「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(353ページ目) - Weblio英語例文検索

The display device comprises a light emitting element including a first electrode, a second electrode opposed to the first electrode, a mixed layer of metal oxide and an organic compound provided between the first electrode and the second electrode is subjected to aging drive.例文帳に追加

第１の電極、第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、第１の電極及び第２の電極間に設けられた金属酸化物と有機化合物が混成した層を有する発光素子を有する表示装置に対して、エージング駆動を設けることを特徴とする。 - 特許庁

Temperature/ pressure characteristics for breaking the microcapsule by a predetermined pressured at a first temperature are given to the microcapsule, and temperature color developing characteristics for color developing a second color at a second temperature at least higher than the first temperature are given to the color developing layer.例文帳に追加

感圧マイクロカプセルには第１の温度下でしかも所定圧力で破壊するようになった温度／圧力特性が与えられ、感熱発色層には少なくとも第１の温度よりも高い第２の温度下で第２の色を発色するようになった温度発色特性が与えられる。 - 特許庁

Since the first and second device layers 20 and 40 are formed separately in manufacturing processes for the first device unit 2 and the second device unit 4, the formation method for a device layer is not limited, whereas it is limited when a plurality of device layers are sequentially laminated.例文帳に追加

第１のデバイス層２０および第２のデバイス層４０は、第１のデバイスユニット２と第２のデバイスユニット４の製造工程においてそれぞれ個別に形成されるので、複数のデバイス層を順次積層形成する場合のようにデバイス層の形成方法が限定されない。 - 特許庁

A first and second buildup layers 13, 14 made of soft resins each having a modulus of elasticity of 5000 MPa or less are formed on one surface of a hard core substrate 12, and an electrode 30 connected to a via 29 is formed on the outer surface of the second buildup layer 14.例文帳に追加

硬質のコア基板１２の一方の面に弾性係数が５０００ＭＰａ以下の柔軟な樹脂から成る第１ビルドアップ層１３および第２ビルドアップ層１４を形成し、しかも第２ビルドアップ層１４の外表面にビア２９と接続された電極３０を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes an array substrate 1, a counter-substrate 2, a plurality of first pixel sections, a plurality of second pixel sections, a liquid crystal layer 3, a color filter 4 including a plurality of first color layers and a plurality of second color layers and an undercoat insulation film 11.例文帳に追加

液晶表示装置は、アレイ基板１と、対向基板２と、複数の第１画素部および複数の第２画素部と、液晶層３と、複数の第１着色層および複数の第２着色層を有したカラーフィルタ４と、アンダーコート絶縁膜１１と、を備えている。 - 特許庁

The belt layer 7 comprises two sheets: a first belt ply 7A arranged inside in the tire radial direction with first steel cords, and a second belt ply 7B arranged outside the first belt ply 7A with second steel cords having strength different from that of the first steel cords.例文帳に追加

ベルト層７は、タイヤ半径方向内側に配されかつ第１のスチールコードを配列した第１のベルトプライ７Ａと、第１のベルトプライ７Ａの外側に配されかつ前記第１のスチールコードとは強力が異なる第２のスチールコードを配列した第２のベルトプライ７Ｂとの２枚からなる。 - 特許庁

On a second interlayer insulating film 30, a first wiring 33a connected to the control gate electrode 24 and a second wiring 33b connected to the intermediate electrode 22 of the ferrodielectric FET are arranged, thereby forming a wiring layer 33 connected to the gate electrodes 14 of the CMOS.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３０の上に、制御ゲート電極２４に接続される第１の配線３３ａと、強誘電体ＦＥＴの中間電極２２に接続される第２の配線３３ｂとを有し、ＣＭＯＳのゲート電極１４に接続される配線層３３を形成する。 - 特許庁

The source and drain regions are at least partially formed by a second material of which an effective lattice constant is smaller than that of the first material, are arranged at both the sides of the channel region in a semiconductor layer, and the second material induces tensile stress to the channel region.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域は、実効的な格子定数が第１材料よりも小さい第２材料から少なくとも一部が形成され、半導体層内のチャネル領域の両側に配置され、第２材料はチャネル領域に引っ張り応力を誘起する。 - 特許庁

In addition, light incident between the reflective pixel electrodes 9a out of light incident from the side of the second substrate 20 is reflected on an insulation reflective layer 73a, provided in a gap 9s sandwiched by the reflective pixel electrodes 9a and emitted from the second substrate 20 side.例文帳に追加

また第２基板２０側から入射した光のうち、反射性画素電極９ａの間に入射した光は、反射性画素電極９ａによって挟まれた隙間９ｓに設けられた絶縁性反射層７３ａによって反射して第２基板２０側から出射させる。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 16 between a pixel switching element 102 and signal wiring 202 is formed such that a first thickness D1 formed in a region corresponding to a second source/drain region 102b is larger than a second thickness D2 in a region corresponding to a gate electrode 102g.例文帳に追加

画素スイッチング素子１０２と信号配線２０２との間の層間絶縁膜１６を、第２のソース・ドレイン領域１０２ｂに対応する領域に形成された第１の厚さＤ１が、ゲート電極１０２ｇに対応する領域の第２の厚さＤ２よりも厚くなるように形成する。 - 特許庁

At the thermal head A with a strip of heating element 3 of a single dot, while connecting a second electrode 42 making an electric power applied to the heating element 3 nearly throughout both ends of the heating element 3 in the conveying direction, the heating element 3, the second electrode 42 and a protection layer 5 are formed as a thin film.例文帳に追加

単ドットの帯状の発熱体３を有したサーマルヘッドＡにおいて、その発熱体３の搬送方向両端部の略全域に亘って発熱体３に電力を印加させる第２電極４２を接続すると共に、発熱体３と、第２電極４２と、保護層５を薄膜形成する。 - 特許庁

The color filter 22 of the second substrate 20 has at least one opening 22a in the area corresponding to the reflecting area R, and the step of forming the polymer structure 32 is executed by emitting light to the liquid crystal layer 30 from both the first substrate 10 side and the second substrate 20 side.例文帳に追加

第２基板２０のカラーフィルタ２２は、反射領域Ｒに対応する領域に少なくとも１つの開口部２２ａを有し、ポリマー構造物３２を形成する工程は、液晶層３０に第１基板１０側と第２基板２０側の両方から光を照射することによって実行される。 - 特許庁

When a difference between a charge amount in the first electrode 11 and a charge amount in the second electrode 14 is generated due to change in a dielectric constant of the dielectric layer 13 in response to change in predetermined physical quantity in an ambient atmosphere, a potential difference is generated between the first electrode 11 and the second electrode 14, thereby generating power.例文帳に追加

周囲雰囲気中の所定物理量の変化に応じて誘電体層13の誘電率が変化することにより、第１電極11の電荷量と第２電極14の電荷量に差が生じると第１電極11と第２電極14との間に電位差が生じて発電される。 - 特許庁

Or, the first thin film transistor is formed on the insulating substrate, the second thin film transistor is formed so as to interpose the inter-layer insulating film between itself and the first thin film transistor, and the first thin film transistor is electrically connected to the second thin film transistor through the contact hole formed in the inter-element insulating film.例文帳に追加

または、絶縁体基板上に第１層めの薄膜トランジスタが形成され、素子間絶縁膜をはさんで第２層めの薄膜トランジスタが形成され、第１層めの薄膜トランジスタは素子間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第２層めの薄膜トランジスタと導通している。 - 特許庁

The recording medium further includes a thermal deformation suppressing layer formed on the second surface of the resin substrate excluding the inner peripheral area of a predetermined width from the center hole, the recording area, and the outer peripheral side nonrecording area, and having a second thermal expansion factor smaller than the first thermal expansion factor.例文帳に追加

記録媒体は更に、中心穴から所定幅の内周領域、記録領域及び外周側非記録領域を除き、樹脂基板の第２面上に形成された、第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層を含んでいる。 - 特許庁

First and second color layers 33 and 46 are formed, and openings 49 are formed in an etching step, and then, a third color layer 50 is formed so as to cover all of surfaces of the first and the second color layers 33 and 46 and fill the openings 49.例文帳に追加

第１及び第２の着色層３３，４６を形成し、さらにエッチング工程にて開口部４９を形成した後に、第１及び第２の着色層３３，４６上全体を覆うと共に、開口部４９に埋め込むようにして、第３の着色層５０を形成する。 - 特許庁

The main surface of the directly under dielectric layer V12 arranged with the second path end pad 20 is covered with a path end side surface conductor 19, and an opening 19a for second path end pad is formed at a position corresponding to a core side pad 18 of the path end side surface conductor 19.例文帳に追加

直下誘電体層Ｖ１２の第二経路端パッド２０が配置されている主表面は、経路端側面導体１９にて覆われてなり、該経路端側面導体１９のコア側パッド１８に対応する位置に第二経路端パッド用開口１９ａが形成される。 - 特許庁

This frame-shape case A comprises a frame part 10 provided so as to simultaneously fix a first PET film sheet 32 and a second PET film sheet 34 from one side, a second polyethylene foamed body 52 provided on the reverse side of the first PET film sheet 32, an adhesive layer 54, and a release sheet 56.例文帳に追加

額状ケースＡは、第１ＰＥＴフィルムシート３２と、第２ＰＥＴフィルムシート３４とを一方から同時に固定するように設けられた枠状部１０と、第１ＰＥＴフィルムシート３２の裏側に設けられた第２ポリエチレン発泡体５２と、接着層５４と、剥離シート５６とを有している。 - 特許庁

An assembling body of a plasma display device is provided with a first substrate, a second substrate arranged in parallel with the first substrate, barrier ribs arranged between the first and the second substrates, and a reflection-preventing layer for reducing reflection brightness at a display area of the substrate.例文帳に追加

第１基板と、第１基板と平行に配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置された隔壁と、隔壁内に形成され、基板の表示領域での反射輝度を低減させる反射防止層と、を備えるプラズマ表示装置の組立て体。 - 特許庁

In the light scattering liquid crystal display device, a light scattering liquid crystal layer is held between first and second substrates 10 and 20 and columnar spacers 40 maintaining a gap between the substrates at a prescribed interval are disposed between the first and the second substrates 10 and 20.例文帳に追加

この光散乱型の液晶表示装置は、第１基板１０と第２基板２０との間に、光散乱性の液晶層が挟持されるとともに、第１基板１０と第２基板２０との間に上記基板間を所定の間隔に維持する柱状スペーサー４０が配置されたものである。 - 特許庁

The carrier for developing the electrostatic latent image is characterized by being provided with a core material, and a resin coating layer which covers the core material, and that the maximum increased amount of content of iron element to all elements by etching becomes ≥0.0025 atm%/second and ≤0.025 atm%/second when the surface is etched for 240 seconds.例文帳に追加

芯材と、該芯材を被覆する樹脂被覆層と、を有し、表面を２４０秒エッチングした際に、エッチングによる全元素に対する鉄元素の含有量の最大増加量が、０．００２５ａｔｍ％／秒以上０．０２５ａｔｍ％／秒以下となることを特徴とする静電潜像現像用キャリア。 - 特許庁

The translucent reflective liquid crystal display device is composed of a first polarizing plate 11, a first optical compensation element, a liquid crystal element 20 including a translucent on reflection layer 7 provided with transparent parts 9, a second optical compensating element, a second polarizing plate 17 and a backlight 16.例文帳に追加

第１の偏光板１１と、第１の光学補償素子と、透明部９を設けた半透過反射層７を内在した液晶素子２０と、第２の光学補償素子と、第２の偏光板１７と、バックライト１６とからなる半透過反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

An AV stream recorded by a program of a reproduction-only data layer and management information are recorded under a first directory 3502, an AV stream recorded by a user and management information are recorded under a second directory 3503, and the first directory 3502 and the second directory 3503 are independent of each other.例文帳に追加

再生専用データ層のプログラムが録画するＡＶストリームと管理情報とを第１のディレクトリ３５０２以下に記録し、ユーザが録画するＡＶストリームと管理情報とを第２のディレクトリ３５０３以下に記録し、前記第１のディレクトリ３５０２と前記第２のディレクトリ３５０３とを独立とする。 - 特許庁

Plating of a second metal film is performed at the aperture of the umbrella part using the first metal thin film as a plating electrode, resist is removed, the first metal thin film of an underlying layer is removed using the second metal at the umbrella part as a mask, and then the first resist is removed to form a T-type gate.例文帳に追加

第１の金属薄膜をめっき電極とし、傘部の開口部に第２の金属膜のめっきを行い、レジスト除去、傘部の第２の金属をマスクに下層の第１の金属薄膜を除去、第１のレジストを除去する事によりＴ型ゲートを形成する。 - 特許庁

Furthermore, a third interlayer insulating film 212 is formed, then a capacitor linking connection hole 213 is formed by taking advantage of a part of the third insulating film on the capacitor and a part of the third and second insulating film on the pad, and a buried local interconnection wire 214 is formed of a second conductive layer.例文帳に追加

さらに第３層間絶縁２１２を形成後、キャパシタ上の第３絶縁膜の一部とパッド上の第３、第２絶縁膜の一部をして、キャパシタ連結用接続孔２１３を形成し、それを第２伝導層で埋込み局所的相互接続線２１４を形成する。 - 特許庁

The data management system includes a file system module which stores first data in a flash memory in units blocks, and a filter layer module which receives second data from the file system module and stores the second data in a PRAM in units sub-blocks.例文帳に追加

本発明の一特徴によるデータ管理システムは、フラッシュメモリ（ｆｌａｓｈ ｍｅｍｏｒｙ）においてブロック単位で第１データを保存するファイルシステムモジュールと、該ファイルシステムモジュールから第２データを受信し、サブブロック単位でＰＲＡＭに第２データを保存するフィルタレイヤーモジュールと、を備える。 - 特許庁

Semiconductor layers 111 to 109a are dry-etched using a second photomask 116 while the progression of the dry etching is observed through a second etching monitoring opening portion 118, and the dry etching is stopped in predetermined timing corresponding to disappearance of the first lower clad layer 103.例文帳に追加

第二フォトマスク１１６を用いて半導体層１１１〜１０９ａのドライエッチングを、第二エッチングモニタ用開口部１１８を通して上記ドライエッチングの進行を観測しながら行い、第一下クラッド層１０３の消失に応じた所定のタイミングで上記ドライエッチングを停止させる。 - 特許庁

Then, the surface on the side where the first cores 13a are formed, of the first substrate 11 and the surface on the side where the second cores 18a are formed, of the second substrate 16 are opposite to each other and integrated with each other by interposing a third clad layer, to form the optical waveguide.例文帳に追加

次に、第１の基板１１の第１のコア１３ａが形成されている側の面と、第２の基板１６の第２のコア１８ａが形成されている側の面とを対向させ、第３のクラッド層を介在させて一体化させることにより光導波路を形成する。 - 特許庁

Since the second light shielding area such as a black matrix is extremely thin in comparison with the first light shielding area such as the peripheral breaking parts, it is difficult to form the respective layers as thickness as designed values in the case of laminating a plurality of layers and the layer thickness of the second light shielding area tends to become thinner.例文帳に追加

ブラックマトリクスなどの第２の遮光領域は、周辺見切りなどの第１の遮光領域と比べて非常に細いので、複数の層を積層する際に設計値通りの厚さに各層を形成することが困難であり、第２の遮光領域は層厚が薄くなる傾向がある。 - 特許庁

The thermal conduction layer 22 is composed of an insulation board 24, a first joining material 26 including an active element for joining the insulation board 24 on the heat sink material 20, a second joining material 28 formed on the insulation board 24, and an electrode 30 formed on the second joining material 28.例文帳に追加

熱伝導層２２は、絶縁基板２４と、該絶縁基板２４をヒートシンク材２０に接合するための活性元素を含む第１の接合材２６と、前記絶縁基板２４上に形成された第２の接合材２８と、該第２の接合材２８上に形成された電極３０とから構成される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a second capacitor which is formed by providing an upper electrode 540, on the upper side of a first electrode 520 (surface strap) electrically connecting a source diffused layer S of a MOS transistor and a storage electrode 330 of a deep trench capacitor C_DT, by means of a second insulating film 530.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソース拡散層ＳとディープトレンチキャパシタＣ_ＤＴのストレージ電極３３０を電気的に接続する第一の電極（サーフェスストラップ）５２０上部に、第二の絶縁膜５３０を介して上部電極５４０を形成し、第二のキャパシタを備える。 - 特許庁

Then, many second linear metal layers 22B, arranged in other directions different from the one direction, are formed on the transparent base 21 through mask vapor deposition, and the mesh-like metal layer 22 is formed of these first linear metal layers 22A and the second linear metal layers 22B.例文帳に追加

次に、透明基材２１上に、マスク蒸着により、一方向と異なる方向の他方向に並ぶ直線状の多数の第２直線状金属層２２Ｂを形成し、これら第１直線状金属層２２Ａと第２直線状金属層２２Ｂとによってメッシュ状金属層２２を形成する。 - 特許庁

The second adhesion part 22 has an inner peripheral end 221 exposed to the hollow part 169, with a sharp adhesion angle α formed between an exposed surface 222 of the inner peripheral end 221 and a second surface 172 of the diffusion resistance layer 17 in a cross section in a lamination direction.例文帳に追加

第２接着部２２は、その内周端部２２１を中空部１６９に露出させていると共に、内周端部２２１の露出面２２２と拡散抵抗層１７の第２表面１７２との間に形成される接着角αが積層方向の断面において鋭角である。 - 特許庁

A first and a second magnetic shielding layers 60a, 60b are respectively formed beneath a transistor part 20 on the device-packaging side of an MRAM device 10 and on a bit line 50 of the opposite side of the device-packaging side, and a passivation film 70 is formed on the second magnetic shield layer 60b.例文帳に追加

ＭＲＡＭ素子１０の素子実装面側のトランジスタ部２０下面および素子実装面側と反対側のビット線５０上面に、軟磁性金属を用いて第１，第２の磁気シールド層６０ａ，６０ｂをそれぞれ形成し、第２の磁気シールド層６０ｂ上にはパシベーション膜７０を形成する。 - 特許庁

In this case, since luminance distribution of the first display image 105 can be uniformalized by the diffusion layer 4, an image 121 of B in the second display image 110 can be blurred and thus, the occurrence of a duplicated image in the second display image 110 can be suppressed.例文帳に追加

この場合、拡散層４により第１の表示像１０５の輝度分布を均一化することができるため、第２の表示像１１０におけるＢの像１２１をぼかすことができ、よって、第２の表示像１１０における２重像の発生を抑制することができる。 - 特許庁

The IC card is provided with a first base material packaging an electronic circuit and a second base material on a side opposite to the side of the first base material packaging the electronic circuit at least and has a fine porous synthetic resin film as the outer-most side layer of this first and/or second base material.例文帳に追加

ＩＣカードは、電子回路を装着した第１の基材と、該第１の基材の電子回路を装着した面に対向する側に第２の基材とを少なくとも備え、微多孔性合成樹脂フィルムを該第１および／または第２の基材の最表側層として有している。 - 特許庁

The joined product 10 is equipped with a first ceramic member 11, a second ceramic member 12 and a joining layer 13 that contains a flexible metal and joins the first ceramic member 11 and the second ceramic member 12 through the thermocompression bonding at a joining temperature lower than the liquidus of the flexible metal.例文帳に追加

接合体１０は、第１のセラミックス部材１１と、第２のセラミックス部材１２と、軟質金属を含み、その軟質金属の液相線未満の接合温度において熱圧接することにより、第１のセラミックス部材１１及び第２のセラミックス部材１２を接合する接合層１３とを備える。 - 特許庁

Moreover, part of or all of the radio wave absorbing wall 4 has a transparent radio wave absorbing body 5 formed by sequentially laminating a first resin film 7, a first resistance film 10, an air layer 9, a second resistance film 11 and a second resin film 8 from inside 18 where the scanner is arranged toward outside.例文帳に追加

さらに、電波吸収壁４の一部乃至全部は、スキャナが配設される内側18から外側19に向かって第１樹脂層７、第１抵抗膜10、空気層９、第２抵抗膜11、第２樹脂層８を順次積層状に形成された透明の電波吸収体５を有しているものである。 - 特許庁

Rear faces 9, 18 side of the first and second sockets 2, 3 are mutually opposed, and arranged on the same face of motherboard 1, and the motherboard is made as a multilayer structure, and via wiring patterns 27, 29 formed in each layer of motherboard 9, respective terminals 7, 8, 20, 21 of the first and second socket are mutually connected.例文帳に追加

第１及び第２ソケット２，３の背面９，１８側を互いに対向させてマザーボード１の同一面に配置し、該マザーボードを多層構造とし、該マザーボードの各層に形成された配線パターン２７，２９を介して前記第１及び第２ソケットの各端子７，８，２０，２１同士を接続させる。 - 特許庁

As the shielding film 47 made of a second-layer aluminum film, the first light-shielding film 47a having the same potential as a source electrode 43 on the source electrode 43, and a second light-shielding film 47b having floating potential on the EQR electrode 45 are alienated by specific distance for arranging on a guard ring electrode 44.例文帳に追加

第２層アルミニウム膜からなる遮光膜４７として、ソース電極４３上にソース電極４３と同電位の第１遮光膜４７ａと、ＥＱＲ電極４５上にフローティング電位の第２遮光膜４７ｂとを、ガードリング電極４４上で所定距離離間して配置する。 - 特許庁

The first coat of slurry is applied on a basic layer of carbon 6 and dried to form a first underlayer 7 and the second coat of slurry is applied on the underlayer 7 and dried to form a second underlayer 8 of which surface roughness is 40μm or less at maximum height Rmax, which provides a diffusion electrode 5.例文帳に追加

第１のスラリーを炭素基材層６上に塗布、乾燥し、第１の下地層７を形成し、第２のスラリーを下地層７上に塗布、乾燥して、表面粗さの最大高さＲmaxが４０μｍ以下の第２の下地層８を形成し、拡散電極５を形成する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is provided with a first polarizing plate 11, a first optical retardation plate 13, a twisted optical retardation plate 12, an STN(supertwisted nematic) liquid crystal element 21 containing a semitransmissive reflection layer 9 inside, a second optical retardation plate 18, a second polarizing plate 17 and a backlight 16.例文帳に追加

第１の偏光板１１と、第１の位相差板１３と、ねじれ位相差板１２と、半透過反射層９を内在したＳＴＮ液晶素子２１と、第２の位相差板１８と第２の偏光板１７とバックライト１６とを備えるなる反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The Nb_3Sn superconducting wire rod includes a first base material containing Sn, B, and Cu, a second base material containing Nb arranged in the vicinity of the first base material, and an Nb_3Sn compound layer produced between the first base material and the second base material by diffusion reaction of Nb and Sn.例文帳に追加

ＳｎとＢとＣｕを含む第１の基材と、前記第１の基材に隣接して配置されたＮｂを含む第２の基材と、ＮｂとＳｎとの拡散反応により前記第１の基材と前記第２の基材との間に生成されたＮｂ_3Ｓｎ化合物層とを有する。 - 特許庁

A first metal film 12A made of an indium tin oxide (ITO) and a second metal film 15 made of Al are successively laminated by vapor deposition on an organic EL layer 13, a photoresist 16 is applied on the second metal film 15, then the photoresist 16 is patterned to a mask pattern of an anode electrode by exposing and developing the photoresist 16.例文帳に追加

有機ＥＬ層１３の上に、ＩＴＯでなる第１金属膜１２Ａ、Ａｌでなる第２金属膜１５を順次蒸着により積層させ、第２金属膜１５の上にフォトレジスト１６を塗布し、露光・現像してフォトレジスト１６をアノード電極のマスクパターンにパターニングする。 - 特許庁

Although spin-polarized hot electrons 27 having down-spin are injected into the base 22 when the senses of the magnetizations of the first and the second ferromagnetic barrier layers 2, 6 are antiparallel with each other, a down-spin-band end 10 of the second ferromagnetic barrier layer 6 is made higher than the energy of the spin-polarized hot electrons 27.例文帳に追加

第１及び第２の強磁性障壁層２、６の磁化方向が互いに反平行な場合、ベース２２にはダウンスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン２７が注入されるが、第２の強磁性障壁層６のダウンスピンバンド端１０はスピン偏極ホットエレクトロン２７のエネルギーよりも高い。 - 特許庁