「side- etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an antenna sheet with an antenna pattern formed by etching, wherein poor communication by a chipped pattern due to overetching or side etching is reduced and proper communication characteristics are secured.例文帳に追加

本発明は、エッチングによりアンテナパターンを形成したアンテナシートにおいて、オーバーエッチングやサイドエッチングによるパターン欠けによる通信不良を低減するとともに通信特性の良好なアンテナシートを得ることを課題とする。 - 特許庁

In an active region of a semiconductor substrate, a conductive layer 32 and offset insulating film 23a are formed, while a side wall insulating film 24a on its side wall part, with an etching stopper film 25 formed on the entire surface.例文帳に追加

半導体基板の活性領域に導電層３２、オフセット絶縁膜２３ａおよびその側壁部にサイドウォール絶縁膜２４ａを形成し、全面にエッチングストッパ膜２５を形成する。 - 特許庁

Etching processing is applied on the rear side of the exterior surface of a translucent cover body 3 (door handle exterior part ) obtained by injection-molding a resin, then, fine ruggedness is formed on the rear side surface.例文帳に追加

樹脂を射出成形してなる透光性のカバー体３（ドアハンドル外観部品）の外観面の裏面にエッチング加工を施し、この表面に微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

The vapor-deposited member side aperture 2a1 and the vapor deposition source side opening part 2a2 are formed by executing the etching processing from both sides of the metal sheet.例文帳に追加

前記金属板の両面からエッチング処理を行うことによって被蒸着部材側開口部２ａ１及び蒸着源側開口部２ａ２を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

A side wall type control gate is formed on at least both side surfaces of the first conductive layer in the memory area through the ONO film by applying amorphous etching onto the second conductive layer.例文帳に追加

第２導電層を異方性エッチングすることにより、少なくともメモリ領域内の第１導電層の両側面に、ＯＮＯ膜を介してサイドウォール状のコントロールゲートを形成する。 - 特許庁

By performing patterning to the channel side substrate by dry etching with the channel side substrate and the reservoir forming substrate 30 held on the support, the communicating portion 13 is formed.例文帳に追加

そして、流路側基板及びリザーバ形成基板３０を支持体に保持したまま、流路側基板に対してドライエッチングによるパターニングを行うことで、連通部１３を形成する。 - 特許庁

Although a thickness h_2 of a side face 8c of the mask is gradually reduced by ion etching, the side face 8c of the mask is continuously located on a central axis of an ion beam I_B.例文帳に追加

すなわち、イオンエッチングによってマスク側面８ｃの厚さｈ_２は少しずつ低くなっていくが、マスク側面８ｃはそれまで通りイオンビームＩ_Ｂの中心軸Ｏ上に位置している。 - 特許庁

Then a dummy spacer film 143 and a side-wall pattern on a side wall of the core material film 13 are formed, by using lithography technique and etching technique, so that the spacer film 14 is positioned within a range of a predetermined distance from a position where the spacer film 14 is left as a mask for subsequent etching.例文帳に追加

ついで、スペーサ膜１４を後のエッチング時のマスクとして残す位置から所定の距離の範囲にスペーサ膜１４が位置するようにダミーのスペーサ膜１４３と、芯材膜１３の側壁に側壁パターンとをリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて形成する。 - 特許庁

To suppress occurrence of side etching of a film containing silicon when a recess is formed in a silicon layer by performing plasma etching of a substrate, on which a resist mask, a film containing silicon and a silicon layer are laminated in this order from the upper side, through a pattern of the resist mask.例文帳に追加

レジストマスク、シリコンを含む膜及びシリコン層が上方側からこの順番で積層された基板に対して、レジストマスクのパターンを介してプラズマエッチング処理を行ってシリコン層に凹部を形成するにあたり、前記シリコンを含む膜のサイドエッチングの発生を抑えること。 - 特許庁

Then, the projected part projected upwards from the upper surface of the metal film 17 of the side wall 31 composed of a reaction product and formed on the inner side face of an etching part 18 in the process of the dry etching is removed by plasma treatment using gas containing fluorine elements.例文帳に追加

そして、前記ドライエッチングの過程でエッチング部位１８の内側面に形成された反応生成物からなる側壁３１の、金属膜１７の上面より上方に突出する突出部を、フッ素元素を含むガスを用いたプラズマ処理により行うこと除去する。 - 特許庁

In an electrode plate 6 for plasma etching, where the plasma face side surface or both surfaces are ultra mirror-finished surfaces and an electrode plate for plasma etching obtained by polishing the surface, the plasma face side surface or both surfaces are polished by 50 μm or more.例文帳に追加

プラズマ面側の表面又は両表面が超鏡面であるプラズマエッチング電極板６及び表面を研磨して得られるプラズマエッチング電極板において、プラズマ面側の表面又は両表面の５０μｍ以上をポリッシュ研磨してなるプラズマエッチング電極板の製造法。 - 特許庁

After a gate groove 9 is provided on an epitaxial layer 2 using a dry-etching device, the gate groove 9 is successively subjected to a thermal treatment in a vacuum using the dry-etching device that has been used for its formation, whereby silicon atoms located on the side faces of the gate groove 9 are rearranged to make the side faces of the gate groove 9 smooth.例文帳に追加

ドライエッチング装置を用いてエピタキシャル層２にゲート溝９を形成した後、ゲート溝９の形成に用いた装置内において、引き続き真空中で熱処理を施すことにより、ゲート溝９の側面のシリコン原子を再配列させてゲート溝９の側面を滑らかにする。 - 特許庁

When etching the turbine blades T2, etching is performed on a predetermined width area of a dimension L2 from the pump suction port side blade end of the suction port facing surface S1 of the turbine blade T2 and on a predetermined width area of the dimension L2 from the pump discharge port side blade end of a discharge port facing surface S2.例文帳に追加

このタービン翼Ｔ２のエッチングの際に、タービン翼Ｔ２の吸気口向面Ｓ１のポンプ吸気口側翼端から寸法Ｌ２の所定幅領域と、排気対向面Ｓ２のポンプ排気口側翼端から寸法Ｌ２の所定幅領域をそれぞれエッチングする。 - 特許庁

As a result, a process margin at the time of wet-etching the first side wall film 106 and the sacrifice gate insulated film 104 is increased, and the generation of a slit at the gate electrode side lower part of the second side wall film 110 can be prevented.例文帳に追加

これにより、第１の側壁膜１０６および犠牲ゲート絶縁膜１０４をウェットエッチングする際のプロセスマージンを大きくして、第２の側壁膜１１０のゲート電極側下部にスリットが入るのを防ぐことができる。 - 特許庁

In the patterns 51, a conductive layer 5, formed in the entire wall surface of the opening 73, is formed by etching non-formed portions of the side patterns, with the side pattern formation portions covered with a side pattern resist film.例文帳に追加

側面パターン５１は、搭載用開口部７３の壁面全体に形成した導体層５を、側面パターン用レジスト膜により側面パターン形成部分を被覆した状態で側面パターン非形成部分をエッチングして形成したものである。 - 特許庁

Consequently, a side surface of the polysilicon 3a is removed by etching so that an oxidation portion formed on a side surface of the polysilicon 3a does not become an over hang shape relative to a side surface portion of the pad oxidation film.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜３ａの側面に形成される酸化膜の部分がパッド酸化膜の側面に形成される酸化膜の部分に対してオーバーハング形状にならないようにポリシリコン膜３ａの側面をエッチングにより後退させる。 - 特許庁

A cathode surface side hole diameter La is formed larger than a second grid surface side hole diameter Lb opposed to the cathode surface side by performing, for example, etching processing and press working processing on a hole 22a formed in the first grid 22.例文帳に追加

第１グリッド２２に形成された孔２２ａに対して、例えばエッチング処理やプレス加工処理等を行うことにより、カソード面側の孔径Ｌaをカソード面側と対向する第２グリッド面側の孔径Ｌbより大きいものとする。 - 特許庁

The dimensional conversion difference of the etching pattern corresponding to the resist pattern 13 is adjusted within a prescribed range by generating the plasma by adjusting the ratio of the mixed gas and by varying the vertical etching rate of the polycrystalline silicon layer 12 to be reflected in the control of the duration of isotropic etching using the fluorine radical by changing the etching rate by controlling the bias power which accelerates bromine ions to the wafer 10 side.例文帳に追加

この混合ガスの比率を調整しつつプラズマ化し、少なくとも臭素イオンをウェハ側へと加速するバイアスパワーを制御して多結晶シリコン層１２の垂直方向のエッチング速度を変化させることにより、フッ素ラジカルによる等方性エッチング時間の制御に反映させ、レジストパターン１３に応じたエッチングパターンの寸法変換差を所定範囲で調整する。 - 特許庁

To provide a method for forming a highly precise fine pattern by reducing side etch in the case of using wet etching.例文帳に追加

ウエットエッチングを用いた際のサイドエッチを低減することにより精度の高い微細なパターンを形成できる、パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The upper film is subjected to anisotropic etching through the insulating lower film as a stopper, whereby the upper film is left only on the side wall of the gate electrode.例文帳に追加

絶縁性下層膜をストッパにして上層膜を異方性エッチングすることにより、ゲート電極の側壁のみに上層膜を残す。 - 特許庁

Deposit 18 is formed on a side surface of the resist 16 by using secondary product which is generated following the etching of the film 14.例文帳に追加

強誘電体材料膜１４のエッチングに伴って生じた二次生成物によって、レジスト１６の側面に堆積物１８を形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device for etching, which is stable, and has less re-sticking matters to a resist side wall.例文帳に追加

本発明は、安定にエッチングができ、かつ、レジスト側壁への再付着が少ないエッチング方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

Etching treatment for forming side walls 16 under a status that an SiN layer 15 formed on a transfer electrode is covered by photo resist 21 is carried out.例文帳に追加

転送電極上に形成したＳｉＮ層１５をフォトレジスト２１で被覆した状態でサイドウォール１６を形成するエッチング処理を行なう。 - 特許庁

An oxide film 13 as an etching resistance protective film is formed on front and rear surfaces of a wafer 11 having an element structure formed in its front side.例文帳に追加

表面側素子構造部が作製されたウエハー１１のおもて面および裏面に耐エッチング保護膜である酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent side etching and damage of a substrate by a gate electrode in which impurities are introduced.例文帳に追加

不純物が導入されたゲート電極でサイドエッチングや下地の損傷を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An etching mask layer 8 having an opening corresponding to a part where an ink supply part 16 is formed is formed on the rear side of the Si substrate 1.例文帳に追加

インク供給口１６を形成する部分に対応した開口部を有するエッチングマスク層８をＳｉ基板１の裏面に形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal wiring which is free from side etching and has a good cross-section shape even if the metal wiring is rarefact.例文帳に追加

金属配線が疎であっても、サイドエッチングの無い、良好な断面形状を有する金属配線を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the thickness of an oxide film on the side face of a trench formed on a substrate, and inhibit etching on the edge in the upper portion of a pattern on the trench.例文帳に追加

基板に形成されたトレンチ側面の酸化膜を薄膜化し、且つトレンチ上のパターン上部の角がエッチングされることを抑制する。 - 特許庁

To provide a dry etching method providing a good profile with less side etch without receiving restriction by a micro loading effect.例文帳に追加

マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The dry etching process can be executed under the condition that the aluminum film 103 remains on only the side wall of the hole 321, and a conductive layer 322 is able to be formed.例文帳に追加

このドライエッチングプロセスは、ホール３２１の側壁にのみアルミニウム膜１０３が残留し、導電層３２２を形成可能な条件下とする。 - 特許庁

As a result, the process for manufacturing the side-wall capacitor can be integrated with the dual damascene process without adding a further mask or etching process.例文帳に追加

このように、側壁コンデンサを製造するためのプロセスは、さらなるマスクまたはエッチング工程を加えずに、二重ダマシーンプロセスと統合され得る。 - 特許庁

To protect the side wall of an ferroelectric capacitor against ions at hard mask etching in a capacitor-mounted semiconductor device fabrication method.例文帳に追加

キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、ハードマスクをエッチングする際に強誘電体キャパシタの側壁をイオンから保護すること。 - 特許庁

A first etching stopper film 8 configured with a silicon oxide film is formed on a side wall 5b formed of a silicon nitride film of a second transistor.例文帳に追加

第２のトランジスタのシリコン窒化膜からなるサイドウォール５ｂ上に、シリコン酸化膜から構成される第１のエッチングストッパー膜８を形成する。 - 特許庁

Thereby, even if slight side etching occurs in the semiconductor film 8, the channel length L and the channel width W do not vary dimensionally.例文帳に追加

これにより、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはない。 - 特許庁

The mold layer which is exposed by the storage electrodes is removed, and the outer wall in a part of the storage electrode on the upper side of the etching finish layer is exposed.例文帳に追加

ストレージ電極により露出されたモールド層を除去してエッチング終了層の上側のストレージ電極部分の外壁を露出する。 - 特許庁

A mask 4 having a larger pattern than the width disappearing due to side etching is formed in an area wherein the ZnO layer 3 is still left.例文帳に追加

ＺｎＯ層３を残存させる領域に、サイドエッチにより消失される幅より大きい寸法を有するパターンのマスク４を形成する。 - 特許庁

The construction allows convenient fabrication of the apparatus at low costs without the need of etching the electrodes 20 and 24 on the plus and the minus side, respectively.例文帳に追加

これによれば、プラス側電極20及びマイナス側電極24をエッチング処理で加工することなく簡単且つ低コストで製作することができる。 - 特許庁

Anisotropic etching is performed on the first gate conductive film to form a selection gate electrode 125 and an auxiliary floating gate electrode on the side wall of the support pattern.例文帳に追加

第１ゲート導電膜を異方性エッチングしてサポートパターンの側壁に選択ゲート電極125及び予備フローティングゲート電極を形成する。 - 特許庁

As a supply amount of etching gass through a first gas supply hole 4 installed on a lower electrode 106 side increases while a supply amount of an inert gass through a second gas supply hole 6 installed on an upper side of electrode decreases, larger amounts of etching gasses occupy a winding area of a coil 114 and are exposed to high frequency magnetic field, thereby increasing separation amounts of the etching gasses.例文帳に追加

下部電極１０６側に設けた第１のガス供給口４からのエッチングガスの供給量を多くし、一方、上部電極側に設けた第２のガス供給口６からの不活性ガスの供給量を少なくすると、より多くのエッチングガスがコイル１１４の巻回領域を占め、高周波磁界に曝されるようになるため、エッチングガスの乖離量が増大する。 - 特許庁

Etching selection ratio of the amorphous silicon film 24 is practically equal to that of the silicon substrate 20, and etching is performed by RIE, so that the side surface of the trench 25 can be finished gentle by reflecting the sectional form of the amorphous silicon film 24.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜２４とシリコン基板２０はエッチング選択比が実質的に等しく、ＲＩＥによりエッチングが行われるため、アモルファスシリコン膜２４の断面形状を反映してトレンチ２５の側面を緩やかに出来る。 - 特許庁

The side wall of a transistor in a circumferential region is protected from plasma etching in a gate etching step by forming a protection pattern 102a in the circumferential region before a tunnel oxide film 103 is formed on the face of a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１の表面にトンネル酸化膜１０３を形成する前に周辺領域で保護用パターン１０２ａを形成し、ゲートエッチング工程時に周辺領域のトランジスタの側壁をプラズマエッチングから保護する。 - 特許庁

In order to reduce the external dimension of a thermoelectric sensor module and increase the whole of a silicon wafer, etching for forming a gap in a silicon substrate below the device is performed by applying etching technique to a front side Si bulk.例文帳に追加

また、熱電式センサモジュールの外見的な寸法を減少させ、シリコンウェーハの全体を増加させるために、フロントサイドＳｉバルクにエッチング技術を用いて、デバイスの下方のシリコン基板に空隙を作るエッチングを行うことである。 - 特許庁

By the treating method for the non-volatile material, reaction products inhibitting vertical etching are removed each time, and the material to be etched is exposed, so that the perpendicularity of the shape of the side walls after the etching treatment can be improved.例文帳に追加

この不揮発性材料の処理方法によって、垂直なエッチングを阻害する反応生成物をその都度取り除き、被エッチング材料を露出させることで、エッチング処理後の側壁形状の垂直性を向上できる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor apparatus, the 1st insulating film 3 is used as the etching stopper film when the through hole 7 is formed in the substrate 1, so side etching of the top-surface electrode 5 can be prevented.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、基板１に貫通孔７を形成する際に、第１絶縁膜３をエッチングストッパ膜として用いているので、表面電極５にサイドエッチが発生するのを防止することができる。 - 特許庁

The resist mask 4 is used, the metal film 3 is subjected to dry etching, the amount of retreat of the resist mask 4 by dry etching is controlled, and a metal mask 5 is formed, where an open side face 5a has a first tilt angle to the film.例文帳に追加

このレジストマスク４を用い、金属膜３をドライエッチングするとともに、ドライエッチングによるレジストマスク４の後退量を制御して、開口側面５ａが膜に対して第１の傾斜角度を有する金属マスク５を形成する。 - 特許庁