「surface diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The transmission illumination apparatus for the microscope is provided with a glass plate 7 for placing the sample 8, a surface light source 10 for emitting almost uniform illumination light towards the glass plate 7 and a light directing member 9 which limits diffusion of illumination light emitted from the surface light source 10 in at least one direction.例文帳に追加

顕微鏡用透過照明装置は、試料８を載置するためのガラスプレート７と、ガラスプレート７に向けてほぼ均一な照明光を射出する面光源１０と、面光源１０から射出される照明光の拡散を少なくとも一方向に関して制限する光指向部材９とを備えている。 - 特許庁

This light emitting device 1 composed by installing a lamp 3 behind its light emitting surface is equipped with: diffusion films 11 and 13 used as blurring parts for blurring the lamp image by diffusing light from the lamp 3 to a level leaving the lamp image; and lens parts 12b and 14 for increasing the number of the blurred lamp images in the surface direction by lenses.例文帳に追加

発光面の背後にランプ３が配置された発光装置１において、ランプ３からの光をランプイメージが残る程度に散乱させてランプイメージをぼかすためのぼかし部としての拡散フィルム１１，１３と、ぼかされたランプイメージの数をレンズによって面方向に増加させるレンズ部１２ｂ、１４と、を備えている。 - 特許庁

A wiring groove 30 that penetrates the diffusion prevention film, second insulating film, and capping film is formed such that a ratio of the width w1 of the wiring groove in a direction perpendicular to an extension direction of the same to a height h1 from the bottom surface of the wiring groove to the surface of the capping film is 2.8 times at a maximum.例文帳に追加

拡散防止膜、第２絶縁膜及びキャップ膜を貫通する配線溝部３０であって、この配線溝部の底面からキャップ膜の表面までの高さｈ１に対する、配線溝部の延在方向に直交する方向の幅ｗ１の比率を最大でも２．８倍として当該配線溝部を形成する。 - 特許庁

The sheet-like light diffusion member includes, at least on one surface: a rugged structure having an average pitch of 1 to 150 μm and an average height of 1 to 150 μm; and a step that has an average height of 1 to 100 μm and a maximum height of 1 to 100 μm and substantially linearly traverses the surface.例文帳に追加

シート状の光拡散部材であって、 少なくとも一方の表面に、 平均ピッチが１〜１５０μｍ、平均高さが１〜１５０μｍである凹凸構造と、 平均高さが１〜１００μｍ、最大高さが１〜１００μｍであり、前記表面を略直線状に横断する段差を有する光拡散部材。 - 特許庁

A plurality of almost parallel linear prisms are installed on the light outgoing surface in the light guide plate in order to enhance diffusion properties of light emitted from the light guide plate, and the linear prisms has an inclined angle larger than 0 degree to the end surface of the light guide plate in the extending direction of the linear prisms.例文帳に追加

導光板には、導光板から出射される光の拡散性を高めるために、出光面上に複数の略平行な線状プリズムが設けられるが、その線状プリズムは、当該線状プリズムの延在方向に沿った前記導光板の端面に対して０度より大きい傾斜角を有する。 - 特許庁

The woven or knitted fabric in the multilayer-structure having the excellent water absorption and diffusion evaporative property, includes an infrared-absorbing fiber having >1 dtex single fiber fineness at least in a back surface layer, and a fiber having ≤1 dtex single fiber fineness in a front surface layer.例文帳に追加

多層構造織編物であって、少なくとも裏面層に単繊維繊度が１ｄｔｅｘより大の赤外線吸収性繊維が含まれており、かつ表面層に単繊維繊度１ｄｔｅｘ以下の繊維が含まれることを特徴とする吸水性と拡散蒸発性に優れる多層構造織編物。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

To provide a polyester film having excellent optical performance, which allows an LCD member, particularly a thermosetting type diffusion sheet to obtain excellent processing characteristics when the LCD member is subjected to back coat processing of the opposite surface side after the diffusion processing as primary processing is carried out, without causing deterioration in processing speed or the yield and which can keep high brightness to stably provide high quality and clear image.例文帳に追加

ＬＣＤの部材、特に熱硬化型の拡散シートにおいて、一次加工である拡散加工後の反対面側のバックコート加工時において、加工特性が良好で、加工速度や歩留りの低下を発生させることなく、また、高い輝度を維持して鮮明で高品質な画像を安定的に与えることができる、光学的性能に優れたポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

First hydrophilic adjustment processing for including atoms for improving hydrophilicity on a hydrophilic film or second hydrophilic adjustment processing for improving hydrophilicity by deforming a shape of a surface before being covered with the hydrophilic film is applied to surfaces of base materials of the gas diffusion member and the separator so as to make a hydrophilicity of the separator higher than that of the gas diffusion member.例文帳に追加

ガス拡散部材とセパレータの基材表面には、セパレータの親水性の方がガス拡散部材の親水性よりも高くなるように、親水被膜に親水性を向上させるための原子を含有させる第１の親水性調整加工、または、親水被膜に被覆される前の面の形状を変形させて親水性を向上させる第２の親水性調整加工が施されている。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell arranged between a catalyst layer and a separator of the fuel cell, capable of suppressing deformation due to unevenness or the like of a separator surface even in a state where large pressure is applied in the thickness direction of the gas diffusion layer, and of surely executing gas supply to the catalyst layer and drainage of produced water from the catalyst layer.例文帳に追加

燃料電池の触媒層とセパレータとの間に配置される燃料電池用ガス拡散層であって、ガス拡散層の厚さ方向に大きな圧力が加わった状態においても、セパレータ表面の凹凸などによる変形を抑制でき、触媒層へのガス供給および触媒層からの生成水排出をより確実に行える燃料電池用ガス拡散層を提供する。 - 特許庁

The impurity diffusion method comprises an oxidation step of forming an oxide film on a surface of a semiconductor of a substrate; a diffusion step of setting a gas partial pressure of a compound gas containing an impurity element to 0.1 torr to 800 torr, setting a temperature of the substrate to 750°C to 950°C, and diffusing the impurity element to the semiconductor through the oxide film.例文帳に追加

基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を０．１トール以上８００トール以下とし、前記基板の温度を７５０℃以上９５０℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、を備えたことを特徴とする不純物拡散方法を提供する。 - 特許庁

This microlens sheet is constituted of a microlens array part 102 where a layer obtained by arraying a microlens formed into an optically concave or convex and rotation symmetry shape is arrayed, and a sheet layer where a diffusion sheet layer 105 is formed on the side of a light-emitting surface or the inside of the microlens array part 102 is filled with a diffusion agent, and the microlens is made into a rhomboidal shape.例文帳に追加

光学的に凹又は凸の回転対称な形状をしたマイクロレンズを配列した層を形成したマイクロレンズアレイ部１０２と、出射面側に拡散シート層１０５又は前記マイクロレンズアレイ部１０２の内部に拡散剤が入ったシート層とから構成されているマイクロレンズシートにおいて、前記マイクロレンズの形状をひし形にして配列するものである。 - 特許庁

To provide a fuel cell and a fuel cell system capable of efficiently generating power by distributing a fluid of a fuel gas and a liquid fuel such as an oxidizing agent and a reducing agent in a gas diffusion layer to restrain variations in output over the power generating surface, and obtaining a sufficient amount of power by surely exhausting an impurity gas staying in the gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層内部に酸化剤や還元剤の燃料ガスや液体燃料などの流体を行き渡らせることで発電面の出力のばらつきを抑え、効率的に発電することができると共に、ガス拡散層に滞留した不純ガスを確実に排出して、十分な発電量を得ることができる燃料電池及び燃料電池装置を提供する。 - 特許庁

Among light fluxes emitted from a light source, a light flux which is not used effectively since it has reached the vicinity of a desired area to be irradiated is guided to a diffusion reflecting part by a reflection member again before reaching an irradiation surface to raise the luminance of the diffusion reflecting part by irradiation with the light flux to reuse the light flux from there for lighting to the desired area to be lighted.例文帳に追加

光源からの照射光束のうち、所望の照射領域の近傍へ到達してしまい有効に使用されない光束について、照射面到達前に再び反射部材で拡散反射部へと導き、その光束照射により拡散反射部の輝度を上昇させ、そこからの光束を所望の照射領域への照明に再使用するという構成。 - 特許庁

This is the membrane-electrode junction wherein a (proton conductive) polymer membrane for the membrane-electrode junction comprised that a discharge treatment is applied to a surface of the polymer membrane containing a proton conductive substituent or a proton conductive material is installed between a pair of catalyst carrying gas diffusion electrodes mutually separated, and wherein it is bonded with a catalyst face side of the gas diffusion electrodes.例文帳に追加

プロトン伝導性置換基またはプロトン伝導性物質を含有する高分子膜の表面に放電処理を施してなる膜−電極接合体用（プロトン伝導性）高分子膜を、互いに離隔する１対の触媒担持ガス拡散電極の間に設置し、ガス拡散電極の触媒面側と接合されてなる膜−電極接合体により達成される。 - 特許庁

By adding the transformation temperature lowering element to the bonding surfaces of the metal stocks, the transformation temperature in a vicinity of the bonding surfaces is locally lowered, and the heating temperature for bonding is lowered in the diffusion bonding step, the deformation during the diffusion bonding is limited to a vicinity of the surface, and excellent bonding can be performed while suppressing the deformation of a base material.例文帳に追加

これにより、金属素材の接合表面に変態点低下元素を添加することで接合表面近傍の変態点が局部的に低下するので、拡散接合工程において接合のための加熱温度を低下させるとともに、拡散接合の際の変形を表面近傍に限定し、母材の変形を抑制しつつ良好な接合を行うことができる。 - 特許庁

In the fuel cell which uses a high polymer molecule film for an electrolyte and is equipped with an electrode having a catalyst layer on both sides of the above electrolyte and with a gas diffusion layer at the external surface of the catalyst layer, the electrode for fuel cells and the fuel cell using it, use a water repellent material which is not made fibrous to the above gas diffusion layer at least for one of the electrodes.例文帳に追加

電解質に高分子膜を用い、前記電解質の両面に触媒層とその触媒層の外面にガスス拡散層を有する電極を備えた燃料電池において、少なくとも一方の電極において前記ガス拡散層に繊維化しない撥水材を用いることを特徴とする燃料電池用電極およびそれを用いた燃料電池。 - 特許庁

While the heating treatment at the temperature of 50 to 400°C after the encapsulation of a material contaminated with tritium where tritium disperses on its surface and inside and light water into a closed vessel accelerates the transfer of the tritium existing on the surface of the tritium material into steam, the heating promotes the diffusion of the tritium existing inside the tritium material onto the surface of the material and the transfer of it into steam on the surface.例文帳に追加

トリチウムが材料の表面ならびに内部に分布しているトリチウム汚染材料と軽水とを密閉容器中に封入した後、温度５０〜４００℃で加熱処理することにより、前記トリチウム材料表面に存在するトリチウムの水蒸気中への移行を促進させると同時に、加熱により前記トリチウム材料内部に存在するトリチウムの材料表面への拡散と表面での水蒸気への移行を促進させる。 - 特許庁

A projection wall having a second side surface opposed to a first side surface is formed on a semiconductor substrate, a single side contact mask having an opening part selectively opening a part of the first side surface of the wall, is formed, then a first impurity layer and a second impurity layer covering the first impurity layer by diffusing impurities having different diffusion degrees into a first side surface exposed to the opening.例文帳に追加

半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the bearing apparatus, the rolling element is disposed between an outer member and inner member, a surface of the rolling element has a nitride layer that is formed of a compound layer of not less than 900 Hv in Vickers hardness, and a diffusion hardening layer.例文帳に追加

外方部材と内方部材との間に転動体を配設してなる軸受装置において、前記転動体表面に窒化層を有し、該窒化層がビッカース硬さでＨｖ９００以上の化合物層と拡散硬化層とからなることを特徴とする。 - 特許庁

In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.例文帳に追加

本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁

This invention relates to the ultrathin copper foil with a carrier produced by laminating a diffusion preventing layer, a separation layer, and an ultrathin copper foil formed by copper electroplating in the given order and an ultrathin copper foil with a carrier wherein the surface of the ultrathin copper foil is roughened.例文帳に追加

本発明は、拡散防止層と、剥離層と、電気銅めっきにより形成された極薄銅箔をこの順序に積層してなるキャリア付き極薄銅箔、及び極薄銅箔の表面が粗化処理されているキャリア付き極薄銅箔である。 - 特許庁

Next, the first spacer film is removed, impurities of the second conductivity-type are implanted into the surface layer part of the first region with use of the first gate electrode as a mask for third activation treatment and to form a third impurity diffusion region 111.例文帳に追加

次いで第１のスペーサ膜を除去し、第１のゲート電極をマスクとして第１領域の表層部に第２導電型の不純物を注入した後第３の活性化処理を行い、第３の不純物拡散領域１１１を形成する。 - 特許庁

A p-type well layer 11 added with indium or the like for example is formed on an n-type semiconductor substrate 10, and n^+-type deep diffusion layers 14 that are apart from each other as source and drain areas respectively are formed on the surface of the p-type well layer 11.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１０上に例えばインジウム等が添加されたｐ型ウェル層１１が形成され、ｐ型ウェル層１１表面に互いに離間して、ソースまたはドレイン領域となるｎ＋型ディープ拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

To suppress a property variation caused by contamination or damage and to improve a reliability by protecting a surface which is in a sensitive state caused by a low impurity concentration of a diffusion layer of an IIL which corresponds to a base region of a PNP bipolar transistor.例文帳に追加

ＩＩＬのＰＮＰバイポーラトランジスタのベース領域に相当する拡散層の不純物濃度が低濃度のために敏感な状態となっている表面を保護して、コンタミネーションやダメージによる特性変動の抑制、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

Thus, the surface of the receiving layer 21 is less "wet" due to the liquid and an amount of residual solid substances decreases earlier after drying; for example, the contamination of the printing paper P or the like can be prevented and the liquid can be preserved in a condition immersed in the diffusion layer 22.例文帳に追加

このため、受容層２１の表面には液状の「濡れ」状態や乾燥後の残留固形物の量が可及的に少なくなり、例えば、印刷用紙Ｐ等の汚れを防止でき、液体は拡散層２２に含浸した状態で保持される。 - 特許庁

Laser beams LB1 and LB2 emitted from laser diodes LD1 and LD2 are collimated to luminous flux width being wider than the surface width of the deflection surfaces M1-M12 of a polygon mirror from a diffusion state in common by the collimator lens 63A of the 1st optical system 6A.例文帳に追加

第１光学系６Ａのコリメータレンズ６３Ａは、レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２から射出されたレーザビームＬＢ１，ＬＢ２を共通に拡散状態からポリゴンミラー４の偏向面Ｍ１〜Ｍ１２の面幅より幅広な光束幅にコリメートする。 - 特許庁

This method of manufacturing for a resin relief printing plate through a light imprinting method by using a light-shielding mold uses a printing plate support with controlled surface diffusion reflectivity with respect to the photosensitive wavelength range of photosensitive resin.例文帳に追加

遮光性モールドを用いる光インプリント法による樹脂製凸版印刷版の製造方法であって、感光性樹脂の感光波長域に対する表面拡散反射率が制御された印刷版支持体を使用する印刷版の製造方法。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element which further facilitates current diffusion in a semiconductor film and prevents light emission from a side surface of the optical semiconductor element for eliminating color unevenness of luminescent colors in a vertical type optical semiconductor element.例文帳に追加

縦型光半導体素子において、半導体膜内における電流拡散が更に促進され、更に発光色の色ムラ解消に寄与するべく光半導体素子側面からの光放出の抑えた光半導体素子を提供する。 - 特許庁

At the time of forming a punch through stopper layer on one major surface of a semiconductor substrate 1, ions are implanted while masking a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor.例文帳に追加

半導体基板１の一主面側にパンチスルーストッパー層を形成する際に、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗を形成する領域をマスクしてたとえばイオン注入をおこなう。 - 特許庁

To make a Zn diffusion position deep from a ZnO/SiO2 film, to the extent in which the COD tolerance of a laser end surface window structure can be made larger than conventional, as to a manufacturing method for a compound semiconductor device which includes the process of diffusing zinc into a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のＣＯＤ耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO_2膜からのZn拡散位置を深くすること。 - 特許庁

To provide a nitrided member and a method for producing the same by which nitridation is promoted to thicken a nitrogen compound layer and increase the internal diffusion depth of nitrogen, and further, a layer having a low friction coefficient is formed on the surface part so as to improve its initial conformability and wear resistance.例文帳に追加

窒化を促進させることにより窒素化合物層の厚さを厚くし窒素の内部拡散深さを増加させるとともに表面部に摩擦係数の低い層を形成し、これにより初期なじみ性および耐摩耗性を向上させる。 - 特許庁

The diffusion plate uneven part 61 makes light irradiating the reverse surface of an LCD 5 uniform by greatly attenuating the light by forming respective peak parts of a plurality of light source elements irradiated with the most intense light thicker.例文帳に追加

この拡散板凹凸部６１は、最も強い光が照射される複数個の光源素子それぞれの直上部をより厚く形成して光を大きく減衰させることにより、ＬＣＤ５の裏面に照射される光を均等化している。 - 特許庁

Light is projected from one side of the cleaning blade to be diffused by a diffusion plate of which the light transmittance is 92% or below and the regular reflected light of the diffused light is imaged over the whole width of the surface of the cleaning blade on the same side to acquire image data.例文帳に追加

クリーニングブレードの１方の側から投光し、光透過率が９２％以下の拡散板によって光を拡散させ、同じ側でその正反射光を前記ブレード表面の全幅にわたって撮像することで画像データを取得する。 - 特許庁

To efficiently store low-temperature heat of radiation heat as a sky radiator by preventing a radiation absorber of the sky radiator from disturbing efficient diffusion of electromagnetic wave caused by condensation of atmospheric moisture on a surface of the radiation absorber.例文帳に追加

スカイラジエータの放射吸収体を、雰囲気の水分が放射吸収体の表面で結露し電磁波の効率的な放散を阻害するのを防止して、スカイラジエータとして輻射放熱の低温熱量を効率よく蓄熱することを目的とする。 - 特許庁

The sheet for uniform luminance 1 has a white diffusion layer 12 formed on at least one surface of a translucent base material 11 in a pattern so as to emit uniform light from incident light having uneven luminance distribution, by gravure offset printing.例文帳に追加

透光性基材１１の少なくとも片面に、不均一な輝度分布を有する入射光を均斉化して出射できるパターン状に、グラビアオフセット方式の印刷により白色拡散層１２が形成されている輝度均斉化シート１。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing hetero-junction bipolar transistor integration light receiving circuit which prevents diffusion of dopant injected in a light absorption layer of a photodiode and deterioration of a light absorption layer surface, and is excellent in high frequency characteristic and high reliability.例文帳に追加

フォトダイオードの光吸収層に注入されたドーパントの拡散および光吸収層表面の劣化を防止でき、高周波特性および高信頼性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

The field oxide film 118 contains extending portions 160 extending to the interior of the active region, the side portions of the extending portions 160 are connected to the silicon oxide film 120c, and the exposed surface portions of the extending portions 160 become regions for hydrogen diffusion.例文帳に追加

フィールド酸化膜１１８は、活性領域内に向けて延在する延在部１６０を含み、延在部１６０の側部がシリコン酸化膜１２０ｃに接続され、延在部１６０の露出された表面部分が水素拡散のための領域となる。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element with an element structure which makes it possible to form a light receiving surface side semiconductor layer (diffusion layer) reducing recoupling loss by controlling electric charge migration in a reducing atmosphere or inert gas atmosphere and its manufacturing method.例文帳に追加

電荷移動を制御し再結合損失を減少させる受光面側半導体層（拡散層）を還元雰囲気又は不活性ガス雰囲気で形成可能な素子構造を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This aluminide bond coat comprises a heat insulating ceramic layer 26 and a diffusion aluminide bond coat 24, in which aluminum oxide scale grows on the bond coat 24, which protects the surface of the lower layer parts 22 thereof and chemically bonds the ceramic layer 26.例文帳に追加

熱絶縁性セラミック層２６および拡散アルミニウム化物ボンディングコート２４からなり、ボンディングコート２４上に酸化アルミニウムスケールが成長されており、これがその下層の部品２２の表面を保護しそしてセラミック層２６を化学的に結合している。 - 特許庁

In the figure, 505 is an N type cathode of photo diode, 506 is a surface P type area to make the photo diode a buried structure, and a 508a is an N type high concentration area which forms a floating diffusion and is a drain area of a transfer MOS transistor, too.例文帳に追加

５０５はフォトダイオードのＮ型カソード、５０６はフォトダイオードを埋め込み構造とするための表面Ｐ型領域、５０８ａはフローティングディフュージョンを形成し転送ＭＯＳトランジスタのドレイン領域ともなっているＮ型高濃度領域である。 - 特許庁

Before development processing on a wafer W, pure water as a diffusion assisting liquid for easily spreading a developer over the surface of the wafer W is discharged from a pure water nozzle 40 to a center part of the wafer W to form a liquid reservoir.例文帳に追加

ウエハＷの現像処理を行う前に、前工程として現像液をウエハＷの表面に拡げやすくするための拡散補助液である純水を純水ノズル４０よりウエハＷの中央部に吐出して液溜りを形成する。 - 特許庁

The diffusion furnace includes a cylindrical heat-insulating cylinder 21 and heating wire 22 that is spirally arranged on the inner circumferential surface of the heat-insulating cylinder 21, and the heating wire 22 is fixed at a movable type separator 23B that can be moved in the direction of outside diameter of the heat-insulating cylinder 21.例文帳に追加

拡散炉は、円筒状の断熱筒２１と、断熱筒２１の内周面に螺旋状に配置される電熱線２２とを備え、断熱筒２１の径外方向に移動可能な移動式セパレーター２３Ｂに電熱線２２を固定する。 - 特許庁

An inverting mechanism 30 inverts the gas diffusion layer substrate 200 to which heating treatment has been applied in the first heating furnace 20 and which is carried out of the first heating furnace 20, so as to turn the surface coated with the paste downward perpendicularly, and conveys it to a second heating furnace 40.例文帳に追加

反転機構３０は、第１加熱炉２０において加熱処理が施されて、第１加熱炉２０から搬出されたガス拡散層基材２００を、ペーストの塗工面が鉛直下方を向くように反転させて、第２加熱炉４０に搬送する。 - 特許庁

The reflecting surface 14Y is formed so that the light shielding angle of light emitted from the corresponding LED 11 may be the specification value ψ, however, the end parts on the far side from the corresponding LED 11 may be in contact with the diffusion cover 15.例文帳に追加

反射面１４Ｙも、対応するＬＥＤ１１から放射される光の遮光角が仕様値ψとなるように形成されているが、対応するＬＥＤ１１から遠い側の端部が拡散カバー１５に接触するように形成されている。 - 特許庁