「termination layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A data frame from the user LAN is fed to a first port 422 of a MAC (media access control) switch 404 via an optical physical layer termination section 402 terminating an optical fiber transmission line.例文帳に追加

ユーザＬＡＮからのデータフレームは、光ファイバ伝送路を終端する光物理層終端部４０２を介してＭＡＣスイッチ４０４の第１のポート４２２に供給される。 - 特許庁

In each p-type epitaxial buried layer 123 at the termination section 5, the p-type horizontal resurf region 130 does not exist, at least on one portion of a surface section, thus making it without overlap.例文帳に追加

終端部５の各ｐ型エピタキシャル埋込層１２３は、表面部の少なくとも一部にｐ型横型リサーフ領域１３０が存在せずオーバーラップがない状態にする。 - 特許庁

The plated termination in question is guided and fixed by an exposed internal electrode tab that can be selectively extended on a cover layer of the multilayer component and an anchor tab.例文帳に追加

主題のめっきターミネーションは、多層コンポーネントのカバー層に選択的に延在させることができる露出内部電極タブと追加のアンカータブによってガイドされ固定される。 - 特許庁

A data frame from the broadband LAN is fed to a third port 426 of the MAC switch 404 via an electric physical layer termination section 406 terminating an electric transmission line.例文帳に追加

広域ＬＡＮからのデータフレームは、電気伝送路を終端する電気物理層終端部４０６を介してＭＡＣスイッチ４０４の第３のポート４２６に供給される。 - 特許庁

Accordingly, it is possible to form a structure in which the electric field cannot be centralized easily at the boundary location of the termination structure and the p-type layer 8 in view of obtaining higher surge withstand voltage.例文帳に追加

したがって、終端構造とｐ型層８との境界位置で電界集中がし難くなる構造にでき、より高いサージ耐圧を得ることが可能となる。 - 特許庁

The belt layer is an endless belt layer formed by arranging the steel cord 1 without cutting it on both end of a belt layer width direction, and an arrangement start end E1 and an arrangement termination end E2 of the steel cord 1 in the endless belt layer is adjacently arranged at a distance of 50 mm or less, preferably 20 mm or less.例文帳に追加

ベルト層が、スチールコード１をベルト層幅方向両端で切断せずに配置して形成してなるエンドレスベルト層であり、かつ、エンドレスベルト層におけるスチールコード１の配置開始端Ｅ１および配置終了端Ｅ２が、５０ｍｍ以内、好適には２０ｍｍ以内の距離に近接して配置されている。 - 特許庁

To provide a circuit board device and a design-supporting device for inhibiting spurious radiation caused by a power supply and a ground layer with less number of termination elements even if the shape of the power supply and the ground layer of the circuit board is complex.例文帳に追加

回路基板の電源・グランド層の形状が複雑となる場合でも、少ない数の終端素子で電源・グランド層に起因する不要放射を抑制することができる回路基板装置及び設計支援装置を提供する。 - 特許庁

In the exothermic pipe 1 that is formed by printing an insulating layer 10, exothermic resistor 22 and a protective layer 30 in this order on a surface of a base material pipe 3, the exothermic resistor 22 is formed to avoid printing unevenness 11 of printing termination position E10 of the insulating layer 10.例文帳に追加

基材パイプ３の表面に絶縁層１０、発熱抵抗体２２及び保護層３０をこの順に印刷により形成したパイプ型発熱体１において、絶縁層１０の印刷終了位置E１０の印刷ムラ１１を避けるように発熱抵抗体２２を形成する。 - 特許庁

The second electrode is connected to the active region and the spacer through a conductive inter-layer oxide layer, and a curved region of a depression region is formed so as to be separated from the boundary of the active region by a predetermined length and so as to cover the active region, the spacer and a portion of the termination structure oxide layer 245.例文帳に追加

第２の電極は、導電層間酸化層を介して、活性領域及びスペーサに接続し、空乏領域の湾曲領域が活性領域の境界から所定の長さ離間するように、活性領域、スペーサ及び終端構造酸化層の一部を覆うように形成されている。 - 特許庁

When termination of PHS communication is detected by the signal from the upper layer unit, it returns to step 11, after the parameter of the report base station number is reset to the initial value (step S14).例文帳に追加

ＰＨＳ通信の終了を上位レイヤ部からの信号により検知した場合は、報告基地局数のパラメータを初期値に戻した後（ステップＳ１４）、ステップ１１に戻る。 - 特許庁

To provide a structure whose barrier metal cannot be peeled off, in a Schottky barrier type semiconductor device where the termination treatment of a depletion layer has been made by utilizing field plate structure and in the method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

フィールドプレート構造を利用して空乏層の終端処理が施されたショットキーバリア型半導体装置とその製造方法において、バリアメタルが剥がれない構造を提供する。 - 特許庁

An edge termination structure for a silicon carbide device has a plurality of concentric circle floating guard rings in a silicon carbide layer, the floating guard rings neighboring to and being spaced apart from a silicon carbide-based semiconductor junction.例文帳に追加

炭化ケイ素ベースの半導体接合に近接し、この半導体接合から間隔をおいて配置された、炭化ケイ素層中の複数の同心円のフローティングガードリングを有する。 - 特許庁

The tape has a photocrosslinkable antistatic adhesive layer on one side of a substrate film, which comprises a (meth) acrylate oligomer having a polyalkylene oxide chain the termination of which is converted to an alkoxide.例文帳に追加

基材フィルムの片面に、末端アルコキシド化されたポリアルキレンオキサイド鎖を有する（メタ）アクリレートオリゴマーを含んでなる光架橋型帯電防止粘着剤層を有する帯電防止ダイシングテープ。 - 特許庁

A non-aqueous electrolyte secondary battery contains polydimetyl siloxane having carboxyl radical or amide radical as a functional group at the termination at least in one of a positive electrode active material layer 2 and negative electrode active material layer 4 and coronate-L as a bridging agent.例文帳に追加

正極活物質層又は負極活物質層の少なくとも一方に、末端の官能基としてカルボキシル基またはアミド基を有するポリジメチルシロキサンと、架橋剤としてコロネートＬを含有する非水電解液二次電池を作製する。 - 特許庁

A deposited semiconductor surface layer is treated and annealed in the alkyl environment of a chemical vapor deposition chamber to passivate the surface layer of a semiconductor, by combining an adhesive alkyl termination chemical object to silicon on the semiconductor surface layer to accelerate the passivation of the surface.例文帳に追加

蒸着した半導体表面層は、表面の脱ヒドロキシル化を促進する目的で、半導体表面層上で、シリコンに付着アルキル終端化学的物体を結合することによって半導体の表面層を不動態化するために、化学蒸着チャンバのアルキル環境内で処理され、焼き鈍される。 - 特許庁

In the first layer winding 41, a winding termination 411 positioned at the other side D2 of the axial direction is engaged on an external periphery protrusion 32 formed so as to protrude from an external peripheral surface 31 of the primary spool 3.例文帳に追加

一層目巻線部４１は、その軸方向他方側Ｄ２に位置する巻終端部４１１が、一次スプール３の外周面３１から突出形成した外周突起部３２に係止してある。 - 特許庁

The first FLR layer 4 has a current blocking structure that is parallel to the first primary surface and prevents current flowing in a first direction toward the outside of the termination region from the element region.例文帳に追加

第１のＦＬＲ層４は、第１の主面に平行で素子領域から終端領域の外側へ向かう第１の方向に流れる電流を抑制する電流阻止構造体を有する。 - 特許庁

A push-aside display control unit 13 monitors whether or not a predetermined time determined from the operation time extracted by the operation time extraction unit 11 has elapsed after selection of the termination layer.例文帳に追加

押退け表示制御部１３は、終端層が選択された後に操作時間抽出部１１によって抽出された操作時間から定まる所定時間が経過したか否かを監視する。 - 特許庁

Then, an alloy layer 15 with the nickel-based plating 11 made into an exposed state to the tilted surface 13b to the termination 13a of the tin-based plating 13 including the stranding part 16 is formed.例文帳に追加

そして、前記乗り上げ部１６を含む前記錫系メッキ１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂに露出状態となった、前記ニッケル系メッキ１１との合金層１５を形成する。 - 特許庁

Thus, when a contact is made with a high-resistance polysilicon layer 1 by etching the film 2, the films 21 and 23A exhibit a small termination effect, through which the films 21 and 23A becomes stabilized by bonding hydrogen atoms thereto.例文帳に追加

このため、層間絶縁膜２をエッチングして高抵抗のポリシリコン層１とコンタクトを取る際に、シリコン酸化膜２１、２３Ａは、水素原子を結合して安定化する終端化効果が小さい。 - 特許庁

Thus, the optical conversion repeater 50 sets its electric physical layer termination section 510 with respect to the user LAN to a loopback state and transmits a reply packet in response to the start packet to the optical conversion bridge 40.例文帳に追加

これにより、光変換リピータ５０はユーザＬＡＮとの電気物理層終端部５１０をループバック状態に設定し、起動パケットに対する応答パケットを光変換ブリッジ５０に送信する。 - 特許庁

This method comprises switch nodes with respect to a network layer wavelength routing(WR) protocol and obtains a next hop switch node as to all possible combinations of termination nodes on the basis of a network topology.例文帳に追加

本方法は、ネットワーク層波長ルーティング（ＷＲ）プロトコルに関与するスイッチ・ノードを含み、ネットワーク・トポロジに基づいて終端ノードのすべての可能な組合せについてネクスト・ホップ・スイッチ・ノードを求める。 - 特許庁

The positive electrode lead is welded to a plain-colored part formed by removing a part rich in a positive electrode active material of a positive electrode active material layer termination part applied by intermittent application, and the lead is covered with an insulating tape.例文帳に追加

正極リードを間欠塗着により塗着した正極活物質層終端部の正極活物質のリッチな部分を除去した無地部に溶接し、絶縁テープで前記リードを被覆する。 - 特許庁

Then, the termination of an OH group on the silicon substrate surface is allowed to react to silazane with a hydrocarbon group containing the metal element, and an organic molecule layer containing the metal element is formed on the silicon substrate surface.例文帳に追加

引き続き、シリコン基板表面のOH基終端と金属元素を含む炭化水素基を有するシラザンとを反応結合させ、シリコン基板表面に金属元素を含む有機分子層を形成する。 - 特許庁

This stress-relief cone is used for the joint or the termination of a DC plastic insulated cable having a polyethylene insulating layer and made of extra-low density polyethylene.例文帳に追加

ポリエチレン絶縁層を有する直流用のプラスチック絶縁ケーブルの中間部又は終端部の接続に用いるストレスコーンにおいて、上記ストレスコーンを、超低密度ポリエチレンで形成したものである。 - 特許庁

To neutralize detrimental effects of charges at a interface between an insulating layer including an oxide film and a semiconductor layer in edge terminations for silicon carbide devices, and reduce the effect of the oxide film charges, or eliminate the sensitivity against the oxide film charges, at a multiple floating guard ring termination.例文帳に追加

炭化ケイ素デバイスのためのエッジ終端構造において、酸化膜などの絶縁層の境界面電荷の悪影響を中和し、多重フローティングガードリング終端では、この酸化膜電荷の変化に対する影響を少なくし、又は影響をなくす。 - 特許庁

To provide a fluidized-bed dryer capable of effectively separating and removing elongated foreign matter remaining in a granule layer to be dried such as straw from the granule layer to be dried at a termination side of a fluid guide passage for the granule to be dried.例文帳に追加

被乾燥粒状物層に残留する例えば藁屑のように細くて長い侠雑物を、被乾燥粒状物の流動案内路の終端側で被乾燥粒状物層から効果的に分離除去することができる流動層乾燥装置を提供する。 - 特許庁

The termination structure includes: a trench 220; a MOS gate 240 formed on the sidewall of the trench 220 as a spacer; a termination structure oxide layer 245 formed so as to cover the spacer and a portion of the bottom of the second trench 220; and first and second electrodes respectively formed on the back surface and the front surface 260 of a semiconductor substrate.例文帳に追加

終端構造は、トレンチ２２０と、このトレンチ２２０の側壁にスペーサとして形成されたＭＯＳゲート２４０と、スペーサ及び第２のトレンチ２２０の底面の一部を覆うように形成された終端構造酸化層２４５と、半導体基板の背面及び表面２６０にそれぞれ形成された第１及び第２の電極とを備える。 - 特許庁

A trench T2 formed with depth equal to that of a P-type base layer 13 or more and an embedded field insulating film 20 formed inside the trench T2 are formed in a termination region enclosing the element region.例文帳に追加

この素子領域を囲う終端領域には、Ｐ型ベース層１３と同等以上の深さをもって形成されたトレンチＴ２と、このトレンチＴ２内に形成される埋め込みフィールド絶縁膜２０とが形成されている。 - 特許庁

Immediately after finishing transfer of an overcoat layer, the thermal head is made to transit to the retreat posture after a termination position Pe of a print area of roll paper passes a prescribed position Ph in a conveying direction of the roll paper for print.例文帳に追加

オーバーコート層の転写終了直後は、印画のためのロール紙の搬送方向において、ロール紙の印画領域の終端位置Ｐｅが所定位置Ｐｈを通過してから、サーマルヘッドを退避姿勢に遷移させる。 - 特許庁

To improve a filling state of a filling termination of phosphor paste and to prevent wasteful consumption of the phosphor paste by improving the liquid draining of the phosphor paste in a phosphor layer filling device and filling method of a plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの蛍光体層充填装置及び充填方法において、蛍光体ペーストの液切れを良くして、蛍光体ペーストの充填終了端の充填状態を良好にすると共に、蛍光体ペーストの無駄な消費を防ぐ。 - 特許庁

To solve the problem that a termination structure provided with a JTE layer greatly deteriorates in breakdown voltage since a level and a defect present in an interface between a semiconductor layer and an insulating film or a fine amount of an external impurity in the insulating film or entering from outside up to the semiconductor interface through the insulating film becomes a generation source for a leakage current and a high current due to breakdown.例文帳に追加

ＪＴＥ層を設けた終端構造では、半導体層と絶縁膜との界面に存在する準位及び欠陥、又は、絶縁膜中若しくは外部から絶縁膜を通して半導体界面まで浸入してくる微量な外来不純物が漏れ電流の発生源及び降伏点となってしまい耐圧が大幅に劣化する。 - 特許庁

In the manufacturing method for an organic EL element, oxygen density and moisture density in an atmosphere of a precursor of the organic EL element from starting of one process implemented in advance out of the light-emitting layer formation process and the neighboring layer formation process to termination of the other process are respectively maintained at 1,000 ppm or below as a volume ratio.例文帳に追加

前記発光層形成工程および前記隣接層形成工程のうちの先に行われる一方の工程の開始から他方の工程の終了までの、有機ＥＬ素子の前駆体の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ１０００ｐｐｍ以下に保つことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device that hardly causes peeling of a drain electrode and a source electrode even when the drain electrode and source electrode using copper are exposed on a substrate when performing hydrogen termination processing of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の水素終端処理をする際に、銅が用いられたドレイン電極及びソース電極が基板上に露出する場合であっても、ドレイン電極及びソース電極の剥離が生じにくい表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the predetermined time has elapsed after the selection of the termination layer, the push-aside display control unit 13 displays a wiring image wherein an object placed before the input of a VIA is pushed aside through the input of a VIA so as not to overlap a signal line wired between the layers.例文帳に追加

そして、押退け表示制御部１３は、終端層が選択されてから所定時間が経過した場合には、ＶＩＡの入力以前に配置されている配置物がＶＩＡの入力により層間配線される信号線と重ならないように押し退けられた配線画像を表示させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the same carries out a sulfur termination process associating the sulfur atom with the substrate having the metal nitride layer at least on the surface or the surface of the substrate comprising the metal nitride, and a metal fixing process associating the transition metal or transition metal compound with the sulfur atom.例文帳に追加

また、製造方法は、少なくとも表面に金属窒化物層を有する基板又は金属窒化物からなる基板の表面に硫黄原子を結合させる硫黄終端処理と、該硫黄原子に遷移金属又は遷移金属化合物を結合させる金属定着処理とを行う。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is provided with an anode region 27 formed on the surface portion of a semiconductor substrate 20 of a center region, a resurf layer 25 formed on at least a part of the surface portion of the semiconductor substrate 20 of a termination region, and a surface local semiconductor region 26 formed on at least a part of the surface portion of the semiconductor substrate 20 in the resurf layer 25.例文帳に追加

半導体装置１０は、中心領域の半導体基板２０の表面部分に形成されているアノード領域２７と、終端領域の半導体基板２０の表面部分の少なくとも一部に形成されているリサーフ層２５と、リサーフ層２５内の半導体基板２０の表面部分の少なくとも一部に形成されている表面局所半導体領域２６を備えている。 - 特許庁

The termination surface is connected in an electrically conductive manner to analysis contacts 9a and 9b that project above the surface 6 of the semiconductor chip 2, that are located in the interior of the encapsulating material 3 at a distance from its exterior surface, and that can be exposed by removing a layer of the encapsulating material 3 located near the exterior.例文帳に追加

接続面は、半導体チップ２の表面６を越えて張り出す分析接点９ａ、９ｂと電気的に導通するように接続されており、その分析接点は、カプセル材料３の内部にその外表面に対して距離をもって配置されており、かつカプセル材料３の表面近傍の層の除去によって露出可能である。 - 特許庁

A resistor 21 able to be trimmed as a termination resistor connected to one terminal of a coupler coupling line is placed on the uppermost dielectric layer 11 and variably adjusting the resistance of the resistor 21 can match the impedance at the switch side even on the occurrence of the deviated lamination of a module substrate while detecting a monitor level in an inspection process after the manufacturing.例文帳に追加

最上層の誘電体層１１に、カプラの結合線路の一端に接続される終端抵抗としてのトリマブル抵抗器２１を配置し、製造後の検査行程においてモニタレベルを検知しながら、その抵抗値を可変調整することでモジュール基板の積層ずれに対しても、スイッチ側におけるインピーダンスのマッチングが図かれる。 - 特許庁

The optical connection component has a flexible filmy base material 1 which has a two-dimensional plane and flexible resin protection layers 2 and 8 provided on both the surfaces of the filmy base material and on at least one surface of the filmy base material 1, optical fibers 4 having termination parts for optical connection at their ends are wired and fixed by the resin protection layer 2.例文帳に追加

光学接続部品は、二次元平面を有する可撓性のフィルム状基材１と、該フィルム状基材の両面に設けられた可撓性を有する複数の樹脂保護層２、８とを有し、フィルム状基材１の少なくとも一面に、端部に光学接続するための終端部分を有する複数の光ファイバ４が配線され、樹脂保護層２によって固定されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated semiconductor circuit board in which a plated conductive film can be surely embedded, by electrolytic plating, into a through-hole of a laminated semiconductor circuit board having a plurality of circuit boards which are bonded together, and an undesired seed layer can be readily removed after the termination of the electrolytic plating process, and a method of manufacturing a laminated semiconductor device using the same.例文帳に追加

複数の回路基板が貼り合わされた積層半導体回路基板の貫通孔に電解メッキによって確実にメッキ導電膜を埋め込むことができるとともに、電解メッキ工程の終了後に不要なシード層を容易に除去することができる積層半導体回路基板およびそれを用いた積層半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method and apparatus for protecting an application layer in a computer network system includes the steps of: creating a session between a client and a data providing server in response to a session connection request from the client, and detecting the client as an application layer attacking client when the client generates a session termination request before the data providing server transmits to the client a response packet according to a data request from the client to the data providing server.例文帳に追加

本発明のコンピュータネットワークシステムのアプリケーションレイヤを保護する方法は、クライアントからのセッション連結要請に応答してネットワークを介して前記クライアントとデータ提供サーバ間のセッションを設定する段階と、前記クライアントから前記データ提供サーバへのデータ要請に従って前記データ提供サーバから前記クライアントに応答パケットを伝送する前、前記クライアントからセッション終了要請が発生すれば、前記クライアントをアプリケーションレイヤ攻撃クライアントとして探知する段階とを含む。 - 特許庁