| 意味 | 例文 |
upper-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11094件
In the low temperature region where the exhaust gas temperature is 200°C or lower, NO_x is adsorbed by the NO_x adsorption layer, whereas in the high temperature region where the exhaust gas temperature exceeds about 200°C, the NO_x released from the NO_x adsorption layer is occluded and reductively purified by the NO_x storage reduction catalyst on the upper layer.例文帳に追加
排ガス温度が約 200℃以下の低温域ではNO_x はNO_x 吸着層に吸着され、約 200℃を超える高温域でNO_x 吸着層から放出されたNO_x は上層のNO_x 吸蔵還元触媒によって吸蔵され還元浄化される。 - 特許庁
To provide an intermediate layer material composition for a three- layer resist process soluble in an organic solvent, excellent in storage stability and free of a problem in trailing shape and line edge roughness in patterning of an upper layer resist and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加
有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、ラインエッジラフネスに問題のない3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
Then the layers are slowly suctioned in the order of the resin layer 7c, and the particle density changing layer 7b to place the upper face of the particle density changing layer 7b at a position slightly higher than a notch 5b and the frame member 5 is cut of from the notch 5b.例文帳に追加
ここで、バッキング材7の樹脂層7c、粒子密度変化層7bの順に静かに吸引し、切欠部5bよりやや高い位置に粒子密度変化層7bの上面を位置させ、枠部材5を切欠部5bから切断する。 - 特許庁
A part of the n-type nitride semiconductor layer 2, the active layer 3, a p-type nitride semiconductor layer 4, a part of a side of a p-electrode 5, and an upper side of the p-electrode 5 to a part of the level difference A, are covered by a protection insulating film 6.例文帳に追加
この段差Aの部分まで、保護絶縁膜6によりn型窒化物半導体層2の一部、活性層3、p型窒化物半導体層4、p電極5の側面とp電極5の上側一部にかけて覆われている。 - 特許庁
The fluorescent material layer can be made with a laminated structure of the lower layer of a first fluorescent material having particle diameters of 3 to 15 μm and of the upper layer of a second fluorescent material having particle diameters smaller than those of the first fluorescent material (preferably 1/2 or less).例文帳に追加
蛍光体層を、3〜15μmの粒径を有する第1の蛍光体の下層と、第1の蛍光体より粒径の小さい(好ましくは1/2以下)第2の蛍光体の上層との積層構造とすることができる。 - 特許庁
Since the layer 7 containing the high resistance material is formed on the upper surface of the high voltage wiring part 5, direction control performance of emitted electrons is more improved than in case the insulating layer is formed instead of the layer 7 containing the high resistance material.例文帳に追加
高電位側配線部5の上面に高抵抗材料を含む層7を形成するため、高抵抗材料を含む層7の代わりに絶縁層を形成した場合に比べて、放出電子の方向制御性が向上する。 - 特許庁
This optical waveguide chip 10 has a core 8, a clad layer comprising a lower clad layer 7 and an upper clad layer 9, and an optical fiber guide 6 to position the single mode optical fiber 11 to be connected with the core 8.例文帳に追加
光導波路チップ10は、コア部8と、下部クラッド層7と上部クラッド層9とからなるクラッド層と、コア部8に接続されるシングルモード用光ファイバ11を位置決めするための光ファイバ用ガイド部6とを有する。 - 特許庁
To provide a coating application type magnetic recording medium provided with a lower layer coating film B and an upper layer coating film A on one surface on a nonmagnetic support C and provided with a back layer D on the other surface in such a manner that excellent preservation characteristics can be obtained.例文帳に追加
非磁性支持体C上の一方の面に下層塗膜B、上層塗膜Aが設けられ、且つ他方の面にバック層Dが設けられた塗布型磁気記録媒体において、優れた保存特性が得られるようにする。 - 特許庁
The capacitor 4 has a lower conductive layer 10 arranged on the flattened film 3, a dielectric film 20 arranged on the lower conductive layer 10, and an upper conductive layer 30 arranged on the dielectric film 20.例文帳に追加
キャパシタ4は、平坦化膜3の上に配置された下部導体層10と、この下部導体層10の上に配置された誘電体膜20と、この誘電体膜20の上に配置された上部導体層30とを有している。 - 特許庁
Edges of the first photoelectric converting layer 3 and the second photoelectric converting layer 5 exposed in the separating grooves H1 to H3 are removed by conducting a plasma etching and the upper surface of the side end part of the intermediate reflecting layer 4 are exposed.例文帳に追加
プラズマエッチングを行うことにより分離溝H1〜H3内に露出した第1の光電変換層3および第2の光電変換層5の角部を除去し、中間反射層4の側端部の上面を露出させる。 - 特許庁
The optical probe head 1 as the light input and output part is composed of a lower clad layer 2, a core layer 3 and an upper clad layer 4 which have a different refractive index respectively, and moreover one end surface of the tip ends is the optical waveguide consisting of a mirror surface 5.例文帳に追加
光の入出力部としての光プローブヘッド1は、それぞれ屈折率の異なる下部クラッド層2,コア層3,上部クラッド層4からなり、かつ、その先端の一端面はミラー面5とする構造の光導波路である。 - 特許庁
By using a target ID applied by a command control device in an upper layer also for a command control device in an intermediate layer and a management device in a lower layer, management of target information using target numbers batched among systems is performed.例文帳に追加
上位層の指揮統制装置で付与した目標IDを中位層の指揮統制装置及び下位層の対処装置でも使用することで、システム間で一括した目標番号を使用した目標情報の管理を実施する。 - 特許庁
An extended part 86b is formed in an upper layer part 86 to be bulged to the outside more than a side edge part 86a or the side edge part 81b of a base part 81, and a coil insulating layer (insulating layer) 57 is present below the extended part 86b.例文帳に追加
上層部86には、側縁部86aか基底部81の側縁部81bよりも外側に張りだしている延出部86bが形成され、コイル絶縁層(絶縁層)57が、延出部86bの下にも存在している。 - 特許庁
In the optical probe head 1, the optical waveguide consisting of the lower clad layer 2, the core layer 3 and the upper clad layer 4 is formed on the substrate 6, and the substrate 6 is removed after one end surface of the optical waveguide is diagonally cut to form the mirror surface 5.例文帳に追加
この光プローブヘッド1は、基板6上に、下部クラッド層2,コア層3,上部クラッド層4からなる光導波路を形成し、その一端面を斜めにカットしてミラー面5とした後、基板6は取り除かれる。 - 特許庁
A hollow pipe provided with holes in multistage is disposed at an ink supply section to the body in an ink tank such that ink flows into the pipe from the entire region of upper layer, intermediate layer and lower layer in the ink tank thus making the ink density uniform.例文帳に追加
インクタンク内の本体へのインク供給部に他段に孔を設けた中空パイプを設置し、各孔から、インクタンクの上層、中層、下層の全域より、パイプ内にインクが流入するように構成しインク濃度の均一化を計る。 - 特許庁
The height size H5 of the coil insulating layer building up from above the lower magnetic pole layer 11 is made smaller than heretofore, by which the front end of the upper core layer formed at a track width Tw may be formed with high accuracy.例文帳に追加
本発明では、下部磁極層11上から盛り上がるコイル絶縁層の高さ寸法H5を従来に比べて小さくでき、よってトラック幅Twで形成される上部コア層の先端部を、高精度に形成できる。 - 特許庁
One portion of the n-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3, a p-type nitride semiconductor layer 4, the side of a p electrode 5, and one portion of the upper side of the p electrode 5 are covered with a protective insulating film 6 up to a step A.例文帳に追加
この段差Aの部分まで、保護絶縁膜6によりn型窒化物半導体層2の一部、活性層3、p型窒化物半導体層4、p電極5の側面とp電極5の上側一部にかけて覆われている。 - 特許庁
The rigid floor set 52 of the upper layer is supported by a floor structure 2 of the indoor space 1 via base isolation supports 70 and 80, and the column horizontally displaceably penetrates through the floor structure 2, and suspends the rigid floor set 51 of the lower layer by the lower layer space 6.例文帳に追加
上層の剛性床組(52)は免震支承(70,80)を介して室内空間(1)の床構造体(2)に支持され、支柱は、床構造体(2)を水平変位可能に貫通し、下層の剛性床組(51) を下層空間(6)に懸吊する。 - 特許庁
The surface of a base layer 16 for the formation of magnetic pole layers 15 (upper magnetic pole layer and lower magnetic pole layer) of a thin film magnetic head has different surface levels by alternately forming projections 17 and recesses 18 parallel to a sliding face 19 for a magnetic medium.例文帳に追加
薄膜磁気ヘッドの磁極層15(上部磁極層,下部磁極層)を形成する際の下地層16の表面に、記録媒体摺動面19と平行に凸部17,凹部18を交互に形成した段差を設ける。 - 特許庁
A diffusion prevention layer for principally protecting a lower layer out of power wiring metal is composed such that the upper surface and at least a part of the side face is coated with a metal layer for principally supplying power.例文帳に追加
電力配線金属のうち、主として下層を保護するための拡散防止層は、その上面および少なくとも側面の一部が、主として電力を供給するための金属層によって被覆されるように構成する。 - 特許庁
The piezoelectric element 34 is installed on a board 52 having a vibrating plate 52A, and a common electrode 46 as an underlayer electrode layer, the piezoelectric body 48, and a signal electrode 50 as an upper layer electrode layer are stacked in this order.例文帳に追加
圧電体素子34は、振動板52Aを有する基板52上に設けられており、下層電極層としての共通電極46、圧電体48、及び上層電極層としての信号電極50がこの順で積層されている。 - 特許庁
The common upper layer electrode 36 and common lower layer electrode 37 each are formed of comb-shaped electrodes consisting of base electrodes 42, 44 and a plurality of branch electrodes 43, 45 extending from the base electrodes to each piezoelectric layer 31.例文帳に追加
共通上電極36及び共通下電極37をそれぞれ、基電極42,44とこれらの基電極から各圧電体層31に延設された複数の枝電極43,45とからなる櫛歯状電極によって構成する。 - 特許庁
A nitrogen diffusion region 14 with nitrogen ions introduced thereinto is formed apart from the element isolation region 13 at an interval at the upper part of at least the drain diffusion layer 18 in the drain diffusion layer 18 and source diffusion layer 18.例文帳に追加
ドレイン拡散層18及びソース拡散層18のうちの少なくともドレイン拡散層18の上部には、窒素イオンが導入された窒素拡散領域14が素子分離領域13と間隔をおいて形成されている。 - 特許庁
The lower layer resistor 7 is formed by introducing impurity ions in stripe and band shapes into one layer of nondoped polysilicon film 5 while being self-aligned with and defined by the upper layer resistor 11.例文帳に追加
下層抵抗体7は上層抵抗体11に対して自己整合的に1層のノンドープポリシリコン膜5に帯状かつ縞状に不純物イオンが導入されて形成されたものであり、上層抵抗体11により画定されている。 - 特許庁
Setting input is performed through the display switch instruction button to switch positions of the upper layer setting screen and the lower layer setting screen which are displayed in the indicator 10 and the whole lower layer setting screen is displayed.例文帳に追加
表示切替指示ボタンを介して設定入力を行うことによって、表示部10に表示されている上層設定画面と下層設定画面との位置を入れ替えて下層設定画面全体が表示されるようになっている。 - 特許庁
In the floor structure, a heating layer 2 for heating a floor is provided on the upper or lower part of or inside of a layer (a heat storage layer 5) of a heat storage material which has hysteresis property with a melting temperature zone higher than a coagulating temperature zone.例文帳に追加
本発明の床構造は、凝固する温度帯域に比べて融解する温度帯域が高いヒステリシス特性を備えた蓄熱材の層(蓄熱層5)の上、下又は内部に床暖房の発熱層2が設けられている。 - 特許庁
Subsequently, the solder is embedded to form a solder layer 8 to the aperture 5a where the close contact film 7 is provided under the condition that the solder layer 8 overflows to the upper part of the front surface of the resist mask 5 and the reflow process is conducted to the solder layer 8.例文帳に追加
続いて、密着膜7が設けられた開口部5aに、レジストマスク5の表面よりも上方にはみ出す状態で、はんだを埋め込んではんだ層8を形成するとともに、はんだ層8のリフロー処理を行う。 - 特許庁
In the surface structure 10, an intermediate layer 10b is superposed on a lower layer 10a, which is a bundle of continuous filaments, an upper layer 10a is superposed thereon, and the continuous filaments of the respective layers are partially fused by a joining wire to be formed into a sheet.例文帳に追加
表面構造体10は、連続フィラメントの束である下層10aの上に中層10bがその上に上層10aが重ねられて、各層の連続フィラメントが接合線で部分的に融着されてシート化されている。 - 特許庁
A lowest layer laminating sheet is arranged so that a criteria pin may be inserted in a perforation 24a of the lowest layer laminating sheet 41 and may be contacted and the face for forming a conducting film of a laminating sheet is set to contact the upper face of the lowest layer so as to contact the top face of a lower dummy sheet.例文帳に追加
基準ピンが最下層積層用シート41の貫通孔24aを挿通し且つ最下層積層用シートの導体膜形成面が下部ダミーシートの上面に接するように、最下層積層用シートを配置する。 - 特許庁
In the second step, the solder layer 53 constituted of tape-like solder is piled up on upper/lower surfaces 52b of the collective conductor 52, and heated from the outside of the solder layer 53, and thus, the collective conductor 52 and the solder layer 53 are integrated.例文帳に追加
第2の工程では、テープ状はんだからなるはんだ層53を、集合導体52の上下面52bに積層させて、はんだ層53の外側から加熱することで、集合導体52とはんだ層53とを一体化する。 - 特許庁
Two or more pairs of a first layer 31 having a slow growing speed and a second layer 32 having a fast growing speed are stacked to form a buffer layer 3 which has upper-surface unevenness greatly reduced while maintaining high crystallinity.例文帳に追加
遅い成長速度の第1の層31と速い成長速度の第2の層32とを2組以上積層することにより、高い結晶性を維持しながら、上面の凹凸を大幅に低減したバッファ層3を形成することができる。 - 特許庁
An interlayer insulating film 33 or an upper layer wiring (conducting film) on the lower layer wiring 16a is not eliminated before the flattened film 37 is formed, so that the flattened film 37 on the lower layer wiring 16a is formed relatively thin.例文帳に追加
また、下層配線16a上の層間絶縁膜33又は上層配線(導電膜)を平坦化膜37の形成前には除去しないことで下層配線16a上の平坦化膜37を相対的に薄く形成する。 - 特許庁
In this image display using transistors each having a polycrystalline semiconductor layer and a gate electrode is formed through an insulating film on the upper surface of the polycrystalline semiconductor layer, and a drain region is formed on one side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and a source region is formed on another side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor.例文帳に追加
さらに、本発明は、LDD領域における不純物濃度の制御が容易な構成な多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
One layer absorbing the light is decomposed by being irradiated with the light of the wavelength of λ either absorbed by the lower crystal layer 31 or the upper crystal layer 32 and then the wafer is cut into two portions at the neighbouhood of the boundary surfaces of both layers.例文帳に追加
下部結晶層31と上部結晶層32のいずれかのみが吸収する波長λの光を照射し、両層の界面近傍にて、該光を吸収する方の層を分解させ、ウェハを2つの部分に切り離す。 - 特許庁
The second wiring layer is located in an upper layer of the first wiring layer, and is disposed in a second wiring direction different from the first wiring direction with a plurality of power supply feed lines of a second potential being paired adjacent to each other.例文帳に追加
第2の配線層は、第1の配線層の上層に位置し、複数の第2の電位の電源電圧供給線が隣接して組となり第1の配線方向とは異なる第2の配線方向で配置されている。 - 特許庁
To provide a combine harvester transferring waste straw in the lower layer of groats, sent from a feed pan (33), to the upper layer and dispersing the groats in the right and left cross direction of a shaking separation board (32).例文帳に追加
フィードパン(33)から送り出される脱粒物中の下層側の藁屑を上層側に移動させ、かつ脱粒物を揺動選別盤(32)の左右幅方向に分散させる。 - 特許庁
As a result, the lower layer electrode 3 is connected with a pad 21 and the upper layer electrode 5 is connected with a pad 20 and the pads 20 and 21 are arranged alternately in a row at the side part of the capacitor chip.例文帳に追加
結果的に下層電極3はパッド21に、上層電極5はパッド20に接続され、パッド20とパッド21とは、コンデンサチップの辺部で1列にそれぞれ交互に配置されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which enables a contact hole to be reduced in resistance, wherein the contact hole through which a lower conductive layer and an upper wiring layer are connected together is formed of a W plug structure.例文帳に追加
下層の導電層と上層の配線を接続させるコンタクトホールを、Wプラグ構造により構成するものにおいて、コンタクトホール抵抗を低減させた半導体装置を得る。 - 特許庁
A lower backing wiring 23 is provided on a gate wiring 21 through the intermediary of an insulating layer 22, and an upper backing wiring 25 is formed thereon through the intermediary of an insulating layer 24.例文帳に追加
ゲート配線21の上に絶縁層22を介して下側裏打ち用配線23が設けられ、さらにその上層に絶縁層24を介して上側裏打ち用配線25が設けられる。 - 特許庁
If the lower-layer electrode 122, the insulating film 131 and the upper-layer electrode 143 within the short-included region 164 are removed, the interlayer short may be stably and reliably repaired.例文帳に追加
短絡包含領域164内の下層電極122、絶縁膜131および上層電極143を除去するようにすれば、安定した確実な修正が可能となる。 - 特許庁
A mounting hole 26 in an upper face 12U of the fuel tank 12 has a barrier layer extension portion 30 where a barrier layer 24A extends from a tapered face 28 toward the center of the mounting hole 26.例文帳に追加
燃料タンク12の上面12Uの取付孔26において、テーパー面28からは、バリア層24Aが取付孔26の中心に向かって延出され、バリア層延出部30とされている。 - 特許庁
In the case of triplate line, an upper ground layer with a dielectric layer 25 of a central conductor 23 in between is etched and an exposure part 26 is provided, and the exposure part 26 is provided with a print capacitor 24.例文帳に追加
トリプレート線路の場合、中心導体23の誘電体層25を挟んだ上方のグランド層をエッチングして露出部26を設け、この露出部26に印刷キャパシタ24を設ける。 - 特許庁
On the flexible printed circuit 20 on the upper layer, throughholes 2 are formed in locations corresponding to the locations where the terminal section 11 of connection terminals 10 on the flexible printed circuit in the lower layer can penetrate.例文帳に追加
上層のFPC20には、下層のFPC20の接続端子10の端子部11が貫通するための貫通孔2が対応する箇所にそれぞれ形成されている。 - 特許庁
Alternatively, such a constitution that the optical phase compensation member to cancel birefringence of the polarizing plate supporting member is disposed between a supporting member of an upper side polarizing plate of the liquid crystal layer side and the liquid crystal layer is adopted.例文帳に追加
又は、上側偏光板の液晶層側支持基材と液晶層間に、偏光板支持基材の複屈折性を打ち消す光学位相補償部材を配置する構成を採る。 - 特許庁
A connecting section between the wall type structure section 60 of the upper layer story and the frame structure section 70 of the lower layer story is formed of a reversed beam structure consisting of a beam section 20 and a floor section 10.例文帳に追加
また、上層階の壁式構造部60と下層階のラーメン構造部70との間の接続部は、梁部20と床部10とからなる逆梁構造で形成する。 - 特許庁
The upper body used is formed by sewing outer layer parts at least halved into a front and a back and sewing an inner sole to the lower end edge of the connected outer layer parts.例文帳に追加
前記アッパー体には、少なくとも前後に2分割された外皮パーツの縫合によって形成し当該結合した外皮パーツの下端縁に中底を縫着したものを使用する。 - 特許庁
On the other hand, in the state an electric field lower than the threshold value is applied to the liquid crystal layer 18, it is scattered by the liquid crystal layer 18 and is made to exit to the outside via the upper substrate 12.例文帳に追加
一方、液晶層18にしきい値未満の電界が印加された状態では、液晶層18により散乱され、上基板12を介して外部に出射される。 - 特許庁
To obtain a further natural image display by dissolving the unnaturalness at a boundary part at the time of superposing an image of an upper layer and an image of a lower layer and displaying them as one image.例文帳に追加
上層の画像と下層の画像を重ね合わせて1つの画像として表示する際に、境界部分の不自然さを解消して、より自然な画像表示を可能とする。 - 特許庁
An end part of feeding ream Lf divided by an index sheet and positioned in an upper most part of a ream crest L is lifted, and a lower layer of ream Lr is pressed by a pressing nozzle part 25b of a lower layer of ream pressing device 25 of an auxiliary feeding device 20.例文帳に追加
主給送装置30の保持アーム34を後退させると共に、揺動させて、先端部に設けられた吊り下げノズル部38を給紙リームLf に下側に位置させる。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|