「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(366ページ目) - Weblio英語例文検索

A user device (102) operating in an orthogonal frequency division multiplex communication system (100) transmits first-layer and second-layer user data independent and user data dependent control signals on an uplink (124) by puncturing (510) user data information with user data independent and user data dependent control signals and generating a data stream.例文帳に追加

直交周波数分割多重通信システム（１００）において動作するユーザ装置（１０２）は、ユーザデータ情報をユーザデータ非依存及びユーザデータ依存制御信号でパンクチュア化（５１０）し、データストリームを生成することにより、第１層及び第２層のユーザデータ非依存及びユーザデータ依存制御信号をアップリンク（１２４）上で送信する。 - 特許庁

The optical film includes a substrate and a near-infrared absorbing layer located on one principal surface of the substrate, wherein the near-infrared absorbing layer includes a near-infrared absorbing compound, and the near-infrared absorbing compound contains a diimonium compound having a structure represented by formula (1), a first cyanine compound and a second cyanine compound.例文帳に追加

基材と、基材の一方の主面に配置された近赤外線吸収層を含み、近赤外線吸収層は近赤外線吸収化合物を含み、近赤外線吸収化合物は式（１）で示される構造を有するジイモニウム化合物と、第１のシアニン化合物と、第２のシアニン化合物とを含む。 - 特許庁

Extending over the entire surface of the upper surface of a substrate 11A made of sapphire, which has a projected part 11a having a width of about 10 μm in a side direction on the upper surface, a first semiconductor layer 12A composed of Al_yGa_1-yN and a second semiconductor layer 13 composed of In_xGa_1-xN are sequentially grown by a MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法を用いて上面に側面方向の幅が１０μｍ程度の凸部１１ａを有するサファイアよりなる基板１１Ａの上面に全面にわたって、Ａｌ_y Ｇａ_1-y Ｎよりなる第１の半導体層１２Ａと、Ｉｎ_x Ｇａ_1-x Ｎよりなる第２の半導体層１３とを順次成長させる。 - 特許庁

The second thermal contraction tube 13 is used in a double tube comprising a thermal melting adhesive 25 of an inner layer and a thermal contraction tube 26 of an outer layer 26, covers connection parts of the first thermal contraction tube 12, the lead terminals 15a and 15b, the cable core wires 16b and 16c, and the ends of a cable outer covering 27.例文帳に追加

第２の熱収縮チューブ１３は、内層の熱溶融接着剤２５と、外層の熱収縮性のチューブ２６とからなる二重チューブが用いられ、温度感知素子１１、第１の熱収縮チューブ１２、リード端子１５ａ，１５ｂとケーブル芯線１６ｂ，１６ｃとの接続部およびケーブル外被２７の端部を被覆する。 - 特許庁

In the thermal transfer recording medium consisting of a support, a separable first resin layer on the support and an ink-acceptable second resin layer bondable with a base material, a region except the image and its surrounding is made easily separable from the image and its surrounding by setting the adhesion of the image and its surrounding of the support stronger than that of the remaining region to the support.例文帳に追加

支持体、支持体上の剥離可能な第一樹脂層、第一樹脂層上のインク受容可能かつ基材と接着可能な第２樹脂層で構成される熱転写記録媒体において、画像及び画像周囲の層の接着力を強く設定し、画像周囲よりもそれ以外の領域を剥がれ易くする。 - 特許庁

The electron emission element includes an insulating layer having side faces, a recess formed on the side face of the insulating layer, a gate electrode arranged in an upper side of the recess, and a wedge-shaped emitter arranged in the periphery of a lower side of the recess and having the first sloped face in a recess side and the second sloped face in a side opposite to the recess.例文帳に追加

電子放出素子が、側面を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記側面に形成された凹部と、前記凹部の上方に配置されたゲート電極と、前記凹部の下側のへりに配置され、前記凹部側の第１斜面と前記凹部とは反対側の第２斜面を有するくさび形のエミッタと、を備える。 - 特許庁

The clearance generated in a contact portion between the surfaces of the electrode pad parts 118, 119 and the insulation layer 51, and the clearance generated in a contact portion between the surfaces of the electrode pad part 232 and the second base layer 123 are thereby covered to prevent the oxygen or water from being intruded into the sensor element 10 from the clearance.例文帳に追加

これにより、電極パッド部１１８，１１９と絶縁層５１の表面との接触部分にできる隙間や、電極パッド部２３２と第２基層１２３の表面との接触部分にできる隙間を覆うことができ、その隙間から酸素や水がセンサ素子１０内に侵入するのを防止できる。 - 特許庁

To provide a resin material comprising at least two layers or parts integrated with each other and characterized by that a first layer or part is composed of a flexible material hard to be injured and having rubbery or leatherlike appearance and a second layer or a part comprises a rubbery material having rigidity and impact resistance.例文帳に追加

少なくとも２層または２部分からなり、それが一体化したものであり、第１層または第１部分が柔軟で傷がつき難く、ゴム状、皮革状の外観を有する材料であり、第２層または第２部分が同様のゴム状材料または剛性、耐衝撃性を有する樹脂材料の提供。 - 特許庁

The heat storage layer 40 includes: a first protrusion 41 formed in the region R_1 where the heater H in the heat resistor layer 30 is positioned; and a second protrusion 42 which is formed in the region adjacent to the heater H in the heater H arrangement direction, and has a protrusion height lower than that of the first protrusion 41.例文帳に追加

蓄熱層４０は、発熱抵抗体層３０における発熱部Ｈが位置する領域Ｒ_１に形成される第１突出部４１と、発熱部Ｈの配列方向において該発熱部Ｈに隣接する領域に形成され且つ第１突出部４１より突出高さの低い第２突出部４２とを含んでいる。 - 特許庁

In a liquid crystal device 100, a conductive light-shielding layer 29 is provided in a region lower than a common electrode 21 in a counter substrate 20, and has electric continuity with the common electrode 21 in contact holes 27a and 27b of an insulating layer 27, a first conducting part 25a and a second conducting part 25b.例文帳に追加

液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。 - 特許庁

A semiconductor memory device related to an embodiment comprises: a word line wiring layer including multiple word lines extending in a first direction; a bit line wiring layer including multiple bit lines extending in a second direction intersecting with the first direction; and a pillar arranged between each of the word lines and each of the bit lines.例文帳に追加

実施形態に係る半導体記憶装置は、第１の方向に延びる複数本のワード線を含むワード線配線層と、前記第１の方向に対して交差する第２の方向に延びる複数本のビット線を含むビット線配線層と、各前記ワード線と各前記ビット線との間に配置されたピラーと、を備える。 - 特許庁

Thereafter, the post 11 is exposed by grinding the coating member 20 covering the rear face of the electronic component 10, and a second wiring layer connected electrically with the first wiring layer formed on the surface side is formed on the planar body 101 on the exposed surface side of that post 11 based on the position of the exposed post 11.例文帳に追加

その後、電子部品１０の裏面を被覆する被覆部材２０を研削してポスト１１を露出させ、板状体１０１のそのポスト１１の露出面側に、露出させたポスト１１の位置に基づき、表面側に形成した第１配線層に電気的に接続された第２配線層を形成する。 - 特許庁

The side face 23 of a mesa (a light-receiving region mesa 19) and at least a part (a shoulder 25) of the shoulder of the mesa in the top face 24 of the mesa are coated continuously with a first conductivity type, second conductivity type, semi-insulating type or non-doped semiconductor layer (such as a non-doped InP layer 17) grown thereon.例文帳に追加

メサ（受光領域メサ１９）の側面２３と、メサの上面２４における少なくとも当該メサの肩の部分（肩部２５）とは、それらの上に成長された第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層（例えば、ノンドープＩｎＰ層１７）により連続的に被覆されている。 - 特許庁

In a state that the projection 22 and a protrusion-side end surface 41a of the second protrusion 41 are inserted into an insertion hole 31 formed at an insulating layer 30 from different directions to abut against each other, the top surface-side circuit pattern 20 and the reverse surface-side circuit pattern 40 are laminated together with the insulating layer 30.例文帳に追加

そして、プロジェクション２２と第２突出部４１の突出側端面４１ａとを絶縁層３０に設けられる挿入穴３１に対して異なる方向から挿入して当接させた状態で表面側回路パターン２０および裏面側回路パターン４０を絶縁層３０とともに積層する。 - 特許庁

An array of ultrasonic transducers each includes a substrate (1); a film (2); a first electrode (4); a piezoelectric layer (5); and a second electrode (6), wherein the substrate (1) includes at least one opening (3) which adjoins the film (2) at one side, while the piezoelectric layer (5) has a high piezoelectric coupling coefficient k and is textured.例文帳に追加

本発明は、基板（１）と、膜（２）と、第１の電極（４）と、圧電層（５）と、第２の電極（６）とを夫々有する超音波変換器のアレイに関わり、基板（１）は、膜（２）と一つの側において隣り合う少なくとも一つの開口部（３）を有し、圧電層（５）は高い圧電結合係数ｋを有しテクスチャされている。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor electrode layer includes: preparing a coating liquid by adding, to metal oxide semiconductor fine particles 2, a first compound yielding titanium oxide on hydrolysis, and a second compound consisting of a niobium (V) compound yielding oxide or hydroxide on hydrolysis, or phosphoric acid or phosphoric ester; and putting a layer of the coating liquid on a support member 5 followed by low temperature calcination.例文帳に追加

金属酸化物半導体微粒子２に、加水分解して酸化チタンを生じる第１の化合物と、加水分解すると酸化物あるいは水酸化物を生じるニオブ(Ｖ)化合物、もしくはリン酸あるいはリン酸エステルのいずれかである第２の化合物とを加えた塗液を形成する。 - 特許庁

The etching depth of the part 52A superposed to the first trenches 51 of the second trench 52 is made larger than the part 52B which is not superimposed on the first trenches 51 by the depths of the first trenches 51, and can be formed at a depth penetrating at least one layer, in the lower oxidizable layer in the laminating direction in this case.例文帳に追加

このとき、第２溝５２の第１溝５１に重なる部分５２Ａのエッチング深さは、第１溝５１の深さ分だけ、第１溝５１に重ならない部分５２Ｂよりも大きくなり、積層方向において下部酸化可能層のうち少なくとも１層を貫通する深さとすることが可能となる。 - 特許庁

The light emitting device includes a plurality of light emitting diodes 12 arranged on a substrate 11, a first medium layer 13 formed at least at a side surface of the light emitting diode 12 in the peripheral region of the light emitting diode 12, and a second medium layer 14 formed at least at the upper part of the light emitting diode 12.例文帳に追加

発光装置は、基板１１上に配置された複数の発光ダイオード１２と、発光ダイオード１２の周囲の領域において発光ダイオード１２の少なくとも側面に設けられた第１の媒質層１３と、発光ダイオード１２の少なくとも上部に設けられた第２の媒質層１４とを有する。 - 特許庁

A heater unit 1 includes a heater 2 heated by being energized and the reflecting plate arranged beneath the heater 2, wherein: it processes in heat treatment a semiconductor substrate; and the reflecting plate is constructed by a heater unit reflecting plate 4 formed by laminating a first layer 7 consisting of silicon carbide and second layer 8 consisting of stainless steel.例文帳に追加

本発明に係るヒータユニット１は、通電によって加熱されるヒータ２と、該ヒータ２の下側に配設される反射板と、を備え、半導体基板を加熱処理するヒータユニット１であって、前記反射板は、炭化ケイ素からなる第１層７とステンレスからなる第２層８とを積層したヒータユニット反射板４とから構成される。 - 特許庁

A magnitude relation between an applied voltage to an area A right above a slit in a liquid crystal layer 15 and an applied voltage to an area B without the slit in the liquid crystal layer 15 may be controllable according to a purpose by optionally setting electric potentials Va and Vb supplied to the first sub electrode 12A and the second sub electrode 12B, respectively.例文帳に追加

第１サブ電極１２Ａおよび第２サブ電極１２Ｂへ供給する電位Ｖａ，Ｖｂを適宜設定することで、液晶層１５のうちのスリット直上の領域Ａへの印加電圧と、スリットのない領域Ｂへの印加電圧との大小関係を目的に応じて自在に制御可能となる。 - 特許庁

In a first embodiment, a gas diffusion layer 5 has a first hole portion 23 consisting of a thin passage portion 21 connecting a first opening portion 17 formed on a surface contacting with a projecting portion 15 of a gas passage of a separator, and a second opening portion 18 formed on a surface on the side of the electrode catalyst layer with each other.例文帳に追加

第一実施形態としては、ガス拡散層５が、セパレータのガス流路の凸部１５に接する面に設けた第一の開口部１７と電極触媒層側の面に設けた第二の開口部１８とを結ぶ細路部２１からなる第一の孔部２３を有するガス拡散層であることを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus 10 for cleaning water is formed by arranging a first cleaning layer 11, which is formed by solidifying a mixture including a soil material, a cement-based solidifying material and an aggregating agent, and a second cleaning layer 12 including chaff charcoal C in a box-shaped casing 13 through which dirty water DW to be treated can pass.例文帳に追加

浄水装置１０は、処理対象である汚濁水ＤＷが通過可能な箱体状のケーシング１３内に、土材、セメント系固化材及び団粒化剤を含む混合物を固化させて形成した第一浄化層１１と、籾殻炭Ｃを含む第二浄化層１２と、を配置して形成されている。 - 特許庁

A signal transmission module has an optical waveguide structure for application of converting and transmitting an electrical signal or an optical signal, and comprises a semiconductor substrate, a first film layer, an electrical signal transmission device, an optical/electrical signal conversion device, a second film layer, and an optical waveguide structure.例文帳に追加

本発明は、電気信号または光信号に対する変換および伝送に応用する、光導波路構造を有する信号伝送モジュールであって、半導体基板と、第１膜層と、電気信号伝送デバイスと、光電気信号変換デバイスと、第２膜層と、光導波路構造と、を含む信号伝送モジュールである。 - 特許庁

A source electrode 107 is formed of a first metal layer 1071 of MoW and a second metal layer 1072 of Al, on which a coating type insulating film 109 is formed, and further a common electrode 110, an interlayer insulating film 111 and a pixel electrode 112 are formed on the coating type insulating film 109.例文帳に追加

ＭｏＷによる第１金属層１０７１とＡｌによる第２の金属層１０７２で形成されるソース電極１０７の上に塗布型絶縁膜１０９が形成され、塗布型絶縁膜１０９の上にコモン電極１１０、層間絶縁膜１１１、画素電極１１２が形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor layer 12 of a semiconductor device 10, a first lifetime control region 32 is formed so as to continuously elongate over both a diode region 20 and an IGBT region 40 and to be provided in a range between a first depth and a second depth when observed from a surface of the semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体装置１０の半導体層１２には、ダイオード領域２０とＩＧＢＴ領域４０の双方に亘って連続して伸びているとともに、半導体層１２の表面から観測して第１深さと第２深さの間の範囲に設けられている第１ライフタイム制御領域３２が形成されている。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 100 is provided with, in the following order: a first electrode 6; an active layer 4 capable of generating electric charge by means of incident light; a second electrode 2; and a wavelength conversion layer 9 capable of emitting light by wavelength conversion of an incident UV ray into light having a wavelength longer than that of the UV ray.例文帳に追加

有機光電変換素子１００に、第一の電極６と、光の入射により電荷を生じうる活性層４と、第二の電極２と、入射した紫外線を前記紫外線よりも長波長の光に波長変換して出射させうる波長変換層９とを、この順に設ける。 - 特許庁

The liquid crystal device includes a pixel electrode 35, a switching element 34, a counter electrode 82 made of material having a larger work function than that of the pixel electrode 35, the liquid crystal layer 28, a first alignment film 71, and a second alignment film 83 provided between the liquid crystal layer 28 and the counter electrode 82.例文帳に追加

本発明の液晶装置は、画素電極３５と、スイッチング素子３４と、画素電極３５よりも仕事関数が大きい材質からなる対向電極８２と、液晶層２８と、第１配向膜７１と、液晶層２８と対向電極８２との間に設けられた第２配向膜８３と、を備える。 - 特許庁

An outside belt end part 102a of the first belt layer 102 and an outside belt end part 104a of the second belt layer 104 are positioned on the vehicle-installed outside more than an end part 110a of the vehicle-installed outside of the tread part 3a and the vehicle-installed inside more than an end part 120a on the vehicle-installed outside of the tread part 3.例文帳に追加

第１ベルト層１０２の外側ベルト端部１０２ａ、及び、第２ベルト層１０４の外側ベルト端部１０４ａは、トレッド踏面部３ａの車両装着外側の端部１１０ａよりも車両装着外側、且つ、トレッド部３の車両装着外側の端部１２０ａよりも車両装着内側に位置する。 - 特許庁

In case the water leaks from the block lining 12, a hose for water drainage is placed in the joint portions within a range where the water leaks, and then the first-layer joint material 16a, the metal fittings 24 and the second-layer joint material 16b are filled in the joint portions, so as to have a structure with the hose for water drainage embedded in the joint 14.例文帳に追加

ブロック覆工１２に漏水が生じている場合には、当該漏水を生じている範囲の目地やせ部分に排水用ホースを設置してから、一層目の目地材１６ａ、金具２４及び二層目の目地材１６ｂを目地やせ部分に詰め込んで、目地１４の内部に排水用ホースを埋設した構成とする。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes a semiconductor substrate 11, the p-type semiconductor layer which is formed on or above the semiconductor substrate 11, is composed of nitride semiconductor and includes a first impurity and an insulating film 20 which contacts the p-type semiconductor layer and has an impurity region 23 including a second impurity capturing hydrogen.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上または上方に形成され、窒化物半導体からなり、第１の不純物を含むｐ型半導体層と、ｐ型半導体層に接し、水素を捕獲する第２の不純物を含む不純物領域２３を有する絶縁膜２０とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing inkjet recording medium includes: a step of forming a coating layer on its support body by coating a first coating liquid containing inorganic particles, acetoacetyl modified polyvinyl alcohol, zirconium compounds, and basic compound; and a step of providing a second coating liquid containing acidic compound onto the coating layer.例文帳に追加

インクジェット記録媒体の製造方法に、支持体上に、無機微粒子、アセトアセチル変性ポリビニルアルコール、ジルコニウム化合物、および塩基性化合物を含む第１の塗布液を塗布して塗布層を形成する工程と、前記塗布層上に酸性化合物を含む第２の塗布液を付与する工程と、を備えせしめる。 - 特許庁

The optical multilayer film element of the present invention is provided with: a first multilayer film formed by laminating materials having different refraction indices, and having a SiO_2 layer at least on one face; and a second multilayer film formed by laminating materials having different refraction indices and having a SiO_2 layer at least on one face.例文帳に追加

本発明に係る光学多層膜素子は、屈折率の異なる材料を積層して形成され、少なくとも一方の表面にＳｉＯ２層を有する第１の多層膜と；屈折率の異なる材料を積層して形成され、少なくとも一方の表面にＳｉＯ２層を有する第２の多層膜とを備る。 - 特許庁

The positive working lithographic printing plate precursor disclosed comprises a hydrophilic supporting body and a coating which is applied on the hydrophilic surface and which comprises a first layer containing an oleophilic resin soluble in an aqueous alkaline developer and a second layer comprising a water-repellent compound, layered in this order.例文帳に追加

親水性支持体、並びに親水性表面上に設けられた水性アルカリ性現像剤中に可溶性である親油性樹脂を含有する第一層と撥水性化合物を含んでなる第二層とを記載の順序で含んでなるコーティングを含んでなるポジ作用性印刷版前駆体を開示する。 - 特許庁

This exhaust emission control device includes: a NOx storage reduction exhaust emission control catalyst having a first catalyst layer including K carried on a metal carrier; and a particulate filter arranged downstream of the NOx storage reduction exhaust emission control catalyst and having a second catalyst layer carried on a filter catching particulate matter in exhaustion.例文帳に追加

排気浄化装置は、Ｋを含む第一触媒層がメタル担体に担持されたＮＯｘ吸蔵還元型排気浄化触媒と、このＮＯｘ吸蔵還元型排気浄化触媒の下流に配置され、排気中のパティキュレートマターを捕捉するフィルタに第二触媒層が担持されたパティキュレートフィルタとを備える。 - 特許庁

The optical recording medium of a transmission type for recording information by the principle of holography principle and performing tracking control by using servo light, includes a first substrate, the recording layer, a filter layer which selectively reflects the servo light, and a second substrate, in this order.例文帳に追加

ホログラフィの原理により情報を記録するとともに、サーボ用光を用いてトラッキング制御を行う透過型の光記録媒体であって、第一の基板と、記録層と、前記サーボ用光を選択的に反射するフィルタ層と、第二の基板とをこの順に有することを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁

A first common electrode which has a plurality of first constant potential electrode parts 31 arranged corresponding to the respective individual electrodes 21 and first electrode lines 32 electrically connected to all of the plurality of constant potential electrode parts 31 is disposed between the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer b.例文帳に追加

第１圧電層と第２圧電層ｂとの間には、各個別電極２１に対応させて配列された複数の第１定電位電極部３１と、複数の第１定電位電極部３１の全てと電気的に接続する第１電極配線３２とを有する第１共通電極が設けられている。 - 特許庁

Furthermore, when the conversion coefficient is similarly quantized and encoded as a second layer at a quantization step smaller than the above quantization step, the quantization coefficient after quantization is reflectively encoded as reducing a quantization error in each layer until generated code quantity becomes specified code quantity by using an inverse quantization part 16 and a quantization part 19.例文帳に追加

更に前記より小さい量子化ステップで同様に量子化し第二レイヤとして符号化するに当り、量子化後の変換係数を逆量子化部１６、量子化部１９を用いて、発生符号量が所定の符号量になるまで再帰的に各レイヤで量子化誤差を低減しながら符号化する。 - 特許庁

A topside-planarized silicon oxide upper layer insulation film 18 is formed on the insulation film 17 to form a layer insulation film 19 on which a second aluminum alloy wiring pattern 20 is formed and electrically connected to upper plus 15b.例文帳に追加

下部層間絶縁膜１７の上には、酸化シリコンからなり、その上面が平坦化された上部層間絶縁膜１８が形成されて層間絶縁膜１９を構成し、該層間絶縁膜１９の上にはアルミニウム合金からなる第２の配線パターン２０が上部プラグ１５ｂと電気的に接続されるように形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser assembly 30 has a semiconductor laser element 32; a sub-mount 36 made of SiC which is jointed to the substrate side of the semiconductor laser element 32 via a first indium solder-layer 34; and a heat sink 40, made of Cu which is jointed to the rear-surface side of the sub-mount 36 via a second indium solder-layer 38.例文帳に追加

本半導体レーザアセンブリ３０は、半導体レーザ素子３２と、第１のインジウム半田層３４を介して半導体レーザ素子３２の基板側に接合されているＳｉＣ製サブマウント３６と、第２のインジウム半田層３８を介してサブマウント３６の裏面側に接合されているＣｕ製ヒートシンク４０とを備えている。 - 特許庁

The ultrasonic probe includes a flexible substrate 10 having a second copper foil layer 21 composed of a plurality of conductor patterns 25 connected electrically to the piezoelectric vibrator, wherein division slits 15 are provided between piezoelectric vibrators so as to cut into a wide part 26b' in a conductor pattern 25' and a part 27' of the first layer.例文帳に追加

超音波プローブは、圧電振動子と電気的に接続される複数の導体パターン２５からなる第二銅箔層２１を有するフレキシブル基板１０を備え、圧電振動子の間に設けられる分割スリット１５は、導体パターン２５′における幅広部２６ｂ′及び第一層目の部分２７′に切れ込むように設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic EL panel having at least a first electrode, one layer or more of organic functional layers, a second electrode, and a sealing layer on a belt-shaped flexible base material, in which a roll-to-roll process realizes high production efficiency and stable performance quality, and provide an organic EL display.例文帳に追加

帯状の可撓性基材上に少なくとも第１電極と、１層以上の有機機能層と、第２電極と、封止層とを有する有機ＥＬパネルを、ロールツーロール方式により生産効率が高く、性能品質が安定している有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ表示装置の提供。 - 特許庁

Organic SOG films 6 and 13 of specific permittivity 3.0 or below are used for insulating the adjacent wirings from each other in a second wiring layer M2 and a third wiring layer M3 which are set minimum in line width and laid out short in length resting on a layout rule, by which the adjacent wiring layers can be lessened in interlayer capacitance between them.例文帳に追加

レイアウトルールの最小線幅で加工され、短距離引き回し配線である第２層配線Ｍ_2 および第３層配線Ｍ_3 では、隣接配線間の絶縁に比誘電率が約３. ０以下の有機ＳＯＧ膜６，１３を用いることによって、隣接配線間の層間容量を小さくする。 - 特許庁

The polarization conversion element 1 includes a block body 20 which is a flat plate member wherein a first base material 11 and a second base material 12 are alternately disposed via a polarization split layer 13 or a reflection layer 14, and a retardation plate 15 is selectively arranged on a light emission face side of the block body 20.例文帳に追加

偏光変換素子１は、第１基材１１と第２基材１２とが偏光分離層１３または反射層１４を間に挟んで交互に配置された平板状部材であるブロック体２０を備え、このブロック体２０の光射出面側には選択的に位相差板１５が設けられている。 - 特許庁

On a transparent base board 21, a plurality of first electrodes 22 in striped form made of a transparent electroconductive material, an organic layer 25 having a layer consisting of an organic light emitting material, and a plurality of second electrode strips 26 made of metal or its alloy are provided one over another in the sequence as named so that an optical element 20 is formed.例文帳に追加

透明基板２１上に、透明導電材料からなるストライプ状の第１の電極２２複数と、有機発光材料からなる層を有した有機層２５と、金属あるいは合金からなるストライプ状の第２の電極２６複数とがこの順に形成された光学素子２０である。 - 特許庁

In the catheter 10 with a reinforcing layer 50 formed on the outer periphery of a lumen 21, at least a part of the reinforcing layer 50 is formed by winding in multiple streaks at least a first wire 51 and a second wire 52 which are different from each other in at least either reflectance or transmittance of the detection wave used to see through a human body.例文帳に追加

ルーメン２１の外周に補強層５０が形成されているカテーテル１０であって、人体を透視する検出波の反射率と透過率との少なくとも一方が相違する少なくとも第一のワイヤ５１と第二のワイヤ５２とが多条に巻回されて補強層５０の少なくとも一部が形成されている。 - 特許庁