「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(358ページ目) - Weblio英語例文検索

A first (second layer) poly-Si film 32 is formed on the semiconductor substrate 10, an Si oxide film 25 is formed on the light receiving part and an oxide film is formed on the first poly-Si film.例文帳に追加

半導体基板１０上に第１（２層目）のポリＳｉ膜３２を形成し、受光部上にＳｉ酸化膜２５を形成すると共に、第１の多結晶Ｓｉ膜上に酸化膜を形成する。 - 特許庁

In each of the plurality of light-emitting units 1, the conductive type layer of the semiconductor laminate is electrically separated by at least double separation grooves (first separation groove 17a, second separation groove 17b).例文帳に追加

この複数個の発光ユニット１のそれぞれは、少なくとも２重の分離溝（第１の分離溝１７ａ、第２の分離溝１７ｂ）により半導体積層部の導電形層が電気的に分離されている。 - 特許庁

A part of the vapor permeable waterproof sheet 52 rises to the surface from the surface 401 of the perforated metal plate 4, and the second vent layer 72 is formed between the perforated metal plate 4 and the vapor permeable waterproof sheet 52.例文帳に追加

透湿防水シート５２の一部は、有孔金属板４の表面４０１から浮き上がっており、有孔金属板４と透湿防水シート５２との間には、第２通気層７２が形成されている。 - 特許庁

The first conductive layer 36 is in contact with at least a part of the emitter region 22 provided in the second region 4 and at least a part of the body region 24, and connected to the emitter electrode 12.例文帳に追加

第１導電層３６は、第２領域４に設けられたエミッタ領域２２の少なくとも一部及びボディ領域２４の少なくとも一部と接し、エミッタ電極１２に接続している。 - 特許庁

Furthermore, a first altered layer 25 is formed by altering a part of the second interlayer insulating film 19, which is exposed from a sidewall of the fist through hole 23 through plasma processing using plasma including oxygen gas.例文帳に追加

次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。 - 特許庁

The sanitary napkin 1 includes a first swelling portion 31 and a second swelling portion 15 demonstrating elastic shrinkage force in the longitudinal direction on a skin side surface of the napkin body 2 with a liquid absorption layer.例文帳に追加

生理用ナプキン１は、液吸収層を有するナプキン本体２の肌側表面に、縦方向に弾性収縮力を発揮する第１の隆起部３１と第２の隆起部１５とが設けられている。 - 特許庁

The organic EL device includes an insulating substrate 101, first and second interlayer dielectrics 113, 114, a plurality of pixel electrodes PE, an organic layer ORG and a counter electrode CE.例文帳に追加

実施形態の有機ＥＬ装置は、絶縁基板１０１と、第１及び第２層間絶縁膜１１３，１１４と、複数の画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。 - 特許庁

The gas barrier laminate film is formed by laminating a gas barrier coating layer of a water-soluble polymer solution, sandwiched between first and second barrier layers made of an inorganic oxide deposition film, on the polyamide-based film.例文帳に追加

ガスバリア性積層フィルムは、ポリアミド系フィルムに、無機酸化物蒸着層からなる第一及び第二ガスバリア層の間に水溶性高分子溶液のガスバリア性被覆層を挟んだものを積層した。 - 特許庁

In a second etching process, the etching stopper film 14 is etched on the fuse layer 12 selectively for the first insulating film 13 to expose a surface of the firsts insulating film 13.例文帳に追加

次に、第２のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、エッチングストッパー膜１４を第１の絶縁膜１３に対して選択的にエッチングすることにより、第１の絶縁膜１３の表面を露出させる。 - 特許庁

An upper surface of the insulating layer 20 includes a first upper surface including at least a part of an inner wall surface of the opening OP and a second upper surface farther apart from the semiconductor substrate as compared with the first upper surface.例文帳に追加

絶縁層２０の上面は、開口部ＯＰの内壁面の少なくとも一部を含む第１上面と、第１上面と比較して半導体基板からより離れている第２上面と、を含む。 - 特許庁

The tape for wafer processing 10 includes a long mold releasing film 11, the adhesive layer 12, a first adhesive film 13 of a radiation curing type, and a second adhesive film 14 of a non-radiation curing type.例文帳に追加

ウエハ加工用テープ１０は、長尺の離型フィルム１１と、接着剤層１２と、放射線硬化型の第１粘着フィルム１３と、非放射線硬化型の第２粘着フィルム１４とを備えている。 - 特許庁

A second joining region (1c) in the semiconductor layer is disposed at least partially in a crossing region (99cr) where the data line and the scanning line cross each other in plan view on the substrate.例文帳に追加

半導体層における第２の接合領域（１ｃ）は、基板上で平面的に見て、データ線及び走査線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている。 - 特許庁

At each transistor part, a first opening is formed in an insulating film 8 and a second opening, which is smaller than the first opening, is formed in a poly-crystal silicon layer 11 coaxially with the first opening.例文帳に追加

各トランジスタ部において絶縁膜８に第１の開口が形成され、多結晶シリコン層１１に第１の開口より小さい第２の開口が該第１の開口と同軸に形成される。 - 特許庁

The IC chip 60 has an outer edge at a position beyond outer edges of the first wiring pattern and the second wiring pattern in the wiring layer 110 to inhibit the leakage of the electromagnetic field from both the wiring pattern.例文帳に追加

ＩＣチップ６０は、配線層１１０における第１配線パターンおよび第２配線パターンの外縁を越えた位置に外縁をもち、両配線パターンからの電磁界の漏洩を抑制する。 - 特許庁

After the second process, n^+ impurity regions 3 and 5 are formed at regions overlapped with the n-type impurity region by implanting ions into the n-type impurity region in the n^- epitaxial layer 2 (the third process).例文帳に追加

第２工程後、ｎ^-エピタキシャル層２におけるｎ型不純物領域にイオン注入し、ｎ型不純物領域と重なる領域にｎ^+不純物領域３および５を形成する（第３工程）。 - 特許庁

Shape filled with a tube or sponge molded by providing elasticity is used as a second damper member, and housed and held in the hollow part 11 of the first damper member 10 to be made a multi-layer structure.例文帳に追加

弾力性を備えて成型したチューブやスポンジを充填した形態を第２ダンパー部材として、第１ダンパー部材１０の中空部１１に収納保持して多層構造とすることもできる。 - 特許庁

A field via 60 being formed on lid plating layers 36a and 36d is subjected to a larger stress during a heat cycle as compared with a field via 160 being formed in a second interlayer resin insulation layer 150.例文帳に追加

蓋めっき層３６ａ、３６ｄの上に形成されるフィルドビア６０は、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるフィルドビア１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が大きい。 - 特許庁

A power conductor, having relatively large width, is routed on a third metal layer, to reduce the size of the power conductor on a first and second metal layers and remove it in some cases.例文帳に追加

相対的に幅の広いパワーコンダクタは第３金属層上でラウティングされて、第１及び第２金属層上でパワーコンダクタの大きさを減少させたり、場合によっては除去させたりする。 - 特許庁

The side reinforcing rubber layer 10 is composed of a first rubber section 11 having a maximum thick section 11a on the tread section side and a second rubber section 12 having a maximum thick section 12a on the bead section side.例文帳に追加

サイド補強ゴム層１０は、そのトレッド部側に最大厚さ部分１１ａを有する第１のゴム部１１と、ビード部側に最大厚さ部分１２ａを有する第２のゴム部１２とからなる。 - 特許庁

The electromagnetic shield material is constituted so that, when the polyester film 11 is stacked with the glass substrate 15, the second conductor layer 16 may protrude in the outside direction in projection to the direction perpendicular to the glass substrate 15.例文帳に追加

ポリエステルフィルム１１にガラス基板１５を重ねた状態で、該ガラス基板１５に対して垂直方向への投影において、第２の導電体層１６が外方向に食み出すように構成する。 - 特許庁

A hard mask layer HM is formed by reforming an exposed front surface region RS exposed in the second metal film 521 into a material having a different etching selection ratio for the first metal film 511.例文帳に追加

第２金属膜５２１において露出された露出表面領域ＲＳを、第１金属膜５１１に対してエッチング選択比が異なる材料に変質させてハードマスク層ＨＭを形成する。 - 特許庁

The optical recording medium has a first film (2) and a second film (3) which are successively formed on an information substrate (1) and an organic protective film of a UV curing resin layer (4), a covering substrate (6) or the like.例文帳に追加

情報基板（１）上に第一膜（２）と第二膜（３）とを順次形成しており、さらに紫外線硬化樹脂層（４）またはカバー基板（６）等の有機保護膜を有する光記録媒体とする。 - 特許庁

A sufficient space can be secured between a first electrode and a second electrode, and the other substrate by setting the thickness (d) of an electrooptical material layer so that d>A×S (3<A<100).例文帳に追加

電気光学物質層の厚さｄをｄ＞Ａ×Ｓ（３＜Ａ＜１００）となるように設定することにより、第１電極及び第２電極と他方の基板との間隔を確実に確保することができる。 - 特許庁

Each of a plurality of constituent units comprises: a light-emitting element including a functional layer held between a first electrode and a second electrode; and a driving circuit for supplying power to the light-emitting element.例文帳に追加

複数の単位構成の各々は、第１電極と第２電極との間に挟まれた機能層を含む発光素子と、発光素子に電源を供給するための駆動回路と、を備えている。 - 特許庁

Then, the upper-layer part of the interlayer insulation film 2 is subjected to anisotropic etching via the first groove TC1, thus forming a second groove TC2 with a wider opening diameter than the first groove TC1.例文帳に追加

更に、前記第１の溝ＴＣ１を介して前記層間絶縁膜２の上層部を等方性エッチングして当該第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成する。 - 特許庁

A second layer having a fixed thickness and containing inorganic or organic material is provided on a silver thin film to minimize an influence on the sensitivity of a sensor, thereby restraining influence due to a temperature change of the sensor.例文帳に追加

銀薄膜の上に、一定の厚さを持つ無機物または有機物を含む第二層を設けることで、センサ感度への影響を最小限にした上で、センサの温度変化による影響を抑える。 - 特許庁

Consequently, the spin-polarized hot electrons 27 can not conduct in the conduction band of the second ferromagnetic barrier layer 6, thereby losing their energies in the interface between the base 22 and a collector 23 by spin-dependent scatterings or reflections.例文帳に追加

このため、スピン偏極ホットエレクトロン２７は、第２の強磁性障壁層６の伝導帯を伝導できず、ベース２２とコレクタ２３との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。 - 特許庁

In order to prevent deterioration of an organic EL layer 114 due to moisture, a first inorganic film 120, an organic planarizing film 130, and a second inorganic film 140 are formed on an upper electrode 115.例文帳に追加

有機ＥＬ層１１４が水分によって劣化することを防止するために、上部電極１１５の上に第１の無機膜１２０、有機平坦化膜１３０、第２の無機膜１４０が形成されている。 - 特許庁

The magnetic head device 1A includes a first magnetic head 10A for recording direct current erasing signals, a second magnetic head 20A for recording servo signals, and a junction layer 30.例文帳に追加

本発明の一形態に係る磁気ヘッド装置１Ａは、直流消去信号記録用の第１の磁気ヘッド１０Ａと、サーボ信号記録用の第２の磁気ヘッド２０Ａと、接合層３０とを具備する。 - 特許庁

In a fuel battery cell unit, a fuel battery cell 42 comprises a membrane electrode gas diffusion layer assembly 42mega, a first separator plate 42sp1, a second separator plate 42sp2, and a frame material 42FL.例文帳に追加

燃料電池セルユニットにおいて、燃料電池セル４２は、膜電極ガス拡散層接合体４２ｍｅｇａと、第１のセパレータプレート４２ｓｐ１と、第２のセパレータプレート４２ｓｐ２と、フレーム材４２ＦＬと、を備える。 - 特許庁

The second insulating film 16b may be omitted, and the first insulating film 16a may be constituted as a multi-layer structure made of Al containing nitride based group III nitride compound semiconductor layers with different Al composition ratios.例文帳に追加

また、第２の絶縁膜を備える代わりに、第１の絶縁膜をＡｌの組成比が異なるＡｌ含有窒化物系ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体の多層膜により構成するようにしてもよい。 - 特許庁

Direct nitriding of a silicon oxide film which uses RLSA type plasma treating equipment is applied to side walls of the connection hole 21 and the second trench 23, and a barrier layer 25 composed of an SiN film is formed.例文帳に追加

さらに、接続孔２１および第２の溝２３の側壁に、ＲＬＳＡ型のプラズマ処理装置を用いたシリコン酸化膜の直接窒化を施し、ＳｉＮ膜からなるバリヤ層２５を形成する。 - 特許庁

Further, the thin plate member 5 is inclined or displaced in the vertical direction on an optical axis with an electrostatic force by controlling a voltage applied to the first and the second layer electrodes.例文帳に追加

そして、第１層と第２層の電極間に与える電位を制御すると、静電気力によって、薄板状部材５が、光路上で傾斜したり、鉛直方向に変位したりするようになっている。 - 特許庁

In order to provide the organic EL panel having a long lifetime, the organic EL element which has at least the first electrode, the light-emitting layer 16c, and the second electrode is formed on the substrate to prepare the organic EL panel.例文帳に追加

寿命が長い有機ＥＬパネルを提供するため、有機ＥＬパネルは、基板に、少なくとも第一電極と、発光層１６ｃ、第二電極と、を有する有機ＥＬ素子を形成したものである。 - 特許庁

When a read-out current is made to flow to a lamination direction through a lower part electrode 11 and an upper part electrode 14, reduction of resistance variation quantity caused by a second magnetization fixing layer 233 can be suppressed.例文帳に追加

下部電極１１および上部電極１４を介して積層方向に読出電流を流した場合、第２の磁化固着層２３３に起因する抵抗変化量の減少を抑制することができる。 - 特許庁

A surface on which the second electrode of the ohmic contact formation layer of the diode is a crystal surface inclined in a direction for exposing a (111)A surface from a (100) surface.例文帳に追加

このダイオードの前記オーミックコンタクト形成層の第２の電極を形成する面が、（１００）面から（１１１）Ａ面を表出させる方向へ傾斜した結晶面であることが特徴である。 - 特許庁

To provide: an organic light emitting element having an improved aperture ratio and capable of suppressing disconnection of an organic layer and a second electrode; and a display device including the organic light emitting element.例文帳に追加

開口率を向上させると共に有機層および第２電極の断線を抑制することができる有機発光素子およびこの有機発光素子を備えた表示装置を提供することにある。 - 特許庁

A first source/drain region and a second source/drain region are formed close to the upper surface in the semiconductor layer, and are arranged to be separated to each other.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン領域および第２のソース／ドレイン領域が、半導体層内で、その上面近傍に形成され、第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域は互いに離隔されている。 - 特許庁

An organic light emitting element has a light emitting layer interposed between a first electrode and a second electrode.例文帳に追加

第１電極と第２電極との間に発光層を有する有機発光素子において、発光層は、ナフチルアントラセン系化合物及びビアントラセン系化合物からなる混合ホストとドーパントとを含む有機発光素子である。 - 特許庁

Each pixel has the first substrate (24) provided on the upper part of the substrate (20) and a second electrode (28) provided to be opposed to the substrate (20) with a liquid crystal layer (22) including the liquid crystal molecules in-between.例文帳に追加

夫々の画素は、基板（２０）の上に設けられた第１の電極（２４）と、液晶分子を含む液晶層（２２）を挟んで基板（２０）に対向して設けられた第２の電極（２８）とを有する。 - 特許庁

The flat cap 12 made of doped polysilicon is supported on a silicon substrate 2 in a facing state to the silicon substrate 2 via a second insulating layer 9 by a wall section 6 and separating section 7.例文帳に追加

シリコン基板２上には、壁部６および分離部７により、第２絶縁層９を介して、ドープトポリシリコンからなる平板状のキャップ１２がシリコン基板２に対向した状態で支持されている。 - 特許庁

The intensity of the second laser beams L2 is adjusted at laser beam intensity to be a temperature lower than a temperature which is given to the light absorbing resin layer 6B of the work 6 by the first laser beams L1.例文帳に追加

第２レーザビームＬ２のレーザ光強度は、第１レーザビームＬ１によってワーク６の光吸収性樹脂層６Ｂが与えられる温度よりも低温となるレーザ光強度に調整されている。 - 特許庁

The organic EL element 100 has a structure in which a luminous layer 10 is interposed by a first electrode 1 and a second electrode 2 arranged mutually facing each other.例文帳に追加

上記課題を解決する有機ＥＬ素子１００は、互いに対向して配置されている第１の電極１及び第２の電極２により、発光層１０が挟持された構造を有している。 - 特許庁

Most electromagnetic waves in the LSM_01 mode propagate in the third dielectric layer 13 whose dielectric constant is relatively higher in a region sandwiched between the lines of the first and second through-holes 21, 22.例文帳に追加

第１および第２のスルーホール２１，２２の列によって挟まれた領域内において、ＬＳＭ_01モードの電磁波のほとんどが、相対的に誘電率の高い第３の誘電体層１３内を伝搬する。 - 特許庁

The electric insulation layer 42 is provided with a control section 48 electrically connected with the second conductive body 30b and controlling a heating means by detecting whether or not the user performs the input operation.例文帳に追加

電気絶縁層４２には、第２の導電体３０ｂと電気的に接続されて前記ユーザーの入力操作の有無を検知して加熱手段を制御する制御部４８が設けられている。 - 特許庁