「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the retardation substrate provided with a substrate and a solidified liquid crystal layer formed on the substrate and provided by corresponding to display pixels.例文帳に追加

基板と、前記基板上に形成され表示画素に対応して設けられた固体化液晶層とを具備するリターデイション基板の製造方法である。 - 特許庁

An electrode layer 2 formed on the surface of a first substrate 1 comprising a smooth substrate surface is transferred to a second substrate 5 to form a first electrode 7.例文帳に追加

平滑な基板面を有する第１基板１の面上に形成した電極層２を第２基板５に転写して、第１電極７が形成される。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate with a plurality of single-crystal semiconductor layers fixed onto a base substrate with a low heat resistivity such as a glass substrate via a buffer layer.例文帳に追加

ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 - 特許庁

The optical waveguide substrate 1 has a substrate 3 provided with a main side 3a and an optical waveguide layer 5 formed on the main side 3a of the substrate 3.例文帳に追加

光導波路基板１は、主面３ａを有する基板３と、基板３の主面３ａ上に形成された光導波路層５とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystalline substrate which enables easy splitting of a gallium nitride single crystalline layer from a base substrate and production of a large-area substrate.例文帳に追加

基材基板と窒化ガリウム単結晶層との分離が容易であって大面積化が可能な窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce fluctuation of thickness of a boron doping layer formed on a substrate, and to prevent a silicon substrate and a dummy silicon substrate from sticking to a diffusion source.例文帳に追加

シリコン基板に形成されるボロンドープ層の厚みのバラツキを小さくし、シリコン基板及びダミーシリコン基板の拡散源への貼り付きを防止すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING BONDED SUBSTRATE, DEVICE FOR BONDING SUBSTRATE, AND DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING POLYIMIDE RESIN LAYER FOR BONDING SUBSTRATE例文帳に追加

貼り合わせ基板の製造方法及び基板の貼り合わせ装置、並びに基板の貼り合わせ用ポリイミド樹脂層の製造装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a high-quality SOI substrate from a silicon substrate by forming γ-Al_2O_3 layer into an island or a net on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層を島状あるいは網状に形成することにより、一枚のシリコン基板から、高品質なＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁

The support member 20 is obtained by processing a handle substrate of an SOI substrate, and the pellicle film 10 of monocrystalline silicon is obtained from an SOI layer of the SOI substrate.例文帳に追加

支持部材２０はＳＯＩ基板のハンドル基板を加工することにより得られ、単結晶シリコンのペリクル膜１０はＳＯＩ基板のＳＯＩ層から得られる。 - 特許庁

The optical recording medium 10 has the substrate 12 and the light transmission layer 14 thinner than the substrate 12 and an olefin maleimide copolymer is used as a material of the substrate 12.例文帳に追加

光記録媒体１０は、基板１２と、基板１２よりも薄い光透過層１４と、を有し、基板１２の材料をオレフィンマレイミド共重合体とした。 - 特許庁

Since the surface of the substrate 2 is rough, the heating layer 3 is good in adhesiveness to the substrate 2, easily responds to thermal deformation of the substrate 2, and does not produce cracks, peeling, and the like.例文帳に追加

基材２表面は粗であるから、発熱層３は密着性が良く、基材２の熱変形にも容易に追従して亀裂、剥がれ等を生じない。 - 特許庁

For solving the problem that a nitride layer directly grown on the diamond substrate is made to be a polycrystal, the semiconductor laminated structure includes: the diamond substrate; a first layer containing Si provided on the diamond substrate; and a second layer composed of a single crystal nitride provided on the first layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Ｓｉを含む第１の層と、第１の層上の、単結晶窒化物で構成される第２の層とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device is a CMOS comprising a DTMOS having a common substrate structure wherein the substrate part includes an Si substrate 41, a seed layer 44, a single crystal oxide film 45, a first SiGe layer 54, a second SiGe layer 55, and a strained Si layer 56 sequentially from below.例文帳に追加

半導体装置は、共通の基板構造を有するＤＴＭＯＳから構成されたＣＭＯＳであって、その基板部分は、下から順にＳｉ基板４１と、シード層４４と、単結晶酸化膜４５と、第１のＳｉＧｅ層５４と、第２のＳｉＧｅ層５５と、歪みＳｉ層５６とを有している。 - 特許庁

To suppress increase in roughness of an interface between a TiSix layer and an Si semiconductor substrate, which is caused at formation of the TiSix layer which is formed by reacting a Ti layer to the Si semiconductor substrate in the case where the Ti layer, which is a contact material, is deposited on the Si semiconductor substrate by a CVD method in the method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、コンタクト材であるＴｉをＣＶＤで堆積した場合、ＴｉとＳｉとが反応してＴｉＳｉ_x が生成され、それに起因して発生するＴｉＳｉ_x ／Ｓｉ界面のラフネス増大を抑制しようとする。 - 特許庁

The microorganism culture sheet comprises a substrate sheet, a medium layer formed on the substrate sheet and a cover sheet covering the medium sheet, wherein a frame layer composed of UV foamed ink is formed on the substrate sheet, and the medium layer is formed in the frame layer.例文帳に追加

基材シートと前記基材シートの上に形成された培地層と、前記培地層を被覆するカバーシートとからなる微生物培養シートであって、前記基材シートの上に、ＵＶ発泡インキからなる枠層が形成され、前記培地層は、前記枠層内に形成されることを特徴とする。 - 特許庁

A display layer comprising microcapsules is formed on a substrate 102 by depositing the plurality of microcapsules by attraction to the electrostatic charge, and an electrode layer 110b is positioned in contact with or in proximity to the substrate 102 so that the substrate 102 is located between the display layer and the electrode layer 110b.例文帳に追加

次いで、その電荷に対する吸引で複数個のマイクロカプセルを被着させることによりマイクロカプセルからなる表示層を基板１０２上に形成し、表示層と電極層１１０によって基板１０２が挟み込まれるよう電極層１１０ｂを基板１０２に接触又は近接配置する。 - 特許庁

After an isolation trench 21 is formed in a stripe shape on a compound semiconductor layer 1 formed on a sapphire substrate 20, a plated layer 6 is formed on an entire surface of the compound semiconductor layer 1, so that the plated layer 6 can be used as a support substrate after releasing the sapphire substrate 20.例文帳に追加

サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。 - 特許庁

The peripheral part 31 of the terminal electrode layer 3 provided to one principal surface of the support substrate 9 is continuously covered with a resist layer 2 except a part thereof to reinforce bonding between the terminal electrode layer 3 and support substrate 9, thereby preventing peeling of the terminal electrode layer 3 from the support substrate 9.例文帳に追加

支持基板９の一方の主面に設けられた端子電極層３の周部３１がその一部を除きレジスト層２により連続的に覆われており、端子電極層３と支持基板９との接合が補強され、端子電極層３が支持基板９から剥離することが防止される。 - 特許庁

The touch panel 12 comprises an insulating substrate 17; a touch electrode 22 provided on the insulating substrate 17 and including a first conductive layer 24; the first conductive layer 24 provided on the insulating substrate 17; and a second conductive layer 26 provided on the first conductive layer 24.例文帳に追加

タッチパネル１２は、絶縁性基板１７と、絶縁性基板１７上に設けられ、第１導電層２４で形成されたタッチ電極２２と、絶縁性基板１７上に設けられ、第１導電層２４及び第１導電層２４上に設けられた第２導電層２６を備える。 - 特許庁

A multilayer wiring substrate includes a first internal wiring layer 23 and a second internal wiring layer 24, which are formed inside a substrate 10, is used in addition to a first surface wiring layer 21 and a second surface wiring layer 22, which are formed on the two surfaces 10a, 10b of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０には、その二つの表面１０ａ，１０ｂに形成された第１表面配線層２１及び第２表面配線層２２に加え、同基板１０の内部に形成された第１内部配線層２３及び第２内部配線層２４を有する多層配線基板が用いられる。 - 特許庁

There is provided a piezoelectric/electrostrictive element 10, including a substrate 11, a lower electrode layer 12 secured onto the substrate 11, and a piezoelectric/electrostrictive layer 13 secured onto the lower electrode layer 12, and the coverage of the lower electrode layer 12 with respect to the substrate 11, is 98% or less.例文帳に追加

基板１１と、その基板１１の上に固着された下部電極層１２と、その下部電極層１２の上に固着された圧電／電歪層１３と、を有し、基板１１に対する、下部電極層１２の被覆率が、９８％以下である圧電／電歪素子１０の提供による。 - 特許庁

The method of forming the conductor film pattern comprises a process of forming a first interconnection layer 20 on top of a substrate 10 for separation which is formed with a porous receptive layer 12, and a process of separating the first wiring layer 20 from the substrate 10 for separation by adhering the first wiring layer 20 to a substrate 100.例文帳に追加

多孔性の受容層１２が設けられた分離用基体１０の上に、第１配線層２０を形成する工程と、前記第１配線層２０を基体１００に接着させることにより分離用基体１０から分離する工程と、を含む、導電膜パターンの形成方法。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element in which at least the first electrode, an organic layer and the second electrode are formed in this order on a transparent substrate, the substrate has at least a high polymer resin substrate layer, an antistatic layer and a gas barrier layer.例文帳に追加

透明な基材上に、少なくとも透明な第１電極、有機層、第２電極をこの順に形成する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該基材が、少なくとも高分子樹脂基材層、帯電防止層、ガスバリア層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

A laminate substrate 5 has a support substrate 10 composed of a first semiconductor layer, an insulation layer 20 formed on the support substrate, and a second semiconductor layer 30 provided on the insulation layer.例文帳に追加

第1半導体層からなる支持基板10、支持基板上に設けられた絶縁層20、及び絶縁層上に設けられた第2半導体層30を有する積層基板5の素子分離領域50aに含まれる、絶縁層及び第2半導体層をエッチングして、素子分離領域内に支持基板の露出面53を形成する。 - 特許庁

The substrate for the photosensitive drum characterized in that the substrate contains a resin insoluble in the coating liquid for forming the photosensitive layer and the photosensitive layer does not peel in the test for the adhesion property of the photosensitive layer formed on the substrate for the photosensitive drum by using the coating liquid for forming the photosensitive layer.例文帳に追加

感光ドラム用基体であって、感光層形成用塗布液に不溶の樹脂を含有し、該感光層形成用塗布液を用い該感光ドラム用基体上に形成される感光層の密着性試験において、感光層が剥離しないことを特徴とする感光ドラム用基体である。 - 特許庁

The composite recording medium 100 comprises a substrate 101, a transparent ink acceptive layer 103 provided via a resin coated layer 102 on the substrate 101 and a resin coated layer 104 provided on the rear surface (a surface opposite side to an ink acceptive layer 103) of the substrate 101.例文帳に追加

複合記録媒体１００は、基材１０１と、該基材１０１上に樹脂被覆層１０２を介して設けられた透明なインク受理層１０３と、該基材１０１の裏面（インク受容層１０３と反対側の面）に設けられた樹脂被覆層１０４とから構成される。 - 特許庁

A transparent substrate of a circular shape used for the magneto-optical recording medium having at least the transparent substrate, recording layer and protective layer is characterized in that the outer periphery of the transparent substrate has an end face of a prescribed shape and that the surfaces forming the recording layer and the protective layer have the maximum diameter.例文帳に追加

少なくとも透明基板と記録層と保護層とを有する光磁気記録媒体に用いる円形の透明基板であって、透明基板の外周が所定形状の端面を有し、かつ記録層並びに保護層を形成する面が最大径であることを特徴とする。 - 特許庁

The plasma display panel has a front substrate 110 and a back substrate 112, and a pair of sustaining electrodes 114, 116, an upper dielectric layer 118, and a protection layer 120 are successively formed on the front base panel, and an address electrode 122, a lower dielectric layer 124, barrier ribs 126, and a phosphor layer 128 are formed on the back substrate 112.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルは、前面基板110と背面基板112を有し、この前面基板上に順次、維持電極対１114,116、上部誘電体層118、及び保護層120が形成され、また、背面基板112上に順次に、アドレス電極122、下部誘電体層124、隔壁126、及び蛍光体層128が形成される。 - 特許庁

The first layer laminating material 1, the second layer laminating material 21 and the third layer laminating material, all of which are thinner than the substrate material 3 comprising a synthetic resin, are laminated on the back surface of the substrate material 3 and, if necessary, at least one printing layer 4 is provided to the opposite surface of the substrate material 3.例文帳に追加

合成樹脂よりなる基材３の片面にこの基材３よりも薄い合成樹脂よりなる第１層目の積層材１、第２層目の積層材２１、第３層目の積層材を積層し、基材３の反対面に必要に応じ一層以上の印刷層４を有する。 - 特許庁

When an oxide buffer layer 18 having a high oxygen dispersion property is allowed to grow epitaxially on a silicon substrate 14 and then the layer 18 is treated at a high temperature under a high oxygen atmosphere, an SiO_2 layer 16 is formed on an interface between the silicon substrate 14 and the buffer layer 18, and the ground substrate 12 is obtained.例文帳に追加

シリコン基板１４上に、高酸素拡散性を有する酸化物緩衝層１８をエピタキシャル成長させたのち、高酸素雰囲気下で高温処理することにより、シリコン基板１４と酸化物緩衝層１８の界面にＳｉＯ_２層１６が形成され、下地基板１２が得られる。 - 特許庁

This optical thin film deposition method comprises a step of forming a first layer formed of material containing silicon on a substrate formed of fluoride, and a step of forming a second layer for preventing fluorine contained in the substrate from being reacted with silicon contained in the first layer between the substrate and the first layer.例文帳に追加

フッ化物からなる基板上に珪素を含む材料からなる第１層を形成する工程と、前記基板に含まれるフッ素と前記第１層に含まれる珪素とを反応させないための第２層を前記基板と前記第１層との間に形成する工程とを含む成膜方法。 - 特許庁

The upper transparent electrode plate 10 is provided with a transparent substrate 1, the transparent electrode layer 3 formed on the back surface of the transparent substrate 1 an antireflection layer 7 provided on the surface of the transparent substrate 1 and a frictional coefficient control layer 8 formed on the upper surface of the antireflection layer 7.例文帳に追加

上部透明電極板１０は、透明基板１と、透明基板１の裏面上に形成された透明電極層３と、透明基板１の表面上に設けられた反射防止層７と、反射防止層７の上面上に形成された摩擦係数制御層８とを備える。 - 特許庁

The optical waveguide includes a lower clad layer, an optical waveguide core and an upper clad layer which are each made of organic materials and successively formed on the inorganic substrate except a silicon substrate, and a buffer layer made of silicon oxide or spin-on glass between the inorganic substrate and the lower clad layer.例文帳に追加

光導波路は、シリコン基板を除く無機基板上に各々有機材料からなる下部クラッド層、光導波路コアおよび上部クラッド層が順次形成されており、無機基板と下部クラッド層との間に酸化シリコンまたはスピンオングラスからなるバッファー層が設けられている。 - 特許庁

A polyethylene terephthalate substrate 2, a protective layer 3 on the substrate 2, and an optical catalyst hydrophilic layer 4 are provided on the substrate 2, and further a dot controlling layer 5 having a critical surface tension not larger than the surface tension of an image forming liquid is provided on the hydrophilic layer 4 to obtain a direct drawing type printing plate 1.例文帳に追加

ＰＥＴフィルム基材２、当該基材２の上に保護層３、光触媒親水性層４を設け、さらに当該親水性層４の上に作像用液体の表面張力以下の臨界表面張力を有するドット制御層５を設けて直描型印刷原版１を得る。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 7 forming the substrate of the semiconductor chip 1, a first wiring layer 8, a first interlayer film 9, a second wiring layer 10, a second interlayer film 11, a third wiring layer 12, and an uppermost layer wiring coating film 15 are laminated from the side of the semiconductor substrate 7 in this order.例文帳に追加

半導体チップ１の基体をなす半導体基板７上には、第１配線層８、第１層間膜９、第２配線層１０、第２層間膜１１、第３配線層１２および最上層配線被覆膜１５が半導体基板７側からこの順に積層されている。 - 特許庁

In The photographic film 8, a red sensitive layer 50, green sensitive layer 51, and blue sensitive layer 52 are layered successively, from a substrate side, on the front side of the substrate 45 made of polyethylene naphthalate and, on the rear side of the substrate 45, a light shielding layer 47 for shielding light is layered.例文帳に追加

写真フイルム８において、ポリエチレンナフタレートでできている支持体４５の表側には赤感色層５０と、緑感色層５１と、青感色層５２とが支持体側から層設されており、支持体４５の裏側には光を遮断する遮光層４７が除却可能なように層設されている。 - 特許庁

The manufacturing method comprises: a substrate laminating process which laminates a plurality of substrates; an intermediate layer heating process which heats the substrate of an intermediate layer in the plurality of substrates laminated; and an outermost layer heating process which heats the substrate of the outermost layer in the plurality of substrates laminated.例文帳に追加

その製造方法は、複数の基板を積層する基板積層工程と、積層された複数の基板のうち、中間層の基板を加熱する中間層加熱工程と、積層された複数の基板のうち、最外層の基板を加熱する最外層加熱工程と、を備える。 - 特許庁

The substrate holder PH is coated by a functional layer 35 composed of a material which can be processed, in such a way that a contact surface 34A in contact with substrate P possesses profile irregularity higher than that of the substrate PB of the substrate holder PH.例文帳に追加

その基板ホルダＰＨは、基板Ｐとの接触面３４Ａが、基板ホルダＰＨの基材ＰＢよりも高い面精度で加工可能な材料の機能層３５で被覆されている。 - 特許庁

On the other hand, the COM (common) substrate side plastic substrate is subjected to a heat-treatment with the same backing condition as in the case of the SEG substrate during the step to form the insulation layer on the SEG substrate.例文帳に追加

一方、ＳＥＧ基板に絶縁膜が形成されている工程時、ＣＯＭ基板側のプラスチック基板には、ＳＥＧ基板と同様の焼成条件で加熱処理が施される。 - 特許庁

A semiconductor substrate provided with an integrated circuit such as an LSI is polished by CMP or the like, and the semiconductor substrate is made into a thin film by forming an embrittlement layer in the semiconductor substrate and separating a part of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、三次元半導体集積回路において、ＬＳＩチップをより薄型化して積層することで集積密度を向上させることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating the surface of a substrate by which it is possible to keep the cleaned substrate in storage without such fear that the surface of the substrate might be recontaminated and form a coating layer by keeping the surface of the substrate clean.例文帳に追加

清浄化処理された基板面を再汚染されることなく保管し、基板面の清浄状態を保持して膜形成が可能な基板の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

This first substrate and a second substrate that is to be a deposition target substrate are arranged to face each other, and the light absorption layer is heated by being irradiated with light, whereby a film is deposited on the second substrate.例文帳に追加

この第１の基板と被成膜基板となる第２の基板とを対向して配置し、光吸収層に光の照射を行って加熱し、第２の基板に成膜を行う。 - 特許庁

The resin wiring substrate 40 has a substrate principal surface 41, a substrate rear surface 42, and substrate side surfaces 43 and has a structure stacking a resin insulating layers 53 and 54 and a conductor layer 55.例文帳に追加

樹脂配線基板４０は、基板主面４１、基板裏面４２及び基板側面４３を有するとともに、樹脂絶縁層５３，５４及び導体層５５を積層した構造を有する。 - 特許庁

The cover substrate is joined to the transparent substrate at a part of the non-active regions and encapsulates the lacquer layer regions and the one or more semiconductor layers between the cover substrate and the transparent substrate.例文帳に追加

カバー基板は、非アクティブ領域の一部で透明基板に接合され、カバー基板と透明基板の間にラッカー層領域及び１又は複数の半導体層を封じ込める。 - 特許庁

The liquid crystal display element is provided with a TFT substrate 2, a counter substrate 1 and a liquid crystal layer 5 interposed between the TFT substrate 2 and the counter substrate 1 and containing a liquid crystal composition.例文帳に追加

液晶表示素子はＴＦＴ基板２および対向基板１と、ＴＦＴ基板２および対向基板１間に挟持され液晶組成物を含む液晶層５とを備える。 - 特許庁