「stress pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Moreover, the ratio of a surface stress value obtained from the stress pattern A to a virtual surface stress value obtained from a line formed by extending the stress pattern B at the inner layer side of the glass to the glass surface is 0.8-0.95; otherwise, the thickness of the compressive stress layer formed by the stress pattern A is 2-15 μm.例文帳に追加

さらに、圧縮応力パターンＡから求められる表面応力値と、ガラス内層側の圧縮応力パターンＢをガラス表面まで延長させたラインから求められる仮の表面応力値との比が０．８以上０．９５以下、又は応力パターンＡによる圧縮応力層厚が２μｍ以上１５μｍ以下の化学強化ガラス。 - 特許庁

To obtain a pattern support layer thin in film thickness with a small temporal change in stress.例文帳に追加

応力の経時変化が小さい、薄い膜厚のパターン支持層を得る。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for forming a pattern free from a flaw such as a crack by controlling the release direction of a mold with respect to the pattern to reduce stress in a releasing step of a nanoimprint process, to reduce stress.例文帳に追加

ナノインプリントの剥離工程において、パターンに対してモールドの剥離方向を制御することにより、応力を低減し、欠けなどの欠陥のないパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The chemically toughened glass, having a compressive stress layer formed by ion-exchange in its glass surface layer, has, in the compressive stress layer, two compressive stress patterns, i.e. a compressive stress pattern A at the side near to the glass surface and a compressive stress pattern B at the side near to the glass inner side.例文帳に追加

イオン交換することによりガラス表層に圧縮応力層を形成させた化学強化ガラスにおいて、ガラス表面に近い方の圧縮応力パターンＡとガラス内層側の圧縮応力パターンＢの２種類を圧縮応力層の中に有す化学強化ガラス。 - 特許庁

Trenches 8 for absorbing stress are made in the surface of the copper pattern 7.例文帳に追加

銅パターン７には銅パターン表面に応力吸収目的の溝８を設ける。 - 特許庁

To provide a stress light emission analyzer capable of estimating accurately a strain pattern of stress light emission based on a light emission phenomenon of a stress light emitting body.例文帳に追加

応力発光体の発光現象に基づいて、当該応力発光のひずみパターンを精度よく推定することができる応力発光解析装置を提供する。 - 特許庁

When the surface of the color filter layer 14 is polished, the first dummy pattern 18 is not scraped and the stress dispersed to the first dummy pattern can be dispersed to the second dummy pattern 19.例文帳に追加

カラーフィルタ層14の表面を研磨した際に、第１ダミーパターン18が削れず、第１ダミーパターン18に分散させた応力を第２ダミーパターン19に分散できる。 - 特許庁

As characteristics of stress variation, a stress relaxation time in characteristics of a pattern of stress variation from the maximum stress at compression finishing to stress at relaxation finishing in processes to compress and to relax the skin surface is used.例文帳に追加

応力変化の特性としては、皮膚表面を圧縮及び緩和する工程における、圧縮終了時の最大応力から緩和終了時に於ける応力までの応力変化のパターンの特性における応力緩和時間を用いる。 - 特許庁

The wiring pattern 11 is connected to each stress detecting element 4 through a terminal 10.例文帳に追加

配線パターン１１は、端子１０を介して各歪み検出素子４に接続される。 - 特許庁

With the stress σ_1 and σ_2, a correction coefficient α corresponding to the operation pattern is calculated.例文帳に追加

応力σ1とσ2により動作パターンに対応した補正係数αを算出する。 - 特許庁

EVALUATION PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME, AND METHOD OF EVALUATING STRESS MIGRATION例文帳に追加

評価パターン及び該パターンを備える半導体装置並びにストレスマイグレーションの評価方法 - 特許庁

The residual stress mitigating pattern 23 is formed to the mesh type grooves 28 and 29.例文帳に追加

残留応力の緩和パターン２３は、メッシュ状の溝２８、２９に形成されている。 - 特許庁

To suppress a stress migration in a multilayer wiring structure having a Cu wiring pattern.例文帳に追加

Ｃｕ配線パターンを有する多層配線構造においてストレスマイグレーションを抑制する。 - 特許庁

A hydraulic shovel 20 is tested in-place by a specific operation pattern, and stress σ_1 of each part of front is detected with a stress detector 4.例文帳に追加

油圧ショベル２０を所定の動作パターンで場内試験して応力検出器４によりフロント各部の応力σ1を検出する。 - 特許庁

A linear pattern 10 which retards or blocks transfer of the internal stress of a resist is disposed around the main pattern of a chip to relieve the internal stress.例文帳に追加

チップのメインパターンの外周部に、レジスト内部応力の伝達を緩和あるいは遮断する線形形状パターン１０を設けることにより、内部応力を緩和することを特徴とする。 - 特許庁

The stress generating pattern can apply stress to a channel region, defined in the first semiconductor pattern underneath the gate electrode, thereby causing the mobility of the carriers to increase.例文帳に追加

前記応力発生パターンは前記ゲート電極の下部の第１半導体パターンに定義されるチャンネル領域に応力を加えて、これによってキャリアの移動度を増加させることができる。 - 特許庁

Pattern supply is carried out thereby to apply a proper circuit stress to the whole circuit.例文帳に追加

これにより回路全体に適切な回路ストレスを与えることができるパターン供給を行う。 - 特許庁

A shape of a resist pattern used as an etching mask is formed in such a shape as stress is dispersed.例文帳に追加

エッチングマスクとして用いるレジストパターンの形状を、応力を分散させる形状に形成する。 - 特許庁

To provide a residual stress mitigating pattern only to the limited area where a residual stress of the bonding region of chip is higher on the occasion of bonding the chip to a lead frame.例文帳に追加

チップのリードフレームへの接着に際して、残留応力の緩和パターンをチップの接着領域の残留応力が高い部分に限定して設ける。 - 特許庁

To provide a mask for charged particle exposure in which inner stress generating in a mask pattern formation region can be decreased and a mask pattern can be formed with high accuracy.例文帳に追加

マスクパターン形成領域に生じる内部応力を減少させ、マスクパターンを高精度にできる荷電粒子露光用マスクを提供する。 - 特許庁

In the center side of the chip bonding region 22, the residual stress mitigating pattern 23 is not provided.例文帳に追加

チップの接着領域２２の中央側には、残留応力の緩和パターン２３は設けられていない。 - 特許庁

A voltage preferably lower than a stress voltage applied to the gate electrode is applied to the shield pattern.例文帳に追加

遮蔽パターンは、好ましくはゲート電極に印加されるストレス電圧よりも低い電圧に接続される。 - 特許庁

To provide a color cathode-ray tube of which a stress relaxation pattern for avoiding deformations in the main face of a shadow mask is formed at one etching treatment.例文帳に追加

シャドウマスクの主面の変形を回避する応力緩和パターンを１段エッチングで形成する。 - 特許庁

A hydraulic shovel 10 of the same class as the hydraulic shovel 20 and 30 is tested in-place with a specified operation pattern to detect the stress σ_1 of each part of front by a stress detector 4, and the stress σ_1 is corrected with a correction coefficient α and stress σA, after correction is obtained.例文帳に追加

油圧ショベル２０,３０と同クラスの油圧ショベル１０を所定の動作パターンで場内試験して応力検出器４によりフロント各部の応力σ1を検出し、この応力σ1を補正係数αで補正して補正後の応力σAを求める。 - 特許庁

To provide a stress history recording system in which a stress-induced light-emitting pattern can be selectively recorded, by reducing an influence of afterglow recording when luminescence obtained from a stress illuminant is integrated and recorded for a certain period of time.例文帳に追加

応力発光体から得られる発光を一定期間積算記録する時の残光記録の影響を低減し、応力発光パターンを選択的に記録することのできる応力履歴記録システムを提供する。 - 特許庁

This display device is provide with an aperture pattern NAR for dummy pixels, which has a drawing stress absorption hole suppressing pattern precision deterioration due to deformation of an aperture pattern by absorbing stress in a process wherein a mask part MSS is fixed to a frame FLM by applying tension, outside an aperture pattern DRA for pixels.例文帳に追加

マスク部ＭＳＳをテンションを印加してフレームＦＬＭに固定する工程で生じる応力を吸収し、開孔パターンの変形によるパターン精度劣化を抑制する引っ張り応力吸収孔を有するダミー画素用開孔パターンＮＡＲを画素用開孔パターンＤＡＲの外側に設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of preventing a dummy pattern from bending and preventing a part of the dummy pattern from missing even if a mechanical stress is applied to the dummy pattern during CMP processing and the pattern layout method thereof.例文帳に追加

ＣＭＰ処理においてダミーパターンに機械的ストレスが作用しても、ダミーパターンが折れ曲がったり、ダミーパターンの一部が欠落したりすることを抑制できる半導体集積回路およびそのパターンレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

In order to disperse the stress, the resist pattern is formed into a shape having no corners in a planar shape.例文帳に追加

この応力を分散させるために、レジストパターンは平面形状で角を有しない形状に形成される。 - 特許庁

The quality of the prepared test pattern is verified, based on the calculated stress activation rate.例文帳に追加

このように算出したストレス活性化率に基づいて、作成したテストパターンの良否を検証することができる。 - 特許庁

To provide a forming method of a wiring pattern wherein a fine wiring pattern having desired dimension, a shape and precision can be formed by restraining deformation of a resist pattern which is caused by heat and stress.例文帳に追加

熱や応力によるレジストパターンの変形を抑制し、所望の寸法、形状および精度を有する微細な配線パターンを形成することができる配線パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A corium collagen fiber bundle structure is distinguished using characteristics of stress variation of the skin surface against compression by external force, such as a pattern of stress variation from the maximum stress at the compression finishing to stress at relaxation finishing in processes of compressing and relaxing the skin surface, as an index.例文帳に追加

皮膚表面を圧縮及び緩和する工程における、圧縮終了時の最大応力から緩和終了時に於ける応力までの応力変化のパターン等の皮膚表面の、外力による圧縮に対する応力変化の特性を指標とし、真皮コラーゲン線維束構造を鑑別する。 - 特許庁

Stress migration occurs at the connection between the dummy Cu pattern 43B and the dummy via plug 47D of the lower wiring layer at the tip, and occurrence of the stress migration is prevented at the connection between the via plug 47C and the lower-layer wiring pattern 43A.例文帳に追加

ストレスマイグレーションは先端部の下層配線層のダミーＣｕパターン４３Ｂとダミービアプラグ４７Ｄの接続部で発生し、ビアプラグ４７Ｃと下層配線パターン４３Ａの接続部ではストレスマイグレーションの発生は防止される。 - 特許庁

Consequently, a difference in thickness between the end part of the silver paste pattern in the width direction and around the center of the silver paste pattern becomes small, and the shrinkage stress of the bus bar electrode is greatly reduced.例文帳に追加

これにより、銀ペーストパターンの幅方向の端部と中央付近とで厚みの差が小さくなって、バスバー電極の収縮応力が大幅に低減される。 - 特許庁

To prevent disconnection of a wiring pattern due to external stress even if a connector terminal is provided with no plated lead wire and a pattern land 11 is formed like a zigzag.例文帳に追加

コネクタ端子部にメッキリード線がなく、かつ、各パターンランド１１が千鳥状に配置される構成であっても、外部ストレスによる配線パターンの断線を防止する。 - 特許庁

In the first analysis, the changing quantity of a pattern and a stress concentration generated by the opening of a division pattern are analyzed based on a first analysis model (step ST13).例文帳に追加

第１の解析では、第１の解析モデルに基づいて分割パターンの開口により発生するパターン変位量および応力集中が解析される（ステップＳＴ１３）。 - 特許庁

To prevent application of mechanical stress to a connecting portion between a secondary coil terminal of a transformer and a high voltage circuit pattern.例文帳に追加

トランスの二次巻線端子と高圧回路パターンとの接続部に機械的ストレスがかかることを防止できるようにする。 - 特許庁

A stress distortion formation film 24 is formed and further a third resist pattern 25 is formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の上に、応力歪み生成膜２４を形成し、さらに、第３のレジストパターン２５を形成する。 - 特許庁

Additionally, a second stress-absorbing pattern 77 is formed at the same time when the wiring 74 of the top layer is formed.例文帳に追加

さらに、最上層の配線７４を形成するときに、第２の応力吸収パターン７７を同時に形成する。 - 特許庁

At the time, the metal foil pattern and the solder heaped there absorb stress generated by bending and achieve the role of avoiding the application of excessive stress to the LED 30.例文帳に追加

この時、金属箔パターンおよびそこに盛りつけられたハンダは、湾曲によって生じる応力を吸収し、ＬＥＤ３０に過度な応力がかかることを回避する役割を果たす。 - 特許庁

A metal foil pattern is formed separately from a wiring pattern for surface-mounting an LED 30 on the front face side of the board, and a stress absorbing member 40 is formed by heaping solder on the surface of the metal foil pattern.例文帳に追加

基板の前面側にはＬＥＤ３０を表面実装するための配線パターンとは別に、金属箔パターンを形成し、その金属箔パターンの表面にはハンダを盛ることで応力吸収部材４０を形成する。 - 特許庁

To provide dummy pattern design for reducing the performance drift of a MOS device caused by a difference of stress applied on the MOS device.例文帳に追加

MOSデバイスに加えられる応力の違いに起因するMOSデバイスの性能のドリフトを低減するダミーパターン設計を提供する。 - 特許庁

To restrain a stress layer and a membrane that can be generated on the side of a mask pattern, and to increase the positional accuracy in a mask.例文帳に追加

マスクバターン側面に発生しうる応力層や膜を抑制し、ひいてはマスクの位置精度を高めることを可能にする。 - 特許庁

To solve the problem that the deformation of a conductor pattern becomes significant due to a stress applied to the conductor pattern at the time of printing insulator paste on an insulator layer on which the conductor pattern is formed, or laminating an insulator sheet upon the layer when the film thickness of the conductor pattern becomes thicker, because the conductor pattern is protruded from the surface of the insulator layer.例文帳に追加

導体パターンが絶縁体層表面から突出しているため、導体パターンの膜厚が厚くなると、この導体パターンが形成された絶縁体層上に、絶縁体ペーストを印刷したり、絶縁体シートを積層する際に加わる応力によって、導体パターンの変形が著しくなる。 - 特許庁

A mask pattern 14 is provided in a resist 8 formed on a substrate, and a pattern 12 is also provided to relax or block the conveyance of an internal stress of the resist 8.例文帳に追加

基板上に設けたレジスト８にマスクパターン１４を設けるとともに、レジスト８の内部応力の伝達を緩和あるいは遮断するパターン１２を設けることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device, where stresses do not concentrate partially and wire breakings or cracks are hard to occur in the wiring pattern, even if stress is added to the wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンに応力が加わっても、応力が局部的に集中せず、断線やクラックが配線パターンに発生しにくく信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁