「si d」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In Fig. 2 (d), an insulating layer 8 is formed on the surface of the Si substrate 1, and metal wiring 9 is formed.例文帳に追加

次に、図２の（ｄ）でＳｉ基板１の表面に絶縁層８を形成し金属配線９を形成する。 - 特許庁

In the infrared imaging element 10, a diaphragm part D is set on a Si-substrate 11 away from the space 30.例文帳に追加

赤外線撮像素子１０は、Ｓｉ基板１１の上に、空間３０を隔てて、ダイヤフラム部Ｄが設けられている。 - 特許庁

Furthermore, the sheet concentration D_S of Si present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 2.3×10^12 cm^-2 or lower.例文帳に追加

また、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在するＳｉのシート濃度Ｄ_ｓが２．３×１０^１２ｃｍ^−２以下となるようにする。 - 特許庁

A D-FF 43 detects input data Si with a positive edge of a VCO output signal SO and stores them.例文帳に追加

Ｄ−ＦＦ４３は、入力データＳｉをＶＣＯ出力信号Ｓｏのポジティブエッジで検出して記憶する。 - 特許庁

The data Si and the output signal of the D-FF 44 are exclusively ORed by an EXOR gate 45.例文帳に追加

データＳｉとＤ−ＦＦ４４の出力信号とは、ＥＸＯＲゲート４５で排他的論理和がとられる。 - 特許庁

Si(OR)_4 ... (1), R^1_aSi(OR^2)_4-a ... (2), R^3_b(R^4O)_3-bSi-(R^7)d-Si(OR^5)_3-cR^6_c ...(3).例文帳に追加

Ｓｉ（ＯＲ）_４ ・・・・・（１） Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ・・・・・（２） Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・・・・（３） - 特許庁

A portion in which the Si substrate is exposed is thermally oxidized (Figure 4 (c)), and the thermally-oxidized film formed on the Si substrate is removed by a fluorinated acid (Figure 4(d)).例文帳に追加

続いて、Ｓｉ基板１１０が露出した部分を熱酸化し（図４（ｃ））、フッ酸でＳｉ基板１１０の表面に形成された熱酸化膜を除去する（図４（ｄ））。 - 特許庁

This porous body is composed of an Si-containing substance in which the amount of Q^4Si atom accounts for 90% or more of the total amount of Si atoms, and has at least one peak at the position of 40-80 Å d spacing.例文帳に追加

Ｑ^４Ｓｉ原子の量がＳｉ原子全体の量の９０％より多いＳｉ含有物質からなり、ｄ間隔が４０Åから８０Åの位置に少なくとも１つのピークを有する多孔体。 - 特許庁

The hydrophilic member is characterized in that a substrate is coated with a hydrophilic film comprising (a) a hydrophilic polymer, (b) a metal alkoxide compound of a metal selected from Si, Ti, Zr and Al, (c) a metal complex catalyst and (d) a thickener.例文帳に追加

基板上に、a)親水性ポリマー、b) Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される金属アルコキシド化合物、c)金属錯体触媒、d)増粘剤を含有する親水性被膜を塗設したことを特徴とする親水性部材。 - 特許庁

Then, as to the structure of the hard aggregate (b), a dispersed phase (d) composed of Ni-Mo borides having a grain size smaller than the size of the hard aggregate (b) is dispersed into the bonding phase (c) composed of an Ni-Si-Mo alloy or an Ni-Si alloy.例文帳に追加

そして、硬質物集合体（ｂ）の組織が、Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｏ合金またはＮｉ−Ｓｉ合金からなる結合相（ｃ）中に硬質物集合体（ｂ）の大きさより小さい粒径のＮｉ−Ｍｏ硼化物からなる分散相（ｄ）が分散したものとする。 - 特許庁

Continuously, a second resist pattern 20 is formed over the Si substrate 10, and with the first and second resist patterns 16 and 20 as masks, impurity ions 22 are implanted in the Si substrate 10 with efficiently high energy for forming an impurity-ion- implanted layer 24 at a specified depth D in the Si substrate 10.例文帳に追加

続いて、Ｓｉ基板１０上に第２のレジストパターン２０を形成し、第１及び第２のレジストパターン１６、２０をマスクとして十分に高いエネルギーでＳｉ基板１０に不純物イオン２２を注入して、Ｓｉ基板１０中の所定の深さＤに不純物イオン注入層２４を形成する。 - 特許庁

When the average value μ is calculated at the second time and after, the photodetection circuit 10 calculates a degradation rate D of an a-Si TFT (photoelectric transducer element) from the ratio of the average value μ and the initial average value μ_0 stored in the memory 6 and updates the value of the degradation rate D stored in the memory 6.例文帳に追加

光検出回路１０は、２回目以降に平均値μを算出した場合に、今回算出した平均値μとメモリ６に保存されている初期平均値μ_０との比から、光センサ回路５に組み込まれているa-Si TFT（光電変換素子）の劣化率Ｄを算出し、メモリ６に保存している劣化率Ｄの値を更新する。 - 特許庁

Moreover, the flip-flop is provided with a circuit 24 for selectively connecting a scan data input terminal SI or a data input terminal D to the first latching circuit 21, and a circuit 25 for selectively connecting the output of the first latching circuit 21 or the data input terminal D to the second latching circuit 22.例文帳に追加

さらに、フリップフロップは、スキャンデータ入力端子ＩＮとデータ入力端子Ｄを選択的に第１のラッチ回路２１に接続する回路２４と、第１のラッチ回路２１の出力とデータ入力端子Ｄを選択的に第２のラッチ回路２２に接続する回路２５とを備えている。 - 特許庁

When the epitaxial growth and etching are continued for a desired period of time in this manner, the substrate 10 is etched thinner in thickness, except the portions which are in contact with the leg sections 22 of the plate 20 and their vicinities or completely etched off and the rear surface of the gallium nitride(GaN) 30 is precipitated (Fig. d).例文帳に追加

こうして、所望時間エピタキシャル成長とエッチングを継続すると、Si基板１０は均熱板２０の４つの脚部２２に接している部分付近の他はほとんどエッチングにより薄くなるか、完全に除去されて窒化ガリウム(GaN)３０の裏面が析出することとなる(d)。 - 特許庁

A degree of the distribution uniformity of the component X in the composite oxide catalyst is set so that the dispersion value D_x of a signal intensity ratio of the component X to Si when the cross section of the particles of the composite oxide catalyst is compositionally analyzed is within a range of 0<D_x<0.5.例文帳に追加

分布の均一性の程度は、該複合酸化物触媒において、該複合酸化物触媒粒子の断面を組成分析した時の成分ＸとＳｉの信号強度比の分散値Ｄ_ｘが、０＜Ｄ_ｘ＜０．５の範囲にあるようにする。 - 特許庁

In compliance with request, a composition containing each element of (a) one or more kinds selected from Cu, Ag and Au of, by weight, 3 to 10%, (b) 0.2 to 5% Si, (c) one or more kinds selected from the group IVB and VB and (d) ≤10% Fe is given.例文帳に追加

所望により、(a)Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕから選ばれる１種又は２種以上３〜１０％、(b)Ｓｉ０．２〜５％、(c)第IVB族，VB族から選ばれる１種又は２種以上、(d)Ｆｅ１０％以下の各元素を含有する組成が与えられる（含有量は重量％）。 - 特許庁

This particulate agglomerate comprises a silica which has a highly frequent pore diameter (D_max) of smaller than 20 nm, a crushing strength of 100 N or lower and a chemical shift δ (ppm) of Q^4 peak in a solid Si-NMR satisfying the formula: -0.0705×(D_max)-110.36>δ.例文帳に追加

細孔の最頻直径（Ｄ_max）が２０ｎｍ未満のシリカよりなる微粒子の凝集体であって、圧壊強度が１００Ｎ以下であり、且つ、固体Ｓｉ−ＮＭＲでのＱ^4ピークのケミカルシフトをδ（ｐｐｍ）とした場合に、δが下記式（Ｉ） −０．０７０５×（Ｄ_max）−１１０．３６＞δ ・・・（Ｉ） を満足するようにする。 - 特許庁

A d-axis current and a q-axis current are computed from current flowing through 3-phase windings Lu, Lv, Lw of the permanent magnet motor, a d-axis current command Idr is computed, based on an electric power Wm of the permanent magnet motor, and a q-axis current command Iqr is computed, based on a current command SI provided from the outside.例文帳に追加

永久磁石モータの３相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗに流れる電流からｄ軸電流とｑ軸電流とを演算し、永久磁石モータの電力Ｗｍに基づいてｄ軸電流指令Ｉdrを演算し、外部より与えられる電流指令ＳＩに基づいてｄ軸電流指令Ｉqrを演算する。 - 特許庁

In the metal powder for a dust core, the average crystal grain diameter (d/μm) of gas atomizing metal powder having an Si content of 4 to 7mass%, and the balance Fe and the half value width (w/deg) in an X-ray analysis pattern satisfy the numerical inequality of 10.3×w-0.067×d≤1.5.例文帳に追加

Ｓｉ量が４〜７ｍａｓｓ％、残部Ｆｅからなるガスアトマイズ金属粉末の平均結晶粒径（ｄ／μｍ）とＸ線解折パターンにおける半値幅（ｗ／ｄｅｇ）が、１０．３×ｗ−０．０６７×ｄ≦１．５の数式を満足することを特徴とする圧粉コア用金属粉末。 - 特許庁

Since the direct Si nitride film is grown by using material containing heavy hydrogen, chemical species of hydrogen which is diffused in the gate electrode by heat treatment during and after film formation become heavy hydrogen D.例文帳に追加

直接Ｓｉ窒化膜は重水素を含む原料を用いて成長させたので、成膜時や成膜後の熱処理でゲート電極中へ拡散する水素の化学種は重水素Ｄとなる。 - 特許庁

Input signals Si and Sq pass trough a compensation multiplier 40 and are outputted through a D/A converter 11, a quadrature modulator 13 and a power amplifier 14 to an antenna 15.例文帳に追加

入力信号Ｓｉ，Ｓｑは補償値乗算器４０を通りＤ／Ａ変換器１１、直交変調器１３、電力増巾器１４を経てアンテナ１５に出力される。 - 特許庁

(A) a hydroxy-terminated organopolysiloxane represented by the formula (1) H-[O-Si(R_2)]_n-OH, (B) a functional group-containing organoalkoxysilane, (C) a surfactant and (D) water.例文帳に追加

(Ａ)一般式(1) Ｈ−[Ｏ-Ｓi(Ｒ)_2]_n-ＯＨで示される末端ヒドロキシオルガノポリシロキサン、(Ｂ)官能基含有オルガノアルコキシシラン、(Ｃ)界面活性剤、(Ｄ)水。 - 特許庁

An output of the complementary digital filter 44 is fed to the analog adder 30 via a D/A converter 362 as a correction signal of an input signal SI.例文帳に追加

相補デジタルフィルタ４４の出力は、Ｄ／Ａ変換器３６２を介してアナログ加算器３０に、入力信号ＳＩの補正信号として供給される。 - 特許庁

The hard film covering a surface layer of a base material made of hard metal, high-speed steel or cermet is composed of (Al_aCr_bMC) C_100-dN_d, where M is Si and/or Ti.例文帳に追加

超硬合金、高速度工具鋼またはサーメットから成る基材の表層に被覆する硬質皮膜が（Ａｌ_ａＣｒ_ｂＭ_Ｃ）Ｃ_１００−ｄＮ_ｄからなり、ＭはＳｉおよび／またはＴｉとする。 - 特許庁

A DLC-Si thin film D is applied to a sliding surface S2 of an outer clutch plate 34b by publicly known method such as CVD (Chemical Vapor Deposition) method, PVD (Physical Vapor Deposition) method and Ion Deposition method or the like.例文帳に追加

アウタクラッチプレート３４ｂの摺動面Ｓ２にＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition ）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法、イオン蒸着法等の公知の方法によりＤＬＣ−Ｓｉ薄膜Ｄを施す。 - 特許庁

A parallel processing correction circuit 30 superimposes a second sawtooth wave current HI obtained by a parallel processing correction gain control circuit 9 and a D/A converter 10 onto a vertical deflection current SI on the basis of the step wave component ST.例文帳に追加

平行化補正回路３０は、階段波成分ＳＴに基づいて平行化補正ゲイン制御回路９およびＤ／Ａ変換器１０により得られた第２ののこぎり波電流ＨＩを垂直偏向電流ＳＩに重畳する。 - 特許庁

Each of the signature generators 11-i generates a point Si belonging to <P> as second signature data on the basis of the private key D_IDi=sQ_IDi, M, ki, Ri and Ppub.例文帳に追加

署名生成装置１１-iは、秘密鍵Ｄ_IDi＝ｓＱ_IDiと、Ｍと、ｋiと、Ｒiと、Ｐpubとに基づいて、＜Ｐ＞に属する点Ｓiを第２の署名データとして生成する。 - 特許庁

Each document D is processed according to the treatment information indicated on the individual instruction sheet Si along with the treatment information indicated on the common instruction sheet Sc.例文帳に追加

そして、文書Ｄの各々を、各文書に添付された個別指示シートＳｉに記載された処理情報と共通指示シートＳｃに記載された処理情報とに従って処理する。 - 特許庁

After interface defects each containing at least one of P_b-center, P_b-H, and P_b-D are introduced to an Si/SiO_2 interface 15 at a concentration of ≥0.1%, the interface 15 is nitrified.例文帳に追加

Ｓｉ／ＳｉＯ_2 界面１５に、Ｐ_b 中心、Ｐ_b −Ｈ、及び、Ｐ_b −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を少なくとも０．１％以上の密度で導入したのち、Ｓｉ／ＳｉＯ_2 界面１５を窒化する。 - 特許庁

This soft magnetic thin film consists principally of Fe, Si, Ta, Ru, Ga, and N and is expressed by a composition formula FeaSibTacRudGaeNf (where (a), (b), (c), (d), (e), and (f) present the composition of the respective elements by atomic %.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｇａ、Ｎを主な構成元素とし、Ｆｅ_aＳｉ_bＴａ_cＲｕ_dＧａ_eＮ_f（ただし、式中ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆは、各元素の組成を原子％で表す。）なる組成式で表される軟磁性薄膜が開示される。 - 特許庁

The DLC-Si film D is applied to the sliding face S2 of an outer clutch plate 34b, by the well known method such as CVD (Chemical Vapor Deposition) method, PVD (Physical Vapor Deposition) method, ion vapor deposition method, and so on.例文帳に追加

アウタクラッチプレート３４ｂの摺動面Ｓ２にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、イオン蒸着法等の公知の方法によりＤＬＣ−Ｓｉ薄膜Ｄを施す。 - 特許庁

In doing this, a stream partition of a capacity Si and a data partition of a capacity D are created from an outer circumference side of each recorder 7 in order.例文帳に追加

このとき、容量Ｓｉのストリームパーティション、および容量Ｄのデータパーティションを、それぞれ記録装置７の外周側から順に作成する。 - 特許庁

Apportionment indexes Dk satisfying a condition e_k^(i)<Si are extracted, and apportionment index D_k^(i) having a minimum e_k^(i) is taken therefrom for each business action Ai.例文帳に追加

条件ｅ_k^(i)＜Ｓｉを満たす按分指標Ｄｋを抽出し、その中から、業務行為Ａｉ毎に最小のｅ_k^(i)を持つ按分指標Ｄ_k^(i)を取り出す。 - 特許庁

The crosslinkable polyorganosiloxane material contains: (A) polyorganosiloxane having a group with the aliphatic carbon-carbon-multiple bond and (B) polyorganosiloxane having an Si-bonded hydrogen atom; or, in place of (A) and (B), (C) polyorganosiloxane having an SiC-bonded group with the aliphatic carbon-carbon-multiple bond and an Si-bonded hydrogen atom; and (D) a platinum catalyst.例文帳に追加

（Ａ）脂肪族炭素−炭素−多重結合を有する基を有するポリオルガノシロキサン（Ｂ）Ｓｉ結合水素原子を有するポリオルガノシロキサン、又は（Ａ）及び（Ｂ）の代わりに（Ｃ）脂肪族炭素−炭素−多重結合を有するＳｉＣ結合基及びＳｉ結合水素原子を有するポリオルガノシロキサン、及び（Ｄ）白金触媒を含有する架橋性ポリオルガノシロキサン材料。 - 特許庁

This composition contains (A) an organic polymer having Si- bonded hydroxyl or hydrolyzable groups and at least one Si-containing group capable of cross-linking by the formation of a siloxane bond, (B) a tin-based silanol condensation catalyst, (C) an amine compound, and (D) an iron-based silanol condensation catalyst.例文帳に追加

（Ａ）ケイ素原子に結合した水酸基または加水分解性基を有し、シロキサン結合を形成することにより架橋し得るケイ素含有基を少なくとも１個有する有機重合体、（Ｂ）錫系シラノール縮合触媒、（Ｃ）アミン化合物、及び（Ｄ）鉄系シラノール縮合触媒、を含有する硬化性組成物。 - 特許庁

In the semiconductor epitaxial wafer formed by epitaxially growing a semiconductor thin film on a semiconductor substrate, a ratio of sheet concentration D_C/D_S by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) of carbon (C) and silicon (Si) present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 20 or higher.例文帳に追加

半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在する炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）によるシート濃度の比Ｄ_ｃ／Ｄ_ｓが２０以上となるようにする。 - 特許庁

In a wireless communication system including at least one wireless transmit/receive unit (WTRU) and at least one Node-B (NB), a method and apparatus for preventing transmission blocking comprise triggering transmission of scheduling information (SI) when transmission of a medium access control-d (MAC-d) flow is stopped.例文帳に追加

少なくとも一つの無線送信／受信ユニット(ｗｉｒｅｌｅｓｓ ｔｒａｎｓｍｉｔ／ｒｅｃｅｉｖｅ ｕｎｉｔ、ＷＴＲＵ）および少なくとも一つのノードＢ（Ｎｏｄｅ−Ｂ、ＮＢ）を含む無線通信システムにおいて、媒体アクセス制御−ｄ（ｍｅｄｉｕｍ ａｃｃｅｓｓ ｃｏｎｔｒｏｌ−ｄ、ＭＡＣ−ｄ）フローが停止する場合、送信ブロッキングを防ぐ方法と装置にスケジュール情報（ｓｃｈｅｄｕｌｉｎｇ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ、ＳＩ）の送信をトリガすることを備える。 - 特許庁

The epoxy resin composition essentially consists of (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin and (C) an inorganic filler, and characteristically contains (D) 0.001-2.0 wt.% of imidazole silane in which Si and N do not directly bond.例文帳に追加

本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂（Ｂ）および無機質充填剤（Ｃ）を必須成分とする樹脂組成物であって、Ｓｉ原子とＮ原子とが直接結合していないイミダゾールシラン（Ｄ）を、樹脂組成物中０．００１〜２．０重量％の割合で含有することを特徴とする。 - 特許庁

The epoxy resin composition comprises essentially (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, (C) a cure accelerator, (D) an inorganic filler, and (E) an ion acceptor coated with an organosilicon compound having at least one alkyl group directly bonded to an Si atom.例文帳に追加

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及び（Ｅ）Ｓｉ原子１個あたり直接１個以上のアルキル基が結合した有機ケイ素化合物で被覆したイオン捕捉材を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

A crosstalk correction circuit 20 superimposes a cross cancel current CI2 obtained by a cross cancel phase gain control circuit 8, a waveform processing section 18, and a D/A converter 19 on the basis of the crosstalk component CR onto the vertical deflection current SI.例文帳に追加

クロストーク補正回路２０は、クロストーク成分ＣＲに基づいてクロスキャンセル位相ゲイン制御回路８、波形処理部１８およびＤ／Ａ変換器１９により得られたクロスキャンセル電流ＣＩ２を垂直偏向電流ＳＩに重畳する。 - 特許庁

The room-temperature curable organopolysiloxane composition comprises (A) a diorganoolysiloxane having two or more Si-bonded hydroxyl groups or hydrolyzable groups, (B) a fatty acid ester having a melting point of ≥30°C, (C) a crosslinking agent and (D) a curing catalyst.例文帳に追加

（Ａ）珪素原子に結合した水酸基または加水分解性基を１分子中に２個以上有するジオルガノポリシロキサン、（Ｂ）融点３０℃以上の脂肪酸エステル、（Ｃ）架橋剤、及び（Ｄ）硬化触媒、を含むことを特徴とする室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物である。 - 特許庁

Each DLC layer D is composed of a metal layer M consisting of two or more elements selected among Cr, W, Ti, Si, Ni, and Fe, a composite layer F consisting of the named metals and carbon, and a carbon layer C consisting of carbon, in such an arrangement as C, F, and M from the obverse surface.例文帳に追加

ＤＬＣ層Ｄは、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，及びＦｅのうちの２種以上の金属からなる金属層Ｍと、前記金属及び炭素からなる複合層Ｆと、炭素からなるカーボン層Ｃと、の３層で構成されていて、該３層は表面側からカーボン層Ｃ，複合層Ｆ，金属層Ｍの順に配されている。 - 特許庁

An SI thyristor can be realized wherein the peak voltage V_D does not largely exceed the withstand voltage of the static induction thyristor 14 even if the peak current I_p is increased and that has a self protection function to prevent breakage autonomously and does not fail turning-on performance.例文帳に追加

このような構成により、ピーク電流Ｉ_ｐを増加させてもピーク電圧Ｖ_ＤがSIThy１４の耐電圧を大幅に超えることがない、破壊を自律的に防止する自己保護作用を有し、またオン性能を損なわないＳＩサイリスタを実現することができる。 - 特許庁

The radiation sensitive resist composition contains (A) a resin containing Si atoms and having a velocity of dissolution in an alkali developing solution increased by the action of an acid, (B) a photo-acid generating agent, (C) a solvent and (D) a compound having a nitrogen-containing basic group and an acidic group in one molecule.例文帳に追加

（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する、シリコン原子を含有する樹脂、(Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤、及び（Ｄ）分子内に含窒素塩基性基及び酸性基を有する化合物を含有することを特徴とする感放射線性レジスト組成物。 - 特許庁

A parameter calculation circuit 3 calculates an overemphasis correction threshold value α, a minute component emphasis threshold value β and the outline detection threshold value D as values corresponding to the level of the input video signal Si on the basis of parameters Di, αi, βi given from the outside respectively.例文帳に追加

パラメータ算出回路３は、外部から与えられるパラメータＤｉ、αｉ、βｉに基づき入力映像信号Ｓｉのレベルに応じた値として過強調補正閾値α、微細成分強調閾値β、輪郭検出閾値Ｄをそれぞれ算出する。 - 特許庁