| 例文 |
threshold shiftの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 221件
In the case where a reception station signal electric field strength detection value is a threshold value or less and an IF-AGC circuit 122 is performing attenuation operation, a shift circuit 134 defines an output value to an accessory circuit 136 as a value adding a predetermined value to an initial value of the reception station signal electric field strength detection value.例文帳に追加
シフト回路134は、受信局信号電界強度検出値が閾値以下であり、且つ、IF−AGC回路122が減衰動作を行っている場合には、アクセサリ回路136への出力値を、受信局信号電界強度検出値の初期値に所定値を加算した値とする。 - 特許庁
To provide a color filter free from disturbance in the alignment of a liquid crystal or shift in a switching threshold caused by singular electric characteristics of a liquid crystal display device of a lateral electric field system, that is, a color filter giving no adverse influence on display performance, even when an overcoat layer is not formed on a filter segment.例文帳に追加
フィルタセグメント上にオーバーコート層を設けなくても、横電界方式の液晶表示装置における特異な電気的特性に起因する液晶の配向乱れや、スイッチングの閾値ずれのない、すなわち、表示性能に悪影響を与えないカラーフィルタの提供。 - 特許庁
The method for measuring the particle size of the particle includes the first step of acquiring a specific Raman shift in the particle dispersed in the solid material, the second step of conducting the microscopic Raman spectroscopy for the solid material and performing a binarizing Raman chemical imaging on the basis of a prescribed Raman intensity threshold at the specific Raman shift for the particle, and the third step of calculating the particle size of the particle from a Raman chemical image obtained by the second step.例文帳に追加
固体材料中に分散した粒子に特異的なラマンシフトを得る第1工程と、該固体材料を顕微ラマン分光測定に付し、上記粒子に特異的なラマンシフトでの所定のラマン強度閾値に基づく2値化ラマンケミカルイメージングを行う第2工程と、該第2工程で得られたラマンケミカルイメージから上記粒子の粒径を算出する第3工程により、粒子の粒径を測定する。 - 特許庁
Injection quantity collection value DQIP and injection timing collection value DCAIP are calculated according to engine operation conditions, acceleration collection coefficient KACC is calculated according to the change quantity DQ, and shift position collection coefficient KNGR is calculated according to shift position parameter NGR when change quantity DQ of fuel injection quantity QINJ exceeds judgment threshold DQTH (S15, S17-S19).例文帳に追加
燃料噴射量QINJの変化量DQが判定閾値DQTHを超えたときに、機関運転状態に応じて噴射量補正値DQIP及び噴射時期補正値DCAIPを算出するとともに、変化量DQに応じて加速補正係数KACC算出し、変速位置パラメータNGRに応じて変速位置補正係数KNGRを算出する(S15,S17〜S19)。 - 特許庁
When a temperature sensor 20 detects temperature around the pickup 7 to find that the temperature rises more than temperature before starting image formation by a threshold ΔTth or more, a moving amount setting part 17 sets a moving space S of the slider and a shift amount L of the objective lens small and lowers the maximum value of drive current to the actuator 10.例文帳に追加
ピックアップ7付近の温度を温度センサ20にて検出し、画像形成開始前の温度よりも閾値ΔTth以上上昇している場合、移動量設定部17は、スライダの移動間隔Sと対物レンズのシフト量Lを小さく設定して、アクチュエータ10への駆動電流の最大値を下げる。 - 特許庁
In the nonvolatile memory forming a memory cell in a memory cell forming area on a semiconductor substrate, in reading out a data from the memory cell, the potential of the memory cell forming area and the source potential of the memory cell are made positive to shift a threshold potential of the memory cell to a positive potential side.例文帳に追加
本発明では、半導体基板上のメモリセル形成領域にメモリセルを形成した不揮発性メモリにおいて、前記メモリセルからのデータ読出し時に、前記メモリセル形成領域の電位と前記メモリセルのソース電位とを正電位とすることによって前記メモリセルの閾値電位を正電位側へシフトするように構成した。 - 特許庁
This structure allows, even when an EL driving TFT 102 has become normally on due to the shift of the threshold value thereof, the gate-source voltage of the EL driving TFT 102 to be changed by changing the potential of the gate signal line 106 so as to ensure the non-conduction state of the EL driving TFT 102.例文帳に追加
この構造により、EL駆動用TFT102のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線106の電位を変えることで、EL駆動用TFT102が確実に非導通状態となるように、EL駆動用TFT102のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 - 特許庁
For a memory cell connected to one word line, applying a erasure pulse for erasing information (S1), first verifying confirming shift of threshold voltage by applying this erasure pulse (S2), and second verifying operation confirming whether over-erasure is caused by applying the erasure pulse or not are performed.例文帳に追加
1ワード線につながるメモリセルに対して、情報を消去するための消去パルス印加(S1)と、この消去パルス印加によるしきい値電圧のシフトを確認する第1のベリファイ動作(S2)と、上記消去パルス印加によって過剰消去が発生したか否かを確認する第2のベリファイ動作(S3)とを行う。 - 特許庁
By this structure, the voltage between the gate and the source of a TFT 102 for driving the EL is enabled to be changed so that the TFT 102 becomes a non-conduction state surely by changing the potential of the gate signal line 106 even when the TFT 102 becomes 'normally on' by the shift of its threshold.例文帳に追加
この構造により、EL駆動用TFT102のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線106の電位を変えることで、EL駆動用TFT102が確実に非導通状態となるように、EL駆動用TFT102のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 - 特許庁
The characteristic-adjustment circuit 102 comprises a voltage clamp circuit 103; and during an adjusting period Trf, a transistor T7 in the voltage clamp circuit 103 is switched and the gate of the amorphous silicon transistor T1 is set to a power-supply voltage VRF to effectively perform recovery of the shift in the threshold voltage of the amorphous silicon transistor T1.例文帳に追加
特性調整回路102は電位固定回路103からなり、電位固定回路103内のトランジスタT7は調整期間Trfにオン状態になりアモルファスシリコントランジスタT1のゲートを電源電位VRFに設定し、アモルファスシリコントランジスタT1の閾値電圧シフトの効果的な回復を行う。 - 特許庁
It is possible to change a voltage between a gate and a source of an EL driver TFT 102 by changing the electric potential of the gate signal line 106 to reliably render the EL driver TFT 102 into a non-conducting state even if the EL driver TFT 102 is brought into the normally-on state due to a shift in the threshold of the EL driver TFT.例文帳に追加
この構造により、EL駆動用TFT102のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線106の電位を変えることで、EL駆動用TFT102が確実に非導通状態となるように、EL駆動用TFT102のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 - 特許庁
Even if the ambient light is weak, the temperature of the circuit becomes high, and hence the output of the photoelectric conversion circuit 70 becomes small, the light detecting circuit 60 enables certain detection of the ambient light by setting the difference between the initial value and threshold of the output from the photoelectric conversion circuit 70 with the shift voltage generating circuit 85.例文帳に追加
光検知回路60によれば、環境光が弱かったり、回路が高温になったりして、光電変換回路70の出力が小さくなっても、シフト電圧生成回路85により、光電変換回路70からの出力の初期値と閾値との差分を小さく設定することで、環境光を確実に検知できる。 - 特許庁
The level shift circuit 1 includes a detection section 20 for generating a detection signal DS indicating the detection of a drop in the first high potential voltage VL, and a control section 30 for controlling a body bias Vbb of the transistors TN1, TN2 such that a threshold voltage for the transistors TN1, TN2 lowers in response to the detection signal DS.例文帳に追加
レベルシフト回路1は、第1の高電位電圧VLの低下を検出したことを示す検出信号DSを生成する検出部20と、検出信号DSに応じて、トランジスタTN1,TN2の閾値電圧が低くなるようにトランジスタTN1,TN2のボディバイアスVbbを制御する制御部30とを備える。 - 特許庁
In the shift cell detecting circuit 6, a memory cell transistor where a low threshold voltage is distributed between the word line voltage during verify operation and the word line voltage during normal read operation is detected and a resultant data sequence identical to the write data sequence is stored in the latch circuit 3.例文帳に追加
シフトセル検出回路6において、ベリファイ動作時のワード線電圧と、通常読み出し時のワード線電圧との間にしきい値電圧が分布するメモリセルトランジスタの検出を行い、検出結果として書き込みデータと同一のデータ列を形成し、シフトセル検出回路6の検出結果をラッチ回路3に格納する。 - 特許庁
To offer a thin film transistor(TFT) and a display unit which enable screen display with uniform brightness by avoiding defects such as bright spot, which occur when pattern shift is caused by a second gate electrode which restrains variations in threshold voltage resulting from polarization in a flattened film or an interlayer dielectric caused by moisture or impurity ions.例文帳に追加
水分あるいは不純物イオンによって平坦化膜又は層間絶縁膜の分極の発生による閾値電圧の変化抑制のための第2ゲート電極がパターンずれを起こした際の発生する欠点を抑制し、面内で均一な明るさの表示が得られるTFT及び表示装置を提供する。 - 特許庁
In the state that vehicle stopping conditions are established and the transmission 2 is in a travelling shift stage, when detecting that a difference between the rotating speed of the output shaft 1a and the rotating speed of the input shaft 2a falls below a predetermined threshold value for a predetermined time, the control devices determine that the clutch mechanism 3 has a disconnecting failure.例文帳に追加
車両の停止条件が成立していてかつ変速機2が走行用変速段とされている状態において、出力軸(1a)の回転数と入力軸(2a)の回転数との差が、所定時間、所定の閾値を下回ったことを検出したときに、クラッチ機構3が切断不良であると判定するようにしている。 - 特許庁
When a difference between an electric current value to be supplied and the actual electric current value becomes equal to or less than a first threshold for a predetermined time (steps S5, S6), an electronic control unit serving as a failure determination means determines that OPEN failure occurs in the shift solenoid valve (step S7) and informs an operator of an error (step S8).例文帳に追加
供給されるべき電流値と実電流値との差が所定時間第1の閾値以下になった場合には(ステップS5、S6)、故障判定手段としての電子制御ユニットは、当該シフトソレノイドバルブにおいてOPEN故障が発生していると判定し(ステップS7)、運転者に対してエラーを報知する(ステップS8)。 - 特許庁
The claimed method does not include the step with an action of a medical doctor or the step with an influence on the human body by the device. The operation of the magnetic resonance imaging device to shift to high resolution imaging when the signal strength within the desired domain drastically changes from the threshold value, i.e., the function of the magnetic resonance imaging device, is represented as a method. 例文帳に追加
請求項には、医師が行う工程も、機器による人体に対する作用工程も含まれておらず、磁気共鳴撮影装置が、設定された領域の信号強度が閾値より大きく変化したら、撮影する解像度を上げるように作動するという、磁気共鳴撮影装置自体に備わる機能が方法として表現されている。 - 特許庁
When the shutter speed is below the first prescribed speed, the microcomputer judges whether the shutter speed is equal to, below or above the second prescribed speed and when the shutter speed is higher than the second prescribed speed, the microcomputer operates the panning shift threshold subjected to interpolation according to the shutter speed, and thereby, the panning control characteristics according to the shutter speed are set.例文帳に追加
シャッタ速度が第1の所定速度未満である場合であって、シャッタ速度が第2の所定速度以下か否かを判定し、シャッタ速度が第2の所定速度より大きいときは、パンニング移行スレッシュの最高値及び最低値から、シャッタ速度に応じて内挿補間されたパンニング移行スレッシュを演算し、シャッタ速度に応じたパンニング制御特性が設定される。 - 特許庁
Since forcible selection of all scan lines not only actualizes the existence of defects which cannot be found unless the scan lines are selected in order but also dispenses with operations of the shift register 141 and the output control circuit 143, the proportion of a leak current to a power source current is improved, and as a result, the precision of judgment of the power source current and a threshold is improved.例文帳に追加
走査線のすべてを強制的に選択すると、順番に選択しないと発見できなかった欠陥の存在が顕在化するほか、シフトレジスタ141および出力制御回路143を動作させないで済むので、電源電流のうち、リーク電流が占める割合が向上する結果、電源電流としきい値との判断の際の精度が向上する。 - 特許庁
2. Specifically, we will carry out measures such as the following as a package: Tax reductions for R&D and focused investment incentives, for improving the competitiveness of Japanese industries; Integration of inheritance and gift taxes for encouraging the smooth transfer of assets from the older generation to the younger generation and cuts in tax rates; Reduction and simplification of taxation of financial transactions and stocks for encouraging a shift from 'deposits' to 'investment'; Cuts in the tax rates of registration and license taxes for promoting utilization of land; Abolition of' special allowance for spouse' (exceeding the amount of the 'allowance for spouse')to simplify personal allowances, etc.; Reduction of the tax-exempt threshold, etc., to increase people's trust in the consumption tax and improve its transparency; Review of tobacco and liquor taxes; and other measures例文帳に追加
2具体的には、我が国産業の競争力強化のための研究開発・設備投資減税の集中・重点化、次世代への資産移転の円滑化に資する相続税・贈与税の一体化及び税率の引下げ、「貯蓄から投資へ」の改革に資する金融・証券税制の軽減・簡素化、土地の有効利用の促進に資する登録免許税の軽減、人的控除の簡素化等の観点からの配偶者特別控除の上乗せ部分の廃止、消費税に対する信頼性・透明性を向上させるための免税点制度等の改革、酒税及びたばこ税の見直しその他の所要の措置を一体として講ずることといたします。 - 財務省
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