| 意味 | 例文 |
second-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
This image sensor comprises: a semiconductor substrate in which a CMOS circuit is formed; an interlayer insulating film containing a trench formed on the semiconductor substrate; metal wiring and a first conductive-type conductive layer which are formed in the trench of the interlayer insulating film; an intrinsic layer formed on the substrate containing the first conductive-type conductive layer and the interlayer insulating film; and a second conductive-type conductive layer.例文帳に追加
実施例のイメージセンサーは、シーモス回路が形成された半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトレンチを含む層間絶縁膜と、該層間絶縁膜のトレンチ内部に形成された金属配線及び第1導電型伝導層と、該第1導電型伝導層及び層間絶縁膜を含む半導体基板上に形成された真性層と、及び前記真性層上に形成された第2導電型伝導層を含む。 - 特許庁
The method for manufacturing the nitride semiconductor element having the sapphire substrate on whose surface unevenness is formed and the nitride semiconductor layer containing the light emitting layer laminated on the substrate includes a first step that removes at least a part of a region for dividing the nitride semiconductor layer into each element with laser and a second step that performs wet etching on the side surface of the nitride semiconductor layer.例文帳に追加
製造方法の発明は、サファイア基板と、該基板上に積層された発光層を含む窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、サファイア基板の表面は凹凸が形成された面であり、窒化物半導体層の各素子に分割する部位の少なくとも一部をレーザーで除去する第1の工程と、該窒化物半導体層の側面を湿式エッチングする第2の工程からなる。 - 特許庁
In this photovoltaic force element provided with a photovoltaic cell 102 having a semiconductor junction layer generating photovoltaic force, a bypass diode is formed on the region other than the above-mentioned photovoltaic cell as a bypass diode part 105 having the second semiconductor junction layer, which is different from the first semiconductor junction layer that is the semiconductor junction layer of the photovoltaic cell.例文帳に追加
光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力部102を備え、バイパスダイオードが並列に接続される光起電力素子において、前記バイパスダイオードを、前記光起電力部と同一の導電面上の前記光起電力部以外の領域に、前記光起電力部の半導体接合層である第1の半導体接合層とは別の第2の半導体接合層を有するバイパスダイオード部105として形成する。 - 特許庁
This solar battery comprises a first transparent electrode 101, a transparent semiconductor layer 102 provided on the first electrode 101, a sensitizing pigment adsorption part for a plurality of colors adsorped in a plurality of parts on the surface of the semiconductor layer 102, a carrier movement layer 107 provided on the pigment adsorption part, and a second transparent electrode 108 provided on the carrier movement layer 107.例文帳に追加
第1の透明電極101と、第1の透明電極101上に設けられた透明半導体層102と、透明半導体層102表面の複数の部位に吸着した複数色の増感色素吸着部と、増感色素吸着部上に設けられたキャリア移動層107と、キャリア移動層107上に設けられた第2の透明電極108とから成る事を特徴とする多色色素増感型太陽電池。 - 特許庁
A semiconductor device is provided which comprises a substrate, a base epitaxial semiconductor layer containing a dopant of first polarity that is disposed on the substrate; a first semiconductor layer, including the dopant of second polarity that is disposed on the substrate; and a first junction formed between the base epitaxial semiconductor layer and the first semiconductor layer, with the first junction having an area, in which at least one form width is smaller than about 75 nanometers.例文帳に追加
基板と、基板の上に配置された第1の極性のドーパントを含むベース・エピタキシャル半導体層と、前記基板の上に配置された第2の極性のドーパントを含む第1の半導体層と、前記ベース・エピタキシャル半導体層と前記第1の半導体層との間に形成された第1の接合であって、少なくとも1つの横寸法が約75ナノメートルよりも小さいエリアを持つ第1の接合と、を備える半導体デバイスを提供する。 - 特許庁
A method of manufacturing an electronic device including at least two layers containing organic compounds includes: a first step of forming a film of mixed layer by applying a coating solution containing organic compounds and metals and/or metal oxide on a substrate directly or over another layer; and a second step of forming a film of an organic layer by applying a solution containing organic compounds directly on the mixed layer formed in the first step.例文帳に追加
有機物を含む層が少なくとも2層以上積層された電子デバイスの製造方法であって、基板上に直接あるいは他の層を介して有機物ならびに金属および/もしくは金属酸化物とを含む塗布液を塗布して混合層を製膜する第1工程と、当該第1工程で製膜した混合層の上に直接有機物を含む溶液を塗布して有機層を製膜する第2工程とを含む。 - 特許庁
On the CPP structured magnetoresistive effect head, the deformation adjacent to the plane facing the medium to occur in machine polishing for a floating plane machining process can be reduced by arranging deformation preventing layers 13, 14 with a shearing modulus larger than a first ferromagnetic layer 19 and a second ferromagnetic layer 17 between a magnetoresistive effect film 50 and at least either a lower shield layer 11 or un upper shield layer 12.例文帳に追加
CPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜50と、少なくとも下部シールド層11あるいは上部シールド層12の何れか一方との間に、第1の強磁性層19および第2の強磁性層17よりも大きなずれ弾性率を有する変形防止層13、14を設けることにより、浮上面加工工程で機械研磨加工を行った際に発生する媒体対向面近傍における変形を低減できる。 - 特許庁
The method of manufacturing the secondary battery includes: a step in which a first electrolyte layer consisting of a polymer, ionic liquid, and Li salt is installed on an electrode with a gap provided between small pieces of the electrolyte layer; and a step in which a second electrolyte layer consisting of ionic liquid and Li salt is installed on the first electrolyte layer laminated on the electrode and on the gap of the electrolyte layers.例文帳に追加
電極と電解質を含む二次電池を製造する方法であって、電極上に、ポリマーとイオン液体とLi塩からなる第一の電解質層を、該電解質層の小片同士の間に間隙を有して設ける工程と、電極上に積層された第一の電解質層及び該電解質層の間隙上に、イオン液体とLi塩からなる第二の電解質層を設ける工程を含むことを特徴とする二次電池の製造方法。 - 特許庁
The organic electroluminescence element comprises a substrate on which a first electrode is provided, a hydrophilic surface provided on the substrate on which hydrophilic graft chains exist, an organic luminous layer or a plurality of organic compound layers including the organic luminous layer locally provided on the hydrophilic surface, and a second electrode provided on the organic luminous layer or the plurality of organic compound layers including the organic luminous layer, in sequence.例文帳に追加
第一の電極が設けられた基板と、該基板上に設けられた親水性グラフト鎖が存在する親水性表面と、該親水性表面上に局所的に設けられた有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層と、該有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層上に設けられた第二の電極と、を順次備えてなることを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁
A base material is obtained by laminating a second film layer having a lower stress relaxation than that of the first film layer made of a thermoplastic resin except one or more types of olefin thermoplastic elastomer on any of a polymer alloy of an amorphous polyolefin, an olefin resin and a thermoplastic elastomer, a copolymer and an acrylic urethane copolymer so that the first film layer made of the olefin thermoplastic elastomer becomes the skin laminating side outermost layer.例文帳に追加
非晶質ポリオレフィン、オレフィン系樹脂と熱可塑性エラストマーとのポリマーアロイや共重合物、アクリル/ウレタン共重合体の何れかに一種以上のオレフィン系熱可塑性エラストマーからなる第1のフィルム層が皮膚貼付側最外層となるように、前記オレフィン系熱可塑性エラストマー以外の熱可塑性樹脂からなり前記第1のフィルム層よりも応力緩和性の低い第2のフィルム層を積層して、基材フィルムを得る。 - 特許庁
Furthermore, there are provided in the insulating layer a spiral electrode 21 for electrically connecting the first input/output electrode and the second input/output electrode, a first control take-out electrode 45 for electrically connecting the first control electrode and the first control input/output electrode, and a second control take-out electrode for electrically connecting the second control electrode and the second control input/output electrode.例文帳に追加
さらに、絶縁層内に第1入出力電極と第2入出力電極とを電気的に接続する渦巻き螺旋状のスパイラル電極21、第1制御電極と第1制御用入出力電極との間をそれぞれ電気的に接続する第1制御用取り出し電極45、及び、第2制御電極と第2制御用入出力電極との間をそれぞれ電気的に接続する第2制御用取り出し電極が設けられている。 - 特許庁
The sensor includes two first contact electrodes and two second contact electrodes, wherein the first contact electrodes are placed on the resistive layer to define a first detection area in the sensitive area between the first contact electrodes, and the second contact electrodes are placed partially in the sensitive area on the bottom surface of the body, and the surfaces of the second electrodes in the sensitive area define a second detection area that overlaps with the first detection area.例文帳に追加
センサは、2つの第一コンタクト電極及び2つの第二コンタクト電極を含み、第一コンタクト電極は、抵抗層上に配置されて、感応性領域内で第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定し、第二コンタクト電極は一部が本体の底面の感応性領域内に配置され、感応性領域内の第二電極の表面が、第一検出領域にオーバーラップする第二検出領域を画定する。 - 特許庁
The antiglare layer 2 is formed by dropping a first resin material and a second resin material not mixing with the first resin material, onto the base material using an inkjet device to form first dots 3 made of the first resin material and second dots 4 made of the second resin material alternately in rows and columns on the base material and then curing the first dots 3 and the second dots 4.例文帳に追加
防眩層2の形成は、インクジェット装置を用いて第1の樹脂材料およびこの第1の樹脂材料とは混ざり合わない第2の樹脂材料を基材1上に滴下して、当該基材1上に第1の樹脂材料からなる第1のドット3と第2の樹脂材料からなる第2のドット4とを縦横に交互に並ぶように形成し、その後に第1のドット3および第2のドット4を硬化させることにより行う。 - 特許庁
The method is for manufacturing a plasma display member comprising a first dielectric layer to cover an electrode pattern, a second dielectric layer to cover the first dielectric layer, and a third dielectric layer to cover the second dielectric layer.例文帳に追加
電極パターンを覆う第一の誘電体層、該第一の誘電体層を覆う第二の誘電体層、および該第二の誘電体層を覆う第三の誘電体層を有するプラズマディスプレイ用部材の製造方法であって、軟化点がTs1(℃)である第一の誘電体前駆体層、該第一の誘電体前駆体層を覆い、軟化点がTs2(℃)であるガラス粉末を全無機成分中85体積%以上含む第二の誘電体前駆体層、および該第二の誘電体前駆体層を覆い、有機成分と無機成分からなり、軟化点がTs3(℃)であるガラス粉末を全無機成分中85体積%以上含む第三の誘電体前駆体層を形成した後、該三層の誘電体前駆体層を同時焼成する。 - 特許庁
Respective liquid droplets Fb1 which are discharged from a liquid droplet discharge device and are struck are coupled to one another to form a liquid layer Z1 on a counter electrode 26 of a counter substrate on which respective second recessed parts 26c are formed.例文帳に追加
各第2の凹部26cが形成された対向基板の対向電極26に、液滴吐出装置から吐出されて着弾した各液滴Fb1は、相互に結合して液層Z1を形成する。 - 特許庁
A first cut portion (221) is formed from a cutting surface (220a) on the side that is not opposed to a liquid crystal layer (50) of the two sides of a second substrate (220) along a first external form line (250X) (a first step).例文帳に追加
第2基板(220)の両面のうち液晶層(50)に面しない側の切り込み面(220a)から、第1外形線(250X)に沿って第1切り込み部(221)を形成する(第1工程)。 - 特許庁
Furthermore, at least one sheet of the conductive films in a major region of the film composite material contains a first metal and has at least one film portion with a second metal layer thinner than the first metal.例文帳に追加
さらに、膜複合材の主領域の少なくとも1つの導電膜は、第1の金属を含み、かつ前記膜の厚さに比べて薄い第2の金属層を有する少なくとも1つの膜部分を有する。 - 特許庁
A brazing filler metal 7 is uniformly distributed on the metalized layer 6, the first columnar metal work 1 and the second columnar metal work 2 are concentrically opposite to each other, and brazed in a fixing manner while pressing them against each other.例文帳に追加
メタライズ層6にろう材7を均一に配置し、第一円柱状金属ワーク1と第二円柱状金属ワーク2とを同軸合わせで対向させ加圧しながら、ろう接固定する。 - 特許庁
Each pattern is in contact with at least one pattern in the adjacent layer, and the spaces in the whole plurality of layers are connected to one another and the spaces contain, for example, a second material such as silicon dioxide.例文帳に追加
それぞれのパターンは、隣接する層の少なくとも一つのパターンと接触していて、複数の層全体の隙間は、相互に接続していて、隙間は、例えば、二酸化シリコンのような第2の材料を含む。 - 特許庁
The metallized layer 102 is provided with a first region 102a surrounding the recess 105, and a plurality of second regions 102b projected from the first region 102a toward the outer rim of the insulating substrate 101.例文帳に追加
メタライズ層102は、凹部105を取り囲む第1の領域102aと第1の領域102aから絶縁基体101の外縁に向かって突出した複数の第2の領域102bとを有する。 - 特許庁
The sheet 10 is divided into a first region 16 (26) and a second region 17 (27) and the peripheral edge part of the first region 16 (26) can allow the pressure-sensitive adhesive layer 12 to be exposed.例文帳に追加
シート10は第1の領域16(26)および第2の領域17(27)に分割されており、第1の領域の16(26)の周縁部は粘着剤層12が露出可能とされている。 - 特許庁
With this configuration, the side surfaces of first, second and third interlayer films 13, 15 and 17 and the passivation film 22 are each covered with a portion of the sealing resin layer 4 entering into the groove 31.例文帳に追加
これにより、第1層間膜13、第2層間膜15、第3層間膜17およびパッシベーション膜22の各側面は、封止樹脂層4の溝31に入り込んだ部分によって被覆されている。 - 特許庁
The organic electroluminescent device has a low reflectance ratio multilayer structure utilizing optical interference in which a first translucent film, a second translucent film, and a reflection layer are laminated in order or in inverse order.例文帳に追加
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、第1半透過性膜と、第2半透過性膜と、反射層と、が順または逆順に積層されてなる光学干渉を利用した低反射率積層構造を有する。 - 特許庁
The second pseudo-memory cell transistor 10 comprises a fifth gate 2, formed on the element separation layer 21; and a sixth gate 3 formed on the side of the fifth gate 2 to face the fourth gate 3.例文帳に追加
第2擬似メモリセルトランジスタ10は、素子分離層21上に形成された第5ゲート2と、第5ゲート2の側面に第4ゲート3と対向するように形成された第6ゲート3とを備える。 - 特許庁
The coding device 106 also records past coding parameters of first, second, or third generation on user_data of a picture layer, and performs multiplexing to coding stream ST of fourth generation and outputting to a channel encoding device 602.例文帳に追加
符号化装置106はまた、第1世代乃至第3世代の過去の符号化パラメータをピクチャ層のuser_dataに記録し、第4世代の符号化ストリームSTに多重化して、チャンネルエンコーディング装置602に出力する。 - 特許庁
The sealing resin layer 4 comprises two parts including a first structural part 4a in contact with a surface of the substrate 3 and a second structural part 4b in a different shape constituted in conjunction on the first structural part 4a.例文帳に追加
封止樹脂層4は、基板3面に接触する第1構成部4a、第1構成部4a上に連結して構成される形状の異なる第2構成部4b、の2つの部分で構成される。 - 特許庁
The magnetic pole layer 16 incorporates: a first portion 16C having an end face located in the medium facing surface 30; and a second portion 16D having a thickness greater than that of the 1st portion 16C.例文帳に追加
磁極層16は、媒体対向面30に配置された端面を有する第1の部分16Cと、第1の部分16Cよりも大きな厚みを有する第2の部分16Dを有している。 - 特許庁
As a result, a second transistor 58 is turned on, so that a gate electrode 104 of a first transistor 56 is connected to the substrate 54 at the location of a P-type diffused layer 505.例文帳に追加
その結果、第2のトランジスタ58はオンして第1のトランジスタ56のゲート電極104は第2のトランジスタ58を通じ、P型拡散層505の箇所で半導体基板54に接続される。 - 特許庁
A threshold voltage adjustment layer 9 for the second MOS element (high Vth MOS element) is formed after a first region 30 as a first MOS element forming region is masked with a resist film 8.例文帳に追加
第1のMOS型素子形成領域である第1領域30をレジスト膜8でマスクした後、第2のMOS型素子(高VthMOS型素子)用のしきい値電圧調整層9を形成する。 - 特許庁
An overhung-shaped sidewall 202a is formed on the sidewall of the aperture 105, and a second interlayer insulating film 106 is formed on the layer 105, in a state such that the aperture 105a is filled.例文帳に追加
開口部105aの側壁にオーバーハング形状のサイドウォール202aを形成し、開口部105aを埋め込む状態で、第1ストッパ層105上に第2層間絶縁膜106を形成する。 - 特許庁
The adhesive layer of the sampling module allows the movable ring to be stuck to the target region at a second adjacent position, and affects the deformation of the target region while the sampling module is used.例文帳に追加
サンプリングモジュールの接着層は標的部位の第2近隣位置における遊動リングの身体への接着取付けを可能とし、サンプリングモジュールの使用中の標的部位の変形に影響を与える。 - 特許庁
Next, a surface roughening process is done on the part of the first conductive pattern 2 exposed inside the pore 3a of the second insulating layer 3 so that its average surface roughness Ra may become 20 nm or more and 200 nm or less.例文帳に追加
次に、第2の絶縁層3の孔部3a内で露出する第1の導体パターン2の部分の平均表面粗さRaが20nm以上200nm以下となるように、粗面化処理を行う。 - 特許庁
With the photosensitive film 47 as a mask, the second metal layer 45 is patterned so as to have a width (W2) narrower by about 1-4 μm than the photosensitive film width (W1) by an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).例文帳に追加
感光膜47をマスクとして第2金属層45を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅(W1)よりも1μm乃至4μm程度小さな幅(W2)にパターニングする(図5(b))。 - 特許庁
Furthermore, the second antiferromagnetic layer 41 is made of an insulative and antiferromagnetic material, so that a current is hardly branched and a magnetism detection element with a large reproduction output can be obtained.例文帳に追加
しかも前記第2反強磁性層41は絶縁性の反強磁性材料であるから、電流が前記第2反強磁性層に分流せず、再生出力の大きい磁気検出素子を得ることができる。 - 特許庁
In this device, the p-type Al_xGa_1-xN layer 5 side is down bonded, and light is emitted from a second principal plane 1a which is a principal plane opposite from the first principal plane of the GaN substrate 1.例文帳に追加
発光装置は、p型Al_xGa_1-xN層5の側をダウン実装し、GaN基板1の第1の主表面と反対側の主表面である第2の主表面1aから光を放出する。 - 特許庁
The second and fourth strip line conductor layers 17, 20 are set mutually opposed via the dielectric layer.例文帳に追加
第1及び第3のストリップライン導体層16、19は誘電体層を介して互いに対向配置され、第2及び第4のストリップライン導体層17、20)は誘電体層を介して互いに対向配置されちる。 - 特許庁
The second recording layer (3) consists of Ge and contains 0.5 to 10 atomic percent at.% of at least one element selected from Al, Ag, In, Mn, Ni, Zn and Zr.例文帳に追加
第二記録層(3)はGeから成り、Al、Ag、In、Mn、Ni、Zn、Zrの中から選ばれた少なくとも一つの元素を0.5原子%以上10原子%以下の範囲内で含有する。 - 特許庁
When an inner fin 123 is sandwiched between a first plate 122a with a paste material layer 122c formed on its surface and a second plate 122b, a spacing part 125 is formed by a projection part 122b (refer to a).例文帳に追加
表面にペースト材層122cが形成された第1プレート122aと第2プレート122bとによりインナーフィン123を挟み込むときには、突起部122bにより隙間部125を形成する((a)参照)。 - 特許庁
(2) In the optical recording medium mentioned in (1), oxides to be main components of the second dielectric layer are Nb_2O_5 and SiO_2, Ta_2O_2 and SiO_2, or Nb_2O_5, SiO_2 and Ta_2O_5.例文帳に追加
(2)第二誘電体層の主成分となる酸化物が、Nb_2O_5とSiO_2、Ta_2O_5とSiO_2、又はNb_2O_5、SiO_2及びTa_2O_5であることを特徴とする(1)記載の光記録媒体。 - 特許庁
The E-ink layer is disposed between the first substrate and the second substrate and has a plurality of charged particles (614), and a display state of the display device is determined by the dispersion state of charged particles.例文帳に追加
電子インク層は、第1の基板と第2の基板の間に配置されて複数の帯電粒子(614)を有し、帯電粒子の分布状態により表示装置の表示状態が決定される。 - 特許庁
The contents of the first update identifiers stored in the devices are updated in the first and the second device if synchronization has been performed and after the transport layer connection has been ended substantially properly.例文帳に追加
それらのデバイスに記憶された第1更新識別子の内容は、同期が実行されて、この後前記トランスポート層コネクションが実質的に正しく終了した場合、第1及び第2デバイスで更新される。 - 特許庁
The adhesive sheet S1 including an adhesive layer AD formed on one side of a substrate sheet BS is delivered by first delivery means 11, and the sheet S2 is delivered by second delivery means 12.例文帳に追加
基材シートBSの一方の面に接着剤層ADを有する接着シートS1が第1繰出手段11により繰り出され、枚葉シートS2が第2繰出手段12により繰り出される。 - 特許庁
Electrons are properly deflected by second grid electrodes 47, 48, electrons collide with the desired picture element of a fluorescent material layer 50 provided on a lower surface of a screen plate 51 and electrons emit light and thereby an image is displayed.例文帳に追加
さらに,第2グリッド電極47,48により適宜偏向され,スクリーンプレート51の下面に備えられた蛍光物質層50の所望の画素に衝突し,光を発することで画像を表示する。 - 特許庁
In the light emitting device, the side of the p-type Al_xGa_1-xN layer 5 is mounted downward and light is emitted from a second main surface 1a on the opposite side of the first main surface of the GaN substrate 1.例文帳に追加
発光装置は、p型Al_xGa_1-xN層5の側をダウン実装し、GaN基板1の第1の主表面と反対側の主表面である第2の主表面1aから光を放出するものである。 - 特許庁
When the main lateral HVFET and the sense FET are in an on-state, a voltage potential is produced at a second source metal layer that is proportional to a first current flowing through the lateral HVFET.例文帳に追加
主横型HVFETおよびセンスFETがオン状態である場合、横型HVFETを通って流れる第1の電流に比例する電圧電位が第2のソース金属層において生成される。 - 特許庁
A surface of a projecting underfill resin 6 at a periphery of the semiconductor chip 1 is coated with a second resin 16b to form an uneven layer 16, and molding using a mold resin is carried out thereupon to form a container.例文帳に追加
半導体チップ1の周囲のはみ出したアンダーフィル樹脂6の表面に第2の樹脂16bを塗布して凹凸層16を形成し、その上にモールド樹脂によりモールドを行い、容器を形成する。 - 特許庁
A glass fiber net 4 is tentatively pressed, and further the short-fiber-mixed mortar is applied as the second mortar layer 5 in a thickness of, e.g. 3 mm over the net 4 with a metal trowel to embed the net 4.例文帳に追加
ガラス繊維ネット4を仮押さえし、さらに金ゴテでネット4の上から第2層目モルタル5として短繊維入りモルタルを例えば3mm厚に塗り付けて、ネット4を埋め込むようにする。 - 特許庁
Between the first magnetic thin film 1 and the second magnetic thin film 2, an insulating layer 3 is formed to control (suppress) a current flowing the entire magnetic storage element 10.例文帳に追加
また、第1の磁性体薄膜1と第2の磁性体薄膜2との間には、磁気記憶素子10全体を通じて流れる電流値を制御(抑制)するための絶縁層3が形成されている。 - 特許庁
A second barrier metal layer 20 and a plug material 21 mainly composed of Cu are embedded in a hole formed in the insulating films 17 and 18, and a via plug 22a and a slit-like dummy plug 22b are formed.例文帳に追加
絶縁膜17,18に形成されたホール内に第2のバリアメタル層20とCuを主とするプラグ材21が埋め込まれてヴィアプラグ22a,及びスリット状ダミープラグ22bが形成されている。 - 特許庁
A light shielding layer 111 includes a first and a second openings having a different structure from each other, respectively, and the different structure transmits at least one of polarization components under a different state.例文帳に追加
遮光層111は、互いに異なる構造を有する第1の開口及び第2の開口を有し、異なる構造は偏光成分のうち少なくとも1つの偏光成分を異なる状態で透過する。 - 特許庁
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