si dとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 乳幼児突然死、乳児突然死
「si d」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 59件
Heat treatment is executed under an atmosphere including a P compound, an Si compound or a B compound (d).例文帳に追加
（ｄ）Ｐ化合物、Ｓｉ化合物、またはＢ化合物を含有する雰囲気下で熱処理を行う。 - 特許庁
Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加
化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁
Moreover, desirably, the average Bo value determined by formula II and the average Md value determined by formula III lie in a region surrounded by the straight lines connecting the points A and B, B and C, C and D and D and A in the fig.例文帳に追加
［％Cr］＋23×［％Si］＋210×［％Ｓ］≧15・・・ さらに、下記の(a)式で求めた平均Ｂｏ値および(b)式で求めた平均Ｍｄ値が図の点AとB、BとC、CとD、DとAを結ぶ直線で囲まれる領域内（線上を含む）にあるのが望ましい。 - 特許庁
Si_aCs_bO_d (1) (in the formula (1), Si, Cs and O represent silicon, cesium and oxygen, respectively, and a, b and d represent each atomic ratio, b is 0.01-5 when a is 100, and d is an oxygen atomic ratio required to satisfy valences of other components.).例文帳に追加
Ｓｉ_ａＣｓ_ｂＯ_ｄ （１）（式（１）において、Ｓｉ、ＣｓおよびＯはそれぞれケイ素、セシウムおよび酸素を示す。ａ、ｂおよびｄは各元素の原子比率を示し、ａ＝１００のときｂ＝０．０１〜５であり、ｄはその他の成分の原子価を満足するのに必要な酸素の原子比率である。） - 特許庁
After that, the transparent electrode 4 (ITO) is formed on the p-type a-Si layer 3, without conducting breaking to the atmosphere (d).例文帳に追加
その後、大気ブレイクすることなく、ｐ型ａ−Ｓｉ層３上に透明電極４（ＩＴＯ）を形成する（ｄ）。 - 特許庁
In Fig. 2 (d), an insulating layer 8 is formed on the surface of the Si substrate 1, and metal wiring 9 is formed.例文帳に追加
次に、図２の（ｄ）でＳｉ基板１の表面に絶縁層８を形成し金属配線９を形成する。 - 特許庁
In the infrared imaging element 10, a diaphragm part D is set on a Si-substrate 11 away from the space 30.例文帳に追加
赤外線撮像素子１０は、Ｓｉ基板１１の上に、空間３０を隔てて、ダイヤフラム部Ｄが設けられている。 - 特許庁
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機械工学英和和英辞典での「si d」の意味 |
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SID (Society for Information Displays)
SID (silicon imaging device)
SID (sodium ionization detector)
SID (sudden ionospheric disturbance)
SID (syntax improving device)
SID(Standard Instrument Procedure)
SID(supplemental inspection document)
Wiktionary英語版での「si d」の意味 |
SID
名詞
- (computing, Microsoft Windows) Abbreviation of security identifier.
- (computing) Sound Interface Device, a sound chip used in some early computers.
- (aviation) Initialism of standard instrument departure.
sid'
sid-
Weblio例文辞書での「si d」に類似した例文 |
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sid
ハジロオオシギ
a rope
uj
to speak with a provincial accent
むら
a village
the batter's box
「si d」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 59件
Furthermore, the sheet concentration D_S of Si present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 2.3×10^12 cm^-2 or lower.例文帳に追加
また、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在するＳｉのシート濃度Ｄ_ｓが２．３×１０^１２ｃｍ^−２以下となるようにする。 - 特許庁
A D-FF 43 detects input data Si with a positive edge of a VCO output signal SO and stores them.例文帳に追加
Ｄ−ＦＦ４３は、入力データＳｉをＶＣＯ出力信号Ｓｏのポジティブエッジで検出して記憶する。 - 特許庁
The data Si and the output signal of the D-FF 44 are exclusively ORed by an EXOR gate 45.例文帳に追加
データＳｉとＤ−ＦＦ４４の出力信号とは、ＥＸＯＲゲート４５で排他的論理和がとられる。 - 特許庁
Si(OR)_4 ... (1), R^1_aSi(OR^2)_4-a ... (2), R^3_b(R^4O)_3-bSi-(R^7)d-Si(OR^5)_3-cR^6_c ...(3).例文帳に追加
Ｓｉ（ＯＲ）_４ ・・・・・（１） Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ・・・・・（２） Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・・・・（３） - 特許庁
A portion in which the Si substrate is exposed is thermally oxidized (Figure 4 (c)), and the thermally-oxidized film formed on the Si substrate is removed by a fluorinated acid (Figure 4(d)).例文帳に追加
続いて、Ｓｉ基板１１０が露出した部分を熱酸化し（図４（ｃ））、フッ酸でＳｉ基板１１０の表面に形成された熱酸化膜を除去する（図４（ｄ））。 - 特許庁
This porous body is composed of an Si-containing substance in which the amount of Q^4Si atom accounts for 90% or more of the total amount of Si atoms, and has at least one peak at the position of 40-80 Å d spacing.例文帳に追加
Ｑ^４Ｓｉ原子の量がＳｉ原子全体の量の９０％より多いＳｉ含有物質からなり、ｄ間隔が４０Åから８０Åの位置に少なくとも１つのピークを有する多孔体。 - 特許庁
The hydrophilic member is characterized in that a substrate is coated with a hydrophilic film comprising (a) a hydrophilic polymer, (b) a metal alkoxide compound of a metal selected from Si, Ti, Zr and Al, (c) a metal complex catalyst and (d) a thickener.例文帳に追加
基板上に、a)親水性ポリマー、b) Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される金属アルコキシド化合物、c)金属錯体触媒、d)増粘剤を含有する親水性被膜を塗設したことを特徴とする親水性部材。 - 特許庁
Then, as to the structure of the hard aggregate (b), a dispersed phase (d) composed of Ni-Mo borides having a grain size smaller than the size of the hard aggregate (b) is dispersed into the bonding phase (c) composed of an Ni-Si-Mo alloy or an Ni-Si alloy.例文帳に追加
そして、硬質物集合体（ｂ）の組織が、Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｏ合金またはＮｉ−Ｓｉ合金からなる結合相（ｃ）中に硬質物集合体（ｂ）の大きさより小さい粒径のＮｉ−Ｍｏ硼化物からなる分散相（ｄ）が分散したものとする。 - 特許庁
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