「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(359ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, although dry etching using a fluorine gas is made, contact structure with improved ohmic contact can be formed by allowing the second conductive layer 106b to function as an etching stopper.例文帳に追加

この際、フッ素系のガスを用いたドライエッチングを行うが、第２の導電層１０６ｂをエッチングストッパーとして機能させることにより、良好なオーミック接触が実現されたコンタクト構造を形成する。 - 特許庁

Then, by the element substrate 11 and the sealing substrate 17, an organic EL element, laminating a first electrode 12, an organic EL layer 14, and a second electrode 15 on the element substrate 11, is sealed.例文帳に追加

そして、この素子基板１１と封止基板１７とにより、素子基板１１上に第１の電極１２、有機ＥＬ層１４および第２の電極１５の積層した有機ＥＬ素子が封止されている。 - 特許庁

In the case of using an optical disk D2 having a thick protective layer, a laser beam with a long wavelength emitted from a second laser module 22 is made incident on the objective lens 10 as a divergent light beam and converged on the recording surface.例文帳に追加

保護層が厚い光ディスクＤ2の使用時、第２のレーザーモジュール２２から発した長波長のレーザー光は、発散光として対物レンズ１０に入射し、記録面に集光される。 - 特許庁

The first and the second unit cell 12a, 12b include an electrolytic layer/electrode construction 24, which is sandwiched between an anode side separator 32 and a cathode side separator 34.例文帳に追加

第１および第２単位セル１２ａ、１２ｂは、電解質膜・電極構造体２４を有し、前記電解質膜・電極構造体２４をアノード側セパレータ３２とカソード側セパレータ３４とで挟持して構成される。 - 特許庁

A layer changed in properties is thereafter removed by using an alkaline solution (second surface treatment 5b) and the magnetic disk substrate is manufactured through a chemical strengthening treatment process step 6 and finishing cleaning process step 7.例文帳に追加

そしてその後、アルカリ性溶液を使用して変質層を除去し（第２の表面処理５ｂ）、化学強化処理工程６及び仕上げ洗浄工程７を経て磁気ディスク基板を製造する。 - 特許庁

Moreover, since the three-layer coil spring 52 for connecting bends with the bend 20 by the flexibility, the first propulsion section 11a and the second propulsion section 11b follow the bending of the bend 20.例文帳に追加

また、連結用三層コイルバネ５２がその可撓性によって湾曲部２０とともに湾曲するので、第一推進部１１ａと第二推進部１１ｂとが湾曲部２０の湾曲に追従する。 - 特許庁

In a process of selectively removing the second resist film 14, the opening 142 for positioning is formed so that the region of the opening 142 for positioning covers the groove part 120 in the insulation layer 12.例文帳に追加

第二のレジスト膜１４を選択的に除去する工程では、位置合わせ用開口１４２の領域が絶縁層１２中の溝部１２０を覆うように位置合わせ用開口１４２を形成する。 - 特許庁

To facilitate coating of a dielectric layer on a partially cylindrical concave surface and its maintenance in a plasma processing device having a first electrode with a partially cylindrical recess surface and a second electrode of a cylindrical shape.例文帳に追加

部分円筒状の凹面を有する第１電極と円筒状の第２電極を備えたプラズマ処理装置において部分円筒凹面への誘電体層の被装およびメンテナンスを容易化する。 - 特許庁

Then, the second cooling treatment is performed, and the upper silicon 16 is formed by crystal growing the silicon in the silicon containing low melting point metal fused solution 13 on the area starting from the lower silicon layer 14.例文帳に追加

そして第２の冷却処理を行い、シリコン含有低融点金属溶融液１５中のシリコンを下層シリコン層１４を起点に結晶成長させて上層シリコン層１６を形成する。 - 特許庁

The heat sink 15 is composed of a composite material formed in higher hardness than the second metal surface layer 14 by a matrix phase consisting of aluminum alloy and a dispersion phase consisting of SiC particles.例文帳に追加

放熱板１５は、アルミニウム合金からなるマトリクス相と、ＳｉＣ微粒子からなる分散相とで第２金属表層１４よりも高硬度に形成された複合材によって構成されている。 - 特許庁

After the reflecting layer 21' made of an alloy containing silver as a main component and ruthenium and copper is formed on the surface of a second substrate 20, it is soaked into a treatment solution 52 containing phosphoric acid.例文帳に追加

第２基板２０の面上に、銀を主成分としてルテニウムおよび銅を含む合金からなる反射層２１’を形成した後、当該反射層２１’を、リン酸を含む処理液５２に浸漬する。 - 特許庁

The first resistance R1 and the second resistance R2 are formed by patterning the same conductive layer formed on the same substrate as the control means 4, and formed on mutually adjacent spots.例文帳に追加

第１の抵抗Ｒ１と第２の抵抗Ｒ２が、制御手段４と同じ基板に形成された同一の導電層をパターンニングして形成され、かつ、互いに隣接した箇所に形成されている。 - 特許庁

The first and second wiring layers 30 and 32 at the level below the wiring layer 40 that the pad opening ends at are formed on the outside of the area of the pad opening 60 in a plane view.例文帳に追加

パッド開口部が達している配線層４０より下のレベルの第１および第２の配線層３０，３２は、平面的にみてパッド開口部６０の領域外において形成されている。 - 特許庁

A thin-film transistor 300 is formed in a dual gate structure in which a first gate electrode 311 and a second electrode 332 face each other through a channel formation region 321c of a semiconductor layer 321.例文帳に追加

第１ゲート電極３１１と第２ゲート電極３３２とが、半導体層３２１のチャネル形成領域３２１ｃを介して対面しているデュアルゲート構造にて、薄膜トランジスタ３００を形成する。 - 特許庁

A connecting and conducting layer 31 bridges one of the source and drain diffusion layers 26 which are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and sandwich a channel region below the second gate electrode 22, and the conducting film 13.例文帳に追加

接続導電層３１は、半導体基板の表面に形成され且つ第２ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２６の一方と導電膜との上に亘る。 - 特許庁

First and second ink absorbing materials 32, 35 are contained in layer in a case member 21 having a capillary force generating part 24 constituting the contour of a waste ink tank 13.例文帳に追加

廃インクタンク１３の外郭を構成する毛細管力発生部２４を有するケース部材２１内には、第１インク吸収材３２、第２インク吸収材３５が積層状態で収納されている。 - 特許庁

The fine structure layer 2d has a plurality of first patterns 2e comprising separate fine elements and at least one second pattern 2f comprising an integrated element larger than each of separate fine elements.例文帳に追加

微細構造層２dは、分離した微細要素からなる複数の第一パターン２eと、前記分離した各微細要素よりも大きい一体要素からなる少なくとも一つの第二パターン２fとを有している。 - 特許庁

An insulating tape 62 is adhered to the first or second adhesive layer 58 or 60 between the liquid crystal display panel 10 and the backlight module 30, and extends to between the flexible wiring board 42 and the metal frame 44.例文帳に追加

絶縁テープ６２は、液晶表示パネル１０とバックライトモジュール３０の間で第１又は第２の粘着層５８，６０に粘着し、フレキシブル配線基板４２とメタルフレーム４４の間に至るまで延びる。 - 特許庁

Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2.例文帳に追加

そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

The second resist layers 7. constituting a double resist structure together with the first resist layer, prevent electronic components from short-circuiting with the wiring pattern and reinforce the surfaces corresponding to the gaps D between the keys 1, 1.例文帳に追加

また、第２レジスト層により、第１レジスト層と共にダブルレジストの構成とし、電子部品と配線パターンとの短絡を防止し、さらに、鍵１，１の隙間Ｄに対応する面の表面を丈夫にする。 - 特許庁

The reflecting layer is made of an aluminum-titanium (Al/Ti) alloy and is disposed on the second substrate so as to reflect part of the light incident to the first substrate to return to the first substrate side.例文帳に追加

反射層はアルミニウム−チタン（Ａｌ／Ｔｉ）合金で形成され、第１の基板から入射する光の一部を反射して第１の基板側に戻すため、第２の基板上に設けられている。 - 特許庁

An optical disk has at least first and second recording layers placed one over the other in such a manner that information recorded in each layer is optically readable from one side of the disk.例文帳に追加

光ディスクは、それぞれの層に記録された情報をディスク片側から光学的に読み出せるように、一方が他方の上方に配置された少なくとも１層目と２層目の記録層を有する。 - 特許庁

The charge accumulation film has a two-layer structure consisting of an Si-rich first silicon nitride film 44 formed on the tunnel oxide film and an N-rich second silicon nitride film 45 formed on the first silicon nitride film.例文帳に追加

電荷蓄積膜は、トンネル酸化膜上に形成されたＳｉリッチな第１シリコン窒化膜４４と、第１シリコン窒化膜上に形成されたＮリッチな第２シリコン窒化膜４５の２層構造で形成される。 - 特許庁

Next, the edge 14 of the chip element 12 is immersed into a flat-surface-like third paste 33 of the same thickness to the second paste layer 32 again, and a part of the electrode film M is removed further.例文帳に追加

この後、第２ペースト層３２と同様の厚さで平面状に形成された第３ペースト層３３に、チップ素子１２の端部１４を再度浸漬し、電極膜Ｍの一部をさらに取り除く。 - 特許庁

A material of ohmic contact nature is not joined to the second conduction type semiconductor crystal layer 4 in the vicinity of the penetrating dislocation defective 11, so that a current does not flow in the vicinity of the penetrating dislocation defective 11.例文帳に追加

貫通転位欠陥１１付近の第２導電型半導体結晶層４にオーミックコンタクト性の材料が接合されていないので、貫通転位欠陥１１付近を電流が流れない。 - 特許庁

A light reflecting member preferably houses the photoelectric conversion element one-by-one, has a concave part with its inner surface to be a reflecting mirror face, and doubles as a conductive member electrically connected to the second semiconductor layer.例文帳に追加

光反射部材は、光電変換素子を一個ずつ収容し、その内面が反射鏡面となる凹部を有し、第２半導体層と電気的に接続される導電部材を兼ねるものが好ましい。 - 特許庁

A region 40c which is to be a channel is provided in a semiconductor substrate of first conductivity type of a storage cell, and semiconductor regions 40a and 40b of second conductivity type and a first insulating layer 46 are provided at its both ends.例文帳に追加

記憶セルの第１の導電型の半導体基板１中にチャネルとなる領域４０ｃ、その両端に第２の導電型の半導体領域４０ａ，ｂ、第１の絶縁層４６を配置する。 - 特許庁

In the spray forming facing body layers 35, 36 by a facing layer forming metal mold 29, joints 38 are generated by a plurality of spray processes to form the second fragile line part.例文帳に追加

表皮本体層３５、３６を表皮層成形金型２９を用いてスプレー成形するに際して、複数段のスプレー工程により継ぎ目３８を発生させて第二脆弱線部を形成する。 - 特許庁

An intermediate layer, in which first buffer layers and second buffer layers are alternately and repeatedly stacked more than or equal to three times on a substrate composed of a different material from that of a GaN-based nitride semiconductor film, is formed.例文帳に追加

前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。 - 特許庁

This shoe 2 is provided with an upper 4, an insole 6, a cushion layer 8, a midsole 10, an outsole 12, an outside reinforced portion 14a, an inside reinforced portion 14b, a first reinforcing band 16 and a second reinforcing band 18.例文帳に追加

靴２は、アッパー４、インソール６、クッション層８、ミッドソール１０、アウトソール１２、アウトサイド補強部１４ａ、インサイド補強部１４ｂ、第一補強バンド１６及び第二補強バンド１８を備えている。 - 特許庁

The joint part 6 composed of a main phase 14 connecting with the first member 4 and also a surface ceramic composition layer 13, existing between the second member and the main phase 14.例文帳に追加

接合部６が、第一の部材７に接する主相１４、および第二の部材４に接すると共に第二の部材と主相１４との界面に存在する界面セラミック組成物層１３を備えている。 - 特許庁

The phase-change memory has bit lines extending in a first direction, word lines extending in a second direction perpendicular to the first direction, and a phase-change layer provided between the bit lines and the word lines.例文帳に追加

相変化メモリは、第１の方向に延在するビット線、第１の方向と垂直な第２の方向に延在するワード線及びビット線とワード線の間に設けられた相変化層を有する。 - 特許庁

The electrophotographic member includes a polysiloxane having a first unit represented by SiO_0.5R^1(OR^2)(OR^3), a second unit represented by SiO_1.0R^4(OR^5) and a third unit represented by SiO_1.5R^6 in an outermost layer.例文帳に追加

最外層に、ＳｉＯ_0.5Ｒ^1（ＯＲ^2）（ＯＲ^3）で示される第１のユニット、ＳｉＯ_1.0Ｒ^4（ＯＲ^5）で示される第２のユニットおよびＳｉＯ_1.5Ｒ^6で示される第３のユニットを有するポリシロキサンを含有する。 - 特許庁

The second gasket 5 moved to the vicinity of the leading end of the inner cylinder 4 has a large friction part constituted of the deficient part 56 of a coating layer 55 and, by this constitution, the return of the gasket toward the base end is prevented.例文帳に追加

内筒４の先端付近に移動した第２のガスケット５は、被覆層５５の欠損部５６により構成された大摩擦部分を有し、これにより、基端方向への戻りが防止される。 - 特許庁

The core layer 13a and the semiconductor optical amplifier 33 generate a first laser beam which is propagated clockwise in the optical path 41, and a second laser beam which is propagated counterclockwise in the optical path 41.例文帳に追加

半導体光増幅器３３およびコア層１３ａは、光路４１を時計回りに伝搬する第１のレーザ光と、光路４１を反時計回りに伝搬する第２のレーザ光とを発生させる。 - 特許庁

The semiconductor substrate is cooled, and the first titanium film 6, a titanium nitride film 7, the second titanium film 8, and the first Al layer 9a are formed at 20-40°C of substrate temperature on the whole face including an inner face of the through hole.例文帳に追加

半導体基板を冷却し、基板温度２０℃〜４０℃で、スルーホールの内面を含む全面に第１のチタン膜６、窒化チタン膜７、第２のチタン膜８、第１のＡｌ層９ａを形成する。 - 特許庁

Low elasticity rubber absorbing energy of small vibration is used for the first damping rubber layers 11A and 11B, and high elasticity rubber absorbing energy of medium to large vibration is used for the second damping rubber layer 12.例文帳に追加

第１の減衰ゴム層１１Ａ，１１Ｂには、小振動のエネルギーを吸収する低弾性のゴムが、第２の減衰ゴム層１２には、中〜大振動のエネルギーを吸収する高弾性のゴムが使用される。 - 特許庁

The organic layer 16 has disconnected parts 16A cut out at the side faces of the auxiliary wiring 18; and the auxiliary wiring 18 is electrically connected to the second electrode 17 at the disconnected parts 16A.例文帳に追加

有機層１６は、補助配線１８の側面で途切れた断絶部１６Ａを有しており、この断絶部１６Ａで、補助配線１８と第２電極１７とが電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for manufacturing an optical information recording medium with excellent productivity by forming the second dielectric layer of a low refractive index at a high speed, and the optical information recording medium.例文帳に追加

屈折率の低い第２の誘電体層を高速に成膜することで、光学的情報記録媒体を生産性よく製造する製造方法及び光学的情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

In a second mode, the colored acrylic syrup pattern paint is sprayed on the article to be coated to form a desired pattern and a reinforcing layer comprising FRP is provided on the patterned article to be coated to produce an FRP product.例文帳に追加

本発明の第２は、被塗装物に着色アクリルシロップ模様塗料を吹き付け所望の模様を形成し、その上にＦＲＰからなる補強層を設けるＦＲＰ製品の製造方法である。 - 特許庁

The plurality of relay connection bodies 51 are so structured that the surface of each granular base body 53 made of a material with more elasticity than the first base body 11 and the second base body 21 is coated with a conductive layer 52.例文帳に追加

複数の中継接続体５１は、第１基体１１及び第２基体２１よりも弾性のある材料からなる粒状基体５３の表面を導電層５２で被覆した構造を有する。 - 特許庁

Non-photosensitive parts 12, 15 of the first and second laminated photosensitive resin layer 10, 13 are then etched together with developer liquid and the remaining photosensitive resin is thermally set to form an organic insulating film 17.例文帳に追加

積層した第１，第２の感光性樹脂層１０，１３の未感光部１２，１５を現像液で一緒にエッチングした後、残った感光性樹脂層を熱硬化させて有機絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

A base end part 40B of the ignition ball support column 40 abuts to a fire-proof layer 20 of the combustor main body part 12, and is sandwiched with the first clamping ring body 30 and the second clamping ring body 32.例文帳に追加

また、焼玉支柱４０の基端部４０Ｂは燃焼装置本体部１２の耐火層２０に当接すると共に第１挟持リング体３０と第２挟持リング体３２に挟まれている。 - 特許庁

To provide a method for production by which a narrow adhesive mass layer can be transferred to a prescribed position in the width direction of a second substrate with a high accuracy and a high-quality double-sided adhesive tape without notched flaws can be produced.例文帳に追加

第２基材の幅方向の所定位置に高精度に幅細の粘着剤層を転写でき切り込み傷がない高品質な両面粘着テープを製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the shielding layer 22 of the second shielding tape 30 at an end 19 of a base film 12 includes an inclined section 19a inclined to reduce a distance from the base film 12 toward the end 19.例文帳に追加

また、ベースフィルム１２の端部１９における第２シールドテープ３０のシールド層２２が、この端部１９に向かってベースフィルム１２との距離が短くなるように傾斜した傾斜部１９ａを備える。 - 特許庁