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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > super-structure deviceに関連した英語例文

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super-structure deviceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 76



例文

SUPER-ABRASIVE GRAIN WIRE SAW WINDING STRUCTURE, SUPER-ABRASIVE GRAIN WIRE SAW CUTTING DEVICE, AND SUPER-ABRASIVE GRAIN WIRE SAW WINDING METHOD例文帳に追加

超砥粒ワイヤソー巻き付け構造、超砥粒ワイヤソー切断装置および超砥粒ワイヤソーの巻き付け方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SUPER JUNCTION STRUCTURE例文帳に追加

スーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法 - 特許庁

SUPER-THIN MODULE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体素子の超薄型モジュール構造及びその製造方法 - 特許庁

The upper end part of the frame device 40 breaks off from the super structure 30.例文帳に追加

枠装置40の上端部は、上部構造30から縁切りする。 - 特許庁

例文

To improve the breakdown voltage of a semiconductor device having a super junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造の半導体装置の耐圧を向上させる。 - 特許庁


例文

To provide a super-abrasive grain wire saw winding structure capable of reducing the damage to a bonding material and the fall of super-abrasive grains, a super-abrasive grain wire saw cutting device, and a super-abrasive grain wire saw winding method.例文帳に追加

結合材の損傷および超砥粒の欠落を軽減できる超砥粒ワイヤソー巻き付け構造、超砥粒ワイヤソー切断装置および超砥粒ワイヤソーの巻き付け方法を提供する。 - 特許庁

To enhance super junction effect of a semiconductor device having a super junction structure while preventing deterioration in breakdown voltage.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を有する半導体装置のスーパージャンクション効果を高めるとともに、耐圧劣化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a super finishing device simplified in the structure thereof and capable of finishing with excellent accuracy and roughness at a high working efficiency similarly with a case of super finishing a part to be super finished and having a small curvature.例文帳に追加

構造を簡素化することができ、曲率が小さい超仕上げ対象部位の超仕上げの場合と同様に、高い加工能率で、精度および粗さが良い仕上げを得ることができる超仕上げ装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is a power MOSFET having super junction structure.例文帳に追加

半導体装置1は、スーパージャンクション構造を有するパワーMOSFETである。 - 特許庁

例文

To provide a high breakdown voltage semiconductor device having a super-junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を有する高耐圧の半導体装置を提供すること。 - 特許庁

例文

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME WITH SUPER JUNCTION STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置およびスーパージャンクション構造を有する半導体基板の製造方法 - 特許庁

To provide a microscope device with which super-resolution observation is performed with a simple structure.例文帳に追加

簡易な構成により超解像観察を行うことができる顕微鏡装置を提供する。 - 特許庁

RECORDING MEDIUM HAVING SUPER RESOLUTION NEAR FIELD STRUCTURE, AND ITS REPRODUCING METHOD AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

超解像近接場構造の記録媒体、その再生方法及び再生装置 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device having a super junction structure comprises the step, after forming the super junction structure, of forming an alignment mark for alignment with the super junction structure in the following process step.例文帳に追加

本願発明は、スーパジャンクション構造を有する半導体装置の製造方法において、スーパジャンクション構造と後の工程との位置合わせのためのアライメントマークを、スーパジャンクション構造の形成後に、作製するものである。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a super capacitor case providing a supporting structure that provides a physical support and an electrical connection between a solid-state device (SSD) and the super capacitor and at the same time, preventing such problems of EMI interference by an impact from an external contact, damage of electronic parts and the super capacitor, and/or loss of reliability; and to provide a device incorporating a super capacitor.例文帳に追加

SSDとスーパーキャパシタとの間に物理的支持及び電気的接続を提供する支持構造物を提供するとともに、外部コンタクトからの衝撃によるEMI干渉、電子部品とスーパーキャパシタの損傷及び/または信頼性の損失のような問題点を防止するためのスーパーキャパシタケース及びスーパーキャパシタを内蔵した装置を提供する。 - 特許庁

LOADING STRUCTURE OF FREEZER IN SUPER-CONDUCTIVE MAGNET DEVICE FOR SINGLE CRYSTAL PULL-UP DEVICE AND MAINTENANCE METHOD OF FREEZER例文帳に追加

単結晶引上げ装置用超電導磁石装置における冷凍機の装着構造及び冷凍機のメンテナンス方法 - 特許庁

The strain due to the stress by an electrode against the device end surface becomes small, and the device simultaneously has the structure which does not cause super saturation and absorption.例文帳に追加

素子端面に対しての電極による応力に基づく歪が小さくなり、同時に過飽和吸収を起こさない構造を持つ。 - 特許庁

To provide a semiconductor bidirectional switching device having a super junction structure and achieving bidirectional switching.例文帳に追加

本発明は、スーパージャンクション構造を有し双方向スイッチングが可能な半導体双方向スイッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device having a super junction structure that suppresses an increase in on-resistance and reduces noise.例文帳に追加

オン抵抗の増加を抑制しノイズ低減が可能なスーパージャンクション構造を有する電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve withstand voltage without complicating a process in a power semiconductor device having a super junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を有する電力用半導体装置において、プロセスを複雑にすることなく耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a transistor of a semiconductor device having an impurity region of an improved structure with super-high integration.例文帳に追加

超高集積度で、改善された構造の不純物領域を有する半導体装置のトランジスタを製造する方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a super-junction structure allowing for a design with a suitable charge balance.例文帳に追加

適切なチャージバランスでの設計を行うことができるスーパージャンクション構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a super-thin module structure of a special kind of semiconductor device such as an image sensor element and an MEMS element.例文帳に追加

イメージセンサ素子やMEMS素子のような特殊な類型の半導体素子の超薄型モジュールを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has high breakdown voltage and a super-junction structure with low on-state resistance.例文帳に追加

高い耐圧を有し低オン抵抗なスーパージャンクション構造を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same, which can reduce hard-recovery while having a super junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を有しつつハードリカバリを緩和できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reproducing device capable of exactly reproducing information recorded in a recording medium of super lens structure.例文帳に追加

スーパーレンズ構造の記録媒体に記録されている情報を正確に再生し得る再生装置を提供する。 - 特許庁

To improve the theft preventive property of a door lock device for vehicle by laying a door lock body in a super-lock state with a small-sized and simple structure.例文帳に追加

車両用ドアロック装置において、小型かつ簡単な構成により、ドアロック本体をスーパーロック状態にして防盗性の向上を図る。 - 特許庁

In a device active region 2, the super-junction structure is formed of an n-type drift layer 7 and a p-type pillar-shaped resurf 14.例文帳に追加

素子活性領域2において、n型ドリフト層7とp型柱状リサーフ部14とによってスーパージャンクション構造が形成されている。 - 特許庁

An upper structure 12 is turnably provided on a lower traveling structure 11, and the front working device 15 is mounted to the upper super structure 12, while a stripping device 31 for stripping work is mounted in a vertically movable manner to the lower structure 11.例文帳に追加

下部走行体11上に上部旋回体12を旋回可能に設け、この上部旋回体12にフロント作業装置15を装着し、下部走行体11に剥がし作業用の剥離装置31を上下動可能に装着する。 - 特許庁

In this crawler crane, journaling a boom 6 for providing a work device hoisted in a revolving super structure provided turnably relating to a base carrier, a support member 11 for boom supporting the boom 6 rotated is provided to protrude in a tip end part upper surface of a main frame 5 constituting the revolving super structure.例文帳に追加

下部走行体に対して旋回可能に設けられた上部旋回体に、作業装置を吊設するためのブーム6が軸支されたものであって、ブーム6を回転支持するブーム用支持部材11が、上部旋回体を構成するメインフレーム5の先端部上面に突設されたクローラクレーン。 - 特許庁

The semiconductor device includes a power MOSFET having a super junction structure formed on the cell by trench filling, and super junction structures having orientations aligned with individual sides of a drift region around the cell are provided in the drift region.例文帳に追加

本願発明は、セル部にトレンチ・フィル方式によって形成されたスーパ・ジャンクション構造を有するパワーMOSFETを含む半導体装置において、セル部の周辺のドリフト領域には、その各辺に沿うような配向を有するスーパ・ジャンクション構造が設けられているものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a super junction semiconductor device having a super junction structure including parallel pn layers, that can be manufactured at low cost with improved production efficiency by reducing thermal diffusion time and the number of steps needed for making the parallel pn layers serving as drift layers successive impurity diffusion regions.例文帳に追加

ドリフト層となる並列pn層を連続する不純物拡散領域とするために必要な工程回数および熱拡散時間を削減して生産効率を改善し、低コストで製造できる並列pn層を含む超接合構造を有する超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the avalanche resistance in the semiconductor device wherein semiconductor elements having a trench-gate structure are provided on a semiconductor substrate having a super-junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を備えた半導体基板にトレンチゲート構造の半導体素子を設けた半導体装置において、アバランシェ耐量を向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in a trench gate structure using a super junction structure maintaining an avalanche resistance and reliability in a gate insulating film.例文帳に追加

アバランシェ耐量やゲート絶縁膜の信頼性を維持したスーパージャンクション構造を用いたトレンチゲート構造の半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a simple, inexpensive boiled rice-molding device which has a compact device structure and can thereby be installed even in a relatively small super market, a buckwheat noodle shop where people eat buckwheat noodles in a standing state, or like.例文帳に追加

比較的小規模なスーパーマーケットや立ち食いそば店などにも据え付けることができるよう、装置構成をよりコンパクトにして手軽にし、且つ安価な米飯成形装置を提供する。 - 特許庁

To avoid deterioration in withstand voltage of a semiconductor device provided with a super junction structure and to soften reverse recovery characteristics of a built-in diode while increase in on-state resistance, upsizing of the semiconductor device or the like is suppressed.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を備えた半導体装置において、耐圧性の低下を回避するとともに、オン抵抗の増加や半導体装置の大型化を抑制した状態で、内蔵ダイオードの逆回復特性をソフトにする。 - 特許庁

A revolving super structure 14 is installed rotatably on a substructure 12 through a slewing bearing section 13, and a working device 16 and a counter weight 31 corresponding to the working device 16 are mounted on the revolving superstructure 14.例文帳に追加

下部走行体12上に旋回軸受部13を介して上部旋回体14を旋回可能に設け、上部旋回体14に作業装置16と、この作業装置16に対応するカウンタウエイト31を設ける。 - 特許庁

In a power type semiconductor device having a super-junction structure in a first conduction type drift region of each of an active cell region, a chip peripheral region and an intermediate region therebetween, the width of at least one of second conduction type column regions constituting a super-junction structure in the intermediate region is set to be larger than the width of the other regions.例文帳に追加

本願発明は、アクティブセル領域、チップ周辺領域、および、これらの間の中間領域のそれぞれの第1導電型のドリフト領域にスーパジャンクション構造を有するパワー系半導体装置において、この中間領域においてスーパジャンクション構造を構成する第2導電型のカラム領域の少なくとも一つの幅を他の領域よりも大きくしたものである。 - 特許庁

To provide a photocathode semiconductor device suitable for attaining desired super-high brightness performance by making an energy state of electron monochromatic and improving quantum efficiency with the use of a superlattice structure.例文帳に追加

超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子を提供する。 - 特許庁

In this hydrogen generator, a sub-combustion chamber is provided in the structure of a combustor to ensure super-bean burn, the combustion temperature is suppressed while enhancing the combustion efficiency, and a cooling device is dispensed with.例文帳に追加

その燃焼器の構造に副燃焼室を設け、超希釈燃焼を確保し、燃焼効率を高めながら燃焼温度を抑制し、冷却装置を不要とした特長を有する水素発電機である。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with an element region 1 having a super-junction structure and a terminal region 2 adjacent to the element region 1 on an N^+ silicon substrate 17 (drain region).例文帳に追加

半導体装置100は,N^+ シリコン基板17(ドレイン領域)上に,スーパージャンクション構造を有する素子領域1と,素子領域1に隣接する終端領域2とを有している。 - 特許庁

The operator in the cab 12 can confirm a wide range including the right side surface of the super structure 7 by use of the mirror device 15 to enhance the safety in working.例文帳に追加

従って、キャブ12内のオペレータは、ミラー装置16を利用して上部旋回体7の右側面を含んだ広い範囲を確認することができ、作業時の安全性を高めることができる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is a vertical power MOSFET having a super junction structure in which a first n-type semiconductor region 9 and a second p-type one 11 are arranged alternately.例文帳に追加

半導体装置1は、n型の第1半導体領域9とp型の第2半導体領域11とが交互に並ぶスーパージャンクション構造を有する縦型のパワーMOSFETである。 - 特許庁

To provide a lubrication system that can quickly discharge a trace amount of oil by a simple and inexpensive structure compared with a device made of an electromagnet or a super-magnetostrictive material.例文帳に追加

電磁石や超磁歪材料を用いる装置に比べ、低コスト且つ簡単な構造で、微量な油を高速に吐出することができる潤滑装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a super junction structure wherein the cell pitch in the lateral direction can be narrowed while suppressing an increase in resistance of a source electrode.例文帳に追加

ソース電極抵抗の増大を抑えつつ横方向のセルピッチを縮小できる、スーパージャンクション構造を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To surely supply a supply air to respective clean rooms, related to a super-clean air device which has a simple structure, being compact size.例文帳に追加

スーパークリーンエア装置において、供給空気を構造的に簡単に且つコンパクトなサイズでそれぞれのクリーンルームに確実に供給できるようにする。 - 特許庁

The front working device 15 is provided with piping 38 receiving an hydraulic fluid from a hydraulic source equipped at the super structure 12, and a hose connection part 39 provided at the tip of the piping 38.例文帳に追加

フロント作業装置15は、上部旋回体12に搭載した圧力源から作動流体の加圧供給を受ける配管38と、この配管38の先端に設けたホース接続部39とを備えている。 - 特許庁

A cab 16 is arranged on the left front half part to the rotating center of a super structure 14 rotatably provided on a base carrier, and a cooling area 38 having the cooling device 37 is arranged on the rear half part adjacently to the cab 16.例文帳に追加

下部走行体上に旋回可能に設けた上部旋回体14の旋回中心に対し左側の前半部にキャブ16を配置するとともに、後半部にキャブ16に隣接して冷却装置37を有するクーリングエリア38を配置する。 - 特許庁

例文

In a silicon-based power semiconductor device having a super junction structure where an N-type column and a P-type column are repeated alternately, an element having a boron diffusion-suppressing effect is added to the P-type column.例文帳に追加

本願発明は、N型カラムとP型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記P型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。 - 特許庁

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