「self sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The method uses a reactor 150 in which long throw sputtering, self-ionized plasma (SIP) sputtering, induction coupling plasma (ICP) resputtering and coil sputtering are combined in one chamber.例文帳に追加

ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）再スパッタリング及びコイルスパッタリングを１つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ１５０を使う。 - 特許庁

By the magnetic field, the ionization of the particles to be sputtered is promoted, and self-sputtering stably occurs.例文帳に追加

磁場により被スパッタリング粒子のイオン化が促進されセルフスパッタリングが安定して起こる。 - 特許庁

To provide a sputtering device capable of generating the suitable magnetic field for allowing self-sputtering to stably occur and to provide a film forming method.例文帳に追加

セルフスパッタリングを安定に生じさせるために適切な磁場を発生可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu sputtering target which can stabilize a plasma and keep a self-maintaining discharge for a long time in a self-ion-sputtering method of Cu.例文帳に追加

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁

A magnetron particularly advantageous for low pressure plasma sputtering or continuous self-sputtering in which a target coverage is sufficient though the area is small is provided.例文帳に追加

面積は小さいがターゲットカバレージが十分である低圧プラズマスパッタリング又は持続自己スパッタリングに特に有利なマグネトロンを提供する。 - 特許庁

To provide a Cu sputtering target which can maintain self-maintenance discharge for a long time in such a manner that the state of plasma is made stable in the case a self ion sputtering process of Cu is applied.例文帳に追加

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁

This magnetron 32 perfectly covers a target 14 though its area is made small but particularly advantageous for low pressure plasma sputtering or persistent self-sputtering.例文帳に追加

低圧プラズマ・スパッタリングまたは持続型セルフスパッタリングに対して特に有利な、面積が小さくされているがターゲット１４を完全にカバーするマグネトロン３２。 - 特許庁

To provide a high-quality magnetoresistive thin film by using a method for controlling self bias of a high-frequency sputtering device.例文帳に追加

高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。 - 特許庁

To develop a compact high magnetic field magnetron for causing the perfect coverage of a deep hole and performing persistent self-sputtering of copper.例文帳に追加

深いホールの完全なカバレッジをもたらし、銅の持続型セルフスパッタリングをおこなうため、小型高磁場のマグネトロンを開発すること - 特許庁

A plasma sputtering reactor 10 is composed for the continuous self-sputtering or low pressure sputtering of copper in particular, a pedestal 16 supporting a wafer 18 to be sputter-deposited includes back face cooling or heating via heat transfer gas, and the heat transfer gas is composed of helium.例文帳に追加

特に銅の持続セルフスパッタリングあるいは低圧スパッタリング用に構成されたプラズマスパッタリングリアクタ１０であり、スパッタ堆積されるウェーハ１８を支持するぺデスタル１６は伝熱ガスを介してのウェーハ１８の裏面冷却あるいは加熱を含み、伝熱ガスはヘリウムである。 - 特許庁

A substrate 15 having an insulator layer 100 provided with a hole H is mounted inside a chamber for SIP (Self Ionized Plasma) provided with a sputtering target.例文帳に追加

ホールＨが設けられた絶縁体層１００を有する基板１５を、スパッタターゲットを備えるＳＩＰ用のチャンバ内に載置する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus having a structure which suppresses the deflection of electroconductive rods (anode rods) toward the downward side due to its self weight, in a sputtering apparatus for performing sputtering by arranging a substrate to be treated on an lower side or an upper side of a target in parallel to the target so as to oppose the target, while tilting the substrate against the vertical direction.例文帳に追加

平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a DC magnetron sputtering reactor for sputtering copper, its use, a shield or the like for enhancing self-ionized plasma(SIP) sputtering at low pressure, and a method for applying copper coating to a narrow via or trench by using SIP for a first copper layer.例文帳に追加

銅をスパッタリングするための直流マグネトロンスパッタ反応器、その使用方法、低圧での自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリングを増進させるシールド等、及び第１の銅層のためにＳＩＰを使用して狭くて深いビアまたはトレンチ内へ銅をコーティングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost self sputtering system in which the cutting of discharge can be prevented even if arc discharge is generated by a certain cause.例文帳に追加

何らかの原因でアーク放電が発生したときでも放電切れを防止できるようにした低コストのセルフスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To develop a small high magnetic field magnetron giving a coverage sufficient for promoting deep positive hole filling and the continuous self- sputtering of copper.例文帳に追加

深い正孔充填及び銅の持続自己スパッタリングを促進させるのに十分なカバレージを与える小さな高磁場マグネトロンを開発する。 - 特許庁

This undercut works as a pixel separation structure and carries out the pixel separation in the self-aligning way in sputtering the upper part electrode 13 of the electron source.例文帳に追加

このアンダーカットは、電子源の上部電極１３をスパッタする際に、画素分離構造として働き、自己整合的に画素分離を行う。 - 特許庁

To increase the ratio of the sputtering ionization of a non-SSS material and thereby to promote the filling of a deep hole by a pedestal of an external bias or a self-bias.例文帳に追加

非ＳＳＳ材料のスパッタリングイオン化の割合を増大させ、これにより外部バイアスあるいはセルフバイアスのぺデスタルによって深いホール充填を促進する。 - 特許庁

As a result, a self-bias value impressed in the vicinity of the base material and the facing electrodes is adjusted, and adhering contaminants are removed by sputtering.例文帳に追加

結果、基材近傍および対向電極近傍に印加されるセルフバイアス値が調整され、付着した汚染物質をスパッタリングにより取り除く。 - 特許庁

A coating layer of carbon or a mainly carbon-comprising substance is formed on the surface of a substrate made of PET by sputtering with such a self-bias range that the surface to be coated may not be damaged by the sputtering, then high-frequency energy is gradually increased to raise the hardness of the carbon-coating layer.例文帳に追加

PETからなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁

The high purity Ta constituting the sputtering target contains 0.001-20 ppm of at least one element selected from Ag, Au and Cu each having self-sustaining discharge characteristics.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットを構成する高純度Ｔａは、自己維持放電特性を有するＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有する。 - 特許庁

In the step of forming the mask pattern, the first titanium nitride film 42a is formed by a sputtering method and the second titanium nitride film 43a is formed by a self-ionized plasma method.例文帳に追加

マスクパターンを形成する工程では、第１窒化チタン膜４２ａをスパッタリング法で形成し、かつ第２窒化チタン膜４３ａを自己イオン化プラズマ法で形成する。 - 特許庁

A self-cleaning coating activated by the photocatalytic action is formed on a substrate by spray thermal decomposition, chemical deposition or magnetron sputtering vacuum deposition, thereby providing the substrate with the self-cleaning surface activated by the photocatalytic action.例文帳に追加

基体上に光触媒作用によって活性化された自浄性被覆を、噴霧熱分解、化学蒸着、又はマグネトロンスパッタリング真空蒸着により形成することにより、基体に、光触媒作用によって活性化された自浄性表面を与える。 - 特許庁

In the case of copper target, since low pressure can also maintain the plasma for self-discharge and copper particles are not scattered in the sputtering gas, normally impinging is carried out to the front surface of the substrate 7, the coverage is improved.例文帳に追加

銅ターゲットの場合、自己放電を起こすので低圧力でもプラズマを維持することができ、銅粒子がスパッタリングガスに散乱されないので、基板７表面に垂直に入射し、カバレッジ性が向上する。 - 特許庁

The face to be deposited composed of metal is deposited with a film of carbon or essentially consisting of carbon at a self-bias to a degree which does not give damage caused by sputtering thereto, and high-frequency energy is slowly increased to increase the hardness of the film.例文帳に追加

金属からなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁

The electric circuit monitors the self-vias voltage of the upper electrode, and moves the plurality of magnets to a target plane in such a manner that a fixed magnetic field is retained on the surface of the target member receiving erosion with the lapse of time by a sputtering process.例文帳に追加

電気回路は、上部電極の自己バイアス電圧をモニタし、複数のマグネットを、スパッタプロセスによる時間の経過に伴ってエロージョンを受けるターゲット部材の表面上で一定磁界を維持するようターゲット平面に垂直に移動させる。 - 特許庁

The gate electrode 5 can be formed by the steps containing the step of forming the metal film to form the gate electrode; the step of sputtering Al and Si simultaneously, thereby forming an Al post self-systematically; and the step of etching the Al post and the metal film just under the Al post.例文帳に追加

ゲート電極５は、ゲート電極となる金属膜を形成する工程、ＡｌとＳｉを同時にスパッタすることによりＡｌ柱を自己組織的に形成する工程、Ａｌ柱およびＡｌ柱直下の金属膜をエッチングする工程を含む工程によって形成され得る。 - 特許庁

A cylindrical sputtering system 4 is constituted so that as one electrode, a tubular material 1 in which the length in the axial direction is longer than the diameter by ≥2 times is used, and, as the other electrode, the long-length material 2 to be treated such as a cable, a belt and a columnar material it self is used.例文帳に追加

直径よりも軸方向長さの方が２倍以上長い管状材１を一方の電極とし、もう片方の電極を管状材１中を通過するケーブル、帯、柱状材などの長尺の被処理材２そのものとする筒状スパッタ装置４を構成する。 - 特許庁

To provide a film deposition method in which the film deposition rate by the sputtering is reduced, a metal thin film with excellent coatability is formed on an inner wall surface and an inner bottom surface of a hole or a groove with the aspect ratio being ≥3 formed in a surface of a workpiece, and the self-hold discharge in a target is generated even with small power.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system for depositing transparent conductive films on substrates of a large size, where uniformity of a film thickness distribution is secured by suppressing bending of a bar-shaped electrode owing to its self weight and its further bending owing to the stress of transparent conductive films deposited on the electrode in accordance with the increase of the number of the substrates.例文帳に追加

大サイズの基板に透明導電膜を成膜するスパッタ装置において、棒状電極がその自重による撓み及び基板の枚数増加に伴いう電極に堆積する透明導電膜の応力による撓みを抑制して膜厚分布の均一性を確保するスパッタ装置の提供にある。 - 特許庁

The face to be deposited compoed of PES, PMMA, Teflon (R), epoxy or polyimide is deposited with a coating film of carbon or essentially consisting of carbon having a self-bias on a degree in which damage caused by sputtering is not given thereto, having an SP3 hybrid orbital and havihng an amorphous or semiamorphous structure, and high frequency energy is slowly increased to increase the hardness of the coating film.例文帳に追加

PES、PMMA、テフロン、エポキシまたはポリイミドからなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで、ＳＰ^３混成軌道を有し、アモルファスまたはセミアモルファス構造を持った炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁