「stacking fault」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To manufacture a 3C-SiC single crystal reduced in generation of stacking fault with good reproducibility.例文帳に追加

積層欠陥が低減された３Ｃ−ＳｉＣ単結晶からなる基板を再現性良く製造する。 - 特許庁

When certain superlattice reflections are operating, the fringe-type contrast characteristic of a stacking fault is obtained. 例文帳に追加

ある超格子反射が働いて(起きて)いるとき、積層欠陥に特有の縞状のコントラストが得られる。 - 科学技術論文動詞集

To sense a printing fault by rapidly conveying paper to be inspected drawn from a sheet stacking unit to an inspecting plate automatically and to deal with the fault.例文帳に追加

シート積重装置から抜き取られた検査紙を人手を介さずに速やかに検査場所へ搬送し、印刷不良を検知してその対処を行う。 - 特許庁

To provide a method where the controlling direction of a pulling-up velocity is determined without using the position and width of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) region as indexes, thus a velocity profile of the succeeding pulling-up is fed-back and adjusted.例文帳に追加

ＯＳＦ（Oxidation Induced Stacking Fault）領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する方法を提供する。 - 特許庁

BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR RECOVERING FORWARD VOLTAGE THEREOF, AND METHOD FOR REDUCING STACKING FAULT例文帳に追加

バイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法、積層欠陥縮小方法およびバイポーラ型半導体装置 - 特許庁

The stacking fault area is enlarged by current energization and the silicon carbide bipolar semiconductor device of the increased forward voltage is heated at a temperature of 350°C or more to recover stacking faults.例文帳に追加

電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を３５０℃以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。 - 特許庁

To form a silicon optical waveguide in which the optical propagation loss is suppressed in the state where a stacking fault is not caused.例文帳に追加

積層欠陥などが入ることがない状態で、光伝搬損失が抑制されたシリコン光導波路を形成できるようにする。 - 特許庁

By filling up the groove 12 with a silicon oxide film 5, a fault stop region 10 which stops the growth of stacking faults is formed.例文帳に追加

この溝１２を酸化珪素膜５で埋め込むことによって、積層欠陥の成長を停止させる欠陥停止領域１０を形成する。 - 特許庁

To provide a fieldeffect transistor whose stacking fault is small in density using a group-III nitride semiconductor having a nonpolar surface as a principal surface.例文帳に追加

非極性面を主面としたIII族窒化物半導体を用いて、積層欠陥の密度が小さい電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide an SiC epitaxial wafer in which the triangular defect and the stacking fault are reduced, the uniformity of a carrier concentration and a film thickness is high, and which is step bunching free.例文帳に追加

三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

An oxidation inducing stacking fault (OSF) 14 is formed with a depth of several micrometers in all rear face 102 regions of the wafer 10 with the deformation 11.例文帳に追加

このとき、歪み１１を付けたウェーハ１０の裏面１０２全域には酸化誘起積層欠陥（ＯＳＦ）１４が数μｍの深さをもって形成される。 - 特許庁

To reduce defects being called as stacking fault (COP) and a large size LLPD larger than COP in a silicon single crystal pulled by a Czochralski method.例文帳に追加

チョコラルスキー法により引き上げる単結晶シリコン中の積層欠陥（ＣＯＰ）、およびＣＯＰより大型のＬＬＰＤと呼ばれる欠陥を低減化する。 - 特許庁

To provide a method of discriminating impurity metal and stacking fault present in a support substrate layer of an SOI wafer for inspection with ease and at a low cost.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハの支持基板層中に存在する不純物金属及び積層欠陥を区別して簡便且つ低コストに検査することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bill storage device eliminating the possibility of carrying jam or stacking fault of bills by surely preventing the incomplete setting of a bill storage part to a device body.例文帳に追加

紙幣収納部の装置本体に対する不完全セットを確実に防ぎ、紙幣の搬送ジャムやスタック不良が生じることのない紙幣収納装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.例文帳に追加

選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

For an anti-phase boundary (APB) that is inclined to the plane of the film, the fringe-type contrast characteristic of a stacking fault is obtained when certain supperlattice reflections are operating. 例文帳に追加

膜面に対して傾けられた逆位相境界に対してある超格子反射が作用しているとき、積層欠陥に特徴的な縞状のコントラストが得られる。 - 科学技術論文動詞集

To provide an SiC epitaxial wafer in which triangular defect and stacking fault are reduced, and the uniformity of carrier concentration and film thickness is high, and which is step bunching-free, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of operating a semiconductor device, which operates a wide gap semiconductor element and is simply obtainable without causing any element breakdown caused by a generation of a stacking fault.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体素子を動作させる半導体装置の動作方法であって、積層欠陥の発生による素子破壊を招くことなく簡単に実現できるものを提供すること。 - 特許庁

To produce a silicon single crystal with slight formation of crystal defects such as an oxidation induced stacking fault(OSF) by removing impurities such as moisture or oxygen contained in an argon gas atmosphere in a furnace.例文帳に追加

炉内アルゴンガス雰囲気中に含まれる水分、酸素等の不純物を除去することにより、ＯＳＦ等の結晶欠陥の発生が少ないシリコン単結晶を提供する。 - 特許庁

The provided Co-based alloy for in-vivo use comprises a Co-Cr-W alloy with the addition of a biocompatible alloy element that has the effect of increasing the stacking-fault energy of the alloy.例文帳に追加

本発明の生体用Ｃｏ基合金は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ系合金に、生体適合性を有し、かつ、該合金の積層欠陥エネルギーを上昇させる効果を有する合金元素を添加してなる。 - 特許庁

In the silicon single crystal substrate 1 which constitutes the silicon epitaxial wafer 100, a bulk stacking fault 13 whose density is not less than 1×10^8 cm^-3 and not more than 3×10^9 cm^-3 is installed.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成するシリコン単結晶基板１中には、密度１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下のバルク積層欠陥１３を有する。 - 特許庁

The gettering region 165, 165' includes a plurality of gettering sites 170, 170', and at least one gettering site includes one of a precipitate, a dispersoid, an interface with the dispersoid, a stacking fault and a dislocation.例文帳に追加

ゲッタリング領域１６５，１６５´は、複数のゲッタリングサイト１７０、１７０´を含み、少なくとも一つのゲッタリングサイトは、沈殿物、分散質、前記分散質との界面、積層欠陥及び転移のうち一つを含む。 - 特許庁

Since the threading dislocation 3 having the dislocation line in the direction of [0001]c axis is perpendicular to the direction of the dislocation line of basal surface dislocation, it does not become an extended dislocation in surface C and does not generate stacking fault.例文帳に追加

［０００１］ｃ軸方向に転位線を持つ貫通転位３は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、Ｃ面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer that can prevent a stacking fault from being caused by a simple method during epitaxial growth of an epitaxial layer on an arsenic-doped low-resistance silicon wafer.例文帳に追加

ヒ素ドープの低抵抗シリコンウェーハ上にエピタキシャル成長させる際に、簡易な方法で、積層欠陥の発生を防止することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The second hexagonal silicon carbide epitaxial layer 3 has a crystal structure similar to that of the first hexagonal silicon carbide epitaxial layer 2 and has a stacking fault density higher than that of the first hexagonal silicon carbide epitaxial layer 2.例文帳に追加

第２六方晶炭化珪素エピタキシャル層３は、第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２と同じ結晶構造を有し、かつ第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２よりも高い積層欠陥密度を有する。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN crystal where the occurrence of a stacking fault is suppressed even if the GaN crystal is grown on a GaN seed crystal substrate whose principal plane is inclined at 20° or more and 90° or less from a (0001) plane.例文帳に追加

主面が（０００１）面から２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板上にＧａＮ結晶を成長させても、積層欠陥の発生が抑制されるＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The nickel-based heat-resistant superalloy contains as main elements, chromium, cobalt, titanium, aluminum and nickel, is permitted to contain additional elements and inevitable impurity elements and has a stacking fault energy of ≤35 mJ/m^2.例文帳に追加

クロム、コバルト、チタン、アルミニウムおよびニッケルを主要元素として含み、添加成分元素と不可避的不純物元素の含有を許容し、積層欠陥エネルギーが３５ｍＪ/ｍ^2以下であることを特徴とするニッケル基耐熱超合金に関する。 - 特許庁

To suppress both misfit dislocation and a stacking fault (SF) of an epitaxial silicon wafer based on a silicon crystal substrate with low electric resistivity doped with an electric-resistivity decreasing dopant, such as phosphorus, and germanium together during growth of silicon crystal.例文帳に追加

シリコン結晶育成時にリンのような電気抵抗率降下用ドーパントとゲルマニウムが一緒に高濃度にドープされた低電気抵抗率のシリコン結晶基板をベースにしたエピタキシャルシリコンウェーハにおいて、ミスフィット転位とスタッキングフォルト（ＳＦ）の双方を抑制する。 - 特許庁

A soft start time ts raising the energizing current I from zero to the rated current In is set up within a range of 0.5 to 10 seconds so as to prevent a breakdown of the wide gap semiconductor element caused by the generation of the stacking fault in the wide gap semiconductor element.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体素子内の積層欠陥の発生によるワイドギャップ半導体素子の破壊を防止するように、通電電流Ｉをゼロから定格電流Ｉｎまで上昇させるソフトスタート時間ｔｓを０．５秒から１０秒までの範囲内に設定する。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-type silicon single crystal, in which generation of OSF (oxidation-induced stacking fault) is prevented even when a silicon single crystal is produced by an FZ (floating zone) method, particularly, a silicon single crystal having a diameter of 8 inches (200 mm) or more is produced, and the N-type silicon single crystal.例文帳に追加

ＦＺ法によりシリコン単結晶、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上のシリコン単結晶を製造する場合であっても、ＯＳＦの発生を防止することができるＮ型シリコン単結晶製造方法及びＮ型シリコン単結晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a post-processing apparatus which is free from a paper stacking fault to a stacker, a damage to a paper, the occurrence of a jam when the paper is conveyed, and further, the decrease in the working ratio of an image forming apparatus, when the paper is stacked on the stacker, to perform post-processing.例文帳に追加

スタッカに用紙を集積して後処理を行う場合に、スタッカへの用紙集積不良及び用紙へのダメージを生じることなく、また用紙搬送時のジャムを生じることなく、更に画像形成装置の稼働率を低下させることのない後処理装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the increase of a created stacking fault area by continuing energizing in a bipolar type semiconductor device which performs electron and hole recombination in the time of energization inside a silicon carbide epitaxial film grown up from the front surface of a silicon carbide single crystal substrate.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、通電を続けることにより引き起こされる積層欠陥面積の拡大を抑制すること。 - 特許庁

The ingot is grown by keeping the lifting rate for growing the ingot to enable an OSF(Oxidation Induced Stacking Fault) ring to exist in the vicinity of the ingot and controlling the cooling condition of a hot zone where the single crystal grows to increase the uniformity of the heat history in the radius direction and after that, the ingot is sliced to form a wafer.例文帳に追加

ＯＳＦリングがインゴット周辺部に存在できるようにインゴットを成長させる引上げ速度を維持し、単結晶が成長するホットゾーンの冷却条件を調節して半径方法への熱履歴の均一度を増加させことでインゴットを成長させた後、そのインゴットをスライスしてウェーハを作製する。 - 特許庁

In order to control a position (angle) for forming the semiconductor element on the principal surface of the semiconductor substrate 1 with high precision (to precisely perform positioning), the semiconductor substrate includes a stacking fault 2 to be used as a mark for correctly indicating crystal orientation on the principal surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主表面上に半導体素子を形成する位置（角度）を高精度に制御するために（位置合わせを精密に行なえるようにするために）、半導体基板１の主表面上における結晶方位を正確に示す目印として用いるための積層欠陥２が備えられている。 - 特許庁

To provide a method for reducing a stacking fault area enlarged by current energization and recovering an increased forward voltage of a silicon carbide bipolar semiconductor device, in the bipolar semiconductor device in which electrons are recoupled to holes upon energization in a silicon carbide epitaxial film grown from a surface of a silicon carbide monocrystal substrate.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。 - 特許庁

The rolled copper foil includes: copper (Cu) as the main component with inevitable impurities; boron (B); silver (Ag); and one or more kinds of additive elements selected from an elemental group excluding copper (Cu) and silver (Ag), which has a face-centered cubic crystal structure and also has the value of stacking fault energy higher than that of copper (Cu).例文帳に追加

本発明に係る圧延銅箔は、主成分としての銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物と、ホウ素（Ｂ）と、銀（Ａｇ）と、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）以外で結晶構造が面心立方で、かつ積層欠陥エネルギーの値が銅（Ｃｕ）より大きい値を有する元素群の中から選択される１種以上の添加元素と、を含むことを特徴とする圧延銅箔である。 - 特許庁

The rolled copper foil includes: copper (Cu) as the main component with inevitable impurities; titanium (Ti); silver (Ag); and one or more kinds of additive elements selected from an elemental group excluding copper (Cu) and silver (Ag), which has a face-centered cubic crystal structure, and also has the value of stacking fault energy higher than that of copper (Cu).例文帳に追加

本発明に係る圧延銅箔は、主成分としての銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物と、チタン（Ｔｉ）と、銀（Ａｇ）と、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）以外で結晶構造が面心立方で、かつ積層欠陥エネルギーの値が銅（Ｃｕ）より大きい値を有する元素群の中から選択される１種以上の添加元素と、を含むことを特徴とする圧延銅箔である。 - 特許庁