「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

The circular AlAs layer on the upper stage can be formed in an accurate shape and maintained under a non-oxidizing state in an area by controlling the time of the oxidation reaction of the AlAs layer.例文帳に追加

ＡｌＡｓ層の酸化反応を時間制御することにより、上段部上の円形のＡｌＡｓ層を正確な形状、面積で未酸化の状態に維持することができる。 - 特許庁

To attain a semiconductor device which efficiently distributes current flowing to a plug for connecting wiring in an upper layer with wiring in a lower layer and is excellent in electromigration resistance as a result.例文帳に追加

上層の配線と下層の配線とを接続するプラグに流れる電流を効率的に分散させ、エレクトロマイグレーション耐性に優れた半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A gate electrode 14 is formed on the upper surface of a p-form layer 12 through a gate insulation film 13, and a drain and source diffusion areas 15 and 16 are formed in the depth to the n-type layer 11.例文帳に追加

ｐ型層１２の上面にゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１４が形成され、ｎ型層１１に達する深さにドレイン、ソース拡散層１５，１６が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having proper characteristics in burying a contact plug in a contact hole and hence preventing short circuiting to an upper layer and increase in contact resistance between the contact plug and the lower layer.例文帳に追加

コンタクトホールへの埋め込み特性が良く、上層の被接続層とのショート不良及び下層の被接続層とのコンタクト抵抗の増大を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A thickness T of the insulating film 104 on the wiring layer 103 is smaller than a distance d between the upper layer wiring 105 and 106, and a width W of the groove is smaller than the distance d.例文帳に追加

配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。 - 特許庁

The oscillator structure including the lower semiconductor DBR103, the active layer 105, the upper semiconductor DBR 107, the contact layer 109 and the like are laminated on the substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、及びコンタクト層１０９などが積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes the characteristic check element whose characteristics are checked by exposing the element to laser light, and an upper wiring layer which is the characteristic check element and have dummy metals arranged on the wiring layer.例文帳に追加

レーザ光が照射されることにより特性が検査される、特性チェック素子と、前記特性チェック素子よりも上層に位置し、ダミーメタルが配置された、上部配線層とを具備する。 - 特許庁

To provide an embedded ridge type semiconductor laser in which the crystalline deterioration of a third upper clad layer is prevented when a current block layer contains Al, an operating voltage is low and an efficiency is high.例文帳に追加

電流ブロック層がＡｌを含む場合における、第３上部クラッド層の結晶性劣化を防止し、動作電圧が低く高効率な埋込リッジ型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

First and second source/drain regions of the conductivity type are formed in the epitaxial layer proximate an upper surface of the epitaxial layer, the first and second source/drain regions being spaced laterally from one another.例文帳に追加

第１、第２導電型のソース／ドレイン領域が、エピタキシャル層内でその上面に近接して形成され、第１、第２ソース／ドレイン領域は互いに横に間隔を置いて設置される。 - 特許庁

The thin film magnetic head is further provided with a coupling part 131 which is arranged at a position apart from an air bearing face 130 and couples the lower magnetic pole layer 108 to the upper magnetic pole layer 112.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、更に、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置され、下部磁極層１０８と上部磁極層１１２とを連結する連結部１３１を備えている。 - 特許庁

To propose a manufacturing method of a multi-layer optical recording medium capable of implementing an exfoliation process without giving folds to an upper layer substrate and damages to an information recording face.例文帳に追加

上層基板に折れ曲がりや情報記録面に損傷を与えることなく剥離工程を行うことができる多層光学記録媒体の製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁

To provide a communication terminal capable of properly respectively using a plurality of security functions (secure communication means) such as a security function in an upper class layer, and a security function in a lower class layer.例文帳に追加

上位レイヤでのセキュリティ機能や下位レイヤでのセキュリティ機能と言った複数のセキュリティ機能（セキュア通信手段）を適切に使い分けることが可能な通信端末を提供する。 - 特許庁

On the recording gap layer 12, the gap part 60 and the step part 58, an upper magnetic pole part 13 magnetically connected to a lower magnetic pole layer 8 to constitute a closed magnetic path is formed.例文帳に追加

記録ギャップ層１２、空隙部６０、及び段差部５８上には、下部磁極層８と磁気的に接続されて閉磁路を構成する上部磁極層１３が形成されている。 - 特許庁

In this case, a glass layer 30 is provided on an upper surface periphery of the substrate 21, and a metal layer 31 comprising aluminum or the like is provided on a lower surface periphery of the substrate 28.例文帳に追加

この場合、シリコン基板２１の上面周辺部にはガラス層３０が設けられ、第２ガラス基板２８の下面周辺部にはＡｌなどからなる金属層３１が設けられている。 - 特許庁

In the stacking state of the respective scattering layers 51, it is preferable that they be stacked, such that the tilt angles will increase sequentially, as they approach the upper layer side from the side close to the light-emitting layer.例文帳に追加

各散乱層５１の積層状態は、発光層に近い側から上層側になるに従って傾斜角度が順に大きくなるよう積層されていることが好ましい。 - 特許庁

A lower dummy pattern A composed of the first metal layer and an upper dummy pattern B composed of the second metal layer are stacked one over the other on the periphery of input terminal pads 26 in a non-pixel region.例文帳に追加

非画素領域の入力端子パッド２６の周囲に、第１のメタル層からなる下層ダミーパターンＡと第２のメタル層からなる上層ダミーパターンＢが積み重ね形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which has not such a risk that the lower layer wiring of an insulating film is brought into contact with the upper layer light reflection film of the insulation film even when the over development occurs on the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜がオーバー現像されても絶縁膜の下層の配線と絶縁膜の上層の光反射膜とが接触する心配のない液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A sandwich structure 60, comprising a piezoelectric layer 62 and lower and upper electrodes 61, 63 jointed to both surfaces of the piezoelectric layer, is disposed so as to stride over the pit 52.例文帳に追加

窪み５２をまたぐように、圧電体層６２とその両面に接合された下方電極６１及び上方電極６３とからなる挟み込み構造体６０が配置されている。 - 特許庁

A gate line containing a gate electrode, a gate insulation film, a semiconductor layer, a resistive contact layer, a data line having a source electrode and a drain electrode are formed on the upper part of an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板の上部に、ゲート電極を含むゲート線、ゲート絶縁膜、半導体層及び抵抗性接触層、ソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。 - 特許庁

In the I/O region 11, there is provided an annular wiring 60 having a laminated structure which includes an upper layer 61 corresponding to a first potential and a lower layer 62 corresponding to a second potential.例文帳に追加

ＩＯ領域１１には、第１電位に対応する上部層６１と、第２電位に対応する下部層６２とを含む積層構造を有する環状配線６０が設けられている。 - 特許庁

A laminate mask for screen printing comprises an upper layer mask made of a mask member having an opening and laminated on a lower layer mask made of other mask member having other opening to form a predetermined opening.例文帳に追加

開口部を有するマスク部材からなる上層マスクが他の開口部を有する他のマスク部材からなる下層マスク上に積層されて所定の開口部を形成してなる。 - 特許庁

The first laminated article 10 is manufactured by laminating on the transfer substrate 11 a piezoelectric element layer consisting of a lower electrode 14, a piezoelectric film 13 and an upper electrode 12, the vibrating plate 15 and a metallic layer 17.例文帳に追加

転写基板１１上に、下電極１４、圧電膜１３、上電極１２からなる圧電素子層と、振動板１５、金属層１７を積層して第１の積層体１０を製作する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer wiring board in which adverse influences of plating resist residues are removed, and formation of an upper layer wiring layer and filling of a via hole are performed by electrolytic plating.例文帳に追加

めっきレジスト残さの悪影響を取り除いて、電解めっきで上層配線層の形成と前記ビアホールの穴埋めする多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the drawing of an upper layer, the layer temporarily saved to the storage device is read on a memory again so that it is possible to achieve overlay of the layers.例文帳に追加

ストレージデバイスに一次退避させたレイヤは、一段上のレイヤの描画処理が終了した後、再度メモリ上に読み出すことにより、レイヤ同士の重ね合わせ処理が可能となる。 - 特許庁

The bolts 10, the metal fittings 30, and the rail 50 are embedded in a concrete layer arranged on the underfloor installation surface, and a rail upper surface is exposed to a floor surface 2 of a concrete layer supper surface.例文帳に追加

床下設置面上に設けられたコンクリート層内に、ボルト１０、金具３０及びレール５０が埋設されるとともに、レール上面がコンクリート層上面の床面２に露出される。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device capable of improving productivity and achieving high performance and high reliability at a low cost by simply forming an insulating layer and an upper electrode layer.例文帳に追加

絶縁層と上部電極層を簡便に形成することにより、生産性を向上させ、かつ低コストで高性能、高信頼性の光電変換装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁

The method includes double-laminating a subpad 10 on opposing sides with respective adhesive layers 20, 30 and bonding a top layer 200 of the polishing pad to the subpad 10 via the upper adhesive layer 30.例文帳に追加

サブパッド１０をその相対する側でそれぞれの接着層２０、３０と両面積層し、研磨パッド上層２００を上接着層３０を介してサブパッド１０に結合する。 - 特許庁

On the wiring 3, upper-layer wiring 4 which is VDD wiring is provided with an interlayer insulating film 2 interposed therein so that part of the wiring 4 overlaps a part of the lower-layer wiring 3.例文帳に追加

下層配線３の上に層間絶縁膜２を介在させて、その一部が下層配線３の一部と重なるように、ＶＤＤ配線である上層配線４が設けられている。 - 特許庁

A polysilicon layer is deposited on an upper surface of a substrate after forming a gate insulating film 14 in an element hole of a field insulating film 12, and thereon a silicon oxide layer is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

フィールド絶縁膜１２の素子孔内にゲート絶縁膜１４を形成した後、基板上面にポリシリコン層を堆積し、その表面に熱酸化によりシリコンオキサイド層を形成する。 - 特許庁

In a transmission type liquid crystal display panel, all of the pixel electrode, the lower layer electrode 11b and the upper layer electrode 16d are formed from a transparent conductive material such as ITO or the like.例文帳に追加

また、透過型液晶表示パネルの場合は、画素電極、下層電極１１ｂ及び上層電極１６ｄをいずれもＩＴＯ等の透明導電体材料により形成する。 - 特許庁

This floor mat for operating rooms is formed by sticking polyethylene foam formed of two layers, wherein the upper layer is smaller than the lower layer, and having an expansion ratio of 6-40 times onto a vinyl chloride sheet.例文帳に追加

塩化ビニルシートの上に上段が下段より小さい２段より成る発泡倍率が６〜４０倍であるポリエチレン系発泡体を貼り合わせてなる手術室用フロアマット。 - 特許庁

To provide a submount for a photo-semiconductor element which can reduce signal interference generated between signals transmitted to each conductor between an upper surface conductor layer and a side surface conductor layer.例文帳に追加

上面導体層間および側面導体層間の各導体に伝送される信号間に生じる信号干渉を削減できる光半導体素子用のサブマウントを提供すること - 特許庁

After a connection hole exposing the shoulder of the electrode layer 14a is formed, doped polysilicon is deposited on an upper face of the substrate, and the deposited layer is patterned to form gate electrode layers 28A, 28B.例文帳に追加

電極層１４ａの肩部を露呈する接続孔を形成した後、基板上面にドープトポリシリコンを堆積し、その堆積層をパターニングしてゲート電極層２８Ａ，２８Ｂを形成する。 - 特許庁

Alternatively, the insulating resin 13 on whose surface the coating resin 14 having water repellency is formed and coated is laminated on the inner layer conductor circuit 12 on the upper surface of the inner layer resin 11.例文帳に追加

或いは、内層樹脂１１上面の内層導体回路１２上に、撥水性を有するコーティング樹脂１４を表面に被覆形成した絶縁樹脂１３を積層する。 - 特許庁

The ratio W/T of the wiring width W and the wiring film thickness T of the lower wiring layers of second layer or below is larger than the W/T of the upper wiring layers of third layer or above.例文帳に追加

２層目以下の下層配線層の配線幅Ｗと該配線膜厚Ｔとの比Ｗ／Ｔが、３層目以上の上層配線層の配線のＷ／Ｔよりも大きい。 - 特許庁

Then, a titanium silicide layer 21c of the upper surface 13a of the gate electrode 13 can be prevented from being connected with the sidewalls 41a and 41b in the titanium silicide layer 21c formation step.例文帳に追加

このため、チタンシリサイド層２１ｃ形成工程において、ゲート電極１３の上面１３ａのチタンシリサイド層２１ｃが、サイドウォール４１ａ、４１ｂとつながることを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a wafer for semiconductor devices wherein the life of a heterobipolar transistor can be improved by blocking defects appearing in a collector contact layer fromn propagating to upper layers than this layer.例文帳に追加

コレクタコンタクト層中で発生した欠陥をそれより上の層へ伝搬しないようにすることにより、ヘテロバイポーラトランジスタの寿命を改善できる半導体装置用ウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a novel FeRAM capacitor cell capable of suppressing the concentration of an electric field in the boundary part of a ferroelectric layer and an upper electrode layer effectively, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

強誘電体層と上部電極層との境界部における電界の集中を効果的に抑制できる新規なＦｅＲＡＭキャパシタセル及びその製造方法等の提供。 - 特許庁

To seal a gap between a pressurized ventilation hood and a material loading layer, in a sintering method wherein gas, containing oxygen, is pressurized and ventilated from the upper part of the material loading layer of a Dwight-Lloyd sintering machine.例文帳に追加

ドワイトロイド式焼結機の原料充填層上部より酸素含有ガスを加圧送風する焼結法において、加圧送風フードと原料充填層との間をシールする。 - 特許庁

This piezoelectric device comprises a piezoelectric element layer having a dielectric element which has a perovskite crystal structure, and an upper electrode and a lower electrode disposed through the piezoelectric element layer.例文帳に追加

この圧電体素子は、ペロブスカイト結晶構造を持つ強誘電体を備えた圧電体層と当該圧電体層を挟んで配置される上電極および下電極とを備える。 - 特許庁

Both the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 4 constituting a capacitor 13 are composed not of a polysilicon based semiconductor requiring ion doping but of a metal not requiring ion doping.例文帳に追加

キャパシタ１３を構成する下部電極層２および上部電極層４の双方を、イオンドープ処理が必要なポリシリコン系の半導体ではなく、イオンドープ処理が不要な金属で構成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit which uses a polysilicon layer, corresponding to upper electrodes of two-layer polysilicon capacitor elements as resistance elements to reduce the chip area.例文帳に追加

２層ポリシリコン容量素子において、上部電極に相当するポリシリコンレイヤを抵抗素子として用いることによりチップ面積の縮小を図ることができる半導体集積回路を得る。 - 特許庁

Consequently, the upper surface position D_2 of the silicon oxide film 22 becomes shallower than the interface between the silicon substrate 2 and the epitaxial layer 18 from the surface of the epitaxial layer 18.例文帳に追加

これにより、酸化シリコン膜２２の上面位置Ｄ_2が、シリコン基板２とエピタキシャル層１８との界面の位置よりも、エピタキシャル層１８の表面から浅い位置になるようにされる。 - 特許庁