「surface diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

In this filter system, a deposit being the matter to be removed formed on the surface of a filtration filter 11 is removed by using air bubbles supplied from an air diffusion mechanism 12, thereby enabling a filtration function to be maintained for a long time.例文帳に追加

本発明の濾過装置は、濾過フィルタ１１の表面に形成される被除去物から成る堆積物を散気機構１２から供給される気泡を用いて除去し、濾過機能の長期維持を可能にした。 - 特許庁

On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed.例文帳に追加

一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。 - 特許庁

To obtain a highly accurate spatial frequency without the possibility of diffusion of detected light, and to enable highly accurate speed detection without being influenced by surface forms such as unevenness or illuminance of an object to be detected.例文帳に追加

検出光の拡散の虞れもなく高精度の空間周波数が得られるとともに、被検出体の凹凸や照度等の表面形態にも左右されることなく高精度の速度検出を可能にする。 - 特許庁

The intermediate metal layer 3 and the brazing material layer 4 are welded by pressure and diffusion-bonded with each other, and the brazing material layer 4 has a bulging part observed in its outer surface in an area percentage of 0.5% or less.例文帳に追加

前記中間金属層３とろう材層４とは互いに圧接かつ拡散接合されており、前記ろう材層４はその外表面において観察される膨れ部の面積割合が０．５％以下である。 - 特許庁

The light conductive plate 44 has a bottom provided with a plurality of right triangular diffusion patterns 46, from which the light rays reflected are case in the direction perpendicular to the light emitting surface 44b of the light conductive plate 44.例文帳に追加

導光板４４の底面には直角三角形状の拡散パターン４６が多数形成されており、拡散パターン４６で反射された光は導光板４４の光出射面４４ｂと垂直に出射される。 - 特許庁

On the other hand, p^+ diffusion regions P1, P2 are formed on two places of regions interposing the gate electrode 3 on the surface of the n-well NW1 in a plan view, while they are connected to a ground potential wiring GND commonly.例文帳に追加

また、平面視でＮウエルＮＷ１の表面におけるゲート電極３を挟む２ヶ所の領域に、夫々ｐ^＋拡散領域Ｐ１及びＰ２を形成し、これを接地電位配線ＧＮＤに共通接続する。 - 特許庁

Since an aluminum diffusion layer B2 of gradually reducing the concentration of aluminum as a distance from a surface increase, is formed between an alumina layer B1 and a metallic base material C by diffusing and permeating the aluminum in a metallic surface for constituting an outer peripheral surface of a shaft 27 and a sliding surface of sliding bearings 35 and 36, adhesive force between the alumina layer B1 and the metallic base material C is largely improved.例文帳に追加

シャフト２７の外周面及びすべり軸受３５、３６の摺動面を構成する金属表面に、アルミニウムが拡散浸透することによって、アルミナ層Ｂ１と金属基材Ｃの間に、表面からの距離が増すにつれてアルミニウムの濃度が徐々に少なくなるアルミニウム拡散層Ｂ２が形成されることから、アルミナ層Ｂ１と金属基材Ｃとの密着力が大幅に向上する。 - 特許庁

The light diffusion sheet contains a transparent base material and the light diffusion layer laminated on at least one surface of the transparent base material, wherein the light diffusion layer contains a transparent binder resin and resin particles, the resin particles are cross-linked resin particles obtained by copolymerizing a monomer composition containing a methacrylic ester having a cyclic saturated hydrocarbon group in the molecule and a cross-linkable monomer.例文帳に追加

透明基材と、前記透明基材の少なくとも一方の面に積層された光拡散層とを含む光拡散シートであって、前記光拡散層が、透明バインダー樹脂と樹脂粒子とを含み、前記樹脂粒子が、環状飽和炭化水素基を分子中に有する（メタ）アクリル酸エステルと架橋性単量体とを含む単量体組成物を共重合することによって得られた架橋樹脂粒子であることを特徴とする光拡散シートにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 1 for the fuel cell has an electrolyte 2 having proton conductivity, a cathode catalyst layer 3 bonded with one surface of the electrolyte membrane 2 in the thickness direction, an anode catalyst layer 4 bonded with the other surface of the electrolyte membrane 2 in the thickness direction, a cathode diffusion layer 5 laminated outside the cathode catalyst layer 3, and an anode diffusion layer 6 laminated outside the anode catalyst layer 4.例文帳に追加

燃料電池用膜電極接合体１は、プロトン伝導性をもつ電解質２と、厚み方向において電解質膜２の一方の表面に接合されたカソード触媒層３と、厚み方向において電解質膜２の他方の表面に接合されたアノード触媒層４と、カソード触媒層３の外側に積層されたカソード拡散層５と、アノード触媒層４に外側に積層されたアノード拡散層６とを有する。 - 特許庁

The method includes: an amorphous layer forming step of forming an amorphous layer 111 on a surface of a semiconductor substrate 100 by modifying a surface of the semiconductor substrate 100 into the amorphous layer; and a diffusion layer forming step of forming a diffusion layer 112 in the semiconductor substrate 100 by irradiating the semiconductor substrate 100 with a microwave in a dopant-containing gas atmosphere to diffuse the dopant in the amorphous layer 111 and also activating the dopant.例文帳に追加

半導体基板１００表面をアモルファス化することにより半導体基板１００表面にアモルファス層１１１を形成するアモルファス層形成工程と、ドーパントを含むガス雰囲気中で半導体基板１００にマイクロ波を照射することにより、アモルファス層１１１にドーパントを拡散させるとともにドーパントの活性化を行い、半導体基板１００に拡散層１１２を形成する拡散層形成工程と、を具備する。 - 特許庁

An integrated circuit includes a semiconductor substrate, a low dielectric layer on the semiconductor substrate, a first groove in the low dielectric layer, and a first diffusion barrier layer covering the low dielectric layer in the first groove, so that the first diffusion barrier layer has a bottom connected to a side wall which has an upper side surface close to the upper side surface of the low dielectric layer.例文帳に追加

集積回路であって、半導体基板と、前記半導体基板上の低誘電体層と、前記低誘電体層内の第１の溝と、前記第１の溝内で、前記第１の溝内の前記低誘電体層を覆う第１の拡散バリア層とを含み、前記第１の拡散バリア層は、底の部分が側壁部分に接続し、前記側壁部分が、前記低誘電体層の上側表面に近い上側表面を有することを特徴とする。 - 特許庁

The production method of a carbon steel material by surface treatment of a carbon steel includes: a nitriding treatment process of forming a nitride or nitrogen-diffusion layer on the surface of the carbon steel; and a molten salt treatment process of immersing the carbon steel after the nitriding treatment in a molten salt bath containing vanadium so as to convert the nitride or nitride-diffusion layer into a coating layer containing vanadium nitride and vanadium carbide.例文帳に追加

炭素鋼材を表面処理した炭素鋼材料の製造方法であって、前記炭素鋼材表面に窒化物ないし窒素拡散層を形成する窒化処理工程と、前記窒化処理後の炭素鋼材をバナジウムを含む溶融塩浴に浸漬し、前記窒化物ないし窒素拡散層をバナジウム窒化物およびバナジウム炭化物を含む被覆層とする溶融塩処理工程とを含むことを特徴とする炭素鋼材料の製造方法。 - 特許庁

The second semiconductor area (2) works as a semiconductor area in the depthwise direction (diffusion direction) of a semiconductor layer (20), and as a resistance element in the direction parallel with the main surface (20a) of the semiconductor layer (20) that is perpendicular to the depthwise direction.例文帳に追加

第２の半導体領域（２）は、半導体層（２０）の深さ方向（拡散方向）には半導体領域として作用し、深さ方向と直角な半導体層（２０）の主面（２０ａ）と並行な方向には抵抗素子として作用する。 - 特許庁

In the first prism array 31, flat surfaces 31B nearly in parallel with a surface of the light diffusion plate 30 on the linear light source 10 side are formed and the flat surfaces 31B are formed at positions corresponding to areas located immediately above the linear light sources 10.例文帳に追加

第１プリズム条列３１には、光拡散板３０の線状光源１０側の面に略平行な平坦面３１Ｂが形成され、平坦面３１Ｂは、線状光源１０の直上に対応する位置に設けられている。 - 特許庁

A crooked plane part 29a is formed against a first contact part 29 coming in contact with the surface of the gas diffusion layers 19, 20 out of a ring part 27 forming each through hole of the gas passage forming members 21, 22.例文帳に追加

前記ガス流路形成部材２１，２２の前記各貫通孔を形成するリング部２７のうち前記ガス拡散層１９，２０の表面と接触する第１接触部２９に対し屈曲平面部２９ａを形成する。 - 特許庁

A hydrophilic part 21 is formed by communicating and applying a hydrophilic treatment to one part (hydrophilic part 21b) of a face 16 which contacts with the gas diffusion electrode of the rib 6, and to one part (hydrophilic part 21a) of a groove surface 17 forming the gas flow-passage 5.例文帳に追加

リブ６のガス拡散電極に接触する面１６の一部（親水部２１ｂ）と、ガス流路５を形成する溝表面１７の一部（親水部２１ａ）に、連通して親水処理を施すことにより親水部２１を形成する。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁

Since the [111]-face of a face-centered cubic (fcc) structure is the densest face and the densest face is exposed on the surface of the structure, the diffusion and mixing of the atom of the free magnetic layer 16 in the nonmagnetic material layer can be suppressed.例文帳に追加

面心立方（ｆｃｃ）構造の[１１１]面は最稠密面であり、この最稠密面が表面に露出しているので、フリー磁性層１６の原子が非磁性材料層の内部に拡散混入することを、抑制できる。 - 特許庁

When P ions are to be injected, a region other than a region, such as the surface of the N+ diffusion layer where the Co silicide film is hard to be formed is selectively masked by a resist, and P ions are merely injected into the region, where the Co silicide film is hard to be formed.例文帳に追加

Ｐイオンの注入に際しては、Ｎ^＋拡散層上のようにＣｏシリサイド膜を形成しにくい領域以外をレジストにて選択的にマスクし、Ｃｏシリサイド膜を形成しにくい領域にのみＰイオンを注入する。 - 特許庁

According to the invention, the heat resistance of the reflector is improved by the diffusion preventing function to suppress a degradation in degree of brilliance on the surface of the silver plating, stably maintaining the high reflectance factor, which provides a high-intensity of the LED.例文帳に追加

本願発明によれば、拡散防止機能により反射部の耐熱性が向上し、銀めっき表面の光沢度低下が抑制され高い反射率を安定して維持できるため、ＬＥＤの高輝度化が実現可能となる。 - 特許庁

In this manufacture, a first layer metallic wiring 2, an SiOF film 3, and an F diffusion preventing film 6 are formed on the surface of the base layer 1 including a substrate, an element made on the substrate, and an insulating layer formed to cover the substrate and the element.例文帳に追加

基板と基板上に形成された素子と基板及び素子を覆うように形成された絶縁層とを含む下地層１の表面に、第１層金属配線２と、ＳｉＯＦ膜３と、Ｆ拡散防止膜６とを形成する。 - 特許庁

Moreover, an n-type floating diffusion 33, n-type drain region 34, and an n-type source region 35 of the gate electrode 32 are also formed in the side of the first surface more than the photodiode 21 with the overlapping plane kept therewith.例文帳に追加

さらに、フォトダイオード２１と平面的に重なりをもって、フォトダイオード２１よりも第１面側に、ｎ型のフローティングディフュージョン３３と、ゲート電極３２のｎ型のドレイン領域３４およびｎ型のソース領域３５が形成されている。 - 特許庁

That is, the UV light entering the exposure mask film is diffused by the diffusing layer and condensed while the light transmitting the light condensing film so as to suppress diffusion of the UV light at the stage of reaching the surface of the photosensitive material.例文帳に追加

すなわち、露光用マスクフィルムへ入射する紫外光を、拡散層で拡散させ、集光フィルムを透過する際に集光させることによって、感光材の表面に達する段階で紫外光の拡散を抑制する。 - 特許庁

It is also preferable that, in place of the thermal head 8, laser is applied only to the part corresponding to the metal-like image figure 5 and the light diffusion shape 7 of the transparent resin layer 4 is removed or fused by heat of laser application to flatten the surface.例文帳に追加

サーマルヘッド８に代えて、金属調描画図５に相当する部分だけに、レーザーを照射し、その熱により、透明樹脂層４の光拡散形状７を除去、もしくは溶融させて、表面を平滑化させても良い。 - 特許庁

The backlight unit emits light from a light source which is made into a surface light source through diffusion parts 410, 420, through a reflecting type polarization separation element 540 containing a metal grid arranged in wire-grid shape.例文帳に追加

バックライトユニットは，拡散部４１０，４２０を経て面光源化された光源からの光を，ワイヤーグリッド状に配列された金属格子を含む反射型偏光分離素子５４０を介して出射させることを特徴としている。 - 特許庁

The submount 50 has substrates 1 and 2 principally comprising Si, and impurity diffusion layers 4 and 5 formed by diffusing impurities in a region on the surface 1a of a substrate where a semiconductor laser chip is mounted.例文帳に追加

この発明のサブマウント５０は、Ｓｉを主材料とした基板１，２と、基板表面１ａのうち、半導体レーザチップが上方に搭載されるべき領域に不純物を拡散して形成された不純物拡散層４，５とを備える。 - 特許庁

An impurity region 19 having the same impurity concentration with that of the impurity region 17 is formed at the same depth of that of the impurity region 17 from the surface of the semiconductor substrate 11 in the semiconductor substrate 11 under the diffusion layer 18.例文帳に追加

拡散層１８下で半導体基板１１の表面から不純物領域１７と同じ深さの半導体基板１１内に、不純物領域１７と同じ不純物濃度を持つ不純物領域１９が形成されている。 - 特許庁

When a titanium film 17 is deposited over the whole surface, and after the film 17 is heat-treated for silicification and unreacted titanium is removed thereafter, a state results in which titanium silicide layers 18 are formed only on the gate electrode 14 and diffusion regions.例文帳に追加

その後、チタン膜１７を全面に堆積し、シリサイド化のための熱処理を施した後、未反応のＴｉを除去すると、ゲート電極１４上および拡散領域上にのみ、チタンシリサイド層１８が形成された状態となる。 - 特許庁

The p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging element region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of outside where a chip end surface F exists is separated electrically by the embedded electrode 4 and the n^+-type diffusion layer 5.例文帳に追加

埋め込み電極４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

Phosphorus ions are implanted to a first conductive film formed on the diffusion layer on a substrate, and a damaged layer is formed on the surface part, and then patterning is performed with a resist film formed thereon as a mask, thereby forming a first conductive film 9B.例文帳に追加

基板上の拡散層上に形成した第１導電膜にリンイオンを注入して、その表面部にダメージ層を形成した後、その上に形成したレジスト膜をマスクにしてパターニングして第１導電膜９Ｂを形成する。 - 特許庁

(1) This manufacturing method for the silver diffusion transfer image receiving material allows an acidic aqueous solution containing a stannous compound, then, an aqueous solution containing noble metal ions to act on the surface of a transparent supporting body.例文帳に追加

（１）透明支持体表面に、第１スズ化合物を含有する酸性水溶液を作用させた後さらに貴金属イオンを含有する水溶液を作用させることを特徴とする銀拡散転写受像材料の製造方法。 - 特許庁

When the passages are blocked by water drops attached in the gas passages 2, reaction gas gas-leaks through a gas diffusion layer 13 on the outer surface of an electrode (an anode or a cathode) of a membrane electrode assembly, and flows in the recessed grooves 12.例文帳に追加

ガス流路２に水滴が付着して流路閉塞した時、反応ガスは膜電極接合体の電極（アノード電極又はカソード電極）外面のガス拡散層１３を介してガスリークし、前記凹溝１２内に流入する。 - 特許庁

A metal layer 11 is composed of the surface metal layer 110 containing at least Cr and Fe and composed essentially of Cr or Fe and a diffusion layer 111 composed of metal silicide formed at a boundary part with the honeycomb body 10.例文帳に追加

金属層１１は、少なくともＣｒとＦｅとを含有し、かつＣｒ又はＦｅを主成分とする表面金属層１１０と、ハニカム体１０との境界部に形成される金属シリサイドからなる拡散層１１１とからなる。 - 特許庁

In the wafer surface processing method involving chemical processing, the chemical processing is characterized by including a reaction controlling processing step, and a diffusion controlling processing step following the reaction controlling processing step.例文帳に追加

化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを含むことを特徴とする、ウェーハ表面処理方法。 - 特許庁

A protective film 41 is formed by oxidizing or nitriding the surface side of a semiconductor substrate, and a plurality of extended diffusion layer regions 21, 22 and 23, each of which contains conductive impurity are formed under the protective film.例文帳に追加

半導体基板の表面側を酸化又は窒化せしめることによって保護膜４１を形成し、当該保護膜下に伸張し且つ何れかの導電型の不純物を各々が含む複数の拡散層領域２１，２２，２３を形成する。 - 特許庁

A vertical transfer gate G is arranged, by embedding a gate electrode 15 via a gate insulating film 13, in a hole part 3 formed from between the surface photodiode 5 and a floating diffusion 7 to the embedded photo diode 9.例文帳に追加

表面フォトダイオード５とフローティングディフュージョン７との間から埋込フォトダイオード９に達して設けられた孔部３ａに、ゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１５を埋め込んでなる縦型の転送ゲートＧが設けられている。 - 特許庁

In a region Z2 of an LDMOS, which is different from a formation region Z1 of an IGBT inside a chip, a P-type well region 13 and an N+-type impurity diffusion regions 14, 15 are formed in a surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

チップ内でのＩＧＢＴの形成領域Ｚ１とは異なるＬＤＭＯＳの領域Ｚ２において、エピタキシャル層３の表層部にＰ型ウエル領域１３およびＮ^+ 型不純物拡散領域１４，１５が形成されている。 - 特許庁

In the bubble-containing light diffusion sheet composed of a resin sheet 2 of a single layer, the bubble layers 4 in which bubbles exist along a surface direction are formed in one position or a plurality of positions in the thickness direction and the bubbles have 10 to 60 μm average diameter.例文帳に追加

単層の樹脂シート２からなり、厚さ方向の１箇所または複数箇所に気泡が面方向に沿って存在する気泡層４が形成され、前記気泡の平均径が１０〜６０μｍである含気泡光拡散シートとする。 - 特許庁

In this case, although an evaporating solvent component draws heat from the first member, the heat is supplied from the second member to prevent temperature reduction of the surface, and the temperature can be maintained in a uniform state due to heat diffusion inside the member.例文帳に追加

この場合第１の部材は蒸発する溶剤成分に熱を奪われるが、第２の部材から熱が補給されて表面の温度低下が抑制され、また部材内部の熱拡散により温度が均一な状態を維持できる。 - 特許庁

By the embedded insulating film 4 and the n^+-type diffusion layer 5, the p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging device region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of an outside where a chip end surface F exists is separated electrically.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can easily obtain a structure holding reliability of an npn-type bipolar transistor mounted on a surface of a semiconductor substrate having a diffusion layer as an element isolation layer; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離層として拡散層を有する半導体基板の表面に搭載されるＮＰＮ型バイポーラトランジスタの信頼性を確保する構造を容易に得ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The water-flow turning part 33 guides a produced water adhered to the surface of the gas diffusion electrode 20 with the oxidant gas from the inner oxidant gas passage R1 to the outer oxidant gas passage R2.例文帳に追加

前記水流変向部３３によって前記ガス拡散電極２０の表面に付着した生成水を、水流変向部３３によって酸化ガスとともに、内側酸化ガス流路Ｒ１から外側酸化ガス流路Ｒ２に導く。 - 特許庁

The content of a 2nd oxidation film-forming element having the function to suppress the diffusion of oxygen to the metallic thin layer in the surface layer can be larger than that in the metallic metallic thin layer.例文帳に追加

また、前記表面層は、前記金属薄層への酸素の拡散を抑制する機能を有する第２の酸化膜を形成可能な第２の酸化膜形成元素の含有量が前記金属薄層より多い層であっても良い。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion method, capable of stable etching having reproducibility, to reduce waveguide losses and to improve manufacturing yield and reliability, in a semiconductor laser device having an end surface window structure.例文帳に追加

端面窓構造の半導体レーザ素子において、再現性のある安定なエッチングを可能にする不純物拡散方法を提供するとともに、導波損失を低減させ、製造歩留まりおよび信頼性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁