「side- etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a radiation-curable resist resin composition for glass etching having excellent alkali resolution property and hydrofluoric acid resistance and also having excellent adhesion to the glass substrate thereby enabling the amount of side etching in etching of a glass substrate to be reduced.例文帳に追加

優れたアルカリ解像性、フッ酸耐性を有するとともに、ガラス基板との密着性にも優れるため、ガラス基板のエッチングの際にサイドエッチング量を抑制することができる、ガラスエッチング用放射線硬化性レジスト樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The recessed parts 11 are formed by etching the wafer 1 while forming a protective film on the side faces of the opening parts 21 of a resist pattern 2 by repeating introduction of a protective film forming gas and introduction of an etching gas in a dry etching device.例文帳に追加

この凹部１１の形成は、ドライエッチング装置内で、保護膜形成用ガスの導入とエッチングガスの導入とを繰り返すことにより、レジストパターン２の開口部２１の側壁に保護膜を形成しながらウエハ１をエッチングすることによって行う。 - 特許庁

A second recessed part 5 is formed at the insulating film 4 through etching, while the etching stopper film 2 on the side peripheral of the first recessed part 3 is exposed in the second recessed part 5, and by making the etching stopper film 2 sputtered so that a sputtering object 6 is deposited as to cover the first recessed part 3, thus allowing etching to stop spontaneously.例文帳に追加

続いてエッチングにより絶縁膜４に第２の凹部５を形成するとともに第２の凹部５内に第１の凹部３の側周のエッチングストッパ膜２を露出させ、エッチングストッパ膜２をスパッタリングすることにより第１の凹部３上を覆う状態にスパッタ物６を堆積させてエッチングを自発的に停止させる。 - 特許庁

In the etching method for etching the wafer 80, an etching gas is supplied toward one surface of the wafer 80 where a plurality of communicating holes communicating the front and the back are formed, and at least a part of the supplied etching gas is discharged from the plurality of communicating holes to the other surface side.例文帳に追加

ウエハ８０をエッチングするエッチング方法であって、表裏を連通する複数の連通孔が形成されているウエハ８０の一方の表面に向けてエッチングガスを供給するとともに、供給したエッチングガスの少なくとも一部を前記複数の連通孔から他方の表面側に排出する方法。 - 特許庁

The side wall of the step of the semiconductor device constituted of the principal surface and side wall of the device is etched, by controlling an impressing direction of a magnetic field or impressing directions of a magnetic field and an electric field upon etching species and by utilizing the reaction between the etching species and side wall.例文帳に追加

主表面と側壁とから構成される段差を有する半導体装置の段差の側壁を、エッチング種に磁界又は磁界と電界の印加方向を制御すること、エッチング種と側壁の反応を利用することで、エッチングすることにより上記課題を解決する。 - 特許庁

A part existing in an end nearby region of the word line in the side wall insulating film is removed by wet etching.例文帳に追加

次に、ウェットエッチングによって側壁絶縁膜におけるワード線の端部近傍領域に存在する部分を除去する。 - 特許庁

To obtain a shape without skirt trailing and side etch while preventing the penetration through a base oxide film upon dry etching of polysilicon.例文帳に追加

ポリシリコンのドライエッチング時に、下地酸化膜の突き抜けを防止しながら、スソ引き及びサイドエッチの無い形状を得る。 - 特許庁

In this etching process, a side wall protecting attachment 24 is formed with the attachment accumulated near the entrance of an opening 14.例文帳に追加

このエッチング工程は、側壁保護付着物２４を形成し、この付着物は、開口１４の入口付近に蓄積する。 - 特許庁

Then, a rear side anisotropic etching groove 10 of the perforation hole 9 is etched to remove the groove embedding member.例文帳に追加

そして、穿設孔９の裏面側異方性エッチング溝部１０をエッチング加工することにより、溝埋め部材を除去する。 - 特許庁

An anisotropic wet etching is applied from the counter second layer side of the first layer 1 so that an inlet 21 and an outlet 22 are formed.例文帳に追加

第１層１の反第２層側から異方性ウェットエッチングを施して、入口部２１と出口部２２とを形成する。 - 特許庁

In another embodiment, a chemical etching process is used to smooth out damage on the slanted side surface of a separate die.例文帳に追加

別の実施形態は、化学エッチングプロセスによって、個別ダイの傾斜した側面に対する損傷を滑らかにする。 - 特許庁

An aluminum anode foil 12 whose surface is made coarse by etching treatment is disposed on one side of a resin film 10.例文帳に追加

樹脂フィルム１０の一方面には、エッチング処理によって表面が粗面化されたアルミ陽極箔１２が配される。 - 特許庁

A dry-etching method is used for the process to cut out the semiconductor substrates from the semiconductor wafer to suppress a slant of the lateral side.例文帳に追加

半導体ウエハから斯様な半導体基板を切り出す工程にはドライエッチングを用い、側面の傾斜を抑える。 - 特許庁

This blanket insulating layer is patterned by one time etching step, and a spacer wall is formed on the side face of the gate layer.例文帳に追加

このブランケット絶縁層を１回のエッチングステップでパターン化して、前記導電ゲート層の側面にスペーサ壁を形成する。 - 特許庁

To prevent side etch formation due to fluorine compounds (CFX) generated during barrier insulating film etching.例文帳に追加

バリア絶縁膜をエッチングする際にフッ素化合物（ＣＦ_X）が生成され、それが原因でサイドエッチが形成されることを防止する。 - 特許庁

Exposed both sides surfaces of a first pattern 311 of the first length setting layer 310 are recessed by selective side surface etching.例文帳に追加

第１長さ設定層３１０の第１パターン３１１の露出した両側面を選択的側面エッチングでリセスする。 - 特許庁

When a two-layer gate electrode is formed by patterning the films, a side etching part is formed only on the upper layer metal thin film 6.例文帳に追加

これらをパターニングして２層ゲート電極を形成するとき、上層金属薄膜６のみサイドエッチング部を形成する。 - 特許庁

By isotropic etching processing, the oxide films 7 formed on side surfaces of the gate structures G1, G2 are removed.例文帳に追加

次に、等方性エッチング処理により、ゲート構造Ｇ１，Ｇ２の側面部に形成されている酸化膜７を除去する。 - 特許庁

Subsequently, side faces of the contact hole are subjected to wet-etching by a TMAH aqueous solution while allowing the SiO_2 film 12 to remain intact (Fig. 1d).例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2 膜１２を残したまま、ＴＭＡＨ水溶液によりコンタクトホール側面をウェットエッチングをする（図１ｄ）。 - 特許庁

And the electric supply line 3 for plating exposed to the rear surface side through the opening 4 is removed by etching.例文帳に追加

そしてその開口４を通して裏面側に露出されるめっき用給電線３を、エッチングによって除去する。 - 特許庁

In this case, the side wall 11 is formed to become lower than the gate structure 5 by conducting excessive etching back.例文帳に追加

このとき、エッチバックを多めに行うことにより、ゲート構造５よりも低くなるようにサイドウォール１１を形成する。 - 特許庁

Before forming the thin film of etching-resistant resin, a small-hole side resist film 2a on the metal thin plate is peeled off.例文帳に追加

また、エッチング耐蝕樹脂の薄膜を形成する前に、金属薄板上の小孔側レジスト膜２ａを剥離すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminated structure in which good patterning can be made in a superior form by preventing side etching.例文帳に追加

サイドエッチングを防止して良好な形状にパターニングすることができる積層構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

The layer 14 is selectively etched with a plasma of HBr/Cl2/O2 gas, while reaction products suppress side etching.例文帳に追加

ＨＢｒ／Ｃｌ_２／Ｏ_２ガスのプラズマにより反応生成物でサイドエッチングを抑制しつつ層１４を選択的にエッチングする。 - 特許庁

A diaphragm 2 is formed by forming a recessed place 5 by etching a (110) silicon substrate 1a from the reverse side.例文帳に追加

（１１０）シリコン基板１ａを裏面側からエッチングして凹所５を形成することによりダイヤフラム２が形成される。 - 特許庁

A side surface of the silicon nitride film 104 is formed into a forward tapered shape by etching with a photoresist 105 used as a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジスト１０５をマスクとしたエッチングにより、シリコン窒化膜１０４の側面を順テーパー状に形成する。 - 特許庁

Polymer forming, selective polymer removing, and etching stages are carried out in order to obtain an excellent side wall profile.例文帳に追加

良好な側壁プロファイルを有するようにポリマ形成、選択的なポリマ除去及びエッチング段階を順次に実行する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of preventing residue from deposition to the bottom part and side face of a via hole and a trench.例文帳に追加

ビアホールやトレンチの底部や側面に残渣が付着するのを防止することができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a second step, the surface in the side where the impression is formed is preferably covered with a coating material that is insoluble in an etching solution.例文帳に追加

第二工程では圧痕を成形した側の面をエッチング液に対して不溶性の被覆材で覆うことが望ましい。 - 特許庁

There is provided a method for manufacturing a charged particle beam mask for etching an Si substrate 11 by conducting an inspection of a foreign matter on the surface (etching surface) at an Si substrate 11 side, before etching the Si substrate 11, with an average surface roughness at the Si substrate 11 side of a charged particle beam mask manufacturing substrate 10 set at 5nm or less.例文帳に追加

荷電粒子線マスク製造用基板１０のＳｉ基板１１側（エッチング面）の平均表面粗さを５ｎｍ以下とし、Ｓｉ基板１１をエッチングする前に、Ｓｉ基板１１側（エッチング面）表面の異物検査をして、Ｓｉ基板１１をエッチングする荷電粒子線マスクの製造方法である。 - 特許庁

After a dummy side wall 8 is formed on the side surface of the mask 4, etching is performed by using the mask 4 and the side wall 8 as masks, and a trench 9 being in contact with the side surface of the Si layer 2 is formed.例文帳に追加

活性領域形成用マスク４の側面にダミーサイドウォール８を形成した後、活性領域形成用マスク４およびダミーサイドウォール８をマスクとしてエッチングを行い、Ｓｉ層２の側面に接するトレンチ９を形成する。 - 特許庁

When a material having a thickness of about 150 μm is used as a substrate 2, after a half-etching portion 3 is subjected to a laser processing, the substrate 2 is turned over, and laser is irradiated from the side opposite to the side used in a half etching processing so as to form through holes 4.例文帳に追加

基材２として、１５０μｍ程度の厚みのものを用いる場合には、ハーフエッチング部３をレーザー加工した後、基材２を裏返してから、ハーフエッチング加工のときとは反対面側からレーザー照射して貫通孔４を形成する。 - 特許庁

Since particles generated through etching adhere to the inner wall side of the lower chamber 5 and the quantity of particles is reduced through heating on the upper chamber 2 side, adverse effect of particles onto the wafer 6 is reduced in the etching chamber.例文帳に追加

エッチング時に発生するパーティクルを下部チャンバー５の内壁側に付着させるとともに、上部チャンバー２側は加熱によってパーティクル量を低減させることで、エッチングチャンバー内のパーティクルによるウェハー６への悪影響を低減させるようにする。 - 特許庁

A substrate 3 can be precisely etched while being carried in a floating manner by using the porous type substrate treatment apparatus which is placed on the bottom side of the substrate 3 and performs the etching with an etching solution ejecting film 22 of a porous body 21 abutted on the lower side of the substrate 3.例文帳に追加

基板３の下面側に配置し、基板３の下面に多孔質体２１のエッチング液吐出膜２２を当ててエッチングを行うポーラス方式の基板処理装置を用いて、基板３を浮上搬送させながら精密エッチングができる。 - 特許庁

Metal plates 4 on which an etching resist layer 21R' is formed are carried continuously or intermittently in the horizontal direction and etching liquid is sprayed from spray nozzles 70 arranged on the surface side and rear side of the metal plate 4 thus dissolving and removing acute parts.例文帳に追加

エッチングレジスト層２１Ｒ’が形成された金属板４を連続的又は間欠的に水平方向に搬送し、金属板４の表面側および裏面側に設置されたスプレーノズル７０からエッチング液を噴霧させて溶解除去する。 - 特許庁

The generation of in-plane potential difference on the conductive material 14 due to electrons charged during plasma etching is suppressed and distortion of radiated ions is suppressed; consequently the side faces of patterns 4A can be made free from etching defects, such as etching residue (footing) and a wedge-shaped cut (notching).例文帳に追加

プラズマ加工中に帯電する電子による導電性材料１４の面内電位差の発生を抑制し、照射イオンの歪曲を抑えて、パターン４Ａの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常を防止できる。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a pattern of hot-melt resist 112, carrying out first etching, heating the pattern for softening and flowing, covering etched sides with the pattern, and carrying out second etching in which progress of etching in side faces is permitted to be slower than the progress in depthwise direction.例文帳に追加

ホットメルトレジスト１１２のパターン形成後に第一エッチングを行い、該パターンを加熱し軟化フローさせ、エッチング側面を該パターンで覆い、第二エッチングでは、深さ方向へのエッチングの進行に比べ、側面へのエッチングの進行を遅らせたエッチングを行うこと。 - 特許庁

The region including at least a display picture element region 34 on a main substrate 5 is subjected to an etching processing from the other surface 36 side of the main substrate 5 until the other surface 38 of the etching stopper 2 is exposed, and, on the other surface 38 of the etching stopper 2, a color filter substrate 4 is attached.例文帳に追加

主基板５の他方面３６側から、主基板５の少なくとも表示画素領域３４を含む領域を、エッチングストッパ２の他方面３８が露出するまで、エッチング加工し、このエッチングストッパ２の他方面３８に、カラーフィルタ基板４を取付ける。 - 特許庁

To provide a substrate which has high adhesiveness to an insulating layer on one side and excels in etching resistance on the other side in the aluminum substrate used for laminating printed circuits.例文帳に追加

プリント回路用積層板に用いるアルミニウム基板において、一面側が絶縁層との密着性が高く、かつ他面側が耐エッチング性に優れた基板を提供する。 - 特許庁

The side wall material 103 adhering to the side faces of the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is oxidized or nitrided by performing plasma etching by using an oxygen gas or a nitrogen gas.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０の側面に付着した側壁物１０３を、酸素ガスまたは窒素ガスを用いたプラズマエッチングによって酸化または窒化させる。 - 特許庁

The etching stopper film 20 exposed out of the silicide block layer 30 is removed, and the etch back of the insulating film 10 for the side wall is effected to form side walls on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

シリサイドブロック層３０から露出したエッチングストッパ膜２０を除去し、サイドウォール用絶縁膜１０をエッチバックして、ゲート電極の両側にサイドウォールを形成する。 - 特許庁

The first element separation groove 16 is formed while using a side wall 15 as a mask that is formed on the side face of an opening 13 of an etching mask of the second element separation groove 17.例文帳に追加

第１の素子分離溝１６は、第２の素子分離溝１７のエッチングマスクの開口部１３側面に形成されたサイドウォール１５をマスクとして形成される。 - 特許庁

Then, the etching resist film 24 on the rear surface side of the lead frame material 21 is removed and the rear surface side of the lead frame material 21 is etched to make the outer connection terminal parts 13 protrude independently.例文帳に追加

この後、リードフレーム材２１の裏面側の耐エッチングレジスト膜２４を除去してエッチング加工を行って、外部接続端子部１３を突出及び独立させる。 - 特許庁

The adverse effects due to damage occurring during dry etching is prevented, and conduction between the p-side contact layer 21 and the p-side electrode 71 is improved, consequently reliability is improved.例文帳に追加

ドライエッチングで発生したダメージによる悪影響が防止され、ｐ側コンタクト層２１とｐ側電極７１との導通性が高くなり、信頼性が向上する。 - 特許庁

Namely, methane gas impart effects on side wall protection of the copper-containing aluminum film is added after the copper-containing aluminum film is dry-etched to prevent side etching.例文帳に追加

即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 - 特許庁