「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(361ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this method, the first substrate and the second substrate are peeled under a negative pressure to enlarge the gap in the inside or interface of the peeling layer, so that peeling can be facilitated.例文帳に追加

かかる方法によれば、負圧状態下で、前記第１基板と前記第２基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。 - 特許庁

The second etching liquid treated is injected into the first treatment container, and a third etching liquid is prepared by adding the HF liquid, and then the metal impurity in the sample surface layer is included in the third etching liquid.例文帳に追加

処理後の第２エッチング液を第１処理容器に注入し、ＨＦ液を添加して第３エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第３エッチング液中に含ませる。 - 特許庁

In this surface-emitting laser, at least a first multilayered semiconductor mirror 103, an active layer 105, and second multilayered semiconductor mirrors 109 and 113 are laminated upon another in this order or in the reverse order.例文帳に追加

面発光レーザ装置は、少なくとも第１の半導体多層膜ミラー１０３、活性層１０５、第２の半導体多層膜ミラー１０９、１１３がこの順もしくはこの逆順に積層されている。 - 特許庁

Each pixel PX has: a cathode, an anode, and an organic light emitting diode OLED including an organic layer; a P channel type drive transistor DR; a first capacitor section Ck; and a second capacitor section.例文帳に追加

各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、第１容量部Ｃｋと、第２容量部とを有している。 - 特許庁

In second and subsequent films, since internal stress can be offset between the dielectric film 31 which is the first layer and the films, the occurrence of distortion in the laser device P is suppressed and operation reliability can be assured.例文帳に追加

また、第２層目以降の成膜では、第１層目の誘電体膜３１との間で内部応力を相殺できるので、レーザ素体Ｐの歪みの発生が抑えられ、動作信頼性を確保できる。 - 特許庁

Thereafter, a reflection-type screen in which a blue color reflective layer 31B is arranged on the light incident side is produced through a process of transferring the produced particulate arrangement structure 20A to a second base body 22.例文帳に追加

その後、作製した微粒子配列構造体２０Ａを第２の基体２２へ転写する工程を経て、青色反射層３１Ｂが光入射側に配置された反射型スクリーンが作製される。 - 特許庁

Thus, the wavelength of scintillation light 6 is fitted to wavelength sensitivity of the photodetector 5 by the second light wavelength conversion layer 3, and the transmittance of the scintillator crystal 2 is transmitted effectively into a high wavelength.例文帳に追加

このため、第二光波長変換層３によりシンチレーション光６の波長が光検出器５の波長感度に適合し、シンチレータ結晶２の透過率が高い波長に効果的に変換される。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes: a first electrode; a transistor formed on a semiconductor substrate and having a second electrode: and third and fourth electrodes formed on the same wiring layer.例文帳に追加

半導体集積回路であって、第１の電極と、半導体基板上に形成され、第２の電極を有するトランジスタと、同一の配線層に形成された第３及び第４の電極とを有する。 - 特許庁

The second semiconductor multilayer film reflector region 16b is formed on the phase regulation layer 25 and the uppermost surface of the exposed first semiconductor multilayer film reflector region 16a.例文帳に追加

また、この位相調整層２５上と、露出されたままの上記第１の半導体多層膜反射鏡領域１６ａの最上面とに、第２の半導体多層膜反射鏡領域１６ｂが形成される。 - 特許庁

The alignment between the substrate layer and the reticles are offset by a predetermined amount (235), the photoresist is subjected to a second exposure (240), and at least one of the photoresist lines printed by the first exposure is branched.例文帳に追加

基板層とレチクル間の整列を所定量だけオフセットして（２３５）、フォトレジストは２回目の露光がされ（２４０）、第１の露光によってプリントされたフォトレジストラインの少なくとも１つを分岐させる。 - 特許庁

Gas making contact with the surface of the first dielectric layer 31 is partially turned into plasma by applying voltage between the first electrode 23 and the second electrode 24, thereby generating an air flow.例文帳に追加

そして、第１の電極２３と第２の電極２４との間に電圧を印加して、第１の誘電層３１の表面に接する気体の一部をプラズマ化することにより気流を発生させる。 - 特許庁

The multilayer label 10 is heat-processed to reduce adhesive strength between the layers of the laminated film 16 and the first resin film 14 is peeled, so that the second design printing layer 18 can be displayed.例文帳に追加

多層ラベル１０の加熱処理を行うことによって、積層フィルム１６の層間の接着強度が低下し、第一樹脂フィルム１４を剥離して第二デザイン印刷層１８を表示することができる。 - 特許庁

To provide an electron emitting device which can form electron emission more precisely by matching positions of a second electrode opening and an insulating layer opening, and provide its manufacturing method and an electron emitting display provided with the same.例文帳に追加

第２電極開口部と絶縁層開口部を互いに位置を合わさせて、より精密に形成できる電子放出デバイスと、その製造方法及びこれを用いた電子放出ディスプレイを提供する。 - 特許庁

Particularly in the TFT array substrate, a light-shielding layer for shielding light emitted from a backlight is disposed on positions adjoining the respective island like electrode parts on the first and the second transmission display regions.例文帳に追加

特に、ＴＦＴアレイ基板において、第１及び第２の透過表示領域の各島状電極部に隣接する位置には、バックライトから出射された光を遮光する遮光層が設けられている。 - 特許庁

A second common electrode 23, whose potential is controlled independently of the first common electrode is disposed at a position opposite he first common electrode 11 via the liquid crystal layer LC, independently of the common electrode 11.例文帳に追加

そして液晶層ＬＣを介して第１共通電極１１に対向する位置には、第１共通電極１１と独立して電位制御される第２共通電極２３が設けられている。 - 特許庁

Furthermore, a first electrode 6A is installed inside the magnetic body 3 via the insulating layer 3a, and a second electrode 6B is installed on the silicon substrate 1 opposed to the first electrode 6A.例文帳に追加

更に、磁性体３の内側には絶縁層３ａを介して第１の電極６Ａが設けられ、第１の電極６Ａに対向させてシリコン基板１上に第２の電極６Ｂが設けられている。 - 特許庁

The second electrode part 40 is formed in contact with the center part 30s of one principal surface 30a of the first electrode part 30 and includes at least an Au layer 42 exposed to one principal surface 42s.例文帳に追加

第２電極部４０は、第１電極部３０の一方主面３０ａの中心部３０ｓに接して形成され、少なくとも、一方主面４２ｓに露出するＡｕ層４２を含む。 - 特許庁

The isolation insulating film 5 serves as a partial trench isolation that has not reached the BOX layer 2, and source/drain regions 17 are formed of first and second impurity ions which have different mass numbers.例文帳に追加

分離絶縁膜５は、ＢＯＸ層２に達していない部分トレンチ分離であり、ソースドレイン領域１７は、互いに質量数が異なる第１および第２不純物イオンにより形成されている。 - 特許庁

An array substrate 10 has a first interlayer dielectric 4 and a second interlayer dielectric 7 having different etching ratios from each other so as to cover a switching element 30 having a semiconductor layer 1a.例文帳に追加

アレイ基板１０は、半導体層１ａを有するスイッチング素子３０を覆うようにエッチング比率が互いに異なる第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁

An image signal to be supplied to the pixel electrode 9aa is supplied to only the pixel electrode 9aa via the second relay layer 400, the upper capacitance electrode 300 and a TFT 30.例文帳に追加

画素電極９ａａに供給されるべき画像信号が、第２中継層４００、上部容量電極３００及びＴＦＴ３０を介して画素電極９ａａにのみ供給される。 - 特許庁

The second oxide film is preferably formed by etching the first oxide film, and the etching is preferably performed after a resist layer 21 is formed on the surface of the substrate not masked with the first oxide film.例文帳に追加

第２酸化膜は、第１酸化膜をエッチングして形成することが好ましく、そのエッチングは、第１酸化膜でマスクされていない基板の表面にレジスト層２１を形成した後に行うことが好ましい。 - 特許庁

To take an effective countermeasure for leak current by a buffer layer without having conduction of a first electrode and a second electrode in an organic EL panel arranging a plurality of organic EL elements on a substrate.例文帳に追加

基板上に複数の有機ＥＬ素子を配列させる有機ＥＬパネルにおいて、第１電極と第２電極との導通が生じることなく、緩衝層による有効なリーク電流対策を講じる。 - 特許庁

In this case, a concentration gradient is given to a first conductive semiconductor substrate considering concentration gradient of impurity generated in a step of epitaxial growth of a second conductive semiconductor layer within the trench 44.例文帳に追加

この際、トレンチ４４内に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮して、第１導電型半導体基板に濃度勾配を与える。 - 特許庁

The first cord, the second cord and the ply cord have a tensile modulus larger in this order, and the rubber for constituting the third reinforcing layer has a 100% modulus smaller than the rubber for constituting the bead filler.例文帳に追加

そして、第１のコード、第２のコード、およびプライコードは、この順に大きい引張弾性率をもち、第３補強層を構成するゴムは、ビードフィラーを構成するゴムよりも小さい１００％モジュラスをもつ。 - 特許庁

A capacitor 10 has a lower electrode (first conductor film 14) formed on one face with a dielectric layer 11 therebetween and an upper electrode (second conductor film 15) formed on the other face.例文帳に追加

キャパシタ１０は、誘電体層１１を挟んで一方の面に下部電極（第１の導体膜１４）が形成され、他方の面に上部電極（第２の導体膜１５）が形成された構造を有する。 - 特許庁

A catalyst layer 134 capable of adsorbing NOx selectively to decompose (reduce) directly to N_2 and O_2 is formed further on a surface of the electrode 133 arranged in the second detection chamber 160.例文帳に追加

さらに、第２検出室１６０内に配置した電極１３３の表面上に、ＮＯｘを選択的に吸着しＮ_２とＯ_２とに直接分解（還元）できる触媒層１３４を形成する。 - 特許庁

The electronic component 1 includes a multi-layer 20 including a plurality of laminated dielectric layers, an input terminal 22, an output terminal 23, a ground terminal 24 and a first and second resonators.例文帳に追加

電子部品１は、積層された複数の誘電体層を含む積層体２０と、入力端子２２と、出力端子２３と、グランド端子２４と、第１および第２の共振器とを備えている。 - 特許庁

After that, the second force (5) is replaced with a third force (12) for molding the resin layer and the molded glass lens and a softened resin are pressure-molded using the third force (12) and the first force (4).例文帳に追加

その後、前記第二の金型（５）を樹脂層成形用の第三の金型（１２）と入れ替え、第三の金型（１２）と第一の金型（４）とによってモールドガラスレンズと軟化状態の樹脂とを加圧成形する。 - 特許庁

As for a phosphor sheet 10, the phosphor layer 11 is sealed by a sealed sheet 10A1 having a first inorganic laminating membrane 15A and the sealing sheet 10B1 having a second inorganic laminated membrane 15B.例文帳に追加

蛍光体シート１０は、蛍光体層１１を第１無機積層膜１５Ａを有する封止シート１０Ａ１と、第２無機積層膜１５Ｂを有する封止シート１０Ｂ１により封止したものである。 - 特許庁

The second buffer layer is formed by alternately and repeatedly growing two kinds of GaN-based nitride semiconductor films having a different composition to each other while doping silicon at the single-crystal growth temperature.例文帳に追加

前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。 - 特許庁

A wiring layer 11 having first and second wiring patterns 10a and 10b connected to the drain D1 and the source S1 is formed over an insulating film 7 covering the switching element tr1.例文帳に追加

スイッチング素子Ｔｒ１を覆う絶縁膜７上にはドレインＤ１及びソースＳ１に接続された第１及び第２配線パターン部１０ａ，１０ｂを有する配線層１１が形成されている。 - 特許庁

The electrode structures also generate a second electric field which gets the liquid crystal molecules back to the initial arrangement direction, and does not give the lens effect to the liquid crystal layer when the liquid crystal molecules are arranged in the initial arrangement direction.例文帳に追加

該電極構造は、更に第２電界を発生させ、第２電界は、液晶分子を初期配列方向に復帰させ、液晶分子が初期配列方向にあると、液晶層にレンズ効果を持たない。 - 特許庁

Further, as a second means, only a resist layer 8 is formed instead of the copper foil 4a in the area opposed to the package 1 of the TSOP 10 on the surface of the multilayer substrate 3.例文帳に追加

また、第２の手段としては、多層基板３表面のうち、ＴＳＯＰ１０のパッケージ部１と対向する領域では、銅箔４ａの代わりにレジスト層８のみが形成されている構造とする。 - 特許庁

In the manufacturing process of this semiconductor device, impurity ions are introduced into a semiconductor layer 1j through a resist mask 70 including a first mask part 71 and a second mask part 72 different in thickness.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、厚さが異なる第１マスク部分７１と第２マスク部分７２を備えたレジストマスク７０を介して半導体層１ｊに不純物イオンを導入する。 - 特許庁

A sealing layer 21 is provided to cover a metal wiring film 19 connecting a first electrode pad 13 formed on a mounting substrate 11 and a second electrode pad 15 formed on a semiconductor chip 12.例文帳に追加

実装基板１１に形成された第１電極パッド１３と半導体チップ１２に形成された第２電極パッド１５とを接続する金属配線膜１９を覆う封止層２１を設ける。 - 特許庁

Being disposed between the transfer plate 34 and the one of the first and second molds, the thermal insulation layer 40 formed of the metallic glass can restrain dissipation of thermal energy of a molding material toward the mold.例文帳に追加

一方の金型と転写プレート３４との間に金属ガラスから成る断熱層４０が配設されるので、成形材料が有する熱エネルギーが一方の金型側に逃げるのを抑制することができる。 - 特許庁

By doping impurity to the top area of the first single-crystal silicon film 107 and the whole area of the second single-crystal silicon film 108, an impurity diffusion layer 109 being a source or drain is formed.例文帳に追加

第１の単結晶シリコン膜１０７の上部領域及び第２の単結晶シリコン膜１０８の全領域に不純物をドープして、ソース又はドレインとなる不純物拡散層１０９を形成する。 - 特許庁

An electrophoresis device provided with an electrophoresis layer interposing a dispersion liquid containing electrophoresis particles between a first electrode and a second electrode is preferably used as the monochromatic display unit.例文帳に追加

モノクロ表示器としては、電気泳動粒子を含有する分散液を第１の電極と第２の電極との間に介在させてなる電気泳動層を備える電気泳動装置が好適に用いられる。 - 特許庁

Crystalline layers CRZ are formed on the surfaces of an adhesive layer FT between the respective abutting surfaces of a first glass substrate SUB1 and a sealing frame FR and between the respective abutting surfaces of a second glass substrate SUB2 and the sealing frame FR.例文帳に追加

第１のガラス基板ＳＵＢ１と封止枠ＦＲ、第２のガラス基板ＳＵＢ２と封止枠ＦＲの各当接面の間の接着層ＦＴの表面に結晶層ＣＲＺを設けた。 - 特許庁

There may be further provided with an electrode leading out line led out from the second electrode layer 13 and a bonding pad part 15 located on the insulation film 9 prepared on the electrode leading line.例文帳に追加

第２の電極層１３から引き出された電極引き出し線路と、この電極引き出し線路に設けられ絶縁膜９上に位置するボンディングパッド部１５とをさらに有していてもよい。 - 特許庁

A high dielectric metal oxynitride film 121-2 in the second layer is formed on the high dielectric metal oxynitride film 21-1, and converted into a high dielectric metal oxynitride film 21-2 through nitriding treatment.例文帳に追加

高誘電体金属酸窒化膜２１−１上に２層目の高誘電体金属酸窒化膜１２１−２を形成した後、窒化処理により高誘電体金属酸窒化膜２１−２に変換する。 - 特許庁

The first substrate is a sapphire substrate including a nitride semiconductor layer or a GaAs substrate, and the second substrate may be any of a silicon substrate, a GaAs substrate, a Ge substrate, and a metal substrate.例文帳に追加

第１の基板は、ナイトライド系半導体層を有するサファイア基板、またはＧａＡｓ基板であり、第２の基板は、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板、金属基板のいずれかであってもよい。 - 特許庁

The semiconductor memory is characterized in that the film thickness of the first silicon oxide film 2 contacting with the P-type silicon substrate 1 is thicker than the film thickness of the second silicon oxide film 4 contacting with the SOONO layer 6.例文帳に追加

半導体記憶装置は、Ｐ型シリコン基板１に接する第１のシリコン酸化膜２の膜厚が、ＳＯＯＮＯ層６に接する第２のシリコン酸化膜４の膜厚よりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

Thus, first and second polycrystal silicon films having suitable grain sizes can be obtained by laser annealing by setting an amorphous silicon film formed on the layer 11 to the same conditions.例文帳に追加

このため、バッファ層１１上に成膜したアモルファスシリコン膜を同一条件に設定したレーザアニールにより、それぞれ適正なグレインサイズの第１及び第２多結晶シリコン膜を得ることができる。 - 特許庁

A surface layer of a first substrate 10 consisting of a nitride based compound semiconductor, and a surface 20a of a second substrate 20 consisting of a material different from that of the nitride based compound semiconductor are mutually joined.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体から成る第１の基板１０の表層と、窒化物系化合物半導体とは異なる材料から成る第２の基板２０の表面２０ａとを互いに接合させる。 - 特許庁