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value elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4760件
To provide a photoelectric conversion film narrow in the half-value width of an absorption and excellent in a color reproduction, a photoelectric conversion element and an image pickup element (preferably a color image sensor) and to provide a photoelectric conversion film high in a photoelectric conversion efficiency, excellent in durability, the photoelectric conversion element and the image pickup element, etc.例文帳に追加
吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子(好ましくはカラーイメージセンサー)を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子等を提供する。 - 特許庁
In the magnetoresistive element produced, an absolute value of the current required for changing a magnetizing direction of at least one element among the magnetoresistive elements provided in both sides becomes larger than the absolute value of the current required for changing the magnetizing direction of the center magnetoresistive element 48.例文帳に追加
両端の磁気抵抗効果素子のうちすくなくとも一つの磁気抵抗効果素子の磁化方向を変化させるのに必要な電流の絶対値が、中央の磁気抵抗効果素子48の磁化方向を変化させるのに必要な電流の絶対値より大きくなるような磁気抵抗効果素子を作製する。 - 特許庁
The controller controls the bypass circuit to perform bypass processing for each power storage element specified according to the deterioration condition, and controls the discharge circuit to discharge the power storage element subjected to bypass processing when the value indicating the storage state of the power storage element subjected to bypass processing is larger than a reference value.例文帳に追加
コントローラは、各蓄電素子の劣化状態に応じて特定された蓄電素子に対して、バイパス回路によるバイパス処理を行わせ、バイパス処理が行われた蓄電素子の蓄電状態を示す値が基準値よりも大きいときには、バイパス処理が行われた蓄電素子に対して、放電回路による放電を行わせる。 - 特許庁
A delay path region where a gate element lowered in threshold voltage is applied is limited to a range from the maximum delay value 23 (faster than this) before a gate element lowered in threshold voltage is applied to the new maximum delay value 24 (slower than this) when a gate element lowered in threshold voltage is applied.例文帳に追加
低しきい値電圧化したゲート素子を適用する遅延パス領域を、低しきい値電圧化される前の最大遅延値23から(これより高速で)これに低しきい値電圧化したゲート素子を適用した場合の新たな最大遅延値24までの(これより遅い)範囲にある遅延パスに限定する。 - 特許庁
The small antenna has: a high frequency circuit 4 which feeds power of a high frequency signal; a power feeding antenna element 5 in which stationary waves in which a current value does not vary occurs by receiving power feed of the high frequency signal and a passive antenna element 6 electromagnetically coupled to the power feeding antenna element 5 and stationary waves in which the current value varies.例文帳に追加
高周波信号を給電する高周波回路4と、前記高周波信号の給電を受けて、電流値が変化しない定在波が生じる給電アンテナ素子5と、前記給電アンテナ素子5に対して電磁結合され、電流値が変化する定在波が生じる無給電アンテナ素子6を有している。 - 特許庁
In a voltage control circuit 12, a power supply voltage VDD1 when an element voltage VEL between the grounding line LG and the node N is a voltage value VEL1 in driving the electro-optical element E controls the power supply voltage VDD so that the element voltage VEL is less than a power supply voltage VDD2 when it is a voltage value VEL2 (VEL2>VEL1).例文帳に追加
電圧制御回路12は、電気光学素子Eの駆動時における接地線LGとノードNとの間の素子電圧VELが電圧値VEL1である場合の電源電圧VDD1が、素子電圧VELが電圧値VEL2(VEL2>VEL1)である場合の電源電圧VDD2を下回るように、電源電圧VDDを制御する。 - 特許庁
When the threshold value is set in a 'teaching mode', a light projection quantity of a light projection element 11 is reduced, a photoreceiving quantity in a photoreceiving element 13 is also reduced to output an output signal of a level in response to the photoreceiving quantity in the photoreceiving element 13 without saturating the photoreceiving circuit 14, and a normal threshold value is set thereby.例文帳に追加
そして「ティーチングモード」にて閾値設定を行えば、投光素子11の投光量が下がって、受光素子13での受光量も低下し受光回路14は飽和することなく受光素子13での受光量に応じたレベルの出力信号を出力することになりもって正規の閾値が設定されることになる。 - 特許庁
The rotating speed limit part 38 sets up the rotating speed limit value corresponding to the element temperature T when the element temperature T is higher than the limit starting temperature T_0, and limits the target rotating speed Na set by the target rotating speed setting part 32 to not more than the rotating speed limit value corresponding to the element temperature T.例文帳に追加
回転速度制限部38は、素子温度Tが上記制限開始温度T_0より高い場合に、素子温度Tに応じた回転速度制限値を設定し、目標回転速度設定部32によって設定される目標回転速度Naをその素子温度Tに応じた回転速度制限値以下に制限する。 - 特許庁
A semiconductor memory is provided with switches X2,X3 for passing current through memory cells from a voltage terminal VDD via a resistance element R1 and for measuring a voltage drop value in the resistance element R1, and a switch X1 for applying voltage to the resistance element R1 and for measuring a value of the current passing at that time.例文帳に追加
電圧端子VDDから抵抗素子R1を介してメモリセルに電流を流し、前記抵抗素子R1での電圧降下値を測定するためのスイッチX2,X3と、前記抵抗素子R1に電圧を印加し、その際に流れる電流値を測定するためのスイッチX1とを設ける。 - 特許庁
Pay attention to the element 13e, then, the driving voltage of the element 13e is set to an intermediate area voltage value between a half- wavelength voltage at the time of driving the adjacent elements 13c, 13g generating crosstalk to each other and that at the time of not driving the element, preferably, to a voltage value at which the transmitted light quantity converges.例文帳に追加
素子13eに注目すると、該素子13eの駆動電圧は、クロストークが発生し合う隣接素子13c,13gを駆動したときの半波長電圧と、駆動しないときの半波長電圧との間の領域の電圧値、好ましくは、透過光量が収束する電圧値に設定されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a capacitive element can be integrated more highly without lowering the capacitance value of the element and which can be manufactured highly efficiently even when the capacitive element has a required capacitance value with high accuracy and is highly integrated, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加
所要の容量値を高精度に有する容量素子、及び高集積した容量素子を備える半導体装置であっても、容量値が低下することがなく更に高集積化することができると共に、高効率で製造することができる半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The first fail-save valve 23 transmits applied oil pressure fed to a third frictional element 4 to the second fail-safe valve 24 when applied oil pressure fed to a first frictional element 2 exceeds a first fixed value.例文帳に追加
第一フェイルセーフ弁23は、第一摩擦要素2への印加油圧が第一固定値を超えているとき、第三摩擦要素4への印加油圧を第二フェイルセーフ弁24に伝達する。 - 特許庁
A spiral scan process part 15 performs spiral scans about each picture element and reads the brightness gradient value obtained for each picture element being scanned and performs a cumulating (adding) process.例文帳に追加
らせん走査処理部15では、各画素について、該画素を中心としたらせん状走査を行い、走査中の画素において前記得られた輝度勾配値を読み出し、累積(加算)処理を行う。 - 特許庁
By carrying out pseudorandom number processes based upon each initial value in parallel in each of the element processors PE0-PE127, mutually different pseudorandom numbers can be generated in mutually adjacent element processors PE.例文帳に追加
PE0〜PE127の夫々は、各初期値に基づく擬似乱数発生処理を並列に行なうことにより、互いに隣接するPEにおいては、互いに異なる擬似乱数を発生することができる。 - 特許庁
The stored offset correction value in each imaging element is updated on the basis of image data obtained by imaging the surface of a shutter for opening and closing an opening through which light is made incident on an imaging element.例文帳に追加
撮像素子へ入光させる開口を開閉するシャッターの表面を撮像した画像データに基づいて、記憶してある撮像素子ごとのオフセット補正値を更新する。 - 特許庁
The lip portion 13 (hereinafter the whole of an elastic element 3) made from a rubber molding element of the seal 1 is formed to have the maximum value of a loss tangent (tan δ) at a temperature of 20°C to 70°C of not more than 0.40.例文帳に追加
シール1のゴム成形体からなるリップ部13(ここでは弾性体3の全体)を、温度20℃〜70℃での損失正接(tan δ)の最大値が0.40以下となるように形成する。 - 特許庁
A first driving circuit 41 interrupts the first element 21, when the capacitor C1 of a first time-constant circuit 411 is charged up to a prescribed value in an on-period of the first element 21.例文帳に追加
第一の駆動回路41は、スイッチング素子2のオン期間に、第一の時定数回路411のコンデンサC1が所定値まで充電されたときに、前記スイッチング素子2を遮断する。 - 特許庁
The judging means 3 detects the resistance value of the gas-sensitive element 4 at two different detection timings for the detection state of the gas-sensitive element 4 and compares two detected resistance values for a judgment.例文帳に追加
判定手段3は、感ガス素子4の検出状態が異なる2つの検出タイミングで感ガス素子4の抵抗値を検出し、2つの検出抵抗値を比較して判定を行う。 - 特許庁
When the discharge time period Ts1 does not satisfy the judgment expression, the discharge time period is measured by each heating element at the discharge start voltage E1, and the resistance value of each heating element is calculated.例文帳に追加
放電時間Ts1が前記判定式を満たしていない場合、放電開始電圧E1で各発熱素子毎の放電時間が測定され、各発熱素子の抵抗値が算出される。 - 特許庁
This engine exhaust emission control device comprises the concentration sensor 74 consisting of a temperature sensitive element having such a nature that an electric property value is changed with a temperature, and a heater thermally connected to the temperature sensitive element.例文帳に追加
温度に応じて電気特性値が変化する性質を有する感温体と、この感温体に対して熱的に接続されたヒータとを有する濃度センサ74を備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thermistor element, and the thermistor element such that an increase in resistance value due to junction peeling is prevented by improving the bonding strength between a metal oxide sintered body and electrode wires.例文帳に追加
サーミスタ素子の製造方法及びサーミスタ素子において、金属酸化物焼結体と電極線との接合強度を向上させ、接合部剥離による抵抗値上昇を防ぐこと。 - 特許庁
Since the resistance value of the discharge element 55 is secured by the resistance element 70 even when the resistance of the posistor 60 is small at start of a vehicle, it can precharge the capacitor 30 to the battery voltage.例文帳に追加
車両起動時にポジスタ60の抵抗が小さいときでも、抵抗素子70によって放電回路55の抵抗値が確保されるので、コンデンサ30をバッテリ電圧までプリチャージできる。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging element lighting system having a simple structure for inexpensively performing lighting in conformity to the position of the incident pupil of each solid-state imaging element, its lighting F value, and its size.例文帳に追加
、簡易な構成で、安価に、固体撮像素子の入射瞳の位置と照明F値、サイズに合わせて、照明を行うことが可能な固体撮像素子照明装置を提供する。 - 特許庁
When the displacement electrode 30 is displaced to change the clearance with the capacitative element electrodes E1-E5, the capacitance value of the capacitative element is changed, and the force is recognized based on this change.例文帳に追加
変位電極30が変位して容量素子用電極E1〜E5との間隔が変化すると、容量素子の静電容量値が変化し、この変化に基づいて力が認識される。 - 特許庁
The mass of the quantified solid solution component element is converted to mass as an oxide and a solid solution amount as the oxide of the solid solution component element is calculated form the value converted as the oxide.例文帳に追加
定量化された固溶成分元素の質量を酸化物としての質量に換算し、酸化物として換算した値から前記固溶成分元素の酸化物としての固溶量を求める。 - 特許庁
In a cold condition, temperature increasing slip control is executed to slip the friction engagement element when engaged to change over the shift stage, to increase the temperature of the element toward a target value.例文帳に追加
冷間時には、変速段を切り換えるべく摩擦係合要素を係合させる際、同要素を目標値に向けて昇温すべくスリップさせる昇温スリップ制御が実行される。 - 特許庁
To provide a modulation device which has high code quality by using an element different from an integral DSV value as an evaluation scale in combination to obtain an element for determining a DC control bit.例文帳に追加
DC制御ビットを決定するための要素として積算DSV値とは別要素を評価尺度として併用することで、符号品質が高い変調装置を提供する。 - 特許庁
In the code, speed-up of the calculation is attained by use of a shape symmetry of the element in the polar coordinates and a symmetry of an element physical property value in a material.例文帳に追加
なお本コードは極座標における要素の形状対称性および材料における要素物性値の対称性を利用し計算の高速化を行ったことを特徴としている。 - 特許庁
Load distribution on the bearing is estimated from the obtained estimate value of the maximum rolling element load of the turning wheel and from the estimate values of the rolling element load in one or more arbitrary positions of the fixed wheel (S2).例文帳に追加
得られた回転輪の最大転動体荷重の推定値と固定輪の任意の1点以上の位置での転動体荷重の推定値とから軸受の負荷分布を推定する(S2)。 - 特許庁
A period of time having elapsed since the temperature of the sensor element has reached the desorption temperature (300°C) of the adsorption species adsorbed by the sensor element is counted as a value of desorption progression (T300) (Step 212).例文帳に追加
センサ素子の温度が当該センサ素子に吸着している吸着種の脱離温度(300°C)に達した後の経過時間を脱離進行値(T300)として計数する(ステップ212)。 - 特許庁
To provide a dye-sensitized photoelectric conversion element capable of effectively utilizing incident light; and to restrain drop of an output current value, in a tandem type photoelectric conversion element.例文帳に追加
入射光の有効利用が可能な色素増感型光電変換素子を提供すること、およびタンデム型光電変換素子において、出力電流値の低下を抑制すること。 - 特許庁
A safety factor calculation part 9 compares the action in each finite element 19 with a reference value predetermined in each member to calculate a safety factor of each finite element 19.例文帳に追加
安全率算出部9は、各有限要素19ごとに生じる作用を、各部材ごとに予め定める基準値と比較して、各有限要素19ごとの安全率を算出する。 - 特許庁
In the aging apparatus 20 for a semiconductor laser element, a drive control portion 32 controls a voltage applying portion 26, and adjusts the emission intensity of a semiconductor laser element 23 at a predetermined value.例文帳に追加
半導体レーザ素子用エージング装置20において、駆動制御部32は、電圧印加部26を制御し、半導体レーザ素子23の発光強度を予め定める値に調整する。 - 特許庁
To provide a switching power circuit which can output desired DC voltage by properly performing the ON-OFF control of a switching element, according the value of a current flowing in the switching element.例文帳に追加
スイッチング素子を流れる電流値に応じてスイッチング素子のオンオフ制御を適切に行うことにより所望の直流電圧を出力可能なスイッチング電源回路を提供する。 - 特許庁
In response to a torque command value TR received from an external ECU, the controller 30 estimates the element temperature of the NPN transistors Q1 and Q2, and computes an estimated element temperature Tsw_es.例文帳に追加
制御装置30は、外部ECUから受けたトルク指令値TRに応じて、NPNトランジスタQ1,Q2の素子温度を推定し、推定素子温度Tsw_esを演算する。 - 特許庁
To provide an optical semiconductor element in which the electrostatic capacitance between upper and lower electrode films can be suppressed to a small value, and to provide a method of manufacturing optical semiconductor element.例文帳に追加
上部電極膜と下部電極膜との間の静電容量を小さく抑えることが可能な光半導体素子および光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electrode for measuring a blank element of a quartz resonator with high reproducibility in a measured value and capable of measuring the many kinds in the measurement of the blank element whose primary resonance frequency exceeds 100 MHz.例文帳に追加
1次共振周波数が100MHzを越えるブランク素子の測定で、計測値の再現性が良く、多品種にわたり測定できる水晶振動子のブランク素子測定用電極。 - 特許庁
When the ambient brightness becomes darker than the prescribed specific value, the output voltage of the photoelectromotive force element 1 is lowered, and the switching element SW cannot maintain an off-state and is turned on.例文帳に追加
周囲の明るさが所定の規定値よりも暗くなると、光起電力素子1の出力電圧が低下し、スイッチング素子SWがオフ状態を維持できなくなってオン状態となる。 - 特許庁
To provide a polymer PTC element assembly and a polymer PTC element, low in resistance value upon non-operation time and suppressed in the change of operating temperature due to the repetition of operation and non-operation.例文帳に追加
非動作時における抵抗値が低く、且つ、動作−非動作の繰り返しによる動作温度変化が抑制されたポリマーPTC素体及びポリマーPTC素子を提供する。 - 特許庁
Further the pressure crushing strength of the rolling element is equal to or more than 70% of the corresponding value of the constitution in which the rolling element is formed solely of the dense silicon nitride constituting the facial layer 1.例文帳に追加
さらに、この転動体の圧砕強度は、表層部1を構成する緻密な窒化ケイ素のみで転動体を構成した場合の圧砕強度の70%以上となっている。 - 特許庁
To provide a capacitance element having higher controllability of capacitance value used for a semiconductor integrated circuit device, and also to provide a method of fabricating the same capacitance element.例文帳に追加
半導体集積回路装置などに用いられる容量素子及びその製造方法に関し、容量値の制御性及び信頼性の高い容量素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a variable spiral inductor which achieves an inductor element by a simple structure where an inductor value is changeable, and the space on a substrate which the inductor element occupies is made small.例文帳に追加
インダクタンス値を変えることができ、インダクタ素子が占める基板上でのスペースを小さくしつつ、インダクタ素子を簡便な構成により実現可能とした可変スパイラルインダクタを提供する。 - 特許庁
To provide a structure for mounting a semiconductor by promptly absorbing heat generated in a semiconductor element, thereby securing high heat dissipation characteristics even when a heating value of the semiconductor element is large.例文帳に追加
半導体素子で発生した熱を迅速に奪い、半導体素子の発熱量が大きい場合においても高い放熱性を確保できる半導体実装構造体を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device used for an anti-fuse element, which achieves stable operations as the anti-fuse element by reducing variation in a resistance value in a conduction state.例文帳に追加
アンチヒューズ素子として用いられる半導体装置において、導通状態における抵抗値のばらつきを低減することで、アンチヒューズ素子として安定した動作を実現する。 - 特許庁
The electrostatic capacity of a parasitic capacitance C1 and that of a parasitic capacitance C2 are the same, and a resistance value of the resistance element R4 is larger than that of a resistance element R1.例文帳に追加
寄生容量C1の静電容量と寄生容量C2の静電容量とが同じ容量で、かつ抵抗素子R4の抵抗値が抵抗素子R1の抵抗値よりも大きい値である。 - 特許庁
The microcomputer 170 further computes electric power inputted to the heater 151 and corrects the target value of element impedance on the basis of the relation between the predetermined heater power and element resistance.例文帳に追加
また、マイコン170は、ヒータ151に投入した電力を算出し、予め規定したヒータ電力と素子抵抗との関係に基づいて素子インピーダンスの目標値を補正する。 - 特許庁
Since the current-voltage characteristics vary according to a temperature of the element active layer part, element temperature is detected, by reading a voltage value when a certain fixed current is injected.例文帳に追加
電流−電圧特性は素子活性層部の温度によって変動するため、ある一定電流を注入したときの電圧値を読み取ることによって素子温度を検知する。 - 特許庁
To surely set the incident efficiency of light emitted from a 1st optical element on a 2nd optical element to be equal to or above a specified target value without requiring troublesome operation.例文帳に追加
煩雑な作業を要することなく、第1光学要素から出射された光の第2光学要素に対する入射効率を確実に所定の目標値以上に設定すること。 - 特許庁
The Peltier element 64 is provided with a temperature control device 67 to control ON and OFF of the Peltier element 64 based on the value of a temperature sensor 66 to detect the temperature of the cover body 60.例文帳に追加
ペルチェ素子64には,蓋体60の温度を検出する温度センサ66の値に基づいて当該ペルチェ素子64のON,OFFを制御する温度制御装置67を設ける。 - 特許庁
To provide a driving method for a semiconductor laser element that can make an extinction ratio large while suppressing distortion of a light output waveform small against variation in threshold current value of the semiconductor laser element.例文帳に追加
半導体レーザ素子の閾値電流値の変動に対し、光出力波形の歪みを抑えつつ、消光比を大きくできる半導体レーザ素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁
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