「type elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order, and an isolation groove A isolating elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁

The p-type and the n-type thermoelectric elements 1a, 1b have rectangular sections, and a sectional surface in the longitudinal direction is disposed diagonal to an insulating substrate in the longitudinal direction.例文帳に追加

このｐ型及びｎ型の熱電素子は、その横断面が長方形になっており、断面の長手方向と絶縁基板３の長手方向とが直交するように配置されている。 - 特許庁

To set large a write current of a current control type driving circuit which drives an active matrix type device, and to reduce unevenness between elements which are supplied with currents.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の装置を駆動する電流制御型駆動回路において、書き込み電流を大きく設定可能とし、かつ、電流供給を受ける素子間の電流ムラを低減する。 - 特許庁

To realize miniaturization and cost reduction of a polarization dependent type optical device by using one piece of an expensive birefringence crystal and an inexpensive thin type polarizer and suppressing the number of another optical elements to the minimum to make the optical device function.例文帳に追加

高価な複屈折結晶は１個でよく、安価な薄型の偏光子を使用し、その他の光学素子数も最小限で機能するようにし、小型化とコストダウンを図る。 - 特許庁

A group of the thermoelectric conversion elements obtained by connecting n-type semiconductors 6a and p-type semiconductors 6b in series with electrodes 3 alternately are inserted and held between a pair of ceramic substrates 4.例文帳に追加

ｎ型半導体６ａとｐ型半導体６ｂとが交互に電極３をもって直列に接続される熱電変換素子群が一対のセラミックス基板４をもって挟持されている。 - 特許庁

Each of the light-emitting elements 110 has a thin-film crystal layer, a second conductivity-type electrode, and a first conductivity-type side electrode on a transparent substrate, and a fist light extraction direction is a substrate side.例文帳に追加

発光素子１１０は、透明な基板上に薄膜結晶層、第二導電型側電極、第一導電型側電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側とされる。 - 特許庁

The element section 3 and a termination section 5 are both formed in a superjunction structure, where p-type epitaxial buried layers 122, 123 and a pair (elements cell 2) of n-type epitaxial layers 124 are alternately arranged.例文帳に追加

素子部３と終端部５をともに、ｐ型エピタキシャル埋込層１２２，１２３とｎ型エピタキシャル層１２４の対（素子セル２）が交互に配列されたスーパージャンクション構造にする。 - 特許庁

The semiconductor device 60 comprises the PNP type bipolar transistor 66 wherein elements are isolated by an element isolation region 62 and an insulating well region 64, in a p-type substrate 68.例文帳に追加

本半導体装置６０は、素子分離領域６２及び絶縁ウエル領域６４により素子分離されているＰＮＰ型バイポーラトランジスタ６６をｐ型基板６８に備えている。 - 特許庁

With this setup, even if the nitride semiconductor device is possessed of an N-type electrode formed of multilayred thin film, diffusion of elements into the N-type electrode can be controlled easily, and the nitride semiconductor device with an N-type electrode which is high in adhesion and excellent in ohmic properties can be obtained.例文帳に追加

このことにより、薄膜の多層膜からなるｎ型電極を有していても、各元素拡散の制御を容易にし、且つ密着性、オーミック性に優れるｎ型電極を有する窒化物半導体素子となる。 - 特許庁

An integrated circuit 1 includes a substrate of P-type semiconductor, and a plurality of circuit formation elements where a P-type semiconductor part of P-type semiconductor is interposed between adjoining N wells, locally including the N well.例文帳に追加

さらに、集積回路１は、Ｐ型半導体から成る基板と、Ｎウェルを一部に有し、隣接するＮウェルの間にＰ型半導体から成るＰ型半導体部が介在されて構成されている複数の回路形成素子とを備える。 - 特許庁

The laser elements 10 and 20 are respectively constituted by successively laminating n-type clad layers 11 and 21, MQW active layers 12 and 22, p-type clad layers 13 and 23, current blocking layers 14 and 24, and p-type contact layers 15 and 25 upon another in this order.例文帳に追加

第１および第２の半導体レーザ素子１０，２０は、ｎ−クラッド層１１，２１、ＭＱＷ活性層１２，２２、ｐ−クラッド層１３，２３、電流ブロック層１４，２４およびｐ−コンタクト層１５，２５が順に積層されてなる。 - 特許庁

A light-emitting diode contains n-type or p-type laminated gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements; and fluorescent paints or fluorescent pigments that emit the visible light of wavelength longer than excitation wavelength through excitation, by the visible light emitted from the above gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements to compensate the colors of the above gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｎ型及びｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と、前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の色補正をする蛍光染料又は蛍光顔料とを有する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion device 1 is provided with a first insulative substrate 9 having a plurality of electrodes 10 and a cover connection electrode 12, a second substrate 3 having a plurality of electrodes 4, a plurality of p-type thermoelectric elements 7, a plurality of n-type thermoelectric elements 8, a regulating member 11 to regulate the positions of the respective thermoelectric elements, and a cover 2.例文帳に追加

熱電変換装置１は、複数の電極１０及び蓋部接続用電極１２を備えた絶縁性の第１基板９と複数の電極４を備えた絶縁性の第２基板３と、複数のｐ型熱電素子７及びｎ型熱電素子８と、各熱電素子の位置を規定する規定部材１１と、蓋部２とを備える。 - 特許庁

A plurality of chip type light emission elements 1 having no reflection wall are mounted lengthwise and crosswise on one face of an insulation substrate 2 formed with electrode lines (not shown) on one face such that the chip type light emission elements 1 are connected to the electrode lines, and the plurality of light emission elements 1 are respectively connected in series and/or parallel by the electrode lines (not shown).例文帳に追加

一面に図示しない電極配線が形成された絶縁性基板２の一面上にその電極配線と接続されるように、複数個の反射壁を有しないチップ型発光素子１が縦横にマウントされ、この複数個の発光素子１は、図示しない電極配線により、それぞれが直列および／または並列に接続されている。 - 特許庁

The picture display device is equipped with 1st to 3rd reflection type polarizing plates 120, 121 and 122 corresponding to reflection type spatial optical modulation elements 131, 132 and 133 as elements for polarizing and separating incident light made incident on the modulation elements 131, 132 and 133, and a color separation optical system has a larger effective diameter than a color composing prism 140.例文帳に追加

反射型空間光変調素子１３１，１３２，１３３への入射光を偏光分離する素子として各反射型空間光変調素子１３１，１３２，１３３に対応された第１乃至第３の反射型偏光板１２０，１２１，１２２を備え、色分解光学系は、色合成プリズム１４０よりも有効径が大きくなっている。 - 特許庁

To provide a surface light emitting device capable of emitting more light than a surface light emitting device using chip type LED elements.例文帳に追加

チップ型のＬＥＤ素子を用いた面発光装置と比較して、より多くの光を取り出すことが可能な面発光装置を提供する。 - 特許庁

Those constitution elements are all made of transparent materials and applicable to a transmission type liquid crystal display device.例文帳に追加

これら構成要素は全て透明性を有する材料から形成されており、透過型液晶表示装置に適用可能となっている。 - 特許庁

Near the spacing elements 3, a region 4 which is not contacted is provided between the adjoining shaft type tube body walls 2, 2'.例文帳に追加

これら間隔要素３の傍らに、非接触の領域４が、これら隣接するたて坑形管体壁２、２′の間に配置されている。 - 特許庁

To integrate, when lines of different line types linearly continue, elements constituting a line of any line type of the line types.例文帳に追加

線種の異なる線が直線状に連続する場合に、そのうちのいずれかの線種の線を構成する要素どうしを統合すること。 - 特許庁

The imaging device 31 is of a focal coincidence type having a plurality of imaging elements such as CCDs (62-1 to 62-3) arranged in an array.例文帳に追加

撮像装置３１は、CCD６２−１乃至６２−３等の複数の撮像素子をアレイ状に並べた焦点一致の撮像装置である。 - 特許庁

To improve durability of metal rings against abrasion while ensuring strength of metal elements supporting the metal rings of a belt-type continuously variable transmission.例文帳に追加

ベルト式無段変速機の金属リングの金属エレメントの強度を確保しながら金属リングの摩耗に対する耐久性を高める。 - 特許庁

This pulse current I is supplied to current drive type light emitting elements L1 and L2 through pixel selecting TFTs 51 and 52 of respective pixels.例文帳に追加

このパルス電流Ｉが各画素の画素選択用ＴＦＴ５１，５２を通して、電流駆動型発光素子Ｌ１，Ｌ２に供給される。 - 特許庁

The precursor composition comprises a pyrochlore type oxide including Sn and Ti as constituent elements and is represented by the chemical formula, Sn_2Ti_2O_6.例文帳に追加

前駆体組成物は、Ｓｎ及びＴｉを構成元素とするパイロクロア型酸化物からなり、化学式がＳｎ_２Ｔｉ_２Ｏ_６で表される。 - 特許庁

To reduce the number of elements of a drive circuit and the cost for the test in performing a multiple gradation display by an active matrix type liquid crystal device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置で多階調表示する場合において、駆動回路の素子数及びテストコストの低減を図る。 - 特許庁

To provide an array-type detector that has less scattering in the sensitivity between elements, has improved sensitivity and response property, and has a less leakage current.例文帳に追加

素子間の感度のバラツキが小さく、しかも感度や応答性が良好でリーク電流が少ないアレイ型検出装置を提供する。 - 特許庁

The body type image G1 is displayed with a mark M2 for indicating the positions of therapeutic elements 22 executing the massage operation.例文帳に追加

また、体型画像Ｇ１上には、マッサージ動作を行っている施療子２２の位置を表示するための目印Ｍ２が表示されている。 - 特許庁

To provide a plurality of elements constituting a transmission belt of a belt type continuously variable transmission for a vehicle and having high fatigue strength.例文帳に追加

車両用ベルト式無段変速機の伝動ベルトを構成する複数のエレメントであって疲労強度の高いエレメントを提供する。 - 特許庁

To provide an inspection method with which the capacity of light emitting elements included in pixels of an active type display panel can be measured accurately.例文帳に追加

アクティブ型表示パネルの画素に含まれる発光素子の容量を正確に測定することができる検査方法を提供する。 - 特許庁

A band metal tube elements 1 comprises a pair of pan-type molded plates 7 being matched oppositely and having a tank part 13 at the end.例文帳に追加

一対の皿状成形プレート７が対向合致されてなり、かつ端部にタンク部１３を有する帯板状チューブエレメント１を備える。 - 特許庁

The p-type ground regions PGD are divided by the region adjacent to the region sandwiched between the pair of elements DR.例文帳に追加

ｐ型接地領域ＰＧＤは、１対の注入元素子ＤＲに挟まれる領域と隣り合う領域において分断されている。 - 特許庁

The breaking function of the short circuit current is incorporated while holding the function of the conventional clamp diode by using the reverse blocking type switching elements.例文帳に追加

逆阻止型スイッチング素子を用いることにより、従来のクランプダイオードの機能を保有しつゝ短絡電流の遮断機能を持たせる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate SUB, a pair of elements DR from which electrons are emitted, active barrier structures AB, and p-type ground regions PGD.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢと、１対の注入元素子ＤＲと、アクティブバリア構造ＡＢと、ｐ型接地領域ＰＧＤとを備える。 - 特許庁

By using c elements, you'll help your readersquickly identify commands that they need to type in. 例文帳に追加

c要素の使用によって、読者がそれらが入力する必要のあるコマンドであると言うことを素早く識別する手助けになるでしょう。 - Gentoo Linux

On the upper surface of the substrate 2, a plurality of resistance elements 5 are formed in a belt-type at intervals of at most 400 μm between electrodes 4.例文帳に追加

絶縁基板２の上面に電極４間に亘って帯状に抵抗素子５を４００μｍ以下の間隔で複数設ける。 - 特許庁

On the surface of the circuit board 20, chip type matching circuit elements C1, C2, CS1, CS2, CA1, and R are arranged in close proximity to the ferrite-magnet element 30.例文帳に追加

回路基板２０の表面にはチップ状整合回路素子Ｃ１，Ｃ２，ＣＳ１，ＣＳ２，ＣＡ１，Ｒがフェライト・磁石素子３０に近接して配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having channel regions of an identical conductive type, as well as, a plurality of semiconductor elements with different threshold voltages.例文帳に追加

同一導電型のチャネル領域を有し、かつ閾値電圧の異なる複数の半導体素子を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A straight tube type light emitting diode illumination lamp 1 includes a DC power supply device 2, light emitting diode elements 3 and a pair of plugs 4.例文帳に追加

直管型発光ダイオード式照明灯１は、直流電源装置２と発光ダイオード素子３と一対のプラグ４とを含んでなる。 - 特許庁

The laser light source device includes a semiconductor laser 1 emitting light, a volume-type diffraction element 4 and elastic elements 6A and 6B.例文帳に追加

レーザ光源装置は、光を出射する半導体レーザ１と、体積型回折素子４と、伸縮素子６Ａ，６Ｂとを備えている。 - 特許庁

Capacity type display elements are arranged in a matrix form at a plurality intersections where a plurality of scanning electrodes and a plurality of data electrodes cross.例文帳に追加

複数の走査電極と複数のデータ電極とが交差する複数の交差部に容量型ディスプレイ素子がマトリックス配置されている。 - 特許庁

This display 10 is equipped with liquid crystal elements 100 constituting a display screen by using the reflection type liquid crystal having memory property.例文帳に追加

メモリ性を有する反射型液晶を用いて表示画面を構成した液晶表示素子１００を備えたディスプレイ装置１０。 - 特許庁

A displacement detector comprises a magnet material 13 and a plurality of magnetic field direction detection type elements 12 arranged adjacent to each other in a direction that the magnet material 13 moves.例文帳に追加

磁石材料１３と、該磁石材料１３の移動方向に並設された複数の磁場方向検知型素子１２とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, an embedded N-type region comprising a silicon region including high N-type impurities is disposed at a lower portion of a channel region in the N-type MOS transistor for ESD protection for protecting the N-type MOS transistor of an internal element and the other internal elements from a breakdown due to ESD.例文帳に追加

内部素子のＮ型ＭＯＳトランジスタやその他の内部素子をＥＳＤによる破壊から保護するためのＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域の下部に、濃いＮ型の不純物を有するシリコン領域からなる埋め込みＮ型領域を配置した半導体装置とした。 - 特許庁

The differential output circuit includes: a first MOS transistor of a first conduction type; a second MOS transistor of a second conduction type; a second resistive element; a third MOS transistor of the first conduction type; a fourth MOS transistor of the second conduction type; a fourth resistive element; and capacitive elements.例文帳に追加

差動出力回路は、第１導電型の第１ＭＯＳトランジスタと、第２導電型の第２ＭＯＳトランジスタと、第２抵抗素子と、第１導電型の第３ＭＯＳトランジスタと、第２導電型の第４ＭＯＳトランジスタと、第４抵抗素子と、容量素子とを具備する。 - 特許庁

To provide a dry type recovering method where the substance to be treated comprising platinum group elements such as a waste catalyst is heated and melted together with a copper source material, and the platinum group elements are absorbed into a molten metal, by which the operability of the furnace and the recovery ratio of the platinum group elements are further improved.例文帳に追加

廃触媒等の白金族元素を含有する被処理物質を銅源材料と共に加熱溶融して溶融メタル中に白金族元素を吸収させる白金族元素の乾式回収法において，その炉の操業性と白金族元素の回収率をさらに改善する。 - 特許庁

This temperature measuring instrument uses a layered type multicolored photoelectric element 4c structured by layering (without limiting the number of layered elements) a plurality of kinds of elements different in sensitivity wavelength regions (visible light region to infrared region, in general) to measure temperatures by using outputs from two kinds of layered elements.例文帳に追加

感度波長域（一般に、可視光域〜赤外域）が異なる複数種類の素子を積層（積層する素子の数に制限はない）して構成した積層型多色光電素子４ｃを使用し、積層した２種類の素子からの出力で温度を測定する温度測定装置である。 - 特許庁