「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

The display device 30 using the surface packaging type LEDs is provided with the waterproofness by molding the spacing between the surface packaging type LEDs 32 packaged on a substrate 31 and a light shielding cover 34 by a potting material 33 and can be used outdoors.例文帳に追加

上記表面実装型ＬＥＤを用いた表示装置３０は、基板３１に実装された表面実装型ＬＥＤ３２間と遮光カバー３４間をポッティング材３３でモールドすることにより、防水性を持ち屋外で使用できる。 - 特許庁

Disclosed is the reflection type screen using a base material made principally of cellulose fiber, the reflection type screen being characterized in that a light reflective layer is formed on a projection-side surface of the base material and a light shield layer formed on the reverse surface of the base material.例文帳に追加

セルロース繊維を主体とする基材を使用した反射形スクリーンであって、 前記基材の映写側表面に光反射層を形成し、基材の裏面には光遮光層を形成してなることを特徴とする反射形スクリーンである。 - 特許庁

One or more kinds of working between deep drawing, uniaxial stretching and plane sliding are applied to the surface treated steel sheet, and a steel sheet clad section is formed by piling together a different type or the same type of surface treated steel sheets, after application of the working thereto.例文帳に追加

表面処理鋼板に深絞り加工、一軸引張り加工、平面摺動加工のいずれか１種類以上の加工を付与し、前記加工付与後の異種又は同種の表面処理鋼板を重ね合わせて鋼板合わせ部を形成する。 - 特許庁

To perform manufacturing change-over of both types of wires within a relatively short time, when a wire of a type of which circumferential surface has a predetermined uniform color and a wire of a type for which a colored line, having a predetermined color is formed on its circumferential surface, are continuously manufactured.例文帳に追加

外周面が所定色一様なタイプの電線と外周面に所定色の着色ラインが形成されたタイプの電線とを連続的に製造するにあたって、両タイプの電線の製造の切り換えをより短時間で行うこと。 - 特許庁

To provide a method of producing a langasite-type oxide single crystal wafer, by which the formation of undulation of the surface of the wafer or of a local deep unevenness on the surface of the wafer can be suppressed and the langasite-type oxide single crystal wafer almost free from warps can be easily obtained without generating harmful gas such as NOx.例文帳に追加

ＮＯ_xなどの有害ガスを発生することなく、表面のうねりや局所的な深い凹凸の発生を抑え、反りの少ないウエハを容易に得ることのできるランガサイト型酸化物単結晶ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a display picture is displayed as a bright enlarged picture even in either of a light emission type device or a reflection type device by forming the tapered light guide paths 6 and 7 at the tip of the optical fiber 4 in the vicinity of both enlarging surface 1 and picture surface 2.例文帳に追加

さらに拡大面１及び画像面２の両方の近傍において光ファイバ４の先端にテーパ状の導光路６，７を形成すると、ディスプレイ画像が発光型及び反射型ディバイスのいずれでも明るい拡大画像が表示できる。 - 特許庁

In this aluminum alloy sheet for covering, an action type or an applying type chemical synthesis treated film is formed on the surface of an aluminum alloy substrate and the Sm-value, the θa-value and the Rz-value of the surface of the chemical synthesis treated film satisfy the above each condition respectively.例文帳に追加

またアルミニウム合金基板表面に反応型もしくは塗布型の化成処理皮膜が形成され、かつその化成処理皮膜表面のＳｍ値、θａ値、Ｒｚ値がそれぞれ前記各条件を満たす被覆用アルミニウム合金板。 - 特許庁

To provide a coating material capable of obtaining a cold drying-type solvent-based non-exposed surface coating having excellent resistance to scuffing and resistance to chipping, to provide the cold drying-type solvent-based non-exposed surface coating obtained by using the material, and to provide a film.例文帳に追加

優れた耐傷付き性、耐チッピング性を有する常温乾燥型溶剤系非露出面用塗料を得ることのできる塗料材料、及び当該材料を用いた常温乾燥型溶剤系非露出面用塗料及び塗膜を提供する。 - 特許庁

The n-type GaN semiconductor region 17, the active layer 19, and the p-type GaN semiconductor region 21 are mounted to a principal surface 13a, and disposed in a direction of a predetermined axis Ax orthogonal to the principal surface 13a.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ系半導体領域１７、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体領域２１は、主面１３ａ上に搭載されており、また主面１３ａに直交する所定の軸Ａｘの方向に配置されている。 - 特許庁

To provide a coating material capable of obtaining a cold drying-type water-based non-exposed surface coating having excellent resistance to scuffing and resistance to chipping, to provide the cold drying-type water-based non-exposed surface coating obtained by using the material, and to provide a film.例文帳に追加

優れた耐傷付き性、耐チッピング性を有する常温乾燥型水系非露出面用塗料を得ることのできる塗料材料、及び当該材料を用いた常温乾燥型水系非露出面用塗料及び塗膜を提供する。 - 特許庁

In an external surface type drum image processing system, a plate positioning mechanism and a method for operation thereof for automatically locating printing plates of various sizes in staging position are disclosed so as to be mounted on a predetermined position on an external surface type drum image processing system.例文帳に追加

外面型ドラム式画像処理システムで、画像処理システムの外面型ドラムの所定位置に取付けるため、中継位置で種々のサイズの印刷版を自動的に位置決めするためのプレート位置決め機構およびその操作方法が示されている。 - 特許庁

In the coupled section of a wall surface of H-type PC piles 10, 10a, 10b, etc. and a base slab concrete 20 coming into contact with the wall surface, a coupled plate 30 is provided to the outside of a flange 11 of the H-type PC pile 10 in a part coming into contact with the base slab concrete 20.例文帳に追加

Ｈ型ＰＣ杭１０，１０ａ，１０ｂ，…による壁面と、この壁面に接する底版コンクリート２０との結合部において、底版コンクリート２０に接する部分のＨ型ＰＣ杭１０のフランジ１１の外面に結合板３０を設ける。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging sensor realizing a rear surface irradiated-type solid-state image sensor by enabling alignment mark for aligning a photodiode and lenses in a light-receiving sensor section to be formed for the rear surface irradiated-type solid-state image sensor.例文帳に追加

裏面照射型固体撮像素子に対して、受光センサ部のフォトダイオードとレンズの位置合わせ用のアライメントマークを形成することを可能にして、裏面照射型固体撮像素子を実現することができる、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

Next, a second polysilicon layer 110 is formed on the upper side whole surface including the island-type laminate 108 of the first principal surface 101 to connect the first polysilicon layer 104a and a second polysilicon layer 110, through the side wall of the island-type laminate 108.例文帳に追加

次に、第１主面１０１の島状積層体１０８を含む上側全面に第２ポリシリコン層１１０を形成して、島状積層体１０８の側壁で第１ポリシリコン層１０４ａと第２ポリシリコン層１１０とを接合させる。 - 特許庁

To provide a system capable of inputting handwritten information not only on a flat writing surface but also on an optional curved surface by a pen type input device comprising a camera (sensor) and a plurality of laser pointers, different from a conventional pen type input device.例文帳に追加

カメラ(センサ)と複数のレーザポインタから構成されるペン型入力装置により、従来のペン型入力装置と異なり、書画面が平面上のみならず、任意の曲面上においても、手書き情報を入力できるシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a surface mounting type oscillatory motor, which can prevent a soldered point from peeling off a circuit board without performing any design change for the main body of itself, and a structure of fixing the surface mounting type oscillatory motor.例文帳に追加

振動モータ本体に何ら設計変更を行うことなく、半田付けされた箇所が回路基板から剥離することを防ぐことができる表面実装型振動モータ及び表面実装型振動モータの取付構造を提供すること。 - 特許庁

The anatase type titania crystals or the rutile type titania crystals make the surface of the surface layer hydrophilic so as to show a water-wettable characteristic of about 10° or smaller in terms of a contact angle to water in response to photoexcitation by the indoor illuminating lamp.例文帳に追加

このアナターゼ型チタニア結晶またはルチル型チタニア結晶は、表面層の表面を、室内照明灯による光励起に応じて、水との接触角に換算して約１０°以下の水濡れ性を呈するべく親水性になすものである。 - 特許庁

A Si adhesive substrate is constituted by sticking one surface 20b of an N^--type high resistivity Si substrate 20 having face orientation (111) different from the Si substrate 10 on a surface 10a of an N^+-type low resistivity Si substrate 10 having face orientation (100).例文帳に追加

面方位が（１００）のＮ^＋型低比抵抗Ｓｉ基板１０の面１０ａ上に、面方位がＳｉ基板１０とは異なる（１１１）のＮ^−型高比抵抗Ｓｉ基板２０の一方の面２０ｂを貼り合わせて、Ｓｉ貼合基板を構成する。 - 特許庁

To provide a surface emission type semiconductor laser, having the characteristics of a high output, low resistance, high efficiency, and high-speed response, while satisfying the requirements for stabilizing a lateral mode, and to provide a method for manufacturing this surface emission type semiconductor laser.例文帳に追加

横モードを安定化させるという要件を満足しながら、高出力、低抵抗、高効率、かつ高速応答という特性を有する表面発光型半導体レーザ及び表面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a through hole 5 reaching the transparent electrode 3 piercing through the p-type semiconductor substrate 1 and the n-type semiconductor layer 2 is formed, so that a current can be extracted from a rear surface by a metal electrode 7a as a rear electrode formed on the second main surface side of the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

さらにｐ型半導体基板１およびｎ型半導体層２を貫通して透明電極３に至るスルーホール５を形成し、ｐ型半導体基板１の第２主面側に形成された裏面電極である金属電極７ａによって電流を裏面から取り出すことができるようにする。 - 特許庁

With the super-junction formed over the entire surface of the main surface 1a of the n+ type substrate 1, the super-junction is formed surely under a p-type base region 5 and n-type source region 6, even if the super-junction formation position deviates due to dislocation of a mask, etc., providing surely an MOSFET with withstand voltage.例文帳に追加

このように、スーパージャンクションがｎ^+型基板１の主表面１ａ全面に形成されるようにすれば、マスクずれ等によってスーパージャンクションの形成位置がずれても、必ずｐ型ベース領域５やｎ型ソース領域６の下にスーパージャンクションが形成されるため、確実にＭＯＳＦＥＴの耐圧を得ることができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a first region of a second conductivity type that is selectively provided on a first primary surface of the semiconductor layer; and a second region of the second conductivity type that is connected to the first region and is selectively provided on the first primary surface.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、第１導電形の半導体層と、前記半導体層の第１の主面に選択的に設けられた第２導電形の第１の領域と、前記第１の領域に接続して前記第１の主面に選択的に設けられた第２導電形の第２の領域と、を備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, when six surfaces of a p-n column are exposed by etching back a p-type epitaxial layer 5 buried in a deep trench 4 having a high-aspect ratio, a surface of the p-type epitaxial layer 5 is etched so as to be lower in level than a surface of a n-type epitaxial layer 2 by isotorpic etching.例文帳に追加

高アスペクト比の深いトレンチ４に埋め込んだｐ型エピタキシャル層５をエッチバックすることによりｐｎカラム６表面を露出させるときに、等方性エッチングを用い、さらにｐ型エピタキシャル層５の表面をｎ型エピタキシャル層２表面よりも低くなるようにエッチングする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

During the polishing, the damage amount on the substrate surface is measured by using at least one of damage amount measuring methods such as the photo-electric type damage amount measuring system, the photo-luminescence light type damage amount measuring system, and the Raman light type damage amount measuring system, and the progress state of the polishing is monitored from the damage reduction on the substrate surface.例文帳に追加

研磨中に、光電流式ダメージ量測定方式、フォトルミネッセンス光式ダメージ量測定方式、及びラマン光式ダメージ量測定方式の少なくとも一つのダメージ量測定方式を用いて基板表面のダメージ量を測定し、該基板表面のダメージ減少量から研磨の進行状態を監視する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

This emulsion-type coating material for coating Ajiro cable consists of water, an emulsion-type acrylic resin, an inorganic material-made pigment and a surface controlling agent, The outer packaged Ajiro braided cable is prepared by applying the coating material consisting of the water, the emulsion-type acrylic resin, the inorganic material-made pigment and the surface controlling agent on the Ajiro braided cable.例文帳に追加

上記課題は、水、エマルジョン系のアクリル性樹脂、無機物からなる顔料、及び表面調整剤からなるエマルジョン系アジロ塗布用塗料、及び、アジロに、水、エマルジョン系のアクリル性樹脂、無機物からなる顔料、及び表面調整剤からなる塗料を塗布してなるアジロ外装ケーブルによって解決される。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises a nitride semiconductor layer (a buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 and a p-type contact layer 6) formed on the front surface of a ZrB_2 substrate 1, and a protective film 9 made of a tungsten formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、ＺｒＢ_2基板１の表面上に形成された窒化物系半導体層（バッファ層２、ｎ型クラッド層３、発光層４、ｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６）と、ＺｒＢ_2基板１の裏面上に形成されたタングステンからなる保護膜９とを備えている。 - 特許庁

The transmissive screen is characterized in that a microlens array sheet on which unit lenses are two-dimensionally arranged at least on a half surface of a light-transmissive substrate is combined with a total reflection type Fresnel lens sheet made by forming total reflection type Fresnel lenses on which total reflection type Fresnel lenses are formed on a half surface of a light-transmissive substrate in the order from the light source side.例文帳に追加

光源側から、少なくとも、透光性基板の片面に単位レンズが２次元配列されてなるマイクロレンズアレイシートと、透光性基板の片面に全反射型フレネルレンズが形成されてなる全反射型フレネルレンズシートとを組み合わせてなることを特徴とする透過型スクリーンである。 - 特許庁

To provide a method for producing a glass ceramic where the glass ceramic whose surface is excellent in durability has one or more titanium oxides selected from the group consisting of an anatase type, a rutile type and a brookite type on the surface and to provide a photocatalytic functional formed body and a hydrophilic formed body containing the glass ceramic produced by the method.例文帳に追加

表面が耐久性に優れ且つアナターゼ型、ルチル型及びブルッカイト型からなる群の１種以上の酸化チタンを表面に有しているガラスセラミックスの製造方法、及びこの製造方法で製造されるガラスセラミックスを含む光触媒機能性成形体及び親水性成形体を提供する。 - 特許庁

A shortest distance between a region 31NN in which the cut portion 33 is formed in a side surface 31N of the N-type gate portion 30N and a side surface 32N of the N-type gate portion 30N is set to be shorter than the width of a portion immediately above a first active region in the N-type gate portion 30N.例文帳に追加

Ｎ型ゲート部分３０Ｎの側面３１Ｎにおける切り欠き部３３が形成されている領域３１ＮＮと、Ｎ型ゲート部分３０Ｎの側面３２Ｎとの間の最短距離は、Ｎ型ゲート部分３０Ｎにおける第１活性領域の直上の部分の幅よりも小さく設定されている。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises: an n-type epitaxial layer 8, p-type body regions 12 formed in a surface portion of the epitaxial layer 8; n-type source regions 15 formed in surface portions of the body regions 12; a gate insulating film 19 formed on the epitaxial layer 8; and gate electrodes 20 formed on the gate insulating film 19.例文帳に追加

半導体装置１は、ｎ型エピタキシャル層８と、エピタキシャル層８の表層部に形成されたｐ型ボディ領域１２と、ボディ領域１２の表層部に形成されたｎ型ソース領域１５と、エピタキシャル層８上に形成されたゲート絶縁膜１９と、ゲート絶縁膜１９上に形成されたゲート電極２０とを含む。 - 特許庁

To provide a method for producing glass ceramic where the glass ceramic whose surface is excellent in durability has one or more titanium oxide crystals selected from the group consisting of an anatase type, a rutile type and a brookite type on the surface and to provide a photocatalytic functional formed body and a hydrophilic formed body containing the glass ceramic produced by the method.例文帳に追加

表面が耐久性に優れ且つアナターゼ型、ルチル型及びブルッカイト型からなる群の１種以上の酸化チタン結晶を表面に有しているガラスセラミックスの製造方法、及びこの製造方法で製造されるガラスセラミックスを含む光触媒機能性成形体及び親水性成形体を提供する。 - 特許庁

Further, the substrate has, in the substrate, a first conductivity type source region 121 formed below the first upper surface, a second conductivity type drain region 121 formed below the second upper surface, and a second conductivity type lateral diffusion region 123 formed between the step lateral face S3 and the source region 121.例文帳に追加

さらに、基板内において、第１上面の下方に形成された第１導電型のソース領域１２１と、第２上面の下方に形成された第２導電型のドレイン領域１２２と、段差側面Ｓ３とソース領域１２２との間に形成された第２導電型の側方拡散領域１２３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor light receiving element 1 includes an n-type semiconductor substrate 101, a mesa-like light receiving region 110 formed on the n-type semiconductor substrate 101, a light receiving surface 119 provided on the upper surface of the light receiving region 110, and a p-type electrode 112 formed on the light receiving region 110.例文帳に追加

本実施形態の半導体受光素子１は、ｎ型半導体基板１０１と、ｎ型半導体基板１０１に形成されたメサ状の受光領域１１０と、受光領域１１０の上面に設けられた受光面１１９と、受光領域１１０上に形成されたｐ型電極１１２と、を有する。 - 特許庁

Heavily doped p-type impurity layers are formed on the opposite sides of a silicon substrate 21 such that the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21b on the surface where a diaphragm 10 is not formed is lower than the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21a on the surface where the diaphragm 10 is formed.例文帳に追加

振動板１０を形成しない面の高濃度ｐ型不純物層２１ｂの不純物のドース量が振動板１０を形成する面の高濃度ｐ型不純物層２１ａの不純物のドース量よりも小さくなるように、シリコン基板２１の両面に高濃度ｐ型不純物層を形成した。 - 特許庁

To provide a method for producing a glass ceramic where the glass ceramic whose surface is excellent in durability has one or more titanium oxide crystals selected from the group consisting of an anatase type, a rutile type and a brookite type on the surface and to provide a photocatalytic functional formed body and a hydrophilic formed body containing the glass ceramic produced by the method.例文帳に追加

表面が耐久性に優れ且つアナターゼ型、ルチル型及びブルッカイト型からなる群の１種以上の酸化チタン結晶を表面に有しているガラスセラミックスの製造方法、及びこの製造方法で製造されるガラスセラミックスを含む光触媒機能性成形体及び親水性成形体を提供する。 - 特許庁

It is possible to certainly hold the plat type material W1 by making a closed area of a step part 5a against a side surface of the plate type material W1 and a lower surface of it optimum by using it by reducing a step difference A on the step part 5a of the step mouthpiece 5 in the case of holding the plate type material W1.例文帳に追加

板状の素材Ｗ_1を挟持する場合には、ステップ口金５の段部５ａにおける段差Ａを小さくして使用することにより、板状の素材Ｗ_1の側面および下面に対する段部５ａの密着面積を最適なものとして、板状の素材Ｗ_1を確実に把持することができる。 - 特許庁

The method includes immersing a substrate having a miscut surface into a reaction solution containing a precursor compound for a perovskite-type ferroelectric and water, and implementing a hydrothermal reaction in the reaction solution at a temperature lower than the phase transition temperature of the perovskite-type ferroelectric, thereby a perovskite-type ferroelectric layer is formed on the miscut surface of the substrate.例文帳に追加

ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む反応液に、ミスカット表面を持つ基板を浸漬した後、ペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で反応液を水熱合成することにより、基板のミスカット表面上にペロブスカイト型強誘電体層が形成される。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 having an n-type conductivity type is formed by a specific film thickness and specific impurity concentration on a semiconductor substrate 1 having an n-type conductivity, a surface protection film 5 is formed on the epitaxial layer 2, and an opening 6 reaching the epitaxial layer 2 is formed at the surface protection film 2.例文帳に追加

ｎ型の導電型を有する半導体基板１上に所定の膜厚および所定の不純物濃度でｎ型の導電型を有するエピタキシャル層２を形成し、エピタキシャル層２上に表面保護膜５を形成した後、表面保護膜５にエピタキシャル層２に達する開口部６を形成する。 - 特許庁

An MOSFET type semiconductor device includes a semiconductor substrate of a first conductive type, an epitaxial layer of the first conductive type, a first semiconductor region of a second conductive type and a second semiconductor region of the first conductive type formed in the epitaxial layer, and a trench formed from a surface of the epitaxial layer through the second semiconductor region and the first semiconductor region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ型半導体装置が、第１導電型の半導体基板、第１導電型のエピタキシャル層、エピタキシャル層に形成された第２導電型の第１半導体領域と第１導電型の第２半導体領域、エピタキシャル層の表面から第２半導体領域と第１半導体領域を貫いて形成されたトレンチとを有する。 - 特許庁

The n-type high-density region HR has higher n-type impurity density than the n^- epitaxial layer EP, is disposed between the p-type back gate region BG and n-type drain region DR, and has peak density at a deeper position from the principal surface 12 than a pn junction portion of the p-type back gate region BG and n^+ source region SR.例文帳に追加

ｎ型高濃度領域ＨＲは、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰよりも高いｎ型不純物濃度を有し、ｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ型ドレイン領域ＤＲとの間に位置し、かつｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ^+ソース領域ＳＲとのｐｎ接合部よりも主表面１２から深い位置にピーク濃度を有している。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photovoltaic device in pin junction structure with amorphous silicon as a main material, a p-type layer 3 is formed and then hydrogen plasma treatment is made to the p-type layer 3, then CO2 plasma treatment is made for oxidizing a p-type layer surface, and a buffer layer 4a is formed between the p-type layer and an i-type layer.例文帳に追加

非晶質シリコンを主材料としたｐｉｎ接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、ｐ型層３を形成後にこのｐ型層３に水素プラズマ処理を施し、その後ＣＯ_2プラズマ処理を行いｐ型層表面を酸化させて、ｐ型層とｉ型層との間のバッファ層４ａを形成する。 - 特許庁

To correct the curved surface shape of a trim surface which has an arbitrary type and an arbitrary order so that it approximates to the border curve of the trim surface without altering the border curve of the trim surface while holding shape features of the curved surface even when the number of border curves is not three or four.例文帳に追加

境界曲線数が３本あるいは４本以外であっても任意タイプや任意次数をもつトリム面の曲面形状をそのトリム面の境界曲線を変更しないで、しかも曲面の形状特徴を保持したまま境界曲線に近づくよう修正することができるようにする。 - 特許庁

The method for producing the silicon carbide member comprises the steps of: subjecting the β-type silicon carbide member to surface treatment; and heat-treating the β-type silicon carbide member subjected to surface treatment at 1,400-1,900°C in an atmosphere containing Si to promote the grain growth of silicon carbide on the surface of the β-type silicon carbide member.例文帳に追加

本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、β型炭化ケイ素部材を表面加工する工程と、この表面加工を施したβ型炭化ケイ素部材を、Ｓｉを含有する雰囲気中において１４００〜１９００℃の加熱温度で熱処理することにより、β型炭化ケイ素部材の表面における炭化ケイ素の粒成長を促進させる工程と、を含む。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 3 includes a first semiconductor region 11, that is formed by selectively introducing impurities onto the main surface of an n^--type epitaxial layer 2, and is formed to a prescribed depth from the main surface of the n^--type epitaxial layer 2; and a plurality of second semiconductor regions 12, projecting toward the depthwise direction from a bottom surface 13 in the first semiconductor region 11.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域３は、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面上に不純物を選択的に導入することによって形成され、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面から所定の深さにまで形成された第１半導体領域１１と、第１半導体領域１１における底面１３から更に深部方向へと突出する複数の第２半導体領域１２とを含む。 - 特許庁