「termination layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

That is to say, "Zr/(Zr+Ti)" is larger than 0.5 as to the composition of the termination layer 55, and Zr is excessively included in the termination layer 55 relative to equilibrium composition.例文帳に追加

即ち、終端層５５の組成について、「Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）」は０．５よりも大きく、終端層５５には、平衡組成よりもＺｒが過剰に含有される。 - 特許庁

LINK AND SYSTEM AND METHOD FOR MEDIUM ACCESS CONTROL LAYER PROCESSING TERMINATION PROCEDURE例文帳に追加

リンクおよび媒体アクセス制御層処理終了手順のためのシステムおよび方法 - 特許庁

The first insulating layer 18 contains a termination material that terminates a dangling bond the semiconductor layer 4 has.例文帳に追加

第１絶縁層１８は、半導体層４が有するダングリングボンドを終端させる終端材料を含んでいる。 - 特許庁

An overlap display control unit 12, when a start layer with interlayer wiring started therefrom through input of a VIA and a termination layer as a termination of the interlayer wiring through the VIA are selected, displays a wiring image of at least one of layers ranging from the start layer to the termination layer so as to overlap on a wiring image of the start layer.例文帳に追加

重ね表示制御部１２は、ＶＩＡの入力により層間配線が開始される開始層と、ＶＩＡを介する層間配線の終端とする終端層とが選択された場合に、開始層から終端層までの層のうち少なくとも１つの層の配線画像を開始層の配線画像に重ねて表示させる。 - 特許庁

Thereafter, a termination structure oxide layer 150 is formed through vapor deposition, lithographic process and etching.例文帳に追加

蒸着、リソグラフィック及びエッチングプロセスにより、終端構造酸化層１５０を形成する。 - 特許庁

To make it possible to commonly use a termination unit for connecting high rank layer nodes and a termination unit for connecting with communication nodes outside of a cluster node.例文帳に追加

上位レイヤノード間を接続するための終端部と、クラスタノード外の通信ノードと接続するための終端部とを共用可能にする。 - 特許庁

To form a layer of a high-κ dielectric material on an H termination silicon without forming a low-κ interface layer.例文帳に追加

低κ界面層を形成することなく、Ｈ終端シリコン上に高κ誘電材料の層を形成すること。 - 特許庁

Furthermore, a metal film is formed in contact with the surface of the gallium nitride layer 2 having been subjected to the termination treatment.例文帳に追加

次に、終端処理した窒化ガリウム層２の表面に接する金属膜を形成する。 - 特許庁

The first insulation layer 48 is formed in the upper side of the semiconductor layer 24 including a termination material for terminating the dangling bond at the interface of the semiconductor layer 24.例文帳に追加

第１絶縁層４８は、半導体層２４よりも上側に形成され、半導体層２４の界面のダングリングボンドを終端させる終端材料を含む。 - 特許庁

Further, the surface of the gallium nitride layer 2 exposed on the bottom surface of the through hole 6 is subjected to a termination treatment using chlorine.例文帳に追加

次に、貫通孔６の底面に露出した窒化ガリウム層２の表面を塩素で終端処理する。 - 特許庁

The buffer layer includes a step part that extends over a buried part of the junction termination extension.例文帳に追加

前記バッファ層は、前記接合終端拡張領域の埋め込み部分上を延びる階段部分を含む。 - 特許庁

In the termination area, an edge portion of an electrode layer formed on the pillar structure with an inter-layer insulating layer interposed to connect with a gate of a transistor or a bent portion of <180° is formed right above the second semiconductor layer of the second conductivity type of the pillar structure in the termination region.例文帳に追加

終端領域において、トランジスタのゲートと接続するためピラー構造上に層間絶縁層を介し形成された電極層のエッジ部、又は１８０度未満の屈曲部が、終端領域におけるピラー構造の第２導電型の半導体層の直上に形成されている。 - 特許庁

In a region that includes the boundary between the cell portion and the termination portion and includes three or more pillar layers among the n pillar layer 3, the p pillar layer 4, the n pillar layers 21, and the p-pillar layers 22 that are arranged in a row, the impurity concentration of each pillar layer is lower as approaching the pillar layer arranged at the termination portion side.例文帳に追加

セル部と終端部との境界を含み、ｎピラー層３、ｐピラー層４、ｎピラー層２１、ｐピラー層２２のうち、連続して配列された３層以上のピラー層を含む領域において、各ピラー層の不純物濃度は、終端部側に配置されたピラー層ほど低い。 - 特許庁

The termination node 1 sets a universal layer 102 across all the domains 10 inside the multi-domain network 100.例文帳に追加

終端ノード１は、マルチドメインネットワーク１００内の全てのドメイン１０をまたいだユニバーサルレイヤ１０２を設定する。 - 特許庁

A standoff 18 is provided between the first bottom electrode termination and second bottom electrode termination, and attached to the passivation layer so that it serves as a support of an electronic component at the time of packaging.例文帳に追加

第１ボトム電極成端部と第２ボトム電極成端部との間にスタンドオフ１８を設け、パシベーション層に装着し、これによって実装時、電子コンポーネントの支持体とする。 - 特許庁

In a gas piping termination structure 1, a protection layer 21 and a reinforcing layer 19 in a prescribed range of an end of gas piping 3 are peeled.例文帳に追加

ガス用配管端末構造１においては、ガス用配管３の端部の所定範囲における保護層２１および補強層１９が剥離される。 - 特許庁

In a vertical MOSFET composed of a cell portion and a termination portion, a super-junction structure in which an n pillar layer 3 and a p pillar layer 4 are provided in the cell portion and n pillar layers 21 and p pillar layers 22 are provided in the termination portion is formed.例文帳に追加

セル部及び終端部からなる縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、セル部にｎピラー層３及びｐピラー層４を設け、終端部にｎピラー層２１及びｐピラー層２２を設けたスーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

When determining termination of the image restoring processing, the termination is determined based on only specific distance layer based on the information about the distance measured by the distance measuring part 2 or per distance layer based on the information about the distance.例文帳に追加

そして、画像復元処理の終了判定を行う場合には、距離計測部２によって計測された距離情報に基づく特定の距離レイヤのみ又は距離情報に基づく距離レイヤ毎に終了判定を行う。 - 特許庁

On a base film 51, a lower electrode 52 formed of Ir, an initial layer 53 of a PZT film, a core layer 54, a termination layer 55 and an upper electrode 56 formed of IrO_2 are formed.例文帳に追加

下地膜５１上に、Ｉｒからなる下部電極５２、ＰＺＴ膜の初期層５３、コア層５４及び終端層５５、並びにＩｒＯ_2からなる上部電極５６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first epitaxially-grown layer 20 with a silicon carbide; the termination structure 30, which is provided on a surface part of the first epitaxially-grown layer 20; a second epitaxially-grown layer 40, which is provided on the termination structure 30 and has the silicon carbide; and an insulating layer 50, which is provided on the second epitaxially-grown layer 40.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、炭化珪素を含む第１エピタキシャル成長層２０と、第１エピタキシャル成長層２０の表層部に設けられた終端構造３０と、終端構造３０の上に設けられ、炭化珪素を含む第２エピタキシャル成長層４０と、第２エピタキシャル成長層４０の上に設けられた絶縁層５０とを備える。 - 特許庁

The termination trenches 12a-12c are disposed at an interval, where a depletion layer is connected in discontinuity of a circuit element.例文帳に追加

終端トレンチ１２ａ〜１２ｃは、回路素子の非導通時に空乏層がつながる間隔を隔てて配置されている。 - 特許庁

To enlarge a depletion layer in a small dead space at the n(-) side of a termination region, and to suppress increase of leakage currents.例文帳に追加

ターミネーション領域のｎ(-)側に少ないデッドスペースで空乏層を拡げると共に、リーク電流の増加を抑制する。 - 特許庁

The defect-termination blocks 4 are made of a material which is different in the removal rate from that of the first epitaxial layer 3.例文帳に追加

この欠陥停止ブロック４は除去速度が第１のエピタキシャル層３のものとは異なる物質で作られている。 - 特許庁

Alternatively, a new packet is transmitted using the released layer by utilizing time till termination of transmission of the non-terminated packet.例文帳に追加

または、送信未完了パケットの送信が完了するまでの時間を活用して、空きレイヤで新規パケットを送信する。 - 特許庁

A vertical MOSFET comprising a cell and a termination has a superjunction structure formed by providing the cell with an (n) pillar layer 3 and a (p) pillar layer 4 alternately in a lateral direction.例文帳に追加

セル部及び終端部からなる縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、セル部にｎピラー層３及びｐピラー層４を横方向に交互に設け、スーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

In immediate proximity to the starting part for removing the jacket layer, the optical fiber 32 is cut, with the cut end part subjected to the nonreflective termination processing.例文帳に追加

ジャケット層の除去開始部の直近で光ファイバ３２を切断し、その切断端部に無反射終端処理を施す。 - 特許庁

To increase the margin of the amount of etching for removing a damage layer occurring on a surface of a termination region in manufacturing a silicon carbide semiconductor device having the termination region that is a JTE region or a FLR.例文帳に追加

ＪＴＥ領域またはＦＬＲである終端領域を備える炭化珪素半導体装置の製造において、終端領域表面に生じたダメージ層を除去するエッチング量のマージンを大きくする。 - 特許庁

In a power MOSFET 1, an oxide film 10 partitioning a region Rt at the termination is formed directly on a drift layer 102.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ１において、終端部の領域Ｒｔを画定する酸化膜１０をドリフト層１０２の上に直接形成する。 - 特許庁

To adjust a termination resistance to a desired value with respect to the variation in resistance values among interconnection layer resistors and the variation in on-state resistance values among transistors.例文帳に追加

配線層抵抗およびトランジスタのオン抵抗の抵抗値のばらつきに対し、所望の終端抵抗値になるように調整する。 - 特許庁

In this system, a physical layer processor 1-1-1-n retrieves a packet by processing a SDH termination as a physical layer process of OSI referring model for input data of respective HW.例文帳に追加

物理レイヤ処理部１−１〜１−ｎは、各ＨＷ毎の入力データに対しＯＳＩ参照モデルの物理レイヤ処理としてＳＤＨ終端を行ってパケットを抽出する。 - 特許庁

The first FLR layer 4 is provided on a first primary surface of the first semiconductor layer 2 in the termination region, surrounds the element region, and is electrically connected to the first electrode 9.例文帳に追加

第１のＦＬＲ層４は、終端領域において第１の半導体層１の第１の主面に設けられ、素子領域を取り囲み、第１の電極９と電気的に接続される。 - 特許庁

A MOSFET has a plurality of well regions 20 formed in a drift layer 2, and a region contiguous to the region between the well regions 20 in the drift layer 2 becomes a junction termination extension (JTE) region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、ドリフト層２に形成された複数のウェル領域２０を有し、ドリフト層２におけるウェル領域２０間に隣接する領域がＪＴＥ領域となる。 - 特許庁

Further, the element termination region 200 is terminated by a p-type low-impurity concentration layer 500 at a predetermined distance from the trench 700.例文帳に追加

さらに、素子終端領域２００は、トレンチ７００と所定距離を隔てたｐ−型低不純物濃度層５００で終端されている。 - 特許庁

The mobile DDR 310 and the DDR2 (320) are connected to the physical layer (PHY) block 220 of a memory controller 200 without signal termination.例文帳に追加

メモリコントローラ２００の物理層（ＰＨＹ）ブロック２２０にはモバイルＤＤＲ３１０およびＤＤＲ２（３２０）が信号終端せずに接続される。 - 特許庁

In the etching of this polysilicon layer, moreover, the first part of the gate interconnect region is formed in the trench part of the termination area, and the second part of the gate interconnect region is formed outside the trench in the termination area.例文帳に追加

このポリシリコン層のエッチングは、また、前記ゲートインターコネクト領域の第一部分を前記ターミネーションエリアの前記トレンチ部分に形成し、ゲートインターコネクト領域の第二部分を前記ターミネーションエリアにおける前記トレンチの外側に形成する。 - 特許庁

At least one adhesive pool 12 is formed on a joining face between a 1st matching layer 3 and a 2nd matching layer 4 disposed above a termination region 6 of a piezoelectric vibration layer 2 in the 1st matching layer 3 and/or the 2nd matching layer 4 and an adhesive 13 is filled in the adhesive pool 12.例文帳に追加

第一整合層３及び／又は第二整合層４の、圧電振動体層２の端部領域６の上方側に位置する第一整合層３と第二整合層４との接合面に少なくとも一個の接着剤溜まり１２を形成し、接着剤溜まり１２に接着剤１３を充填する。 - 特許庁

At a second process termination point (c), the pattern widths of the mask layer and the anti-reflection coating are uniformly adjusted in the entire region of a wafer regardless of pattern densities.例文帳に追加

第２工程終了時点（ｃ）では，マスク層および反射防止膜のパターン幅は，パターン密度に関わらず，ウェハ全域で均一に調整される。 - 特許庁

The first coating is sufficiently hardened to match the fracture characteristics of the silica core and cladding layer to facilitate crimp and cleave termination.例文帳に追加

第１の被覆はクリンプおよびクリープによる終端を容易にするためにシリカのコアおよびクラッド層の破断特性に適合するよう十分に硬化させられる。 - 特許庁

The LAC frames of various sizes are transmitted to the MAC sub layer and a data unit (RLP PDU) of a radio link protocol transmitted to a receiver termination is generated.例文帳に追加

様々なサイズのＬＡＣフレームは、ＭＡＣ副層に伝送され、受信終端に伝送される無線リンク・プロトコルのデータユニット（ＲＬＰ ＰＤＵ）が生成される。 - 特許庁

The interval between the termination trench 12c positioned at an outermost place and the dividing trench 12d is an interval, where the depletion layer is not connected in the discontinuity of the circuit element.例文帳に追加

最も外側に位置する終端トレンチ１２ｃと分断トレンチ１２ｄとの間隔は、回路素子の非導通時に空乏層がつながらない間隔である。 - 特許庁

After termination of a predefined period of time the diffused copper and the tin from the liquid solder form a connection layer comprising intermetallic copper-tin phases.例文帳に追加

所定の時間が終了した後、この液状のはんだから拡散された銅および錫が、金属間化合物銅錫相を含む接続層を形成する。 - 特許庁

When the semiconductor device 10 is turned off, the width of the layer thickness direction of a depletion region formed on the semiconductor intermediate layer 27 of the termination region 14 and the reserve layer 39 is larger than the width in a layer thickness direction of the depletion region formed in the cell region 12.例文帳に追加

半導体装置１０がオフしたときに、終端領域１４の半導体中間層２７とリサーフ層３９に形成される空乏化領域の層厚方向の幅が、セル領域１２に形成される空乏化領域の層厚方向の幅よりも大きいことを特徴としている。 - 特許庁

To neutralize adverse effect of the boundary surface charges in an insulation layer such as an oxide film in an edge termination structure for a silicon carbide device, and to reduce or eliminate the impact on the change of oxide film charges in a multiple floating guard ring termination.例文帳に追加

炭化ケイ素デバイスのためのエッジ終端構造において、酸化膜などの絶縁層の境界面電荷の悪影響を中和し、多重フローティングガードリング終端では、この酸化膜電荷の変化に対する影響を少なくし、又は影響をなくす。 - 特許庁

Then a trench 3 is provided between the high-breakdown-voltage junction edge termination structure portion 36, and an n^+ source layer 6 and an n^+ drain layer 7 of a level shift circuit 34 provided to a portion of the high-potential gate driver circuit 33.例文帳に追加

そして、この高耐圧接合終端構造部３６と、高電位ゲート駆動回路３３の一部に設けられたレベルシフト回路部３４のｎ^+ソース層６とｎ^+ドレイン層７の間と、にトレンチ３が設けられている。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte secondary battery is so structured that the collector of the positive electrode plate without having the electrode mix layer is coated with an insulating member; and the electrode mix layer of the negative electrode plate and the collector termination part thereof are made to face each other by intervening the separator therebetween.例文帳に追加

電極合剤層のない正極板の集電体が、絶縁部材にて被覆され、セパレータを介して負極板の電極合剤層及び集電体終端部と対向するように構成する。 - 特許庁