「surface conductivity」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In a photovoltaic device, on a light-receiving surface side surface of a first conductivity type semiconductor substrate 11, an amorphous thin film 12 containing silicon and carbon and whose composition ratio of the silicon and the carbon is 7:3 to 5:5, and a microcrystal thin film 13 containing silicon, carbon and second conductivity type impurities and having a cubic structure, are laminated in this order.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１１の受光面側の表面に、シリコンと炭素とを含みシリコンと炭素との組成比が７：３〜５：５である非晶質薄膜１２と、シリコンと炭素と第２導電型の不純物とを含み立方晶構造を有する微結晶薄膜１３と、がこの順で積層される。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 having an n-type conductivity type is formed by a specific film thickness and specific impurity concentration on a semiconductor substrate 1 having an n-type conductivity, a surface protection film 5 is formed on the epitaxial layer 2, and an opening 6 reaching the epitaxial layer 2 is formed at the surface protection film 2.例文帳に追加

ｎ型の導電型を有する半導体基板１上に所定の膜厚および所定の不純物濃度でｎ型の導電型を有するエピタキシャル層２を形成し、エピタキシャル層２上に表面保護膜５を形成した後、表面保護膜５にエピタキシャル層２に達する開口部６を形成する。 - 特許庁

The contact applies a reference voltage to a semiconductor region of a second conductivity type disposed below the source and drain regions of the transistor for amplification below the gate electrode of the transistor for amplification through a semiconductor region of the second conductivity type disposed along a side surface and a bottom surface of an element isolation region.例文帳に追加

このコンタクトは、素子分離領域の側面及び底面に沿って配された第２導電型の半導体領域を介して、増幅用トランジスタのゲート電極の下部で、増幅用トランジスタのソース及びドレイン領域よりも下方に配された第２導電型の半導体領域に基準電圧を供給する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insulating film 4 formed on a semiconductor substrate 6, and an inductor 5 formed on the insulating film 4 wherein the semiconductor substrate 6 has a first conductivity type semiconductor layer 1, a first conductivity type buried layer 2 formed on the semiconductor layer 1, and a first conductivity type surface layer 3 formed on the buried layer 2.例文帳に追加

半導体基板６上に形成された絶縁膜４と、絶縁膜４上に形成されたインダクタ５とを備え、半導体基板６は、第１導電型の半導体層１と、半導体層１上に形成された第１導電型の埋め込み層２と、埋込層２上に形成された第１導電型の表面層３とを有している。 - 特許庁

Subsequently, a p-conductivity type semiconductor layer 7 is formed at the bottom of the opening 6 by introducing p-conductivity type impurities to the surface of the epitaxial layer 2, and a metal electrode 10 is formed using a metal film 8 of W touching the p-conductivity type semiconductor layer 7 at the bottom of the opening 6 and a metal film 9 of Al.例文帳に追加

次いで、開口部６の底部にてエピタキシャル層２の表面にｐ型の導電型を有する不純物の導入によってｐ型半導体層７を形成した後、Ｗ膜からなり開口部６の底部でｐ型半導体層７と接触する金属膜８とＡｌ膜からなる金属膜９を用いて金属電極１０を形成する。 - 特許庁

In the cooker 1 having the cooking plate 2 arranged on a heating body, a graphite sheet in which thermal conductivity in the surface direction has thermal conductivity anisotropy double-digit times as much as that of thermal conductivity in the vertical direction is filled between the heating body and the cooking plate 2.例文帳に追加

本発明は上記目的を達成するために、加熱体上に調理プレート２が配置された加熱調理器１において、前記加熱体と調理プレート２との間に、面方向の熱伝導率が鉛直方向の熱伝導率の２桁倍の熱伝導異方性を持つグラファイトシートを充填した加熱調理器を提供するものである。 - 特許庁

A process of introducing impurities of a 1st conductivity into only a 2nd region where the varactor diode is formed to the processes of forming other elements and diffusion is carried out in an existing heat-treating process to form a 1st conductivity diffusion layer 106 which contacts the reverse surface of a 2nd conductivity diffusion layer 107.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板に他の素子を形成するプロセスに対して、可変容量ダイオードを形成する第２領域のみに第１導電型の不純物を導入する工程を追加し、既存の熱処理工程で拡散を行うことによって、第２導電型拡散層１０７の下面に接する第１導電型拡散層１０６を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element, including a first-conductivity-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a second-conductivity-type nitride semiconductor layer successively stacked on a substrate, in which a light extraction surface located above the second-conductivity-type nitride semiconductor layer has a conical or pyramidal projecting portion, as well as a method for manufacturing the nitride semiconductor light-emitting element are provided.例文帳に追加

基板上に順次積層された、第１導電型窒化物半導体層と、活性層と、第２導電型窒化物半導体層と、を含み、第２導電型窒化物半導体層の上方に位置する光取り出し面が錐体状の凸部を有している窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁

A semiconductor electrode composed of a substrate having conductivity on its surface, a semiconductor layer covering the conductive substrate, and pigment adsorbed on the surface of the semiconductor layer; and an opposing electrode having conductivity on its surface are arranged so as to face each other, and electrolyte liquid containing an iodine-cyclodextrin clathrate compound is used between the semiconductor electrode and the opposing electrode.例文帳に追加

表面に導電性を有する基板と、その導電性基板上に被覆された半導体層と、その半導体層の表面に吸着した色素からなる半導体電極と、表面に導電性を有する対向電極を対向するように配置し、半導体電極と対向電極との間にヨウ素−シクロデキストリン包接化合物を含有する電解液を用いる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element is constituted by forming a crystal layer with a slanting crystal surface oblique to a main surface of a substrate on the substrate and then forming a 1st conductivity type layer, and active layer, and a 2nd conductivity type layer which extend in a plane parallel to the slanting crystal surface on the crystal layer, and then removing the vicinity of a peak.例文帳に追加

本発明に係る半導体発光素子は、基板上に該基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層を形成し、上記傾斜結晶面に平行な面内に延在する第１導電型層、活性層、及び第２導電型層を上記結晶層に形成してなり、頂部近傍を除去した形状であることを特徴とする。 - 特許庁

The machining electrode is equipped with: a base having an electrolytic portion facing a workpiece on one end surface in axial direction and having conductivity; an insulation portion mounted on a surface in a direction substantially orthogonal to the axial direction of the body and having insulating properties; and a shielding portion mounted on a surface on the opposite side of the base of the insulation portion and having conductivity.例文帳に追加

被加工物に対峙させる電解部を軸方向の一方の端面に有し導電性を有する基体と、前記基体の軸方向と略直交する方向の面上に設けられ絶縁性を有する絶縁部と、前記絶縁部の前記基体とは反対側の面上に設けられ導電性を有する遮蔽部と、を備えたことを特徴とする加工電極が提供される。 - 特許庁

The power module includes an upper cooling conduction block connected with the upper surface of an upper metal block while sandwiching the surface electrode and the back electrode of a power element between the upper metal block and a lower metal block and exhibiting heat dissipation function and electrical conductivity, and a lower cooling conduction block connected with the lower surface of the lower metal block and exhibiting heat dissipation function and electrical conductivity.例文帳に追加

パワー素子の表面電極と裏面電極を上部金属ブロックと下部金属ブロックで挟みこみ、該上部金属ブロックの上面と接続された放熱機能および電気伝導性を有する上部冷却通電ブロックと、該下部金属ブロックの下面と接続された放熱機能および電気伝導性を有する下部冷却通電ブロックとを有する。 - 特許庁

A metal film 36 10 μm or less thick with high conductivity and a specific permeability of about 1 is provided on the inner wall surface of a casing 32 for housing the bar antenna 21 and the surface opposed to the bar antenna 21 of a partitioning plate 35.例文帳に追加

バーアンテナ２１を収容する筐体３２の内部壁面と、仕切り板３５のバーアンテナ２１に対向する面とに、導電率が高く比透磁率が１近傍で、厚さが１０μｍ以下の金属膜３６を設ける。 - 特許庁

The base unit 31 is formed of a material having a heat conductivity and a light reflection coefficient higher than those of the varistor element 12, and the first main surface 31a is arranged so as to be contacted with the second main surface 21b of the buffer unit 21.例文帳に追加

基体部３１は、バリスタ素体１２よりも熱伝導率及び光反射率が高い材料からなり、第１の主面３１ａがバッファ部２１の第２の主面２１ｂと接するように配置されている。 - 特許庁

In an electric storage device, a layer having conductivity is provided by contacting the surface of an active material layer made up of a silicon layer, that is, removing an oxide film such as a natural oxide film formed on the surface of the active material layer.例文帳に追加

シリコン層からなる活物質層の表面に形成される自然酸化膜などの酸化膜を除去してから、当該活物質層の表面に接して導電性を有する層を設けた蓄電装置である。 - 特許庁

Flame resistant fabric layers N1 and N3 made of a flame resisting fiber are arranged on the side of the flame receiving surface S1 and the protective surface S2 and a heat transfer metal layer F made of metal with a high heat conductivity is provided between the both the fabric layers N1 and N3.例文帳に追加

受炎面Ｓ１側と保護面Ｓ２側に、耐炎化繊維製の耐炎化布層Ｎ１，Ｎ３を夫々備え、両布層Ｎ１，Ｎ３の間に、高熱伝導率金属製の伝熱金属層Ｆを備える。 - 特許庁

To prepare a diamond thin film deposited very thin in a wide surface area and having a flat surface free from pin holes, high adhesion to a substrate and excellent heat conductivity and permeability, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

広面積且つ極薄であり、表面が平坦でピンホールがないと共に基板との密着性が高く、優れた熱伝導性及び透過性を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate for suspension comprises: an insulating layer 10; a springy material layer 11 which is provided on one surface of the insulating layer 10 and which has conductivity; and multiple wirings provided on the other surface of the insulating layer 10.例文帳に追加

サスペンション用基板は、絶縁層１０と、絶縁層１０の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層１１と、絶縁層１０の他方の面に設けられた複数の配線とを備えている。 - 特許庁

Etchant for removing the intermediate layer can expose the surface without inverting the conductivity type of the surface of the p-type nitride semiconductor, by selecting a material without modifying a nitride semiconductor.例文帳に追加

中間層を除去するエッチング剤は窒化物半導体を変質させない材料を選択することで、ｐ型窒化物半導体の表面の導電型を反転させることなく、表面を露出させることができる。 - 特許庁

A layer constituted of the reinforcing material such as fibers is formed on the surface of the dry gel, so as to ensure the strength of the surface, and further the distribution of the density of the reinforcing material is formed to realize improvement in thermal conductivity.例文帳に追加

繊維などの補強材からなる層を乾燥ゲル層の表面に形成することで、表面の強度を確保し、さらに繊維などの補強材の密度分布を形成することで熱伝導率の改善を実現する。 - 特許庁

A high heat conduction layer 11, which is composed of gravel and/or sand with a heat conductivity of 5W/(m*k) or more, is provided in such a manner as to cover a side surface portion 10 of the water tank 2, except for a top surface portion 9 of the water tank 2.例文帳に追加

水槽２の上面部９を除き、水槽２の側面部１０を覆う如く、熱伝導率が５Ｗ／（ｍ・ｋ）以上の砂利及び／又は砂からなる高熱伝導層１１が設けられている。 - 特許庁

Films 40 having thermal conductivity are disposed between the inner peripheral surface 2006 of the lens holder 2 and the outer peripheral surface 7002 of the objective lens 7 and between the bottom face 2008 of the lens holder 2 and one lens face 7004.例文帳に追加

レンズホルダ２の内周面２００６と対物レンズ７の外周面７００２との間およびレンズホルダ２の底面２００８と一方のレンズ面７００４との間に熱伝導性を有する膜４０が設けられている。 - 特許庁

A plate spring 4 having a thermal conductivity of 100 W/(m×K) or more abuts on the inner peripheral surface 5a of a piston ring 5 and the bottom 3a of a ring groove 3 in a piston 1 to press the piston ring 5 onto the inner peripheral surface 2a of a cylinder 2.例文帳に追加

熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の板バネ４がピストンリング５の内周面５ａ及びピストン１のリング溝３の底面３ａに当接して、ピストンリング５をシリンダ２の内周面２ａに押圧する。 - 特許庁

Metal covers 22, 22a, and 22b having high heat conductivity are provided to cover at least the whole surface of a back surface of a detection part of this X-ray CT apparatus, and cooling apparatuses 23 are installed on these metal covers 22, 22a, and 22b.例文帳に追加

Ｘ線ＣＴ装置の検出部の少なくとも裏面全体を覆うように高熱伝導を有する金属カバー２２、２２ａ、２２ｂを設け、この金属カバー２２、２２ａ、２２ｂに冷却装置２３を設置する。 - 特許庁

A holder 82 is formed of a material excellent in thermal conductivity, and a portion of the holder 82 facing the rear surface 1804 of an image sensor 18 is a heat transmission part 82A touching the rear surface 1804 of the image sensor 18.例文帳に追加

ホルダ８２は、熱伝導性に優れる材料から形成され、撮像素子１８の裏面１８０４に臨むホルダ８２の部分は、撮像素子１８の裏面１８０４に接触する伝熱箇所８２Ａとなっている。 - 特許庁

The sheet surface electrode 4 is glued on the surface of the dielectric substrate 1 by an anisotropic conductive adhesive sheet having conductivity only in the sheet-thickness direction by orienting conductive fibers in the sheet-thickness direction.例文帳に追加

導電性繊維をシート厚さ方向に配向させてシート厚さ方向にのみ導電性を有する異方性導電接着シートにより薄板状表面電極４を誘電体基板１の表面に接着する。 - 特許庁

This purification device is equipped with a purification structure 30 which has a solid electrolyte 1 with ion conductivity and a first electrode 3 and a second electrode 4 arranged on one surface side and the other surface side of the solid electrolyte 1 respectively.例文帳に追加

イオン導電性を有する固体電解質１と、この固体電解質１の一面側と他面側とにそれぞれ設けられた第１電極３と第２電極４とを有する浄化構造体３０を備えている。 - 特許庁

A high thermal conduction layer 1 formed of material having a larger coefficient of thermal conductivity than that of wood material forming the wood fitting 100 is provided continuously extending from the front surface of the wood fitting 100 to the back surface.例文帳に追加

木質建具１００の表側の面から裏側の面まで連続するように、木質建具１００を構成する木質材よりも熱伝導率の大きな材料からなる高熱伝導層１を設ける。 - 特許庁

Electrostatic painting is applied to the outside surface of the operation handle 17A in a part except for the predetermined place of the operation handle 17A, and the outside surface of the operation handle 17A is constituted so as to have electric non-conductivity in the predetermined place.例文帳に追加

操作ハンドル１７Ａの所定個所を除く部分で操作ハンドル１７Ａの外面に静電塗装が施され、前記所定個所では操作ハンドル１７Ａの外面が、非導電性を有するように構成される。 - 特許庁

Conductivity is imparted to a polarizing plate 8 on the rear surface of the rear side transparent substrate 3 or a reflector 12 on the rear surface of a light guide plate 11 disposed on the rear side of the rear side transparent substrate 3.例文帳に追加

前記リア側透明基板３の裏面における偏光板８、又は、前記リア側透明基板３の裏面側に配設される導光板１１の裏面における反射板１２に、導電性を付与する。 - 特許庁

To obtain a ceramic substrate with a black surface in which the reflectivity in a visible ray region on the surface is satisfactory even in the case of a thin sintered compact substrate of about 0.3 mm, and having high thermal conductivity and excellent strength as well.例文帳に追加

０．３ｍｍ程度の薄い焼結体基板であっても表面の可視光領域での反射率が良好で、しかも、熱伝導率が高く、強度に優れた表面が黒色のセラミックス基板を得る。 - 特許庁

To provide a metallic surface treating composition free from the need of special waste water discharging treatment in a coating stage and at the time of using the obtained surface treated metallic material, improving the drawbacks of the conventional surface treated metallic material and capable of obtaining a surface treated metallic material having a surface treated film excellent in both of corrosion resistance and electrical conductivity.例文帳に追加

被覆工程および得られた表面処理金属材料の使用の際に特別な排水処理が不要で、従来の表面処理金属材料が有する欠点を改良し、耐食性と導電性が共に優れた表面処理皮膜を有する表面処理金属材料を得ることができる金属表面処理組成物の提供。 - 特許庁

This sash architrave is formed of a material smaller in heat conductivity than aluminum retrofitted at four sides of a building opening part on the indoor side of the sash frame, and a portion in contact with a sash architrave face surface and/or sash architrave angle surface comprises those shapes corresponding to the surface shapes of the sash architrave face surface and/or sash architrave angle surface.例文帳に追加

建物開口部におけるサッシ枠室内側の四辺に後付けされる、アルミニウムより熱伝導率の小さい材料で成形され、かつサッシ枠見付面および／またはサッシ枠アングル面に当接する部分は、サッシ枠見付面および／またはサッシ枠アングル面の面形状に対応する形状からなることを特徴とするサッシ用額縁を使用する。 - 特許庁

The wafer retainer 1 is constituted of a plate-type ceramic body 2 whose upper surface is used as a wafer mounting surface 3, and which is arranged on a base member 4 for cooling the plate-type ceramic body 2 from the lower surface side thereof through an interposing layer 6 having a region 6b different in heat conductivity from that of the interposing layer 6.例文帳に追加

上面をウェハ載置面３とした板状セラミック体２を、この板状セラミック体２を下面側から冷却するベース部材４の上面に、熱伝導率の異なる領域６ｂを有する介在層６を介して配置したウェハ保持体１である。 - 特許庁

Since the surface layer of the separator is physically precisely removed by sandblast and then dust or the like caused due to sandblast is removed by the cleaning with water, conductivity in the surface direction of the separator can be stabilized independent of the presence or absence of grooves on the separator surface.例文帳に追加

セパレータの表面層をサンドブラストにより物理的、かつ高精度に除去した後、サンドブラストに伴う塵等を水洗いにより除去するので、セパレータ表面の溝の有無に拘わらず、セパレータの表面方向における導電性を安定させることができる。 - 特許庁

To provide a soluble surface treatment method for LaSrAlO_4 single crystal substrate by which a superconductive oxide thin film having a super conductivity transition temperature can be formed with a high yield, by removing a deteriorated layer left on the surface of a substrate by a soluble surface treatment.例文帳に追加

基板表面に存在している劣化層を溶解性表面処理により取り除き、超伝導転移温度の高い超伝導酸化物薄膜を高歩留まりで作製できるＬａＳｒＡｌＯ_４単結晶基板の溶解性表面処理方法を提供する。 - 特許庁

As for the surface of the porous structure, the surface of the porous body and the surface of the metal glass have flat and airtight properties, and this solid electrolyte fuel cell is equipped with a dense ceramic membrane where the surfaces of the porous body and the metal glass have continuous ionic conductivity.例文帳に追加

多孔構造体の表面は、多孔体の表面と金属ガラスの表面とが平坦且つ気密性を有し、該多孔体及び該金属ガラスの表面に連続したイオン伝導性を有する緻密なセラミック膜を具備する固体電解質型燃料電池である。 - 特許庁

A substrate for magnetic semiconductor comprises: a diffusion receiving layer 103 of semiconductor in which a thin film of magnetic atoms is formed on the irradiation surface to be irradiated by laser; and a thermal conduction suppressing layer 102 which is in contact with a surface opposite to the irradiation surface of the diffusion receiving layer and that has thermal conductivity lower than that of the diffusion receiving layer.例文帳に追加

レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層１０３と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層１０２とを備える。 - 特許庁

The rounded sections have a second width narrower than the first width, a source region of a first conductivity type is disposed at or near a top surface of the pillar, and a body region of a second conductivity type is disposed in the pillar below the source region.例文帳に追加

丸みのある領域は、第１の幅よりも狭い第２の幅を有し、ピラーの最上面にまたは最上面の近くに第１の導電型のソース領域が配置されており、ピラーの中、ソース領域の下に第２の導電型のボディ領域が配置されている。 - 特許庁

The source region and the drain region 15 are formed on the surface of the well so as to sandwich a channel region beneath the gate electrode while having a second conductivity type opposite to the first conductivity type wherein one of them is connected electrically with the ground potential thus constituting the source and the drain.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域１５は、ゲート電極下のチャネル領域を挟むようにウェルの表面に形成され、第１導電型と反対の第２導電型を有し、一方が接地電位と電気的に接続され、ソースおよびドレインを構成する。 - 特許庁

This method controls the conductivity of a compound having a polyyne chain by controlling configuration relation of a surface including =CH_2 of a structure constituting the both ends of the compound having a polyyne chain with respect to the conductivity of a conductive material composed of the compound having a polyyne chain.例文帳に追加

ポリイン鎖を持つ化合物からなる導電性材料の導電性を、該ポリイン鎖構造を持つ化合物の両末端を構成する構造の＝ＣＨ_2を含む面の配置関係を制御してポリイン鎖を持つ化合物の導電性を制御する方法 - 特許庁

The foam molding method is characterized in that an injection molding machine having heat conductivity of a surface of a cavity part of a mold in contact with a resin of 10-20 W/mK is used and a material for foaming and molding with heat conductivity of 0.20-0.60 W/mK at its melting state is foamed.例文帳に追加

樹脂と接する金型のキャビティ部表面の熱伝導率が１０〜２０Ｗ／ｍＫである射出成形機を用いて、溶融時の熱伝導率が０．２０〜０．６０Ｗ／ｍＫである発泡成形用材料を発泡成形することを特徴とする。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first conductivity source region 301 and a drain region 401, a second conductivity channel region 501, and gate electrode regions 201 and 202 coexist in a plane 101 parallel to the surface of a single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

この半導体装置では、第１導電型のソース領域３０１およびドレイン領域４０１と、第２導電型のチャネル領域５０１と、ゲート電極領域２０１,２０２とが、単結晶半導体基板の表面に平行な面１０１内に並存している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first conductivity type impurity region Ap for a function element formed on a main surface of a semiconductor substrate SB in at least one standard cell and a second conductivity type impurity region An for a power supply potential on which the power supply potential is applied.例文帳に追加

少なくとも１つのスタンダードセル内における半導体基板ＳＢの主表面に形成される第１導電型の機能素子用不純物領域Ａｐと、電源電位が印加される第２導電型の電源電位用不純物領域Ａｎとを備える。 - 特許庁

The coaxial transmission line includes a laminated conductor whose center conductor provided with layers of conductor having a plurality of different conductivities, and makes lower the conductivity of the conductor layer on the surface layer side in contact with a dielectric, compared with the conductivity on the inner layer side.例文帳に追加

同軸構造の伝送線路において、中心導体が、複数の異なる導電率を持つ導体の層を有して構成された積層導体を有し、誘電体と接する表層側の導電体層の導電率を、内層側の導電率と比べて低くする。 - 特許庁