「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a tire type portal crane capable of efficiently hoisting and lowering a container while suppressing shocks to a loading surface, and a container hoisting and lowering method with the tire type portal crane.例文帳に追加

載置面に対して衝撃を抑えつつ効率的にコンテナを吊り下ろすことが可能な、タイヤ式門型クレーン及びこのタイヤ式門型クレーンによるコンテナの吊り下ろし方法を提供する。 - 特許庁

To provide an upper surface emission type light emitting device of active matrix type, having a positive electrode formed on the upper part of an organic compound layer serving as a light taking-out electrode.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の発光装置において、有機化合物層の上部に形成された陽極が光取り出し電極となる上面出射型の発光装置を提供する。 - 特許庁

A forming aperture 8, which forms the sectional surface of the electron beam in a ring type, is arranged in the illumination optical system, and the reticle 12 is illuminated with a crossover image of the beam which is formed in the ring type.例文帳に追加

照明光学系中に、電子ビームをリング状の断面に成形する成形開口８が設けられており、リング状に成形されたビームのクロスオーバ像でレチクル１２を照明する。 - 特許庁

To easily and highly accurately measure surface shape by combining a laser non-contact type three-dimensional shape measuring device and a multi-joint contact type three-dimensional shape measuring device.例文帳に追加

レーザ非接触式３次元形状測定装置と多関節接触式３次元形状測定装置を併用することで、表面形状を容易に高精度に測定することにある。 - 特許庁

In the substrate from the first main surface side p-type base layer 2 as far as the n-type stopper layer 6, only the layer end is covered with a high resistance film 11, and the other part is covered with an insulation film 9.例文帳に追加

そして、第１の主面側ｐ型ベース層２からｎ型ストッパー層６までの基板上は、層端だけ高抵抗膜１１で覆われ、その他は絶縁膜９で覆われている。 - 特許庁

To easily circulate a string type carrier belt even when a lubricating matter to eliminate friction is attached on a contact surface with the string type carrier belt of an article to be carried.例文帳に追加

被搬送物の紐状搬送ベルトとの接触面に摩擦を無くすような潤滑物質が付着していても紐状搬送ベルトを容易に巡回可能なコンベア装置を提供する。 - 特許庁

The connectors are made up of a first member 92a having a function of a connector of surface-mounting type and a second member 92b having a function of a connector of DIP type that are formed into an integral structure.例文帳に追加

コネクタは、表面実装タイプのコネクタの機能を有する第１の部材９２ａと、ディップタイプのコネクタの機能を有する第２の部材９２ｂとを一体構造として構成している。 - 特許庁

On the surface of an n-type silicon carbide substrate or n-type silicon carbide region 1, a nickel film 2 and a nickel oxide film 3 are laminated in this order and then heat-treated in a state wherein they are not subjected to oxidation.例文帳に追加

ｎ型炭化珪素基板またはｎ型炭化珪素領域１の表面に、ニッケル膜２と、酸化ニッケル膜３と、をこの順に積層し、酸化しない状態で熱処理をおこなう。 - 特許庁

When electrons are injected in the metal film 13 from the n-type semiconductor substrate 11 through the i-type semiconductor layer 12, surface plasmon excited on the metal film 13 emits light.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１から金属膜１３にｉ型半導体層１２を通して電子を注入することにより、金属膜１３に励起された表面プラズモンが発光する。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor area 106 is formed in the surface area of the p-type channel layer 103 so as to come into contact with a part of the side of the trench gate 2 through the gate oxide film 3.例文帳に追加

ゲート酸化膜３を介してトレンチゲート２の側面の一部に接してＰ型チャネル層１０３の表面領域にＮ^+ 型半導体領域１０６が形成されている。 - 特許庁

An n--type epitaxial silicon layer 3 for collector is formed on the surface of an n+-type silicon substrate 21 having a crystal plane azimuth of (100), and a silicon oxide layer 4 made by the LOCOS method is formed thereon.例文帳に追加

結晶の面方位が（１００）であるｎ^+ 型シリコン基板２１の表面にコレクタ用ｎ^- 型エピタキシャル・シリコン層３が、その上にロコス法からなるシリコン酸化膜４がある。 - 特許庁

In the surface of the packaging substrate 3A between the area type light emitting element 4 and the area type light receiving element 5, a first ground potential electrode pad 12 grounded to the ground potential is formed.例文帳に追加

面型発光素子４と面型受光素子５の間の実装基板３Ａの表面には、グランド電位に接地された第１のグランド電位電極パッド１２が形成される。 - 特許庁

ELECTRON BEAM VAPOR DEPOSITION SYSTEM, METHOD FOR DEPOSITING VAPOR DEPOSITED FILM ON THE SURFACE OF SUBSTRATE USING THE SYSTEM, PIERCE TYPE ELECTRON GUN, AND METHOD FOR MONITORING BEAM STATE OF PIERCE TYPE ELECTRON GUN例文帳に追加

電子ビーム蒸着装置、当該装置を用いて行う基板の表面への蒸着被膜の形成方法、ピアス式電子銃、および、ピアス式電子銃のビーム状態のモニタ方法 - 特許庁

Electron affinity on a surface 3a of an n-type diamond layer 3 is reduced in this electron emission element 1 because a work function of n-type diamond is small as compared with, for instance, silicon.例文帳に追加

電子放出素子１では、例えばシリコンに比べｎ型ダイヤモンドの仕事関数は小さいため、ｎ型ダイヤモンド層３の表面３ａにおける電子親和力は小さくなっている。 - 特許庁

Finally, the n-type single crystal silicon substrate 1 is immersed into liquid HF thus removing the silicon oxide film 10 formed on the rear surface and each end face of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、ｎ型単結晶シリコン基板１を液体ＨＦに浸すことにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に形成された酸化シリコン膜１０を除去する。 - 特許庁

The buried layer 2 is doped with first conductivity type impurities at a concentration higher than that of any of the semiconductor layer 1 and the surface layer 3, and further doped with second conductivity type impurities.例文帳に追加

埋込層２には、半導体層１及び表面層３のいずれよりも高濃度に第１導電型不純物がドープされ、更に第２導電型不純物がドープされている。 - 特許庁

On the other hand, after the formation of the through-hole 31a, the through-hole 31b is formed by stain etching a portion including n-type or p-type impurities selectively diffused from the surface.例文帳に追加

一方、貫通孔３１ｂは、貫通孔３１ａの形成後、表面から選択的に拡散したｎ型またはｐ型不純物を含む部分を、ステインエッチングして形成される。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having N^+ type conductivity, and a second diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ^＋型である第１拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第２拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

The lateral double-diffused MOS transistor has a first conductivity type drift region 2 provided on a second conductivity type semiconductor substrate 1, and a body diffusion region 3 formed on the surface thereof.例文帳に追加

第２導電型の半導体基板１上に設けられた第１導電型のドリフト領域２と、その表面に形成された第２導電型のボディ拡散領域３を備える。 - 特許庁

In the first organic optical response element, the surface of an electrode base material is covered with a first layer made of an n-type organic semiconductor and a second layer made of a p-type organic semiconductor.例文帳に追加

該第１の有機光応答素子は、電極基材の表面に、ｎ型有機半導体からなる第１層及びｐ型有機半導体からなる第２層が被覆されてなる。 - 特許庁

The solar cell is provided with a p-type semiconductor substrate 1 having the function of converting light into electric power, and a reflection preventing film 4 formed on the surface of the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

太陽電池は、光を電力に変換する機能を有するｐ型半導体基板１と、ｐ型半導体基板１の表面に形成された反射防止膜４とを備える。 - 特許庁

In a state of supporting the substrate by the supporting part, the photoresist on the top surface of the substrate is primarily removed by the dry type processing part 20, and is secondarily removed by the wet type processing part 30.例文帳に追加

基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。 - 特許庁

By lowering the temperature of the solution 4 for epitaxial growth, a PN junction composed of an N type layer 11 and a P type layer 12 is formed on the principal surface of the semiconductor wafer 1 (c).例文帳に追加

（ｃ）エピタキシャル成長用溶液４の温度を下げることにより、半導体基板１の主表面上にＮ型層１１とＰ形層１２とからなるＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

A polylactic acid type release film being a laminated film is obtained by forming a silicone resin film layer on the surface of a polylactic acid type oriented film and has excellent mechanical physical properties and release stability.例文帳に追加

本発明の積層フィルムは、ポリ乳酸系配向フィルム表面に、シリコーン樹脂被膜層を形成させ、優れた機械物性および離型安定性を有した離型フィルムを得る。 - 特許庁

The packaging body 10 containing the oil-in-water type emulsification food houses the oil-in-water type emulsification food 14, and includes a film having a plurality of projections on its inner surface.例文帳に追加

水中油型乳化状食品入り包装体１０は、水中油型乳化状食品１４が収容され、かつ、内表面に複数の凸部が設けられたフィルムを含む。 - 特許庁

A base body 2 comprises a substrate 11 of p-type single- crystalline silicon wafer and an epitaxial layer 12 of n-type single-crystalline silicon formed on a surface of the substrate 11.例文帳に追加

基体２は、ｐ型単結晶シリコンウエハからなる基板１１と、その基板１１の表面に形成されたｎ型単結晶シリコンからなるエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge storage layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板1Subの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an electrode coming into excellent ohmic contact with both a p-type region and an n-type region exposed on a surface of an Si semiconductor layer.例文帳に追加

Ｓｉ半導体層の表面に露出しているp型領域とn型領域の両者と良好なオーミック接触をする電極を備えている半導体装置を提供する。 - 特許庁

The bed surface treatment is selected from a group of phosphate coating film treatment, sealing treatment for the multipolar magnet of the sintered body, blast treatment, dry type super ultraviolet ozone plasma etching, wet type coupling, and primer treatment.例文帳に追加

下地処理は、燐酸塩皮膜処理、焼結体の多極磁石の封孔処理、ブラスト処理、乾式超紫外線オゾンプラズマエッチング、湿式カップリング、およびプライマー処理のいずれかとされる。 - 特許庁

An n-type AlGaInP clad layer 3, an AlGaInP active layer 4, and a p-type AlGaInP first clad layer 5 are formed on the upper surface of the ridge 2 for red laser.例文帳に追加

赤色レーザ用リッジ２の上面には、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５が形成されている。 - 特許庁

When the close condition is satisfied by the position sensor group, α-rays and β-rays from the clothes are measured simultaneously by each plane type detector and each curved-surface type detector.例文帳に追加

位置センサ群により前記近接条件が満たされているときに、各平面型検出器及び湾曲面型検出器によって衣服類のα線とβ線を同時に測定する。 - 特許庁

A p-type GaAs contact layer 108 is arranged so that the layer 8 does not include the position which is spaced by the length of 1/4 (odd multiple of 1/4) of a laser light wavelength from the surface of a p-type DBR 106.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８は、ｐ型ＤＢＲ１０６の表面から数えて、レーザ光波長の１／４（１／４の奇数倍）の位置が含まれないように配置されている。 - 特許庁

In addition, because a mirror 20 fixed on the surface of the storage-type water heater 1 is heated with the heat conduction from the metal casing of the storage-type water heater 1, the mirror is not fogged with steam or the like.例文帳に追加

さらに、貯湯式温水器１の表面に設けた鏡２０は、貯湯式温水器１の金属ケーシングからの伝熱によって温められるので、湯気などによって曇ることがない。 - 特許庁

A collector buried layer 2 is formed on the entire surface of a p-type silicon wafer 1, and an n-type epitaxial silicon layer 3 is formed thereon.例文帳に追加

選択酸化領域の形成後、表面の清浄化を行い、ウエハ表面全体を多結晶シリコン膜で覆い、エミッタ直上の多結晶シリコン膜を最後まで除去せずに素子を形成する。 - 特許庁

Near the surface of the contact layer 18, similarly, the n-type carrier increases and the conductivity of the layer 18 changes to i- or n-type, resulting in the formation of a current constricting region 18a.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層１８の表面近傍においても同様にｎ型キャリアが増加し、伝導型がｉ型またはｎ型に変化して電流狭窄領域１８ａが形成される。 - 特許庁

To usefully utilize condensed water by enhancing the thermal efficiency of an air cooling type heat exchanger by spraying purified condensed water to the outer surface of the air cooling type heat exchanger.例文帳に追加

浄化した凝縮水を空冷の熱交換器の外面に散布することにより、空冷式の熱交換器の熱効率を向上し、これにより凝縮水の有効利用を図る。 - 特許庁

Then, the gathered holes are taken to the outside by a low-resistance p-type ohmic electrode, or an electrode 012 for taking out holes of an n-type Schottky electrode, thus eliminating a floating hole being one of the primary factors of the unstable operation of the FET from a surface side instead of a substrate side.例文帳に追加

また、複数本のゲート電極が存在する様な密集した構造では、ソース・ドレイン電極の配置を変更することにより浮遊ホールを有効的に取り除く。 - 特許庁

When Be is used as a p-type dopant, the p-type characteristics of a p-GaN layer 23 significantly depend on the dislocation density of the surface of a substrate 5 as compared with the case where Mg is used.例文帳に追加

ｐ型ドーパントとしてＢｅを用いる場合、Ｍｇを用いる場合に比べてｐ−ＧａＮ層２３のｐ型特性は、基板５の表面の転位密度に顕著に依存する。 - 特許庁

The p-type and the n-type thermoelectric elements 1a, 1b have rectangular sections, and a sectional surface in the longitudinal direction is disposed diagonal to an insulating substrate in the longitudinal direction.例文帳に追加

このｐ型及びｎ型の熱電素子は、その横断面が長方形になっており、断面の長手方向と絶縁基板３の長手方向とが直交するように配置されている。 - 特許庁

When the floating type optical head is placed on the cleaning area, a face toward an optical emission side of the floating type optical head comes temporarily into contact with the surface of the cleaning area.例文帳に追加

浮上型光ヘッドをクリーニング領域に位置付けるとクリーニング領域上を浮上する浮上型光ヘッドの光射出側の面とクリーニング領域表面とが一時的に接触する。 - 特許庁

As a result, when the first finished surface 56 of the fixed-type seal 44 causes aged deterioration, the fixed-type seal 44 can be mounted again after being removed from the vertical joint 20 and inverted.例文帳に追加

従って、定型シール４４の第１仕上げ面５６が経年劣化した場合には、縦目地２０から定型シール４４を取外し反転させて再び装着することができる。 - 特許庁

Only light (b) of a transmission-axis component of a reflection type polarizing plate 11b is transmitted through the reflection type polarizing plate 11b to be made incident on an end surface of a light transmission plate 12.例文帳に追加

反射型偏光板１１ｂでは、反射型偏光板１１ｂの透過軸成分の光ｂのみが反射型偏光板１１ｂを透過して導光板１２の端面に入射する。 - 特許庁

The illuminating system in a 1st embodiment is configured of the reflection-type display device 1 and the illuminator 2 for irradiating a display surface 1a of the reflection-type display device 1 with illuminating light.例文帳に追加

第１実施形態の照明システムは、反射型表示装置１と、反射型表示装置１の表示面１ａに照明光を照射する照明装置２と、を備えて構成される。 - 特許庁