「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(376ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal display device has a liquid crystal modulation element having a liquid crystal layer 100 between a first electrode 102 and a second electrode 103, and a light source 210 for illuminating the liquid crystal modulation element.例文帳に追加

液晶表示装置は、第１の電極１０２および第２の電極１０３の間に液晶層１００を有する液晶変調素子と、該液晶変調素子を照明する光源２１０とを有する。 - 特許庁

The barrier ribs 4 are made from photoresist and each comprise two reverse-tapered projecting strips 4a and 4b extending parallel to the second electrodes 7, and a forward-tapered insulating layer 8 formed on the outside of the projecting strips.例文帳に追加

隔壁４はフォトレジストにより形成され、第２電極７と平行に延びる２本の逆テーパ状の凸条４ａ，４ｂと、その外側に形成された順テーパ状の絶縁層８とで構成されている。 - 特許庁

The power generation array is constituted by providing a plurality of element support portions supporting many photoelectric converting elements to the first conductor layer at intervals and connecting second conductor layers independent by the element support portions.例文帳に追加

第1導電体層に多数の光電変換素子を支持する素子支持部を間隔を隔てて複数設けるとともに、各素子支持部毎に独立した第２導電体層を接続した発電アレイを構成する。 - 特許庁

Moreover, a mold exterior resin 8 is formed around the second conductive layer 4b, cathode terminal 6 and anode terminal 7 such that ends of the cathode terminal 6 and anode terminal 7 are drawn out.例文帳に追加

そして、陰極端子６および陽極端子７の端部が外部に引き出されるように、第２導電層４ｂ、陰極端子６および陽極端子７の周囲には、モールド外装樹脂８が形成されている。 - 特許庁

Each organic layer 25 is formed at the intersection of the first 22 and second electrodes 26 in the shape of independent island and located within the width of the first electrode 22 when viewed on the plan.例文帳に追加

有機層２５は第１の電極２２と第２の電極２６との交差する位置にそれぞれ島状に独立して設けられているとともに、平面視した状態で第１の電極２２の幅内に配置されている。 - 特許庁

In particular, the first electrode is formed using a corrugated shape provided by anisotropic-etching one face of an Si substrate 11 for forming the cavity, the second electrode is formed thereon via sacrifice layer 16, and the backplate is formed further.例文帳に追加

特に第１の電極を、キャビティを形成するＳi基板１１の一面を異方性エッチングした波形形状を利用して形成し、この上に犠牲層１６を介して第２の電極を、更にバックプレートを形成する。 - 特許庁

At least one specified source/drain region in the first and second source/drain regions has effective width which is substantially larger than width of bonding between the semiconductor layer and the specified source/drain regions.例文帳に追加

第１および第２のソース／ドレイン領域のうちの少なくとも特定の１つは、半導体層とその特定のソース／ドレイン領域との間の接合の幅よりも実質的に大きな実効幅を有して形作られている。 - 特許庁

The first groove 26 and the second groove 25 whose depth are different from each other are formed by utilizing a difference of their detachability to stripping liquid using a resist layer comprised of 2 kinds of resist materials with each having a different characteristic.例文帳に追加

このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、特性の異なる２種類のレジスト材料からなるレジスト層を用い、これらの剥離液に対する剥離性の違いを利用して形成される。 - 特許庁

To previously form a ball cell substrate, to remove the diffusion layer of second conductivity tape silicon along a spherical outline without local heating, to expose first conductivity type silicon and to form a ball diode substrate.例文帳に追加

予め、ボール・セル基板を形成し、局所的な加熱を伴わずに球状輪郭に沿って第２導電型シリコンの拡散層を取り除き第１導電型シリコンを露出させて、ボール・ダイオード基板を形成することにある。 - 特許庁

In the atmosphere an inert gas, sputtering is executed using a second target comprising tungsten to deposit it on a tungsten film 105, which is to be come the upper layer part of the gate electrode on the tungsten nitride film 104.例文帳に追加

不活性ガスの雰囲気中において、タングステンからなる第２のターゲットを用いてスパッタリングを行なうことにより、タングステン窒化膜１０４の上に、ゲート電極の上層部となるタングステン膜１０５を堆積する。 - 特許庁

The second layer is formed of an alloy having a composition of, by atom, 0 to about 25% cobalt, about 7 to 25% chromium, about 18 to 55% aluminum, 0 to about 1% yttrium and 0 to about 2% silicon, and the balance nickel.例文帳に追加

第２層はつぎの組成（原子％）：コバルト０〜約２５％、クロム約７〜２５％、アルミニウム約１８〜５５％、イットリウム０〜約１％、ケイ素０〜約２％および残部のニッケルからなる合金から形成する。 - 特許庁

The monotone function is used as an activation function of a first neuron group N1 and 2r pieces of neurons 11-1r and 21-2R structuring a second neuron group N2 included in an input layer 1 of the recurrent neural network.例文帳に追加

このリカレントニューラルネットワークの入力層１に含まれる第１のニューロン群Ｎ１と第２のニューロン群Ｎ２とを構成する２ｒ個のニューロン１１〜１ｒと２１〜２Ｒの活性化関数として単調関数を用いる。 - 特許庁

The semiconductor laser stack 1 includes a first notch N1 and a second notch N2 (both the ends of a detecting reference) formed at both the end sides of the emitter E of the end face of an active layer including the emitter (light emitting part) E.例文帳に追加

半導体レーザスタック１は、エミッタ（発光部）Ｅを含む活性層の端面のうちのそれぞれのエミッタＥの両端側に第１ノッチＮ１及び第２ノッチＮ２（検出基準両端部）を形成している。 - 特許庁

The composition contains a mixed solvent including a first organic solvent A having ≥37 mN/m surface tension and a second organic solvent B having <32 mN/m surface tension and a material for forming the liquid crystal alignment layer.例文帳に追加

表面張力が３７ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第２有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、液晶配向膜形成用材料とを含有してなる。 - 特許庁

An auxiliary layer 30 is mainly formed by ceramic dielectric material having a second ceramic particle 32, and a plane in which an inner electrode 12 is formed, furthermore buries a portion in which the inner electrode does not exist.例文帳に追加

補助層３０は、第２のセラミック粒子３２を有するセラミック誘電体材料を主成分とし、内部電極１２が形成された平面であって、内部電極１２が存在しない部分を埋めている。 - 特許庁

The buried LDD region is spaced laterally apart from the drain region, and a second LDD region of the first conductivity type is formed proximately to the upper surface of the semiconductor layer in the buried LDD region.例文帳に追加

この埋込みＬＤＤ領域はドレイン領域から横方向に離隔され、この埋込みＬＤＤ領域内の半導体層の上部表面の近傍に第１の導電型の第２のＬＤＤ領域が形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a nitrogen added silicon dioxide thin film 4B is stacked on a fluorine added silicon dioxide thin film 4A, and on the top of this nitrogen added dioxide thin film 4B, the metallic wires 6 of a second layer are arranged.例文帳に追加

半導体装置において、弗素添加酸化珪素膜４Ａ上に窒素添加酸化珪素膜４Ｂが配設され、この窒素添加酸化珪素膜４Ｂ上に第２層目の金属配線６が配設されている。 - 特許庁

The resistance changing layer 12 can change an electrical resistance value among a plurality of states by applying a voltage or a current between the first electrode 11 and the second electrode 13.例文帳に追加

抵抗変化層１２は、第１の電極１１と第２の電極１３との間に電圧または電流を印加することによって、電気抵抗値が異なる複数の状態間で変化させることが可能な層である。 - 特許庁

After a heat insulating material 8 is stuck to the outer surface of a skeleton 1, mortar 11 containing short fibers is applied by a trowel to the surface of the heat insulating material 8, a net 20 is put thereon, and subsequently a second layer of mortar 12 is applied thereto by a trowel.例文帳に追加

躯体１の外面に断熱材８を張り付けた後、断熱材８の表面に短繊維入りのモルタル１１をコテ塗りし、その上にネット２０を重ね、次いで、第２層目のモルタル１２をコテ塗りする。 - 特許庁

A bonding determination monitor part 55 capable of detecting a bonding state of the sealing part 8 is constituted by extracting the second metal layer to an exposed surface of the cap member 4 projecting to the outside of the sensor unit 20.例文帳に追加

前記第２の金属層がセンサユニット２０の外側にはみ出すキャップ部材４の露出表面に引き出されて前記封止部８の接合状態を検知可能な接合判定モニタ部５５を構成している。 - 特許庁

The magnetoresistive device 21_1 includes: a ferromagnetic layer configured to exhibit magnetic anisotropy and to allow magnetization thereof to be switched at least between first and second directions; and a gate 23 capacitively coupled to the ferromagnetic region.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。 - 特許庁

After the wafer 10 for the temperature measurement is charged in a plasma CVD device, an FSG film 30 sedimented on the protection film 12 and the protection film 12 are removed by buffer hydrofluoric acid to expose the second semiconductor layer 11b.例文帳に追加

温度測定用ウェハ１０をプラズマＣＶＤ装置に投入した後、保護膜１２上に堆積したＦＳＧ膜３０と保護膜１２とをバッファードフッ酸により除去して、第２の半導体層１１ｂを露出する。 - 特許庁

First and second memory cells 1 and 2, which are arranged adjacent to each other in the direction of a paired bit line interconnection layer 15, have an asymmetrical layout in the same direction, and form a single memory cell group.例文帳に追加

ビット線対配線層１５に沿う方向に隣接して配置される第１，第２のメモリセル１，２がその方向に非対称のレイアウトを有しており、この第１，第２のメモリセル１，２で一つのメモリセル群を形成する。 - 特許庁

A shield layer 20 has a portion located between the front end face 16D and the medium facing surface 30 in a region closer to the substrate 1 than the surface 16Da of the second portion 16d farther from from the substrate 1.例文帳に追加

シールド層２０は、第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａよりも基板１に近い位置において前端面１６Ｄｂと媒体対向面３０との間に配置された部分を有している。 - 特許庁

Change rate of a value obtained by dividing residual magnetization in the circumferential direction of the magnetic layer 4 by residual magnetization in the radial direction to the reciprocals of film thicknesses of the first and the second seed layers 21 and 22 are 6 nm or below.例文帳に追加

磁性層４の円周方向の残留磁化を半径方向の残留磁化で除した値の、第１シード層２１および第２シード層２２の膜厚の逆数に対する変化率は６ｎｍ以下である。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first bipolar transistor and a second bipolar transistor are provided on a supporting substrate within an aperture by exposing the supporting substrate through provision of the aperture by removing a surface silicon layer and an embedded oxide film.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、表面シリコン層と埋込酸化膜を除去し開口部を設けることで、支持基板を露出させ、開口部内の支持基板に第１のバイポーラトランジスタと第２のバイポーラトランジスタとを設けた。 - 特許庁

A solar cell is formed by bonding together first and second metal layers in such a way as to sandwich a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体を挟むようにして第１の金属と第２の金属とを接合して成る太陽電池であって、該半導体の厚さＷ（単位：ｃｍ）が以下の式（Ｉ）により与えられる太陽電池によって、上記課題を解決する。 - 特許庁

A vertical incidence/reflection factor to read light L2 that enters through the substrate 20 of a second electrode layer being provided on a surface in contact with the upper surface of the substrate 20 of a device 30 is set to 50% or less.例文帳に追加

デバイス部３０の基板２０の上面２０ａと接する面に設けられた第２電極層の基板２０を通して入射する読取光L2に対する垂直入射反射率を５０％以下にする。 - 特許庁

After removing the first resist pattern 41, a second resist pattern 43 is formed on the opposite sides of the copper clad substrate 20 to cover the plated coating 42 and the copper layer 21 at a part which is to become a wiring pattern 14.例文帳に追加

第１のレジストパターン４１を除去した後、銅張り基板２０の両面に、めっき被膜４２を覆うと共に配線パターン１４となる部位の銅層２１を覆う第２のレジストパターン４３を形成する。 - 特許庁

The first internal electrode layer 20 has a first internal electrode 22 extended so that it is drawn out to a first side face 4 and a second electrode 24 extended so that it is drawn out to a third side face 8.例文帳に追加

第１の内部電極層２０は、第１の側面４に引き出されるように伸びる第１の内部電極２２と、第３の側面８に引き出されるように伸びる第２の内部電極２４とを有する。 - 特許庁

The second dielectric layer 32 consists of ZnS or a mixture composed of ZnS and SiO_2 as a principal component, in which the ratio of ZnSD is set at 60 to 100mol% of the sum of ZnS and SiO_2.例文帳に追加

第２の誘電体層３２はＺｎＳ又はＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分とし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の和に対してＺｎＳの割合が６０モル％以上、１００モル％以下に設定されている。 - 特許庁

Then, an organic insulating film 103 composed of a fluorinated amorphous carbon film is deposited on the first adhesive layer 102 by a plasma CVD method which uses a second source gas composed of a mixed gas of C_4F_8/CH_4.例文帳に追加

次にＣ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ の混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、第１の密着層１０２の上にフッ素化アモルファスカーボン膜からなる有機絶縁膜１０３を堆積する。 - 特許庁

Since the torque of the worm gear 44 of the second propulsion section 11b is transmitted by the three-layer coil spring 52 for connecting, the torque can be efficiently transmitted to the worm gear 44 of the first propulsion section 11a.例文帳に追加

第二推進部１１ｂのウォームギア４４の回転力を連結用三層コイルバネ５２によって伝達しているため、第一推進部１１ａのウォームギア４４に対して効率良く回転力を伝達できる。 - 特許庁

For the second substance and the third substance in the light-emitting layer, a substance having an energy gap (or triplet energy) which is larger than the energy gap (or triplet energy) of the first substance is selected.例文帳に追加

この発光素子においては、これら第２の物質及び第３の物質は共に第１の物質のエネルギーギャップ（又は三重項エネルギー）より大きいエネルギーギャップ（又は三重項エネルギー）を有する物質を選択する。 - 特許庁

Within the first and second Si layers 2 and 3, an n-type base region 4 is formed and within the base region 4, a p-type emitter region 5 is formed having an impurity concentration higher than that of the first Si layer 2.例文帳に追加

第１Ｓｉ層２及び第２Ｓｉ層３内には、ｎ型のベース領域４が形成され、ベース領域４内には、第１Ｓｉ層２より不純物濃度が高いｐ型のエミッタ領域５が形成されている。 - 特許庁

In the power semiconductor module 1, a copper-containing first soldering base material 20b, a connection layer 14, and a copper-containing second soldering base material 119 are arranged successively and fixedly connected with one another.例文帳に追加

パワー半導体モジュール１において、銅含有第１のはんだ付け母材２０ｂ、接続層１４、および、銅含有第２のはんだ付け母材１１９は、連続的に配置されて、固定して互いに接続されている。 - 特許庁

A write-in of the information is carried out, by supplying the current to the magnetoresistive element 12 in a single direction and by setting the magnetization direction of the magnetization free layer 12C to a second direction according to a spin-transfer magnetization reversal.例文帳に追加

情報の書き込みは、磁気抵抗素子１２に単方向に電流を供給し、スピン注入磁化反転により磁化自由層１２Ｃの磁化の方向を第２の方向に設定することで行われる。 - 特許庁

The cathode active substance layer applied end 21 on the side of starting a winding is positioned in a range between an edge of a first arc 26a of the cathode lead 2 and an edge of a second arc 26d of the anode lead 7.例文帳に追加

捲回開始側の正極活物質層塗布端部２１が正極リード２の第１の円弧部２６ａ側のエッジと負極リード７の第２の円弧部２６ｄ側のエッジとで挟まれた範囲内に位置する。 - 特許庁

The second p-type semiconductor layers 10 are also formed continuously along a chip cut-out part 11, from which the board 1 is cut into a plurality of chips, to extend from the surface of the layer 3 to reach the surface of the P well 5.例文帳に追加

また、基板１を複数個のチップに切り分けるチップ切断部１１に沿って層３の表面からＰウェル５の表層部に達して第２のＰ型半導体層１０が連続して設けられている。 - 特許庁

As a result of this, the adhesiveness of the entire second adhesive layer 3 is weak and on temporary adhesion, it is possible to peel an adherend part to repeat its positioning and on adhesion, the adhesive sheet can adhere with high adhesiveness.例文帳に追加

このため、第２接着剤層３全体の接着力は弱く、仮接着時に被接着部品を剥がして位置合わせのやり直しが可能であり、本接着時には高い接着力で接着できる。 - 特許庁

The recording magnetic pole film 11 is formed by alternately stacking a film constituted of first and second magnetic layers 1 and 3 respectively made of Co50Fe50 and Co90Fe10 and stacked together, and a nonmagnetic layer 2 made of Ru.例文帳に追加

記録磁極膜１１は、Ｃｏ５０Ｆｅ５０からなる第１の磁性層１とＣｏ９０Ｆｅ１０からなる第２の磁性層３を積層した膜と、Ｒｕからなる非磁性層２とを交互に積層したものである。 - 特許庁

A mold packaging resin 8 is formed at the periphery of the second conductive layer 4b, and the negative electrode terminal 6 and the positive electrode terminal 7 such that edges of the negative electrode terminal 6 and the positive electrode terminal 7 are withdrawn to the outside.例文帳に追加

陰極端子６および陽極端子７の端部が外部に引き出されるように、第２導電層４ｂ、陰極端子６および陽極端子７の周囲には、モールド外装樹脂８が形成されている。 - 特許庁

One surface 20a of the electronic tag 20 is colored such that the appearance color when a position where the electronic tag 20 is arranged is difficult to discriminate from a color of the shielding layer 21 when it is seen beyond the second plate-like glass 14.例文帳に追加

電子タグ２０が配置されている個所を第２の板状ガラス１４越しに見たときの外観色が遮蔽層２１の色と識別困難となるように、電子タグ２０の一方の面２０ａが着色されている。 - 特許庁

This pneumatic tire 1 is provided with a crossing belt 5 arranged so that each of a first belt 5A and a second belt 5B may cross, and an outermost layer belt 6 arranged on an outermost side of a radial direction of the pneumatic tire 1.例文帳に追加

空気入りタイヤ１は、第１ベルト５Ａ、第２ベルト５Ｂそれぞれのコードが交差するように配置される交差ベルト５と、空気入りタイヤ１の径方向の最も外側に配置される最外層ベルト６とを備える。 - 特許庁

For that reason, when the sealing gas is exhausted, the second dielectric layer 32B can be fixed in a state to be contacted with the top part of the barrier rib 23 by softening it to an extent so that a nearly trapezoid shape of its cross-sectional shape can be maintained.例文帳に追加

このため、封着排気時において、第２誘電体層３２Ｂを断面略台形形状が維持される程度に軟化させて、隔壁２３の頂部に接触する状態で固着させることができる。 - 特許庁