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「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(362ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > second-layerの意味・解説 > second-layerに関連した英語例文

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second-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21457



例文

A nitride semiconductor device 111 comprises: a semiconductor layer 30 containing a nitride semiconductor; a source electrode 40; a drain electrode 50; a first gate electrode 10; and a second gate electrode 20.例文帳に追加

窒化物半導体を含む半導体層30と、ソース電極40と、ドレイ電極50と、第1ゲート電極10と、第2ゲート電極20と、を備えた窒化物半導体装置111が提供される。 - 特許庁

Nitride ion gas 18 generated by ionizing plasma is radiated to the surface of second nitride semiconductor layer 14 with a cathode for generating plasma fully away from a substrate to be processed.例文帳に追加

第2の窒化物半導体層14の表面に、プラズマを電離することにより生成した窒素イオンガス18を、プラズマを発生させる陰極と被処理基板の距離を十分離して照射する。 - 特許庁

A nitride semiconductor device includes a semiconductor laminate 110 made of a nitride semiconductor comprising a first main surface and a second main surface that faces it, and containing a channel layer 104.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、第1主面及び該第1主面と対向する第2主面を有する窒化物半導体からなり、チャネル層104を含む半導体積層体110を有している。 - 特許庁

The method for manufacturing the microlens array includes a process for forming second layers 126 on a member having a first layer 120 and shading layers 122 and provided with a plurality of recessed parts 124.例文帳に追加

マイクロレンズアレイの製造方法は、第1の層120及び遮光性層122を有してなるとともに複数の凹部124が形成された部材上に、第2の層126を形成することを含む。 - 特許庁

例文

A color layer 61 transmitting light having a wavelength of red and absorbing light having a wavelength shorter than the wavelength of red is provided between the second and the third liquid crystal layers 52 and 53.例文帳に追加

さらに、第2の液晶層52と第3の液晶層53との間には、赤色の波長の光を透過し、かつ、赤色より短い波長の光を吸収する着色層61が設けられている。 - 特許庁


例文

The cathode member includes a first contact part 111 coming in contact with the cathode catalyst layer, a second contact part 112 coming in contact with the cathode separator, and a gas passage 121 through which gas flows.例文帳に追加

カソード電極部材は、カソード触媒層に対して接触する第1の接触部111と、カソードセパレータに対して接触する第2の接触部112と、ガスが流れるガス流路121と、を備えている。 - 特許庁

A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.例文帳に追加

選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、n型InP層13の上面の一部にp型InP領域14(2導電型半導体領域)が形成されている。 - 特許庁

The optical reflectivity and/or phase of the indices are different from the surrounding servo layer, and the indices are optically accessible from at least one of the first side and the second side of the tape.例文帳に追加

指標の光反射率および/または位相は、まわりのサーボ層とは異なっており、指標は、テープの第1の側および第2の側の少なくとも一方から光学的にアクセス可能である。 - 特許庁

The divided second semiconductor elements 8 are picked up from the dicing film 21, and the adhesive films 22 stuck on the rear surface thereof are bonded as an adhesive layer on the first semiconductor element.例文帳に追加

分割した第2の半導体素子8をダイシングフィルム21からピックアップすると共に、その裏面に貼り付けられた接着剤フィルム22を接着剤層として第1の半導体素子上に接着する。 - 特許庁

例文

The electroluminescent element 1 has a second light emitting layer 40a including a host material containing a mixed crystal of zinc sulfide and a gallium sulfide, and manganese as the light emitting center added to the host material.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス素子1は、硫化亜鉛と硫化ガリウムとの混晶を含むホスト材料と、前記ホスト材料に添加された発光中心としてのマンガンと、を含む第2発光層40aを有する。 - 特許庁

例文

There is provided the method of manufacturing a lithium secondary cell in which the active substance layer 130 containing a second metal not alloyed with Li and an active substance is formed on the current collector 110 containing a first metal not alloyed with Li.例文帳に追加

Liと合金化しない第一金属を含む集電体110上に、Liと合金化しない第二金属および活物質を含む活物質層130を形成するリチウム二次電池の製造方法である。 - 特許庁

The first conductive barrier layer includes a substance that suppresses the diffusion of the first metal from the first metal region to the outside, and the second metal region includes a catalytic metal internally.例文帳に追加

前記第1導電性バリア層は、前記第1金属領域からの前記第1金属の外部拡散を抑制する物質を含み、前記第2金属領域は、内部に触媒金属を含む。 - 特許庁

A second coil conductor 13 having an inductance substantially identical to that of the first coil conductor 9 and slightly longer than the first coil conductor 9 is formed on the third insulation layer 11.例文帳に追加

第3絶縁層11上には、第1のコイル導体9とほぼ同じインダクタンス値を有し、かつ、第1のコイル導体9よりも僅かに全長が長い第2のコイル導体13が形成されている。 - 特許庁

When the hydrogen permeable membrane for selectively permeating hydrogen is produced, a metal base layer containing a metal of Group 5 and a second component capable of being oxidized, nitrided or carbonized is firstly prepared (step S100).例文帳に追加

水素を選択的に透過させる水素透過膜を製造する際には、まず、5族金属と、酸化、窒化あるいは炭化され得る第2の成分とを含有する金属ベース層を用意する(ステップS100)。 - 特許庁

Then, nano-crystallization process is conducted by using an electrolyte comprising a mixed solution of hydrogen fluoride aqueous solution and ethanol and oxidization process is conducted to form a second composite nano-crystalline layer 6a.例文帳に追加

その後、フッ化水素水溶液とエタノールとの混合液よりなる電解液を用いたナノ結晶化プロセスを行い、酸化プロセスを行うことで第2の複合ナノ結晶層6aを形成する(図1(c))。 - 特許庁

The resin layer contracts and decreases in volume by being irradiated with light of a first wavelength, and expands and increases in volume by being irradiated with light of a second wavelength different from the first wavelength.例文帳に追加

前記樹脂層は、第1波長の光の照射により収縮して体積が小さくなり、前記第1波長とは異なる第2波長の光の照射により膨張して体積が大きくなる。 - 特許庁

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole.例文帳に追加

第2の化合物半導体層103は、n型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。 - 特許庁

An acoustic lens 12 is formed on each of the upper surfaces of the second oscillator electrodes 23 via an acoustic matching layer 11 and first signal electrodes 24 are respectively formed in the respective first oscillator electrodes 22.例文帳に追加

この第2振動子電極23上面に音響整合層11を介して音響レンズ12が形成され、各第1振動子電極22に第1信号電極24が夫々形成されている。 - 特許庁

The transistor has a second gate electrode for controlling a threshold voltage in addition to a normal gate electrode, and has extremely low off-state current because its active layer includes an oxide semiconductor.例文帳に追加

上記トランジスタは、通常のゲート電極の他に、閾値電圧を制御するための第2のゲート電極が備えられており、また、活性層に酸化物半導体を含むためにオフ電流が極めて低い。 - 特許庁

A bonding pad 42 for grounding on a surface of a second circuit device 40 is connected, via a ground wire 70 made of gold or the like, to a bonding pad 62 provided on a surface of a conductive layer 60.例文帳に追加

第2の回路素子40の表面に設けられた接地用のボンディングパッド42を、金などの接地用ワイヤ70によって、導電層60の表面に設けられたボンディングパッド62と接続する。 - 特許庁

The other main surface of the first conductive layers 103, connected to the heat sink 101, and the other main surface of the second conductive layer with which the power semiconductor element is brought into contact, are connected.例文帳に追加

前記放熱板101に接合された第1の導電層103のもう一方の主面と、パワー半導体素子が接する第2の導電層のもう一方の主面とが接続される。 - 特許庁

A first heater 23a which heats a fixing roller (not shown) is supplied with power from a commercial power source 43 whereas a second heater 23b is supplied with power from a power storage device 45 which is an electric double-layer capacitor.例文帳に追加

定着ローラ(図示せず)を加熱する第1ヒータ23aは商用電源43から給電され、第2ヒータ23bは電気二重層コンデンサである蓄電装置45から給電される。 - 特許庁

An insulating layer 15 covering the organic light emitting elements 10R, 10G and 10B is provided with a first aperture 15A and a second aperture 15B per organic light emitting element.例文帳に追加

有機発光素子10R,10G,10Bを覆う絶縁層15には、有機発光素子10R,10G,10Bの各々ごとに、第1の開口部15Aおよび第2の開口部15Bが設けられている。 - 特許庁

The lower end layer 2a is formed at a first forming temperature of 900-1,100°C, and the remaining layers are formed at a second forming temperature of 1,100-1,280°C higher than the first forming temperature.例文帳に追加

下端層2aは、900℃〜1100℃の第1形成温度にて形成し、残りの層は、これに連続して、第1形成温度よりも高い1100℃〜1280℃の第2形成温度にて形成する。 - 特許庁

The first and second heat-resistance reinforcing layers are each formed of a layer using selenium as a main body and containing 10-40 wt.% in total of one or more constituents out of As, Ge and Ga.例文帳に追加

第1、第2の耐熱強化層は、セレンを主体とし、As、Ge、Gaのうち少なくとも一以上の成分を総量で10重量パーセント以上40重量パーセント以下含有する層とする。 - 特許庁

To control a recording/reproducing position by irradiation with second light without depending on a track pitch formed in a position control information recording layer by performing recording/reproducing by irradiation with first light.例文帳に追加

第1の光の照射により記録再生を行い位置制御情報記録層に形成されたトラックのピッチに依らぬにずに第2の光の照射により記録再生位置の制御を行う。 - 特許庁

The luminous layer 30 is composed of a first and a second phosphor layers 32 and 34 disposed in a sate that the end parts thereof are overlapped each other in an area R which is a space between the electrodes.例文帳に追加

発光体層30は、電極間スペースである領域Rにおいて互いに端部が重なり合うように設けられた第1蛍光体層32及び第2蛍光体層34から構成されている。 - 特許庁

An alignment layer covers the protrusion and the upper substrate and is aligned along a second direction, parallel to the first direction or extended from the reflective region to the transmissive region so as to intersect with the first direction.例文帳に追加

配向膜は突起と上基板を被覆し、第一方向に平行な第二方向に沿って配向するか、或いは、第一方向と交差するように反射領域から透過領域に延伸する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer advantageous for setting a relatively more carrying volume of a fluid matter at a first exposed surface side of a base material and relatively less at a second exposed surface side.例文帳に追加

流動物の担持量を基材の第1表出面側で相対的に多く、基材の第2表出面側で相対的に少なく設定させるのに有利なガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating liquid is delivered to a substrate 10 on which a wiring pattern including first and second leads 12, 14 is formed, and an insulating layer 16 is formed so that a part of the first lead 12 may be covered.例文帳に追加

第1及び第2のリード12,14を含む配線パターンが形成された基板10に、絶縁性の液体を吐出して、第1のリード12の一部を覆うように、絶縁層16を設ける。 - 特許庁

A first gate electrode 38 and a second gate electrode 39 are provided in the same layer on a vertical transfer channel 33 via a gate insulating film 35 for controlling the read or transfer of signal charges.例文帳に追加

第1ゲート電極38や第2ゲート電極39は垂直転送チャネル33上の同一層内にゲート絶縁膜35を介して設けられ、信号電荷の読み出しや転送を制御する。 - 特許庁

A floating gate is formed into an L- shaped thin layer of a conductive material, and has a first part positioned on a channel region and a second part extending vertically along the conductive block.例文帳に追加

フローティングゲートは、導電性材料の薄いL字型層として形成され、チャンネル領域上に配置された第1部分と、導電性ブロックに沿って垂直に延びる第2部分とを有する。 - 特許庁

A semiconductor light receiving element has multilayered structure, and each layer has each thickness and width and has conductivity property of either a first conductivity (for example, p-type) or a second conductivity (for example, n-type).例文帳に追加

半導体受光素子は多層構造で、各層はそれぞれの厚さと幅を有し、かつ第一の導電型(例えばp型)または第二の導電型(例えばn型)のいずれかの導電型特性を有する。 - 特許庁

The second line 15a is electromagnetically coupled with the first line 13a so as to sandwich the dielectric layers 13, 14, and also electromagnetically coupled with the third line 16a so as to sandwich the dielectric layer 15.例文帳に追加

第2の線路15aは、誘電体層13,14を間にして第1の線路13aと電磁的に結合し、誘電体層15を間にして第3の線路16aと電磁的に結合している。 - 特許庁

To provide a structure for fixing a flexible sheet-like first member to a second member having an FRP layer via sewing threads in the case of fixing a plastic member in which an interface is hard to be adhered.例文帳に追加

この発明は、界面が接着しにくいプラスチック部材を固着する際に縫糸を介して柔軟なシート状の第1部材とFRP層を有する第2部材とを固着する構造に関する。 - 特許庁

The recording layer 18 of a high-speed WORM type optical recording medium 10 is formed by laminating first and second subrecording layers 18A, 18B mainly containing metals of one kind, e.g. Al and Sb.例文帳に追加

高速追記型光記録対媒体10の記録層18は、一種の金属、例えばAl及びSbをそれぞれの主成分とする第1及び第2副記録層18A、18Bを積層してなる。 - 特許庁

A contact 5 of each side wall 4 in contact with the side peripheral edge of the substrate W, the first support piece 20, and the second support piece 24 are coated with a resin layer 30 with lower friction than the container body 1.例文帳に追加

そして、基板Wの側部周縁と接触する各側壁4の接触部5、第一の支持片20、及び第二の支持片24を容器本体1よりも低摩擦性の樹脂層30で被覆する。 - 特許庁

The electrolyte membrane 20 is composed of a first electrolyte layer 31 which is formed on one side and is supplied with an electrode active material that generates ions to conduct in the electrolyte membrane 20 and a second electrolyte layer 32 which is formed on the other side and is formed of a high ion conductive electrolyte having a higher ion conductivity than the electrolyte to form the first electrolyte layer 31.例文帳に追加

電解質膜20は、この電解質膜20内を伝導するイオンを生じる電極活物質が供給される一方の側に形成される第1の電解質層31と、他方の側に形成されると共に、第1の電解質層31を形成する電解質よりもイオン伝導性が高い高イオン伝導性電解質によって形成される第2の電解質層32と、から成る。 - 特許庁

The multi-color thermal recording material has a first thermal coloring layer containing a black coloring dye precursor and a developer provided on the support and a second thermal coloring layer containing solid dispersion fine particles made of a dye precursor having a coloring hue different from the coloring tone of the first thermal coloring layer, a developer, and a fluorescent whitener.例文帳に追加

支持体上に、黒発色する染料前駆体と顕色剤とを含有する第1感熱発色層を設け、更に第1感熱発色層上に第1感熱発色層の色調と異なる発色色相を有する染料前駆体からなる固体分散微粒子、顕色剤及び蛍光増白剤を含有する第2感熱発色層を有することを特徴とする。 - 特許庁

A bilayer protective coating 12 is formed on the surface of turbine components by depositing a first inner platinum aluminide layer 14 on the surface of the turbine components, and a second outer oxidation resistant layer 16 comprising an MCrAlX alloy over the first inner layer, wherein M is a metal selected from Fe, Ni and Co, and X is yttrium or another rare earth element.例文帳に追加

タービン部品の表面に、白金アルミナイドの第1内側層14と、第1内側層上に設けられたMCrAlX合金(式中、MはFe、Ni及びCoから選択され、Xはイットリウム又は他の希土類元素から選択される。)を含む第2外側耐酸化性層16とを堆積することによって、タービン部品表面に二層保護皮膜12を成膜する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a substrate 10, a first electrode 32 provided above the substrate 10, a ferroelectric layer 34 provided above the first electrode 32, a second electrode 36 provided above the ferroelectric layer 34, and an insulating side spacer 14 provided above the first electrode 32 and provided on at least a side surface of the ferroelectric layer 34.例文帳に追加

半導体装置100は、基板10と、基板10の上方に設けられた第1電極32と、第1電極32の上方に設けられた強誘電体層34と、強誘電体層34の上方に設けられた第2電極36と、第1電極32の上方に設けられ、かつ、少なくとも強誘電体層34の側面に設けられた絶縁性のサイドスペーサ14と、を含む。 - 特許庁

The optical waveguide 10 includes: a first cladding layer 15; a first waveguide core 20 formed on the first cladding layer 15; and a second cladding layer 35 formed to cover the first waveguide core 20, wherein the first waveguide core 20 includes a first long period grating 30 formed in at least one sidewall 24 of the first waveguide core 20.例文帳に追加

第一のクラッド層15と、前記第一のクラッド層15上に形成された第一の導波路コア20と、前記第一の導波路コア20を覆うように形成された第二のクラッド層35と、を備え、前記第一の導波路コア20は、該第一の導波路コア20の少なくとも一つの側壁24に形成された第一の長周期グレーティング30を有する光導波路10を提供する。 - 特許庁

The glass fibers for rubber reinforcement comprises: a strand composed of glass fiber filaments bundled together; a first coating layer formed on the strand and comprising a phenol compound-formaldehyde condensate selected from a monohydroxybenzene-formaldehyde condensate and a chlorophenol-formaldehyde condensate and an acrylonitrile-butadiene copolymer; and a second coating layer formed on the first coating layer and comprising a chlorosulfonated polyethylene and maleimide.例文帳に追加

複数本のガラス繊維フィラメントを集束させたストランドにモノヒドロキシベンゼン−ホルムアルデヒド縮合物またはクロロフェノール−ホルムアルデヒド縮合物から選ばれたフェノール類−ホルムアルデヒド縮合物と、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体とを含有する1次被覆層を形成し、その上層にクロロスルホン化ポリエチレンとマレイミドを含有する2次被覆層を設けてなるゴム補強用ガラス繊維。 - 特許庁

Bi-layer oral osmotic dosage forms include a first component layer, comprising a selected drug and excipients for forming a deliverable drug composition when hydrated, and a second push layer, comprising a fluid-expandable osmopolymer and excipients, contained within a compartment formed by a semipermeable membrane and having exit means for drug release from the compartment.例文帳に追加

二層経口浸透性投薬形態には、水和すると、送達可能な薬物組成物を形成するために選択された薬物および賦形剤を含んでなる第一成分層、および半透膜により形成されるコンパートメント内に含まれる、流体膨張可能なオスモポリマーおよび賦形剤を含んでなり、コンパートメントからの薬物放出のための流出方法を有する第二押出層が含まれる。 - 特許庁

This sensor wherein a moving electrode 4 of the moving part 1 is arranged oppositely to the fixed electrodes 6, 7 and an acceleration is detected based on a capacity change between the moving electrode 4 and the fixed electrodes 6, 7 when the moving part 1 is displaced by receiving the acceleration, is constituted of an SOI substrate 20 having an insulating layer 22 between the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 23.例文帳に追加

可動部1の可動電極4を固定電極6、7と対向配置し、加速度を受けて可動部1が変位したときの可動電極4と固定電極6、7間の容量変化に基づいて加速度を検出するようにしたものであって、第1の半導体層21と第2の半導体層23との間に絶縁層22を有するSOI基板20によって構成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the ZnO nanowire by using ultrasonic energy comprises: a first step of forming a Zn layer on the surface of a substrate; a second step of patterning the Zn layer; and a third step of putting the resulting substrate in a mixed solution of a Zn-containing solution with a Zn ionization solution and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by using an ultrasonic generator.例文帳に追加

基板の表面にZn層を形成する第1段階と、Zn層をパターニングする第2段階と、基板をZnを含む溶液とZnをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Zn層上にZnOナノワイヤを形成する第3段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したZnOナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁

Related to a photoelectric conversion device wherein a plurality of pixels comprising a photoelectric conversion element 11 and a switching thin-film transistor 12 are arrayed, a gate electrode 1021 of the switching thin- film transistor 12 is formed of a first conductive layer, while a gate wiring 1022 connected to the gate electrode 1021 is formed of a second conductive layer different from the first conductive layer.例文帳に追加

光電変換素子11とスイッチ薄膜トランジスタ12とを含んでなる画素が複数配列されている光電変換装置において、スイッチ薄膜トランジスタ12のゲート電極1021は第1の導電層により形成されており、ゲート電極1021に接続されたゲート配線1022は第1の導電層とは異なる第2の導電層により形成されている。 - 特許庁

The ferroelectric liquid ejection head I includes: a pressure generating chamber 12 that communicates with a nozzle opening 21; and the piezoelectric element 300 that is provided with a first electrode 60, a piezoelectric layer 70 formed on the first electrode, and a second electrode 80 formed on the piezoelectric layer, wherein the piezoelectric layer consists of a perovskite-type composite oxide that contains Bi, La, Fe, and Mn.例文帳に追加

ノズル開口21に連通する圧力発生室12と、第1電極60と、前記第1電極上に形成された圧電体層70と、前記圧電体層上に形成された第2電極80とを備えた圧電素子300と、を具備し、前記圧電体層は、Bi、La、Fe及びMnを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、強誘電体である液体噴射ヘッドIとする。 - 特許庁

The organic light emitting element includes a substrate 1, a gate electrode 2 formed on the substrate 1, a gate insulating film 3 formed on the gate electrode 2, a first electrode (source electrode 4) formed on the gate insulating film 3, an organic compound layer 6 of at least one layer formed on the first electrode, and a second electrode (drain electrode 8) formed on the organic compound layer 6.例文帳に追加

基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に形成された第1電極(ソース電極4)と、第1の電極上に形成された少なくとも1層の有機化合物層6と、有機化合物層6上に形成された第2電極(ドレイン電極8)とを有するものである。 - 特許庁

例文

The array substrate for the lateral type liquid crystal display device is manufactured through four-mask steps: in a structure wherein a semiconductor layer is exposed at both sides of a data line, a first blocking pattern which blocks light is formed under the semiconductor layer, and second blocking pattern which blocks influence of the semiconductor layer is formed over the data line, while being brought into contact with the data line.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、4マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、半導体層の下部に光を遮断する第1遮断パターンを構成して、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第2遮断パターンを構成する。 - 特許庁




  
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