「sin 10」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The SiN films 4a and 9 are etched isotropically by a CDE method by the mixed gas of a CF_4 gas and an O_2 gas, and the patterns 10 of the new SiN films are formed.例文帳に追加

次に、ＣＦ_4ガスとＯ_2ガスの混合ガスでＣＤＥ法によってＳｉＮ膜４ａ，９を等方性エッチングし、新たなＳｉＮ膜のパターン１０を形成する。 - 特許庁

A differential arithmetic circuit 10 generates a differential signal Sd according to difference between a signal Sin' according to the input signal Sin and a signal Sfb' according to the feedback signal Sfb.例文帳に追加

差分演算回路１０は、入力信号Ｓｉｎに応じた信号Ｓｉｎ’と、帰還信号Ｓｆｂに応じた信号Ｓｆｂ’の差分に応じた差分信号Ｓｄを生成する。 - 特許庁

A SiN film 11 is formed on the LTO film 10, and a part is left in the recessed part 10a.例文帳に追加

ＬＴＯ膜１０上にＳｉＮ膜１１を形成した後、その一部を凹部１０ａ内に残す。 - 特許庁

All the displacement sections 5, 6, 9, and 10 are made of a double film of a lower SiN film and an upper Al film.例文帳に追加

変位部５，６，９，１０は全て、下側のＳｉＮ膜と上側のＡｌ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

The video signal Sb is obtained by adding to a lowest bit of the high order 10 bits of the video signal Sin 1 when lower 2 bits of the video signal Sin are "10" or more and 0 when they are lower than "10", and state information is superimposed on the video signal Sb.例文帳に追加

映像信号Ｓｂは、映像信号Ｓinの上位１０ビットの最下位ビットに、映像信号Ｓinの下位２ビットが「１０」以上のとき１を加算し、「１０」より小さいとき０を加算したものであり、状態情報が重畳されている。 - 特許庁

An image projection device 20 comprises a laser light source unit 4, a digital micro mirror device (DMD) 10 and a projection optical system, and satisfies the following conditional expression: FP≤1/(2*sin[sin^-1{1/(2*FI)}+Δ]).例文帳に追加

画像投影装置２０は、レーザ光源ユニット４、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）１０、投影光学系を備え、条件式：ＦＰ≦１／〔２・ｓｉｎ［ｓｉｎ^-1｛１／（２・ＦＩ）｝＋Δ］〕を満たす。 - 特許庁

The surface layer of an SiO2 film is modified into an SiN film 3 by exposing it to a nitrogen plasma so that a gate insulating film 10 in the two layer structure of the SiO2 film 2 and the SiN film 3 can be formed.例文帳に追加

窒素プラズマ中に晒して、ＳｉＯ_2 膜の表面層をＳｉＮ膜３に改質して、ＳｉＯ_2 膜２とＳｉＮ膜３の二層構造のゲート絶縁膜１０とする。 - 特許庁

A tungsten film 3 is etched anisotropically by an RIE method, while using the patterns 10 of the SiN films as protective masks.例文帳に追加

このＳｉＮ膜のパターン１０を保護マスクとしてＲＩＥ法によってタングステン膜３を異方性エッチングする。 - 特許庁

Next, a side wall 11 is formed by simultaneously etching back the entire portion of the SiO_2 film 9 and SiN film 10.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_２膜９，ＳｉＮ膜１０を同時に全面エッチバックすることにより、サイドウォール１１を形成する。 - 特許庁

Next, the SiO_2 film 9 and SiN film 10 are formed on the substrate 1, gate electrode 4 and offset spacer 7.例文帳に追加

次に、基板１、ゲート電極４及びオフセットスペーサ７の上に、ＳｉＯ_２膜９，ＳｉＮ膜１０を形成する。 - 特許庁

Hosshi hon No.10 (the preacher, the tenth chapter of the Lotus Sutra) 'If an evil man always defames and swears Buddha in front of Buddha with a bad mind actually, for a long time, his sin would be lighter. 例文帳に追加

法師品第10「若し悪人有りて、不善の心を以って一劫の中に於いて、現に仏前に於いて常に仏を毀罵（きめ）せん、其の罪尚軽し。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

SiN buffers 12 are dispersedly formed on the surface of a board 10, and a low-temperature GaN buffer layer 14 is formed thereon.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成し、その上に低温ＧａＮバッファ層１４を形成する。 - 特許庁

Then an SiN film 7, a TEOS film 6 and the SiOC film 5 are etched by using a resist mask 10 as a mask.例文帳に追加

その後、レジストマスク１０をマスクとして、ＳｉＮ膜７、ＴＥＯＳ膜６及びＳｉＯＣ膜５のエッチングを行う。 - 特許庁

SiN buffers 12 are dispersedly formed on the surface of a board 10, on which a low-temperature GaN buffer layer 14 is formed.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成し、その上に低温ＧａＮバッファ層１４を形成する。 - 特許庁

A WDM optical coupler 10 multiplexes an output light (exciting light) of an exciting LD 18 upon an input signal light Sin.例文帳に追加

ＷＤＭ光カップラ１０は、入力信号光Ｓｉｎに励起ＬＤ１８の出力光（励起光）を合波する。 - 特許庁

A time averaging part 10 of the image signal processor 1 uses an input image signal Sin(t) of a plurality of frames up to a current frame to generate a time averaged image signal <Sin(t)>.例文帳に追加

画像信号処理装置１の時間平均化部１０は、現フレームまでの複数フレームの入力画像信号Ｓｉｎ（ｔ）を用いて、時間平均化された画像信号＜Ｓｉｎ（ｔ）＞を生成する。 - 特許庁

An SiO2 film 12 and an SiN film 14 are formed over an Si substrate 10 in this order, and the SiN film 14 is worked into a pad SiN film 14a by etching with a fist resist pattern 16, formed thereon as a mask, and then the first resist pattern 16 is cured through UV curing.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ_2 膜１２及びＳｉＮ膜１４を形成し、このＳｉＮ膜１４をその上に形成した第１のレジストパターン１６をマスクとするエッチングによりパッドＳｉＮ膜１４ａに加工した後、ＵＶキュアにより第１のレジストパターン１６を硬化させる。 - 特許庁

When a signal Sin to be measured including a high-frequency component is inputted to the electric power detecting circuit 10, a level adjuster 20 amplifies and/or attenuates the signal Sin to be measured and outputs it as an adjusted signal Sadj based on a fed control signal Sg.例文帳に追加

電力検出回路10へ高周波成分を含む被測定信号S_in を入力すると、レベル調整器20は、供給された制御信号S_gに基づいてこの被測定信号S_inを増幅および／または減衰し調整済信号S_adjとして出力する。 - 特許庁

The SIN signal and the COS signal thus determined is transmitted to the ECU 10 through a DA converter or an isolation amplifier.例文帳に追加

決定されたＳＩＮ信号およびＣＯＳ信号は，ＤＡコンバータやアイソレーションアンプ等を介してＥＣＵ１０に送信される。 - 特許庁

Then the resist mask 10 and the plugging material 9 are removed, the SiOC film 5 is further etched by using the SiN film 7 as a mask, and the SiN film 7 and the exposed parts of the SiC films 4, 2 are removed.例文帳に追加

その後、レジストマスク１０及び埋め込み材９を除去し、ＳｉＮ膜７をマスクとして、ＳｉＯＣ膜５を更にエッチングし、ＳｉＮ膜７並びにＳｉＣ膜４及び２の露出している部分を除去する。 - 特許庁

An encoder 113a generates 10 bits video signals Sa, Sb of an A system and a B system on the basis of 12 bits input video signal Sin.例文帳に追加

エンコーダ１１３ａは、１２ビットの入力映像信号Ｓinに基づいて、Ａ系、Ｂ系の１０ビットの映像信号Ｓａ，Ｓｂを生成する。 - 特許庁

A first level shifter 10 level-shifts the input signal Sin, and has a quicker response to a positive edge than a response to a negative edge.例文帳に追加

第１レベルシフタ１０は、入力信号Ｓｉｎをレベルシフトし、ポジティブエッジに対する応答がネガティブエッジに対する応答よりも高速である。 - 特許庁

Also a SiN film on a polysilicon gate is irradiated at least once with a white light, having a wavelength of 200 nm or longer for 10 msec or shorter with an energy of 10-100 J/cm2.例文帳に追加

また、ポリシリコンゲート上のＳｉＮ膜を波長２００ｎｍ以上の白色光を１０ｍｓｅｃ以内、１０〜１００Ｊ／ｃｍ^2 のエネルギーで少なくとも１回照射する。 - 特許庁

In this method, SiN buffer bodies 12 are discretely formed on a substrate 10, and a GaN buffer layer 14 which is formed at a lower temperature and a GaN semiconductor layer 16 at a high temperature are successively formed on the substrate 10 and buffer bodies 12.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成し、その上に低温でＧａＮバッファ層１４、高温でＧａＮ半導体層１６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 10, a plurality of MOS transistors formed on the semiconductor substrate 10, and an SiN film 4 generating stress (F2) on the MOS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された複数のＭＯＳトランジスタと、ＭＯＳトランジスタに応力（Ｆ２）を発生させるＳｉＮ膜４とを備える。 - 特許庁

The surface insulating film 9 is formed of a laminated film in which a lower layer film 10 composed of SiN and an upper film 11 composed of SiO_2 are laminated.例文帳に追加

表面絶縁膜９は、ＳｉＮからなる下層膜１０とＳｉＯ_２からなる上層膜１１とが積層された積層膜で形成されている。 - 特許庁

An SiN buffer body is discretely formed on a board 10, over which a GaN buffer layer is formed at a low temperature, and a GaN semiconductor layer 16 thereon at a high temperature.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体を離散的に形成し、その上に低温でＧａＮバッファ層、高温でＧａＮ半導体層１６を形成する。 - 特許庁

An infinite impulse response (IIR) filter 10 performs filtering processing to digital input audio signal Sin according to an established coefficient COEFF.例文帳に追加

ＩＩＲ（無限インパルス応答）フィルタ１０は、デジタルの入力オーディオ信号Ｓｉｎに対して、設定された係数ＣＯＥＦＦに応じたフィルタリング処理を施す。 - 特許庁

A second comparator 10 generates a signal SIN, based on an S-phase detect signal outputted from the converting element.例文帳に追加

第２の比較器１０が、振動検出用の電気−機械エネルギー変換素子から出力されたＳ相検出信号を基に信号ＳＩＮを生成する。 - 特許庁

The antireflection film 10 has a two-layer structure including lower and upper silicon nitride films (p-SiN films) 11, 12 deposited by a plasma CVD method.例文帳に追加

反射防止膜１０は、プラズマＣＶＤ法で形成される下層及び上層シリコン窒化膜（ｐ−ＳｉＮ膜）１１，１２を含んで成る２層構造を有している。 - 特許庁

A half SIN1 of a test data SIN is input into FFs 10, 11 from a data input and output node 15 in a test data input mode, and the other half of the half SIN2 of the test data SIN is input into FFs 13, 14 from a data input and output node 16.例文帳に追加

テストデータ入力モード時は、データ入出力ノード１５からテストデータＳＩＮの半分ＳＩＮ１をＦＦ１０、１１に入力すると共に、データ入出力ノード１６からテストデータＳＩＮの他の半分ＳＩＮ２をＦＦ１３、１４に入力する。 - 特許庁

In the signal processing circuit section 200, various kinds of transistors, wiring 8 and 10, etc., are arranged and an SiN film 11 is formed on the whole surface of the section 200 as a protective film.例文帳に追加

信号処理回路部２００には、各種トランジスタや配線８、１０などが配置されて、その上に保護膜としてＳｉＮ膜１１が全面に形成されている。 - 特許庁

A plurality of LEDs 12 are formed one-dimensionally (in a main scanning direction) on a substrate 10, and a protective layer 14 made of SiO_2 or SiN is formed on the LEDs 12.例文帳に追加

基板１０上に複数のＬＥＤ１２が１次元上（主走査方向）に形成され、ＬＥＤ１２上にＳｉＯ_２やＳｉＮ等の保護層１４が形成される。 - 特許庁

The magnetic-optical recording medium 10 is provided with a substrate 1 consisting of polycarbonate, glass, etc., a ground layer 2 consisting of SiN, a recording layer 3 consisting of TbFeCo, a reproducing layer 4 consisting of GdFeCo, a protective layer 5 consisting of SiN and a metallic layer 6 consisting of alloy of Ni and Fe.例文帳に追加

光磁気記録媒体１０は、ポリカーボネート、ガラス等から成る基板１と、ＳｉＮから成る下地層２と、ＴｂＦｅＣｏから成る記録層３と、ＧｄＦｅＣｏから成る再生層４と、ＳｉＮから成る保護層５と、ＮｉとＦｅとの合金から成る金属層６とを備える。 - 特許庁

With an object for treatment 10 with the ITO layer 12, the SiN layer 13, and a polyimide resin layer 14 exposed, respectively, halogen-content gas such as CF_4 is made in contact after being converted into plasma (a first process).例文帳に追加

ＩＴＯ層１２とＳｉＮ層１３とポリイミド樹脂層１４がそれぞれ露出した被処理物１０に、ＣＦ_４等のハロゲン含有ガスをプラズマ化して接触させる（第１工程）。 - 特許庁

A mask ROM (memory) 30 includes a first memory cell 10 constructed of a first capacitor 11 having an SiN film 5 with a permittivity of ε_1, and a second memory cell 20 constructed of a second capacitor 21 having a SBT film 4 with a permittivity of ε_2 higher than the permittivity of ε_1 of the SiN film 5.例文帳に追加

マスクＲＯＭ（メモリ）３０は、誘電率ε_１を有するＳｉＮ膜５を含む第１キャパシタ１１により構成された第１メモリセル１０と、ＳｉＮ膜５の誘電率ε_１よりも大きい誘電率ε_２を有するＳＢＴ膜４を含む第２キャパシタ２１により構成された第２メモリセル２０とを備えている。 - 特許庁

Humidity absorption preventing layers 41, 42 of the double-layer structure of SiN/TiN are formed on the coating films 18, 19 formed on the resonator end surfaces 16, 17 of the nitride semiconductor laser element 10.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子１０の共振器端面１６、１７上に形成されたコート膜１８、１９上に、ＳｉＮ／ＴｉＮの２層構造の吸湿防止層４１、４２を形成する。 - 特許庁

By this operation, a microwave plasma treatment device 100 is capable of generating a good quality SiN film stably by obtaining the plasma of treatment gas by the power of the microwave introduced into the treatment vessel 10.例文帳に追加

これにより，マイクロ波プラズマ処理装置１００は，処理容器１０内に入射されたマイクロ波のパワーにより処理ガスをプラズマ化させて良質なＳｉＮ膜を安定的に発生させることができる。 - 特許庁

In a pre-via type dual damascene method, a via hole 10 and a wiring groove 13 are formed, and then an SiN film 8, the exposed part of an SiC film 5 and the exposed part of an SiC film 3 are removed by etching.例文帳に追加

先ビア方式のデュアルダマシン法において、ビアホール１０及び配線溝１３を形成した後、ＳｉＮ膜８、ＳｉＣ膜５の露出部及びＳｉＣ膜３の露出部をエッチングにより除去する。 - 特許庁

A single differential converting circuit 10 converts an oscillation signal Sin to a pair of differential signals S01 and S02, limits the level through a limiter amplifier 20 and outputs differential signals SLO and SLOB having a fixed amplitude.例文帳に追加

シングル差動変換回路１０は発振信号Ｓ_inを一対の差動信号Ｓ_O1，Ｓ_O2に変換し、リミッタアンプ２０によりレベルを制限し、一定の振幅を持つ差動信号Ｓ_LO，Ｓ_LOB を出力する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11, consisting of an SiO2 film 9 and an SiN film 10, is formed on the entire surface and after a flattened insulating film 14, which have open parts at positions corresponding to a source 7a and drain 7c is formed on the film 10, the contact holes 12 are formed.例文帳に追加

そして全面にＳｉＯ_2膜９、ＳｉＮ膜１０からなる層間絶縁膜１１を形成し、それをソース７ａ及びドレイン７ｃに対応した位置に開口部を有する平坦化絶縁膜１４を形成した後、コンタクトホール１２を形成する。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium 10 having the reproducing layer 3, the non-magnetic layer 4 consisting of SiN and a recording layer 5 consisting of TbFeCo formed on a dielectric material layer 2 consisting of SiN is characterized in that the reproducing layer 3 is constituted of a first layer 31 consisting of a Gd layer, a second layer 32 consisting of GdFeCo and a third layer 33 consisting of a Gd layer.例文帳に追加

ＳｉＮから成る誘電体層２上に、再生層３、ＳｉＮから成る非磁性層４、ＴｂＦｅＣｏから成る記録層５を形成した光磁気記録媒体１０において、再生層３は、Ｇｄ層である第１の層３１と、ＧｄＦｅＣｏから成る第２の層３２と、Ｇｄ層である第３の層３３とから構成される。 - 特許庁

Or the BTBAS-SiN film 11 and back seal oxide film 10 are removed before the stage wherein the semiconductor substrate 1 is fixed or conveyed, to expose the reverse surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

もしくは、静電チャック、真空チャックなどで半導体基板１を固定もしくは搬送する工程の前にＢＴＢＡＳ−ＳｉＮ膜１１およびバックシール酸化膜１０を除去し、半導体基板１の裏面を露出させる。 - 特許庁

In the process of forming the STI layer 10, trenches are formed on the Si substrate 1, a SiO_2 film is embedded in the trenches, and a CMP treatment is applied to the SiO_2 film by using the SiN film 9 for a stopper.例文帳に追加

また、上記のＳＴＩ層１０を形成する工程では、Ｓｉ基板１にトレンチを形成し、トレンチ内にＳｉＯ_2膜を埋め込み、その後、ＳｉＮ膜９をストッパーに用いてＳｉＯ_2膜にＣＭＰ処理を施す。 - 特許庁

When it is discriminated that the position of the optical block 3 is not moved to the position corresponding to the most inner peripheral part of the MO media 1, the controller 8 makes the DSP 10 output the slide servo signal being a sine wave to the slide driver 13.例文帳に追加

光学ブロック３の位置が、MOメディア１の最内周部に対応する位置に移動していないと判定された場合、コントローラ８は、DSP１０からsin波となるスライドサーボ信号をスライドドライバ１３に出力させる。 - 特許庁