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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > solid state memoryの意味・解説 > solid state memoryに関連した英語例文

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solid state memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 137



例文

A controller 143 stores a gradient characteristic of horizontal lines located in an OB (Optical Black) section 42 (Fig. 4) of a solid-state imaging device to a line memory 142.例文帳に追加

コントローラ143は、固体撮像素子のOB部42(図4)に位置する水平ラインの傾斜特性をラインメモリ142に記憶させる。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a frame memory means 15, having a plurality of memory elements 14 corresponding to respective pixels of a photoelectric conversion means 2 and a means of recording signals of the pixels of the photoelectric conversion means 2 in the memory elements 14 of the frame memory means 15.例文帳に追加

光電変換手段2の各画素と各々対応する複数のメモリ素子14を有するフレームメモリ手段15と、光電変換手段2の各画素の信号をフレームメモリ手段15のメモリ素子4に記録する手段とを具備する。 - 特許庁

To provide a fault-tolerant address logic in which access can be performed for a main memory even when some address line can not be used, in a method addressing a solid state memory having address logic.例文帳に追加

アドレスロジックを有する固体メモリをアドレスする方法において、あるアドレスラインが使用不可能である場合であってもメインメモリにアクセス可能なフォールトトレラントなアドレスロジックを提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which can be increased in line memory capacity to improve the quality of images without increasing the power consumption.例文帳に追加

消費電力を増加させることなく、ラインメモリ容量を増加させて画質を向上させることが可能な固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

例文

An image pickup signal (a) from the solid-state imaging device 12 is converted to a digital signal (b) by an A/D converter 15 and stored in a video memory 16.例文帳に追加

固体撮像素子12からの撮像信号aをA/D変換器15によってディジタル信号bとし、映像メモリ16に格納する。 - 特許庁


例文

To accomplish a solid-state imaging apparatus which is hardly affected by noise when reading signals from a memory to a horizontal signal line.例文帳に追加

メモリから水平信号線への信号の読み出しを行う際に、ノイズの影響を受けにくい固体撮像装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To attain a solid-state memory that has lower current values required for recording and deleting data, and can repeatedly rewrite data for a larger number of times.例文帳に追加

データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリを実現する。 - 特許庁

To correct a leak signal due to a leak light to a memory part in a normal pixel, with respect to a solid-state imaging device capable of performing global shutter image pickup.例文帳に追加

グローバルシャッタ撮像可能な固体撮像装置において、通常画素におけるメモリ部への漏れ込み光による漏れ信号の補正を可能にする。 - 特許庁

To reduce the quantity of data which is to be stored in a timing generator incorporating a memory for generating a timing pulse used for the driving of a solid-state imaging device.例文帳に追加

固体撮像素子の駆動に用いられるタイミングパルスを生成するためのメモリ内蔵型タイミングジェネレータに格納すべきデータの量を低減する。 - 特許庁

例文

To provide a solid state imaging device which can apply high voltage to a gate of a transistor of a pixel, and reduce an area of a capacitor of a memory.例文帳に追加

画素のトランジスタのゲートに高い電圧が印加可能となり、且つ、メモリのキャパシタの面積を縮小することできる固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a solid-state imaging device and signal reading method thereof in which horizontal addition can be performed even upon the high number of pixels without using a line memory or the like.例文帳に追加

高画素数であっても、ラインメモリ等を用いずに水平加算することができる固体撮像素子およびその信号読出し方法を提供。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device of improved image quality by limiting a dark current produced in a pixel memory means and shot noise caused thereby to the minimum.例文帳に追加

画素のメモリ手段で発生する暗電流及びそれに起因するショットノイズを最小限に抑え、画質を向上させた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To enable flexible design of driving pulse generating data for driving a solid-state imaging element and enable generation of various driving pulses with a small memory capacity.例文帳に追加

固体撮像素子を駆動する駆動パルス生成データの柔軟な設計を可能とし、また、少ないメモリ容量で多種多様な駆動パルスの生成を可能にする。 - 特許庁

Accordingly, the magnetic solid-state memory device having the merit in the ultra-high-speed transfer velocity of the hard-disc device and the merit in the ultra-small-size and low power consumption of the semiconductor memory can be attained.例文帳に追加

これにより、大容量で、超高速転送速度というハードディスク装置の長所と、超小型で低消費電力という半導体メモリの長所を兼ね備えた磁気固体メモリ装置を提供できる。 - 特許庁

To provide a solid-state image pick up device with a memory function that assures small unit pixel area and current consumption, and simplified structure without requiring complicated manufacturing processes.例文帳に追加

単位画素面積及び消費電流が小さく、構造が簡単で且つ複雑な製造工程も必要としないメモリ機能付きの固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein a solid-state imaging device has a line memory with less charge transfer capacity of a horizontal charge transfer path, larger power consumption, and deterioration in transfer efficiency.例文帳に追加

ラインメモリを備えた固体撮像素子における水平電荷転送路の電荷転送容量の減少、消費電力の増加、転送効率の劣化を解決する。 - 特許庁

To attain a solid-state memory manufacturing method that have lower current values required for recording and deleting data, and that can repeatedly rewrite data for a larger number of times.例文帳に追加

データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリの製造方法を実現する。 - 特許庁

The controller has a system interface connected to a system end, a microprocessor for a processing system command, and a memory interface capable of exchanging data with the solid-state storage medium.例文帳に追加

該コントローラ内にはシステムエンドに接続するシステムインターフェース、処理システム指令のマイクロプロセッサ、該ソリッドステートストレージメディアとデータ交換が可能なメモリインターフェースを具える。 - 特許庁

To solve a problem wherein, in a conventional solid-state image pickup device, charge stored in a memory is increased when the number of pixels to be added increases, output voltage also increases, and thereby an output range in adding is different from that in non-adding.例文帳に追加

従来の固体撮像装置では、加算する画素数が多くなるとメモリにたまる電荷が大きくなり、出力電圧も大きくなってしまう。 - 特許庁

To solve the problem that in a conventional solid-state image pickup device, charge stored in a memory is large when pixels to be added increase and output voltage also increases, and an output range is therefore different between in adding and in non-adding.例文帳に追加

従来の固体撮像装置では、加算する画素数が多くなるとメモリにたまる電荷が大きくなり、出力電圧も大きくなってしまう。 - 特許庁

To achieve a solid state image sensor capable of reading data sufficiently adaptive (small variations and linear or nonlinear) to an amount of received light from a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

受光量に十分に対応(ばらつきの少ない線形又は非線形)したデータを不揮発性メモリセルから読み出すことができる固体撮像装置を実現すること。 - 特許庁

For example, a digital video signal corresponding to an output of the color solid-state imaging element 11 is fed to an image pattern detection circuit 41c via a 4H line memory 41b.例文帳に追加

たとえば、カラー固体撮像素子11の出力に対応するデジタル映像信号は、4Hラインメモリ41bを介して、画像パターン検出回路41cに送られる。 - 特許庁

To minimize errors in a magnetoresistive solid-state storage device such as a magnetic random access memory (MRAM) element array or the like.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)素子アレイ等の磁気抵抗固体記憶素子(100)における誤りを最小限にすることを可能にする例示的な実施形態を開示する。 - 特許庁

A computer system 28 receives the orientation signal and the still image from the removable solid-state memory card 24 and implements exposure control on the still image in accordance with the orientation signal.例文帳に追加

コンピュータシステム28は、取り外し可能固体メモリカード24から方向信号と静止画像を入力し、静止画像に対する露光制御を方向信号に応じて実施する。 - 特許庁

To provide a magnetic element capable of detecting changes in magnetic states for use e.g. as a read sensor in a data transducing head or as a solid-state non-volatile memory element.例文帳に追加

データ変換ヘッドにおける読取センサとして、または固体不揮発性メモリ素子などとして使用するための、磁気状態の変化を検出可能な磁気素子を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of preventing occurrence of a consecutive pixel defect although the capacity of a memory for storing addresses of defective pixels is selected smaller than the capacity equivalent to the number of all pixels of an solid-state imaging element.例文帳に追加

欠陥画素のアドレス記憶用のメモリの容量を固体撮像素子の全画素数相当より少ないものとしながら、連続画素欠陥を防止できるようにする。 - 特許庁

Image data outputted from a solid-state imaging device 2 driven by the timing generator 8 are signal-processed by the signal processing part 9 and stored in the memory 12.例文帳に追加

タイミングジェネレータ8によって駆動された固体撮像素子2から出力された画像データが信号処理部9で信号処理されてメモリ12に記憶される。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device for correcting a defective pixel without addition of a new memory cell or signal processing in the post stage or the like.例文帳に追加

新たな記憶素子の追加や後段での信号処理等を行なうことなく欠陥を有する画素の補正を行なうことができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The device 10 has a coordinate memory 24, which stores positional information denoting the position of a defective pixel included in a solid-state image pickup device 22.例文帳に追加

欠陥画素データ作成装置10は座標メモリ24を有し、座標メモリ24には、固体撮像デバイス22に含まれていることのある欠陥画素の位置を示す位置情報が記憶される。 - 特許庁

In this CCD solid-state imaging device having a line memory, the depth of a potential barrier which determines the capacity of the line memory is made shallower than that of a potential barrier formed in a transfer channel for transferring the electric charge accumulated in the line memory in a predetermined direction.例文帳に追加

ラインメモリを有するCCD型の固体撮像素子であって、ラインメモリの容量を決定するポテンシャルバリアの深さを、ラインメモリに蓄積した電荷を所定の方向に転送するための転送チャネルに形成されるポテンシャルバリアの深さよりも浅くした。 - 特許庁

In the signal processing of the output signal of a solid-state imaging device 12, the output data of the solid-state imaging device 12, for example, data(Raw data) prior to signal processing related with video display such as gamma correction are not stored in a memory 15 as they are, but quantized(compressed) by a quantizing part 135 so as to be stored in the memory 15.例文帳に追加

固体撮像素子12の出力信号の信号処理において、固体撮像素子12の出力データ、例えばγ補正などの映像表示に関する信号処理前のデータ(Rawデータ)をそのままメモリー15に格納するのではなく、量子化部135で量子化(圧縮)処理を施してメモリー15に格納するようにする。 - 特許庁

To obtain excellent image quality without damaging the sense of use such as snapshot performance by suppressing the using capacity of a memory related to correction and realizing speeding-up of the correction arithmetic processing, regarding correction of a defective pixel in a solid-state image pickup element in an image pickup device using the solid-state image pickup element.例文帳に追加

固体撮像素子を用いた撮像装置において、固体撮像素子における欠陥画素部の補正について、補正に関するメモリの使用容量を抑え、かつ補正演算処理の高速化を図り、速写性等の使用感を損なわずに良好な画質を得ることを目的とする。 - 特許庁

On the basis of the imaging operation of each pixel of the solid-state imaging element 2 confirmed by a comparator 66, a memory control section 62 selects and reads the FPN component of the pixel from either a memory 61a for linear conversion or a memory 61b for logarithmic conversion of an image memory 61, and outputs it to an FPN component removing section 65.例文帳に追加

比較器66で確認された固体撮像素子2における各画素の撮像動作に基づいて、メモリ制御部62が各画素のFPN成分を画像メモリ61における線形変換用メモリ61a及び対数変換用メモリ61bのいずれかから選択して読み出して、FPN成分除去部65に出力する。 - 特許庁

To obtain a nonvolatile solid state memory capable of high speed recording/reproduction by protecting an MRAM appropriate to a WLP age from an external magnetic field thereby preventing an erroneous operation due to the external magnetic field and enhancing stability in the recording/ reproducing operation of the memory element.例文帳に追加

WLP時代に相応しいMRAMを外部磁界から守り、外部磁界による誤動作を防止すること、並びにメモリ素子の記録再生動作の安定性を高め、高速に記録再生可能な不揮発固体メモリを実現する。 - 特許庁

The controller 143 uses the slope characteristic data in the line memory 42 to correct data of the horizontal lines located in a valid pixel area 41 (Fig. 4) of the solid-state imaging device.例文帳に追加

コントローラ143は、固体撮像素子の有効画素領域41(図4)に位置する水平ラインのデータについて、上記ラインメモリ142内の傾斜特性データを用いて補正する。 - 特許庁

The ferroelectric three-dimensional solid-state memory 300 consists of a plurality of bit lines 313a to 313d, a plurality of layers, a plurality of tree structures 302a and 302b, and a plurality of plate lines 307.例文帳に追加

強誘電性三次元固体メモリ300は、複数のビット線313a〜313d、複数の層、複数のツリー構造302a,302b、複数のプレート線307とからなる。 - 特許庁

A computer 100 includes a main memory 120, an SSD (Solid State Drive) 130, a first chip set 140, and a second chip set 150 as constituent elements related to the storage of the data used in information processing.例文帳に追加

コンピュータ100が、情報処理に使われるデータの格納に係る構成要素として、メインメモリ120、SSD130、第1チップセット140、および第2チップセット150を備えた。 - 特許庁

The controller has a system interface connected to at least one external system end, a microprocessor for a processing system command, and a memory interface capable of exchanging data with the solid-state storage medium.例文帳に追加

該コントローラ内には少なくとも1個の外部システムエンドに接続するシステムインターフェース、処理システム指令のマイクロプロセッサ、該ソリッドステートストレージメディアとデータ交換が可能なメモリインターフェースを具える。 - 特許庁

As a result, a vivid still image free from blurs can be taken into the memory 26 regardless of the shaking of the main body of a mobile phone 10 because the image is taken in a state of no relative movement of an object and the solid-state imaging device 22.例文帳に追加

この結果、携帯電話機10本体に手ぶれが生じても、撮像対象と固体撮像素子22との相対的な移動が無い状態で画像が取り込まれるので、ぶれの無い鮮明な静止撮像画像をメモリ26に取り込むことができる。 - 特許庁

A solid-state imaging element alternately applies logarithmic conversion and linear conversion to an image signal and thereafter stores the image signal at the logarithmic conversion and linear conversion for each pixel into a memory in a gradation conversion circuit.例文帳に追加

固体撮像素子が対数変換動作と線形変換動作を交互に行った後、この対数変換時及び線形変換時の画像信号を各画素毎に、階調変換回路内のメモリに格納する。 - 特許庁

To obtain a solid-state imaging device capable of reducing capacity of a frame memory without substantially lowering image quality, promptly processing calibration correction and/or performing calibration correction without redundancy.例文帳に追加

画質を実質的に低下させることなく、フレームメモリの容量を小さくでき、キャリブレーション補正を迅速に処理でき、及び/又は、冗長性のないキャリブレーション補正を行える固体撮像装置を得る。 - 特許庁

A digital camera 1 photographs videos by means of a solid-state image pickup element 4 and records video signals from the element 4 in a semiconductor memory after digitizing and enciphering the video signals by means of a video processing section 5.例文帳に追加

デジタルカメラ1は、固体撮像素子4によって映像を撮影し、映像処理部5で固体撮像素子4からの映像信号をデジタル化し、かつ暗号化して半導体メモリ6に記録するものとする。 - 特許庁

A system control section 62 identifiers the position of the pointed-out defective pixel in response thereto and stores it in the coordinate memory 24 as positional information denoting coordinates in an image pickup cell array 26 of the solid-state image pickup device 22.例文帳に追加

これに応動してシステム制御部62は、その指示された欠陥画素の位置を識別し、固体撮像デバイス22の撮像セルアレイ26における座標を示す位置情報として座標メモリ24に記憶させる。 - 特許庁

Analog signals outputted from the solid-state image pickup element inside an image pickup part 11 are converted to digital signals in an A/D converter 12 and the converted digital signals are delayed for one frame in a frame memory 15.例文帳に追加

撮像部11内の固体撮像素子より出力されるアナログ信号を、A/D変換器12でデジタル信号に変換し、変換されたデジタル信号をフレームメモリ15で1フレーム遅延する。 - 特許庁

As another mode, the mouse main body 11 is provided with an IC memory card slot, a radio communication unit and a photographing device having a solid-state imaging device and a lens or ten keys and a microphone for the Internet telephone.例文帳に追加

また、別の態様として、マウス本体11に、ICメモリーカードスロット、無線通信ユニット、固体撮像素子とレンズとを有する撮影装置、あるいはインターネット電話用のテンキー及びマイクなどを設ける。 - 特許庁

To reduce the amount of data to be stored in a timing generator with built-in memory for generating a timing pulse to be used for driving a solid-state image pickup element, and to provide the flexible function of this timing generator.例文帳に追加

固体撮像素子の駆動に用いられるタイミングパルスを生成するためのメモリ内蔵型タイミングジェネレータに格納すべきデータの量を低減し、かつ同タイミングジェネレータの柔軟な機能を実現する。 - 特許庁

A solid state memory device is fabricated by forming a level of the device (302), identifying defective areas in the level (304), and programming address logic of the level so as to avoid defective areas in the level (306).例文帳に追加

固体メモリデバイスは、そのデバイスの1つの段を形成(302)し、その段内の欠陥領域を特定(304)し、段内の欠陥領域を回避するように、段のアドレス論理回路をプログラミングする(306)ことにより、製作される。 - 特許庁

In a digital camera for correcting a defective pixel caused by a solid-state image pickup element, a microcomputer 15 is capable of directly reading a work memory 16 and the work memory 16 reads data in itself to detect the defective pixel and replaces calculated correction data to a frame memory 12 to realize correction of the defective pixel.例文帳に追加

固体撮像素子に起因する欠陥画素を補正するデジタルカメラにあって、マイコン15がワークメモリ16を直接読み書きできる構成とし、マイコン16は、ワークメモリ16のデータを読み出して欠陥画素を検出し、さらに算出された補正データをフレームメモリ12に置換することで、欠陥画素の補正が実現する。 - 特許庁

When a storage in the memory part 25 becomes saturated with pixel data, at least any one of stops of emission of light of a light emitting element 11, exposure to light of a solid-state imaging element 17, and transfer of pixel data to the memory part 25 is performed in a subsequent frame.例文帳に追加

メモリ部25における記憶部の画素データが飽和した場合には、以後のフレームにおいて、発光素子11の発光停止と、固体撮像素子17の露光停止と、メモリ部25への画素データの転送停止とのうち、少なくとも何れか一つを行うようにしている。 - 特許庁

例文

A digital camera 10 transfers signal electric charges with each color attribute stored in a light receiving element 160 in a solid-state imaging device 16c up to a line memory 162, and a horizontal transfer register 164 mixes the signal electric charges in the same color read from the memory 162 in a horizontal direction to interleave the electric charges in the horizontal direction.例文帳に追加

ディジタルカメラ10は、固体撮像素子16cにおいて受光素子160に蓄積した各色属性の信号電荷をラインメモリ162まで転送し、メモリ162から読み出した信号電荷を水平転送レジスタ164で同色同士水平混合を行して水平間引きする。 - 特許庁




  
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