a thin film layer containing a light emitting layer composed of at least an organic compound and which includes the second electrode formed on the thin layer is sealed by a sealant on the first electrode formed on a substrate, oxygen exceeding 20% and not more than 50% and inert gas exist in the inside of the sealed space.例文帳に追加

基板上に形成された第一電極上に、少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む積層体が封止材によって封止されている有機電界発光装置において、封止空間内部に２０％を超えて５０％以下の酸素と、不活性ガスが存在することを特徴とする有機電界発光装置。 - 特許庁

Besides, the semiconductor device 10 includes a plurality of carbon nanotubes 32 whose first ends 44 and second ends 48 are coupled to the active region 22 and to the conductive layer 34, respectively, and further which extend from the active region 22 to the conductive layer 34 within a via hole 24 of the contact structure 40 to create conductivity between the active region 22 and the conductive layer 34.例文帳に追加

半導体デバイス１０はまた、カーボンナノチューブ３２の第１の端部４４が活性領域２２に接続され、カーボンナノチューブ３２の第２の端部４８が導電層３４に接続された、多数のカーボンナノチューブ３２であって、接点構造４０のビア２４内を活性領域２２から導電層３４まで延びて、活性領域２２と導電層３４との間に導電性を付与する前記カーボンナノチューブ３２を含む。 - 特許庁

The spin valve transistor has a collector region 1 made of a semiconductor, a base region 2 having a first ferromagnetic body layer 12 where a magnetization direction is changed according to the direction of an external magnetic field, a barrier layer 3 made of an insulator formed on the base region 2 or the semiconductor, and an emitter region 4 having a second ferromagnetic body layer 15 where the magnetization direction is fixed.例文帳に追加

半導体からなるコレクタ領域１と、コレクタ領域１上に形成され、外部磁界の方向に応じて磁化方向が変化する第１の強磁性体層１２を有するベース領域２と、ベース領域２上に形成された絶縁体又は半導体からなるバリア層と３、ベース領域２上に形成され、磁化方向が固定された第２の強磁性体層１５を有するエミッタ領域４とを備える。 - 特許庁

The method for processing the inorganic fiber layer formed on the surface of a structure includes a process for allowing the inorganic fiber layer to be impregnated with a first gel solution including an alkali metal silicate and a second gel solution including an aluminum compound to form a gel and separating the inorganic fiber layer on which the gel is formed from the surface of the structure.例文帳に追加

構造物の表面に形成された無機繊維層を処理する方法であって、前記無機繊維層に、ケイ酸アルカリ金属塩を含有する第一のゲル原料溶液と、アルミニウム化合物を含有する第二のゲル原料溶液と、を含浸させて、ゲルを形成する工程と、前記ゲルが形成された前記無機繊維層を前記構造物の表面から剥離する工程と、を含む無機繊維層の処理方法とする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element including at least one light-emitting layer sandwiched between an anode and a cathode has a first organic layer containing, as a ligand, at least one metal complex compound containing at least one partial structure selected from among phenylpyrazole, phenyloxazole and phenylthiazole; and a second organic layer containing a fluorene-based compound.例文帳に追加

陽極と陰極により挟まれた少なくとも１層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、配位子にフェニルピラゾール、フェニルオキサゾール、またはフェニルチアゾールから選択される少なくとも一つの部分構造を含む金属錯体化合物を少なくとも１つ含有する第１の有機層を有し、且つ、フルオレン系化合物を含有する第２の有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The hard film 1 having a first layer 3 containing metal nitride, metal oxide or metal carbide, and a second layer 4 which is coated on the first layer 3 and has composition consisting of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon is manufactured by using a sputtering apparatus having reactive gas feed equipment by devising a method for introducing reactive gas.例文帳に追加

金属の窒化物又は金属の酸化物又は金属の炭化物を含む第１の層３と、この第１の層３の上部に被覆され組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素を含む第２の層４とを有する硬質皮膜１を、反応ガス供給設備を備えたスパッタリング装置を用いて、反応ガスの導入方法を工夫して製造するものである。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element consisting of a first electrode patterned on a substrate, an organic layer containing an organic light-emitting layer arranged on the first electrode, and a second electrode arranged on the organic layer, includes a process in which the first electrode is formed by patterning with the use of printing of resist liquid or etchant liquid.例文帳に追加

基板上にパターニング配設された第一電極、該第一電極上に配設された有機発光層を含む有機層および該有機層上に配設された第二電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、前記第一電極は、レジスト液またはエッチャント液の印刷を用いたパターニングにより形成されて工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。 - 特許庁

Plastic forming carried out for cladding by disposing second member 122 adjacently to the leading end side of the core body 130 to make up the center layer 13, whereby it can prevent a leading end face 13b of the center layer 13 from projecting and separating the leading end 12b of the heat-transferring layer 12 and can improve loss of heating and prevent deformation.例文帳に追加

そして、中心層１３となるべき芯体１３０の先端側に第二素材１２２を隣接配置してクラッド化のための塑性加工を行うことにより、中心層１３の先端面１３ｂが良伝熱層１２の先端部１２ｂから突出して剥き出しになることを極めて効果的に防止でき、ひいては熱引きの改善と変形の防止に有効なクラッド電極を容易に得ることができる。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor includes a first ferroelectric layer in which a ferroelectric is sandwiched between a pair of electrodes and the ferroelectric has a surface roughness (RMS), measured by an atomic force microscope, of not lower than 10 nm; and a second ferroelectric layer which is formed on the first ferroelectric layer and has a surface roughness (RMS), measured by the atomic force microscope, of not higher than 5 nm.例文帳に追加

一対の電極間に強誘電体を挟持させてなり、該強誘電体が、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が１０ｎｍ以上である第１強誘電体層と、該第１強誘電体層上に形成され、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が５ｎｍ以下である第２強誘電体層とを有する強誘電体キャパシタである。 - 特許庁

In a first step of a step of forming a panel, a bus electrode forming material layer 13 is formed on a dielectric film 12 formed on a support film 11 by the ink jet method, and in a second step, the film 12 formed with the layer 13 is transferred to the surface of the substrate 1, and in a third step, the layer 13 and the film 12 are simultaneously baked.例文帳に追加

パネル形成工程の中の第１の工程で、支持フィルム１１上に形成された誘電体フィルム１２の上に、インクジェット法によりバス電極形成材料層１３を形成し、第２の工程で、バス電極形成材料層１３が形成された誘電体フィルム１２を基板１の表面に転写し、第３の工程で、バス電極形成材料層１３及び誘電体フィルム１２を同時焼成する。 - 特許庁

The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.例文帳に追加

酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁

This organic light emitting display includes: a substrate S; a thin film transistor 170 formed on the substrate S; a first electrode 110 formed on the thin film transistor 170; an organic layer 130 formed on the first electrode 110; and a second electrode layer 150 sputter-deposited on the organic layer 130 by mixing Ar gas with an inert gas heavier than Ar using a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method.例文帳に追加

基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。 - 特許庁

The fuse element 25 comprises a lower side soldering material layer 27 formed by using first soldering material having a higher melting point than a peak temperature under reflow conditions of reflow soldering method to mount the chip fuse on a circuit board, and an upper side soldering material layer 29 directly formed on the lower side soldering material layer 27 by using second soldering material having a lower melting point than the above peak temperature.例文帳に追加

ヒューズ素子２５を、チップ型ヒューズを回路基板に実装するリフローソルダリング方法のリフロー条件におけるピーク温度よりも高い融点を有する第１の半田材料を用いて形成された下側半田材料層２７と、前述のピーク温度よりも低い融点を有する第２の半田材料を用いて下側半田材料層２７の上に直接形成された上側半田材料層２９とから構成する。 - 特許庁

A second metal cathode layer 13 containing thin and long metal particles has low specific resistance in the direction of layers, and its surface in contact with the first metal cathode layer 12 has also low contact resistance, and the resistance of the metal cathode layer, which becomes a problem when charge is extracted from the whole capacitor element and made to pass through a cathode lead-out terminal 6, can be reduced.例文帳に追加

また外層側の金属微粒子よりも大きく、細長い形状である金属粒子を含有している第２金属陰極層１３は、層に平行な方向の固有抵抗が低く、第１金属陰極層１２との接触抵抗も低いため、コンデンサ素子全体から容量を引き出して陰極引き出し端子６に電荷を通過させる際に問題となる金属陰極層の抵抗を低減させる。 - 特許庁

A second height measuring section 19a for measuring the height of surface of a piezoelectric 11 or other sound matching layer 16b is further formed on the extension of surface of the piezoelectric 11 to which the common electrode layer 16 is bonded or the other sound matching layer 16b, and cutting depth of the dividing means may be controlled based on the measurements at both height measuring sections 19 and 19a.例文帳に追加

共通電極層１６が接合される圧電体１１または他の音響整合層１６ｂの表面の延長部分に当該圧電体１１または当該他の音響整合層１６ｂの表面の高さを計測する第２の高さ計測部１９ａをさらに形成し、双方の高さ計測部１９、１９ａにおける高さ計測結果を基に前記分割手段の切り込み深さを制御してもよい。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with a semiconductor chip 10; a front side resin layer 11 formed using a first resin material on a front surface 10a of the semiconductor chip 10; and a backside resin layer 12 formed so as to be thinner than the resin layer 11 using a second resin material having a thermal expansion coefficient larger than that of the first resin material on a backside 10b of the semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０の表面１０ａに第１樹脂材料を用いて形成された表面側樹脂層１１と、半導体チップ１０の裏面１０ｂに第１樹脂材料よりも大きな熱膨張係数を有する第２樹脂材料を用いて表面側樹脂層１１よりも薄く形成された裏面側樹脂層１２とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes, on a surface of a first conductivity-type semiconductor layer; a translucent conductive film; a first region surrounded by the translucent conductive film which has a refractive index smaller than that of the semiconductor layer; and a second region surrounded by the first region which has a refractive index smaller than that of the semiconductor layer and different from that of the first region.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、第１導電型の半導体層の表面に、透光性導電膜と、前記透光性導電膜に囲まれると共に前記半導体層よりも屈折率が小さい第１領域と、前記第１領域に囲まれると共に前記半導体層よりも屈折率が小さくかつ第１領域における屈折率と異なる第２領域と、を有する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor comprising a conductive support body and a photosensitive layer located on the conductive substrate, wherein this photosensitive layer forms a surface of the photoreceptor, this layer forming the surface of the photoreceptor is formed with a cured product of a mixture containing a first charge transport compound having at least an acryloyloxy group or a methacryloyloxy group and a second charge transport compound having a hydroxyl group.例文帳に追加

導電性支持体と、この導電性支持体上に設けられた感光層とを有し、この感光層が感光体の表面を形成する電子写真感光体において、この感光体の表面を形成する層を、少なくともアクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を有する第一の電荷輸送性化合物と、水酸基を有する第二の電荷輸送性化合物とを含む混合物の硬化物で形成する。 - 特許庁

This display apparatus comprises a thin film transistor formed on a substrate material; a picture element electrode connected electrically with the thin film transistor and having a first maximum roughness; a buffer layer formed on the picture element electrode and having a second maximum roughness less than the first maximum roughness; and an organic light emitting layer formed on the buffer layer.例文帳に追加

本発明による表示装置は、基板素材の上に形成されている薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、第１最大粗度を有する画素電極と；前記画素電極の上に形成されており、前記第１最大粗度より小さい第２最大粗度を有するバッファー層と；前記バッファー層の上に形成されている有機発光層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁