「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(363ページ目) - Weblio英語例文検索

Of the electrode structure with an electrode part 13 provided between a collector 11 and an electrolyte layer, the electrode part 13 includes a first electrode part 31 retaining electrolyte in contact with the electrolyte layer, and a second electrode part 32 arranged separated from the electrolyte layer with a retention amount of the electrolyte per volume more than the first electrode part 31.例文帳に追加

集電体１１と電解質層の間に電極部１３が設けられる電極構造であり、前記電極部１３は、前記電解質層と接して電解質を保持する第１電極部３１と、前記電解質層から離れて配置されて、前記第１電極部３１よりも体積当たりの電解質の保持量が多い第２電極部３２と、を有する電極構造とする。 - 特許庁

In the cross section to the longitudinal direction, on the surface side the first layer 10 is formed containing a large proportion of the short fibers having a nearly circular cross section with a short/long axis ratio of 1:1-1:1.155, and on the inner side the second layer 11 is formed containing a large proportion of the short fibers pointing at random as compared with those of the first layer 10.例文帳に追加

そして、前記長手方向に対して直角方向を断面視した状態で、表層側に、短長軸長比１：１〜１：１．１５５となる略円形状となる短繊維の比率が多い第１の層１０を形成し、かつ、その内層側に、第１の層１０の短繊維と比較してランダムに指向した短繊維を多く含む第２の層１１を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

A given length area positioned away from a tip of a tab part 11 is to be a contact area L with a female terminal fitting F, and a first gold-plated layer 13 is formed on the surface of the contact area L, while a second gold-plated layer 14 thinner than the first gold-plated layer 13 is to be formed at an area in front of the contact area L in the tab part 11.例文帳に追加

タブ部１１において先端から離れて位置する所定長さ領域が、雌端子金具Ｆとの接触領域Ｌとされ、接触領域Ｌの表面に第１の金メッキ層１３が形成され、タブ部１１のうち接触領域Ｌより前側領域に、第１の金メッキ層１３よりも薄い第２の金メッキ層１４が形成されるようにする。 - 特許庁

A piezoelectric element according to the present invention includes: a first electrode; a piezoelectric-body layer formed on the first electrode and having a film thickness of 3 μm or less; and a second electrode formed on the piezoelectric-body layer, wherein the piezoelectric-body layer includes barium titanate zirconate as a main ingredient, with a molar ratio X of barium to a sum of titanium and zirconium being 1.15≤X≤1.3.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子は、第１電極と、前記第１電極の上に形成され、膜厚が３μｍ以下の圧電体層と、前記圧電体層の上に形成された第２電極と、を含む圧電素子であって、前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸バリウムを主成分とし、チタンおよびジルコニウムの和に対するバリウムのモル比Ｘが、１．１５≦Ｘ≦１．３である。 - 特許庁

Although a first piezoelectric layer 71 on a vibration plate 52 is removed at a step of a photolithography etching process with remaining a region where a lower electrode 60 is formed, a second piezoelectric layer 72 containing lead zirconate titanate having a thickness equal to or more than 4 nm and equal to or less than 20 nm is formed over the first piezoelectric layer 71, the lower electrode 60, and the vibration plate 52 after the photolithography etching process.例文帳に追加

フォトリソエッチ工程の段階で、下電極６０が形成される領域を残して、振動板５２上の第１圧電体層７１が除去されるが、フォトリソエッチ工程後に、第１圧電体層７１、下電極６０および振動板５２にわたって、４ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の厚みのチタン酸ジルコン酸鉛を含む第２圧電体層７２を形成する。 - 特許庁

This interior wall using a plaster board 6 is formed with a substrate first layer directly fitted with the plaster board 6 having the thickness of 9.5 mm or below to a column 2-1 and a substrate second layer fitted with the plaster board 6 having the nominal thickness of 9.5 mm or below to the surface of the substrate first layer.例文帳に追加

石膏ボード６を使用した内装壁であって、柱２〜１に直接、厚さ9.5mm以下の石膏ボード６を取り付けた下地第１層および上記の下地第１層の表面に、呼称寸法で厚さ9.5mm以下の石膏ボード６を取り付けた下地第２層からなり、上記の下地第１層の一部に呼称寸法で厚さ9mm以下の構造用合板１０を使用したことを特徴とする内装壁。 - 特許庁

An opening (A) having a diameter of 20 nm or smaller is provided to the insulating layer (3), and the first ferromagnetic layer (1) and the second ferromagnetic layer (2) are connected together through the intermediary of the opening (A) for the formation of the magnetoresistive effect device.例文帳に追加

第１の強磁性層（１）と、前記第１の強磁性層の上に設けられた絶縁層（３）と、前記絶縁層の上に設けられた第２の強磁性層（２）と、を備え、前記絶縁層には開口幅が２０ｎｍ以下の開口（Ａ）が設けられ、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層とは前記開口を介して接続されてなる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the microlens array, a first light-transmitting layer 30 having a plurality of lenses 32 and a mark 34 formed by at least a projection or recess is prepared, a reflection film 36, having higher reflectance than the first light-transmitting layer 30 is formed on the mark 34, and a second light-transmitting layer 46 is formed to cover at least the lenses 32.例文帳に追加

マイクロレンズアレイの製造方法は、複数のレンズ３２と、凸部及び凹部の少なくとも一方で形成されたマーク３４と、を有する第１の光透過性層３０のマーク３４に、第１の光透過性層３０よりも光の反射率が高い反射膜３６を形成し、少なくともレンズ３２を覆うように第２の光透過性層４６を形成することを含む。 - 特許庁

Alternatively, the electromagnetic steel sheet has the multilayer coating obtained by forming a film with a thickness of 0.2 to 1μm comprising a phosphorous compound as a first layer on the surface of a silicon steel sheet, and further forming a film with a thickness of 0.1 to 2 μm comprising a silicate and organic resin emulsion as a second layer on the upper layer thereof.例文帳に追加

電磁鋼板の表面に第１層として厚さ０．２〜１μｍのリン化合物を含む皮膜を形成し、更にその上層に第２層として厚さ０．１〜２μｍのケイ酸塩と有機樹脂エマルジョンを含む皮膜を形成した複層皮膜を有することを特徴とする塩素イオン存在下での耐食性、歪取り焼鈍後の密着性に優れた絶縁皮膜付き電磁鋼板。 - 特許庁

A light emitting element array comprises: a light emitting element package having a light emitting element and a body containing a first and a second lead frame electrically connected to the light emitting element; and a substrate in which the light emitting element package is arranged thereon and which has a base layer and a metal layer arranged on the base layer and electrically connected to the light emitting package.例文帳に追加

本発明の一実施例は、発光素子、及び前記発光素子と電気的に接続している第１及び第２リードフレームを有するボディーを備える発光素子パッケージと、前記発光素子パッケージが配置され、ベース層、及び前記ベース層上に配置され、前記発光素子パッケージと電気的に接続しているメタル層を有する基板とを備える発光素子アレイである。 - 特許庁

Since a semiconductor layer 105, having a film thickness of 5-200 nm or smaller is provided between the nonvolatile recording material layer 104 and the first and second polysilicon layers 107 and 106, atoms which are doped as impurities into a pn polysilicon diode can be suppressed of diffusing up to the nonvolatile recording material layer 104 by the heat generated during rewriting operation.例文帳に追加

不揮発性記録材料層１０４と第一、第二ポリシリコン層１０７、１０６との間に、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚の半導体層１０５が設けられているので、書換え動作の際に発生する熱によりｐｎポリシリコンダイオード内に不純物としてドーピングされている原子が不揮発性記録材料層１０４まで拡散することを抑制することができる。 - 特許庁

Further, the connecting member includes a first conductive adhesive layer 21 formed by coating a rear surface of the cloth with a conductive adhesive, a conductive metal foil 23 adhered to the cloth via the first conductive adhesive layer, and a second conductive adhesive layer 22 formed by coating the rear surface of the foil with the conductive adhesive.例文帳に追加

更に接続部材は、基布の裏面に導電性接着剤を塗布することにより形成された第１導電性接着剤層２１と、基布に第１導電性接着剤層を介して接着された導電性金属箔２３と、この金属箔の裏面に導電性接着剤を塗布することにより形成された第２導電性接着剤層２２とにより構成される。 - 特許庁

The plaster includes a support and a pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface thereof, wherein the pressure-sensitive adhesive layer includes a first synthetic rubber component which is polyisobutylene, a second synthetic rubber component which is a rubber component other than polyisobutylene, a liquid rubber component bearing a crosslinkable functional group in the molecule and an organic liquid component, and the pressure-sensitive adhesive layer is crosslinked.例文帳に追加

本発明は、支持体と、該支持体の少なくとも片面上に粘着剤層を含む貼付剤であって、該粘着剤層が、ポリイソブチレンである第１合成ゴム成分と、ポリイソブチレンを除く第２合成ゴム成分と、架橋反応可能な官能基をその分子内に有する液状ゴム成分と、有機液状成分とを含み、該粘着剤層が架橋されている、貼付剤を提供する。 - 特許庁

A magnetic layer 6 is basically constituted of multilayered laminated films wherein Co layers to be first magnetic layers 6a and Pt alloy layers to be second magnetic layers 6b are multiply laminated and formed on a base layer 5 consisting of Ru of a hexagonal closest structure and provided so that magnetic interaction between magnetic grains which constitute the magnetic layer 6 is reduced.例文帳に追加

磁性層６を第１の磁性層６ａであるＣｏ層と第２の磁性層６ｂであるＰｔ合金層とを多層に積層した多層積層膜で基本構成し、磁性層６を構成する磁性粒相互間の磁気的相互作用を小さくするために設けられた六方最密構造のＲｕからなる下地層５の上に磁性層６を形成するようにした。 - 特許庁

In the method, a solar battery is manufactured by preparing a first substrate, forming a solar battery by depositing a layer formed by laminating the first substrate and a semiconductor substance in this sequence, attaching and adhering an alternate second substrate constituted of a substances having thermal expansion coefficient substantially similar to that of a semiconductor layer of the upper portion of the sequentially laminated layer, and removing the first substrate.例文帳に追加

第一基板を準備し、該第一基板上に半導体物質の順に重ねられた層を堆積して太陽電池を形成し、順に重ねられた層の上部の半導体層と実質的に類似する熱膨張係数を有する物質から構成される代替第二基板を取り付けて、接着し、第一基板を取り除くことにより太陽電池を製造する方法。 - 特許庁

There is provided a semiconductor substrate which includes a base substrate and a first crystal layer formed on or above the base substrate, where the first crystal layer is a 3-5 group compound semiconductor layer containing a first atom which is at least one atom selected from a group made up of an oxygen atom and a silicon atom, and a second atom which is at least one atom functioning as an acceptor.例文帳に追加

ベース基板と、ベース基板の上または上方に形成された第１結晶層とを有し、第１結晶層が、酸素原子およびシリコン原子からなる群より選択された少なくとも１つの原子である第１原子と、アクセプタとして機能する少なくとも１つの原子である第２原子とを含む３−５族化合物半導体層である半導体基板を提供する。 - 特許庁

After performing crystal defect repair processing or crystal defect removal processing of the single crystal silicon layer, using stock gas at least containing silicon based gas, the stock gas is activated by plasma under the atmospheric pressure or near the atmospheric pressure to cause single crystal silicon layer epitaxial growth and a second impurity silicon layer is formed on the epitaxial grown surface side.例文帳に追加

単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成したプラズマにより原料ガスを活性化させ、単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ、該エピタキシャル成長させた表面側に第２不純物シリコン層を形成する。 - 特許庁

The chip package includes a substrate having a first surface and a second surface; a conductive pad structure positioned on the first surface of the substrate; a dielectric layer positioned on the first surface of the substrate and the conductive pad and having an opening for exposing one part of the conductive pad structure; and a cap layer positioned on the dielectric layer and filled in the opening.例文帳に追加

第１表面と第２表面を有する基板、前記基板の前記第１表面上に位置された導電パッド構造、前記基板の前記第１表面と前記導電パッド構造上に位置され、前記導電パッド構造の一部を露出する開口を有する誘電体層、及び前記誘電体層上に位置され、前記開口内に充填されるキャップ層を含むチップパッケージ。 - 特許庁

The microlens array 200 for a display panel is provided with a first transparent substrate 203 on which a plurality of microlens 201 are formed and a second transparent substrate 205 which is adhered to the first transparent substrate 203 via a first adhesive layer 204, wherein the first adhesive layer is a heat peelable adhesive layer which can be peeled by heating at a prescribed temperature or more.例文帳に追加

本発明にかかるマイクロレンズアレイは、複数のマイクロレンズ２０１が形成された第１の透明基板２０３と、第１の透明基板２０３と第１の接着層２０４を介して接着された第２の透明基板２０５とを備えた表示パネル用マイクロレンズアレイ２００であって、第１の接着層は所定の温度以上の加熱により剥離する熱剥離接着層であるものである。 - 特許庁

The three-dimensional substrate comprises: an insulating substrate at least the surface of which exhibits insulation properties; and a circuit including a first wiring layer formed on the surface of the insulating substrate, an electrodeposition coating film formed on the first wiring layer and having a certain film thickness, and a second wiring layer formed on the surface of the insulating substrate where the electrodeposition coating film is formed.例文帳に追加

そこで本発明の立体基板は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、絶縁性基体表面に形成された第１の配線層と、第１の配線層上に形成され、一定の膜厚を有する電着塗装膜と、電着塗装膜の形成された絶縁性基体表面に形成された第２の配線層とを含む回路部と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In this flat filter member, the through-holes are formed into a grid shape by superposing a first filter layer having plural slender slit holes formed in parallel at prescribed intervals, on a second filter layer having plural slender slit holes formed in parallel at prescribed intervals along a direction such that the longitudinal direction is orthogonal with the slender slit holes of the first filter layer.例文帳に追加

また、平板状フィルタ部材は、複数個の長細スリット孔が所定間隔で平行に設けられた第１フィルタ層と該第１フィルタ層の長細スリット孔と長手方向が直交する方向に沿って複数個の長細スリット孔が所定間隔で平行に設けられた第２フィルタ層との重ね合わせにより格子状に貫通孔が形成されるものとした。 - 特許庁

A method of manufacturing the gallium nitride compound semiconductor substrate comprises growing of a first gallium nitride chemical semiconductor layer having the Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or higher, and growing a second gallium nitride compound semiconductor layer, which is undoped or has a Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or lower, on the first gallium nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Ｓｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上である第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第１の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はＳｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以下である第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。 - 特許庁

This device is provided with a buffer layer consisting of a material having a work function with a second insulating film of a small film thickness in-between after first electrodes acting as cathodes are formed, by which not only the carrier implantability to an organic compound layer can be improved but the influence to be exerted by the alkaline ions generated from the buffer layer on the characteristics of the TFTs can be prevented.例文帳に追加

陰極となる第一の電極を形成した後で、膜厚の薄い第二の絶縁膜を間に挟み仕事関数の小さい材料からなる緩衝層を設けることで、有機化合物層へのキャリアの注入性を向上させることができるだけでなく、緩衝層から生じるアルカリイオンがＴＦＴの特性に影響を与えるのを防ぐことができる。 - 特許庁

The annular surface portion 28 of the diffuser 20 is at least partially covered with a coating which can be abraded by the outer edge of each circumferential vane 18, the abradable coating comprising a first lower metal-based coating layer applied on the annular surface portion 28 of the diffuser 20, and a second upper polymer-based coating layer applied on the first lower metal-based coating layer.例文帳に追加

ディフューザ２０の環状表面部分２８は、各円周方向ベーン１８の外縁部によって摩耗することができる皮膜で少なくとも部分的に覆われており、このアブレイダブル皮膜は、ディフューザ２０の環状表面部分２８上に施工された第１の下部金属ベース皮膜層と該第１の下部金属ベース皮膜層上に施工された第２の上部ポリマーベース皮膜層とからなる。 - 特許庁

The electrolyte film used between the anode and the cathode in the fuel cell is structured by laminating one or more layers each of a first organic electrolyte layer 11 and a second organic electrolyte layer 12 having higher transmission suppression effect of liquid organic fuel than the first electrolyte layer.例文帳に追加

燃料電池において前記アノードと前記カソードの間に介在して使用される電解質膜であって、本電解質膜は第１有機電解質層１１、および、液体有機燃料の透過抑制効果が前記第１電解質層の液体有機燃料の透過抑制効果よりも高い第２有機電解質層１２を、それぞれ１層以上積層することで構成される。 - 特許庁

To provide a treatment method in which when valence electrons in a first compound semiconductor are controlled by irradiating particles containing an impurity element and by activation annealing treatment, a defect remaining/generated inside an injection layer is compensated/generation- suppressed by adding a process in which a second compound semiconductor layer is laminated on a first compound semiconductor layer irradiated with the particles.例文帳に追加

不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって第１の化合物半導体の価電子制御を行なう際、注入層内に残留／生成される欠陥を前記粒子照射された第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を積層する工程を付加することで補償／生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises forming a protective film for obstructing the crystal growth on a substrate, so that a first nitride semiconductor layer is exposed through window regions partly opened through the protective film, starting the selective growth of a second nitride semiconductor layer from the first nitride semiconductor layer at a required growth starting temperature and rising the temperature over the growth starting temperature to continue the crystal growth.例文帳に追加

基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第１窒化物半導体層が臨むように形成し、その第１窒化物半導体層からの第２窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。 - 特許庁

A solid oxide fuel battery 10 includes a substrate 100 having a plurality of holes 110, and a first electrode layer 200, an electrolytic layer 300 made of a solid oxide, and a second electrolytic layer 400, that are stacked in increasing order on one surface of the substrate, and the holes 110 are formed to be tilted with respect to the normal 150 of the substrate 100.例文帳に追加

固体酸化物型燃料電池１０であって、複数の孔１１０を有する基板１００と、前記基板の一方の面に順次積層された第１の電極層２００と、固体酸化物で形成された電解質層３００と、第２の電極層４００と、を備え、前記孔１１０は、前記基板１００の法線１５０方向に対して傾いて形成されている。 - 特許庁

A local first conductivity layer 14, a wide second conductivity layer 15, a wide first conductivity layer 16 are formed successively from the surface.例文帳に追加

表面側から局所的第１導電型層１４、広域的第２導電型層１５、広域的第１導電型層１６の順で積層された構造を持ち、第１導電型層１４と第２導電型層１５を貫いて第１導電型層１６に達するトレンチゲート電極９が形成されており、深い方の第１導電型層１６内でトレンチゲート電極９が貫く深さに欠陥層６を形成する。 - 特許庁

Production process of an electrode for electrochemical capacitor comprises a first step for forming a polarizable electrode layer on a current collector (steps S1-S3), a second step for embossing the surface of the polarizable electrode layer formed on the current collector (step S4), and a third step for flattening the surface of the embossed polarizable electrode layer (step S5).例文帳に追加

本発明による電気化学キャパシタ用電極の製造方法は、集電体上に分極性電極層を形成する第１の工程（ステップＳ１〜Ｓ３）と、集電体上に形成された分極性電極層の表面をエンボス加工する第２の工程（ステップＳ４）と、エンボス加工された分極性電極層の表面を平坦化する第３の工程（ステップＳ５）とを備えている。 - 特許庁

A dicing tape 30 wherein an adhesive layer 30b deteriorated by ultraviolet irradiation is provided on one surface is stuck to the second surface of a semiconductor wafer 1 wherein no circuit element is formed, and then a mask 31 is used to conduct ultraviolet irradiation so that the adhesive layer corresponding to the scribe area 8 of the semiconductor wafer 1 is deteriorated by an ultraviolet ray to make a reformed adhesive layer.例文帳に追加

回路素子が形成されない半導体ウエハ１の第２の面に、紫外線照射によって劣化する接着剤層３０ｂを一面に有するダイシングテープ３０を貼り付けた後、マスク３１を使用して紫外線照射を行って、半導体ウエハ１のスクライブ領域８に対応する接着剤層部分を紫外線によって劣化させて変質した接着剤層部分とする。 - 特許庁

In the second process, the resist layer 6 is leveled to generate a difference in exposure amount needed for insolubilization between the resist layer 6 on the pedestal formation region 1a and the resist layer 6 on the pedestal non-formation region 1b, and in the third process, exposure conditions of the exposure light are so set that the resist pattern is formed in the pedestal formation region 1a in the fourth process.例文帳に追加

そして、第２工程でレジスト層６を均すことにより、台座形成領域１ａ上のレジスト層６と台座非形成領域１ｂ上のレジスト層６との間に、不溶化するのに必要な露光量の差を生じさせ、第４工程にて台座形成領域１ａにレジストパターンが形成されるように、第３工程にて露光光の露光条件を設定する。 - 特許庁

Each of the plurality of pixels has a transmission region T of performing a transmission mode display by using light from the illumination element 10 and a reflection region R of performing a reflection mode display by using light from the observer side, and the liquid crystal display panel 20 has a first light diffusion layer 31 and a second light diffusion layer 32 which are disposed on the observer side than a liquid crystal layer 23.例文帳に追加

複数の画素のそれぞれは、照明素子１０からの光を用いて透過モードの表示を行う透過領域Ｔと、観察者側からの光を用いて反射モードの表示を行う反射領域Ｒとを有し、液晶表示パネル２０は、液晶層２３よりも観察者側に設けられた第１の光拡散層３１および第２の光拡散層３２を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes processes for forming a first mask layer 115 having a first lower opening 115a, on an interlayer insulting film 114, and forming, on the first mask layer 115, a second mask layer 116 having a first upper opening 116a exposing the interlayer insulating film 114 through the first lower opening 115a.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜１１４の上に第１の下部開口部１１５ａを有する第１のマスク層１１５を形成する工程と、第１のマスク層１１５の上に第１の下部開口部１１５ａを通して層間絶縁膜１１４を露出する第１の上部開口部１１６ａを有する第２のマスク層１１６を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A first coating layer, containing at least one metal selected from copper and cobalt, is provided on the surface of the hydrogen storage alloy electrode 2 with electrode material, using hydrogen storage alloy particles attached to the collector thereof; and a second coating layer made of nickel is provided on the first coating layer, and the hydrogen storage alloy electrode is used as the negative electrode of the alkaline storage battery.例文帳に追加

水素吸蔵合金粒子を用いた電極材料が集電体に付着された水素吸蔵合金電極２の表面に、銅とコバルトとから選択される少なくとも一種の金属を含む第１被覆層を設けると共に、この第１被覆層の上にニッケルからなる第２被覆層を設け、またこの水素吸蔵合金電極をアルカリ蓄電池の負極に用いた。 - 特許庁

The porous optical fiber includes a core 103 having a first refractivity extended in a longitudinal direction, an external cladding layer 101 having a second refractivity surrounding the core 103, and an internal cladding layer 102 having a third refractivity formed between the core 103 and the external cladding layer 101 and provided with a plurality of the air holes scattered therethrough.例文帳に追加

本発明の一実施形態による多孔光ファイバーは、第１の屈折率を有し、長さ方向に伸張されたコア１０３と、コア１０３を囲むように形成され、第２の屈折率を有する外側クラッド１０１と、前記１０３コアと外側クラッド１０１との間に形成され、複数のエアホールが散在された、第３の屈折率を有する内側クラッド１０２と、を具備する。 - 特許庁

Further, the connecting member includes a first conductive adhesive layer 21 formed by coating the backside of the base cloth with a conductive adhesive, conductive metal foil 23 adhered to the base cloth through the first conductive adhesive layer, and a second conductive adhesive layer 22 formed by coating the backside of the metal foil with the conductive adhesive.例文帳に追加

更に接続部材は、基布の裏面に導電性接着剤を塗布することにより形成された第１導電性接着剤層２１と、基布に第１導電性接着剤層を介して接着された導電性金属箔２３と、この金属箔の裏面に導電性接着剤を塗布することにより形成された第２導電性接着剤層２２とにより構成される。 - 特許庁

The matching circuit 16 comprises: a coil electrode 60 formed on a principal plane of an eighth dielectric layer S8 and constituting an inductance component; a first capacitor electrode 62 formed on a principal plane of a seventh dielectric layer S7 and constituting a capacitance component; and a second capacitor electrode 64 formed on a principal plane of a sixth dielectric layer S6 and constituting the capacitor component.例文帳に追加

マッチング回路１６は、第８の誘電体層Ｓ８の主面に形成され、インダクタンス成分を構成するコイル電極６０と、第７の誘電体層Ｓ７の主面に形成され、キャパシタンス成分を構成する第１の容量電極６２と、第６の誘電体層Ｓ６の主面に形成され、キャパシタンス成分を構成する第２の容量電極６４とを有する。 - 特許庁

The electron emitting element is manufactured through a first process forming a cathode electrode and an emitter layer 4 on a cathode substrate 1, a second process forming an insulation layer, a gate electrode, and gate holes 12 on a supporting substrate 5 different from the cathode substrate 1, and a third process sticking the supporting substrate 5 on the cathode substrate 1 in a state of positioning the gate holes 12 on the emitter layer 4.例文帳に追加

カソード基板１上にカソード電極及びエミッタ層４を形成する第１の工程と、カソード基板１と異なる支持基板５上に絶縁層、ゲート電極及びゲートホール１２を形成する第２の工程と、エミッタ層４上にゲートホール１２を位置合わせした状態でカソード基板１と支持基板５とを貼り合わせる第３の工程とによって電子放出素子を製造する。 - 特許庁

In the light fixing device for fixing a yellow thermal coloring layer and a magenta thermal coloring layer of a color thermal recording paper 10, at a transient fixing time when the magenta thermal coloring layer is fixed while the color thermal recording paper 10 is transferred in a fixing direction, a first fixing lamp M1 for magenta and a second fixing lamp M2 for magenta are made to emit light by the same emission quantity.例文帳に追加

カラー感熱記録紙１０のイエロー感熱発色層とマゼンタ感熱発色層とを定着する光定着器において、カラー感熱記録紙１０を定着方向に搬送しながらマゼンタ感熱発色層の定着を行なう通過定着時には、マゼンタ用第１定着ランプＭ１とマゼンタ用第１定着ランプＭ２とを同じ発光量で発光させる。 - 特許庁

An EL display device interposes a light emitting layer 60 between a pixel electrode and the cathode, the cathode 50 has a laminated metal film 51 formed by alternately laminating a first metallic layer 61 containing low work function metal and a second metallic layer 62 containing high work function metal having a work function higher than the low work function metal.例文帳に追加

本発明に係るＥＬ表示装置は、画素電極と陰極との間に発光層６０を挟持してなり、陰極５０が、低仕事関数金属を含む第１金属層６１と、前記低仕事関数金属より高い仕事関数を有する高仕事関数金属を含む第２金属層６２とを交互に積層した積層金属膜５１を備えた構成とされている。 - 特許庁

A first dielectric layer 1051 covering a display electrode 103 and a display scanning electrode 104 is formed, and at the same time, a second dielectric layer 1052 having a dielectric constant lower than the first dielectric layer 1051 is formed in a region surrounded by the display electrode 103, the display scanning electrode 104 and a front glass substrate 101.例文帳に追加

表示電極１０３と表示スキャン電極１０４とを覆う第１誘電体層１０５１を形成するとともに、表示電極１０３と、表示スキャン電極１０４、および前面ガラス基板１０１によって囲まれる領域において、前記第１誘電体層１０５１よりも低い比誘電率を有する第２誘電体層１０５２を形成するようにした。 - 特許庁

In a cup body 1, a cup section is formed in an inversely conical taper shape, a first light transmission resin layer 3 that is filled to a portion near the region of a wire where a luminous chip is bonded is formed, and a second light transmissive resin layer 4 where a phosphor for carrying out the wavelength conversion operation of light is admixed is laminated onto the first light transmission resin layer.例文帳に追加

カップ体１には、逆円錐状にテーパをなしてカップ部が形成され、発光チップをボンディングしたワイヤの領域近傍まで充填された第１の光透過性樹脂層３が形成され、この第１の光透過性樹脂層の上に、光の波長変換作用をなす蛍光体が混和された第２の光透過性樹脂層４が積層して形成されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of EL element comprising at least a first electrode, an EL layer formed on the first electrode and a second electrode formed on the EL layer, at least a part of the above EL layer is formed by an electric field jet method in which an electrode is provided at the opening of the paint or in the vicinity of the opening and electric voltage is impressed to the electrode and the paint is applied.例文帳に追加

少なくとも、第１電極と、該第１電極上に形成されたＥＬ層と、該ＥＬ層上に形成された第２電極とからなるＥＬ素子の製造方法であって、前記ＥＬ層の少なくとも一部を、塗布液の吐出口またはその近傍に電極を設け、該電極に電圧を印加し、その塗布液を吐出する方法である電界ジェット法を用いて形成する。 - 特許庁

Rewiring is further executed to a member composed by forming a third insulation layer (in a semi-cured state) covering the insulation layer 44, thereafter superposing a first structure with a conductor to be connected to the projecting parts 43b through the rewiring formed therein on a second structure manufactured through a process similar to that of it, and thermally curing the third insulation layer to be integrated.例文帳に追加

さらに、絶縁層４４を覆う第３の絶縁層（半硬化状態）を形成後、上記再配線を介して突起部４３ｂに接続される導体が形成された第１の構造体と、これと同様の工程を経て作製された第２の構造体とを重ね合わせ、第３の絶縁層を熱硬化させて一体化したものに対し、さらに再配線を行う。 - 特許庁