「value element」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

An amplifier which amplifies a signal to be amplified by a predetermined amplifying element and outputs the amplified signal has a variable means which changes the resistance value of an output resistance for specifying an amplification degree, a current detecting means which detects the output current which flows to the output resistance, and a control means for controlling the variable means based on the detection results of this current detecting means.例文帳に追加

被増幅信号を所定の増幅素子で増幅して増幅信号を出力する増幅器であって、増幅度を規定する出力抵抗の抵抗値を可変する可変手段と、出力抵抗に流れる出力電流を検出する電流検出手段と、該電流検出手段の検出結果に基づいて可変手段を制御する制御手段とを備える。 - 特許庁

In expansion, a density value of each picture element within an interpolation process object area between an acquired pair of borderlines (the bottom borderline LB and the top borderline LT) is calculated by an interpolation process based upon respective shortest distances to the top borderline and the bottom borderline and density values of density planes respectively relevant to the bottom borderline and the top borderline.例文帳に追加

一方、伸張にあたっては、取得したペア輪郭線（ボトム輪郭線ＬＢおよびトップ輪郭線ＬＴ）の相互間に挟まれる補間処理対象領域内の各画素の濃度値を、トップ輪郭線およびボトム輪郭線のそれぞれまでの最短距離とボトム輪郭線およびトップ輪郭線のそれぞれに関する濃度プレーンの濃度値とに基づいて補間処理により算出する。 - 特許庁

The data processing system includes a microprocessor and a communication element, capable of communicating with an electronic module for sending a code signal to the microprocessor, and includes a hardware circuit which causes or does not cause the bit order of a word to be reversed as the function of the value of the code signal in the transfer of the word between the electronic module and the microprocessor.例文帳に追加

データ処理システムであって： マイクロプロセッサ；および規約信号をマイクロプロセッサに送るための電子モジュールとの通信が可能な通信素子；を含み、 電子モジュールとマイクロプロセッサとの間での語の転送の際に、規約信号の値の関数として語のビット順序を反転させたりさせなかったりするハードウエア回路を含む、ことを特徴とするデータ処理システム。 - 特許庁

In this optical sensor element 1a, wherein a gate electrode 13 is stacked on a semiconductor layer 17 formed of an oxide semiconductor via a gate insulating film 15, and a source electrode 19s and a drain electrode 19d are connected to the semiconductor layer 17, the light reception quantity in the semiconductor layer 17 is read as a drain current value which has changed in a nonvolatile manner with respect to a gate voltage.例文帳に追加

酸化物半導体からなる半導体層１７に対してゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３が積層され、当該半導体層１７にソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄが接続された光センサー素子１ａにおいて、半導体層１７での受光量を、ゲート電圧に対して不揮発的に変化したドレイン電流値として読み出す。 - 特許庁

An identification device 2 for identifying the registered object segments an object area from an input picture which is desired to be collated and generates a transformed picture, performs a logarithmic conversion, a differential strength direction arithmetic and a particular space distance with each picture element value of this picture, and makes an object which shows the minimum particular space distance between the particular spaces accumulated in the device 3 as the identification result.例文帳に追加

登録された物体を識別する識別装置２は照合したい入力画像から対象領域を切り出して変形画像を生成し、この画像の各画素値に対して対数変換と、微分強度方向計算および固有空間距離を計算し、装置３に蓄積する固有空間との間で最小の固有空間距離を示す物体を識別結果とする。 - 特許庁

A plurality of pixels constituting a pixel part 123 each includes: a liquid crystal display element; first and second holding capacitors which individually hold a positive-polarity ramp signal and a negative-polarity ramp signal corresponding to a pixel value of digital data; and means of applying the first and second voltages to a pixel electrode alternately at a predetermined period shorter than a vertical scanning period.例文帳に追加

画素部１２３を構成する複数の画素の各々は、液晶表示素子と、デジタルデータの画素値に対応した正極性ランプ信号及び負極性ランプ信号の電圧を別々に保持する第１及び第２の保持容量と、第１及び第２の保持電圧を垂直走査周期よりも短い所定の周期で交互に画素電極に印加する手段とを備える。 - 特許庁

The control units 8-11 set the set value of electron multiplication gate voltage corresponding to an electron multiplication gain of calibration target in the electron multiplication CCD imaging element 4, set the gain regulators 3 and 5 with such a gain as the sum of the electron multiplication gain of calibration target and that gain becomes the reference gain, and acquires a video level detected by the video level detector 7 under that state as a measurement.例文帳に追加

また、制御部８〜１１は、校正目標の電子増倍ゲインに対応する電子増倍ゲート電圧の設定値を電子増倍型ＣＣＤ撮像素子４に設定し、ゲイン調整部３，５を、校正目標の電子増倍ゲインとの和が基準ゲインとなるようなゲインに設定し、その状態で映像レベル検出部７によって検出される映像レベルを測定値として取得する。 - 特許庁

Next, when measurement of an unknown sample is executed and data are stored in an accumulation part 22, the quantitative analysis processing part 201 reads data of a set wavelength, and obtains quantitative values on an objective element basis by referring to the analytical curve; and a semi-quantitative analysis processing part 202 determines a wavelength by referring to a qualitative database 205, and calculates a semi-quantitative value from data corresponding to the wavelength.例文帳に追加

次に未知試料の測定を実行して蓄積部２２にデータを格納すると、定量分析処理部２０１は設定波長のデータを読み出して検量線を参照して目的元素毎に定量値を求め、半定量分析処理部２０２は定性データベース２０５を参照して波長を決めて該波長に対応するデータから半定量値を計算する。 - 特許庁

The gas sensors 34, 35 comprise condenser lenses 26, 26 for receiving the infrared rays from the contact combustion type sensor 25, a light receiving element for measuring quantity of light via the condenser lenses 26, 27, filters (BPF) 28, 29 for classifying wavelengths and infrared light receiving elements 30, 31 for measuring an exposure value of an oil vapor path 42 via the filters (BPF) 28, 29.例文帳に追加

また、ガスセンサ３４，３５は、接触燃焼式センサ２５からの赤外線を受光するための集光レンズ２６，２７と、集光レンズ２６，２７を介して光量を測定する受光素子と波長を分別するためのフィルタ（ＢＰＦ）２８，２９と、フィルタ（ＢＰＦ）２８，２９を介して油蒸気通路４２の露光量を測定する赤外線受光素子３０，３１とからなる。 - 特許庁

A device performs: inputting a color mosaic image generated by imaging of a single-plate color imaging element; detecting intensity of a high-frequency signal nearby a target pixel that is an object of interpolation; and setting a reference region having a different area depending on the intensity of a high-frequency signal and determining an interpolation pixel value by using a statistic calculated from different reference regions.例文帳に追加

単板カラー撮像素子による撮影処理によって生成される色モザイク画像を入力し、補間処理対象となる注目画素近傍の高周波信号の強度を検出し、高周波信号の強度に応じて異なる広さを持つ参照領域を設定して異なる参照領域から計算される統計量を用いて補間画素値を決定する。 - 特許庁

In the sealing material for the liquid crystal display element containing a hardening resin having a (meth)acrylate group and an epoxy group, a photoradical polymerization initiator and a thermosetting agent, a photoset product has ≥80°C glass transition temperature and ≤2.0×10^-4 mm/mm/°C maximum value of the linear expansion coefficient in 0 to 150°C temperature range.例文帳に追加

（メタ）アクリレート基とエポキシ基とを有する硬化性樹脂、光ラジカル重合開始剤、及び、熱硬化剤を含有する液晶表示素子用シール剤であって、光硬化させた硬化物のガラス転移温度が８０℃以上であり、前記硬化物の０〜１５０℃の温度範囲における線膨張係数の最大値が２．０×１０^−４ｍｍ／ｍｍ／℃以下である液晶表示素子用シール剤。 - 特許庁

This invention provides the circuit for determining the median dark level of an image sensor, and comprises a first circuit for comparing a current pixel value and a cumulative median; a storage element for storing the cumulative median level; and a second circuit which utilizes the first circuit for adjusting the cumulative media based on the current pixel level input for updating the cumulative media dark level.例文帳に追加

画像センサの暗レベル中央値を決定するための回路であって、前記回路は、現行ピクセル値と累積中央値とを比較するための第１回路と、累積中央値レベルを記憶するための記憶素子と、暗レベル累積中央値を更新するための現行ピクセルレベル入力に基づき、前記累積中央値を調整するために第１回路を利用する第２回路と、から成る。 - 特許庁

To improve reliability of a flash memory device by applying a lower reading or detecting voltage as the temperature of an element is higher, and applying a higher reading or detecting voltage when a power supply voltage is higher to maintain an always constant threshold value voltage margin of a program cell or a deletion cell regarding the voltage generator of the flash memory device.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ装置の電圧生成器に関するものであり、素子の温度が高くなるほど読み出しまたは検出電圧を低く印加し、電源電圧が高い時は読み出しまたは検出電圧は高く印加することにより、常に一定のプログラムセルまたは消去セルのしきい値電圧マージンを維持するようにしてフラッシュメモリ装置の信頼性を高める。 - 特許庁

In a terminal 101 for mobile communication, a frequency converter 102b (FFT computing element 8) performs operation by expanding a frequency range for time/frequency conversion (for example, FFT or DFT) on a received reception signal when a power measurement unit 105 decides that the reception signal received by a communication unit 102a becomes a predetermined value or below.例文帳に追加

移動通信用端末１０１は、通信部１０２ａで受信された受信信号が所定値以下になったと電力測定部１０５において判断された場合、周波数変換部１０２ｂ（ＦＦＴ演算器８）は、受信される受信信号に対して時間・周波数変換（例えば、ＦＦＴまたはＤＦＴ）を行うための周波数範囲を拡大して演算を行う。 - 特許庁

In a soft determination split mode TFCI decoding unit 22, a split mode TFCI code word separating section 221 separates TFCI code words of A-DPCH and PDSCH, and a time division fast Hadamard transforming section 222 calculates a correlation value of the separated TFCI code words of the A-DPCH and PDSCH using a butterfly computing element in a time division manner.例文帳に追加

軟判定スプリットモードＴＦＣＩ復号部２２にて、スプリットモードＴＦＣＩコードワード分離部２２１はＡ−ＤＰＣＨ及びＰＤＳＣＨ各々のＴＦＣＩコードワードを分離し、時分割高速アダマール変換部２２２は分離されたＡ−ＤＰＣＨ及びＰＤＳＣＨ各々のＴＦＣＩコードワードの相関値を、バタフライ演算器を時分割に使用して算出する。 - 特許庁

In the air purifier wherein a fan 11 driven to rotate by an electromotor 31 is provided and dust in air sent by the fan 11 is collected by a filter unit 10, a filter replacing period detector 41 capable of detecting the replacing period of a filter element on the basis of the current value to the electromotor 31 is connected to the drive circuit 40 of the electromotor 31.例文帳に追加

電動モータ３１により回転駆動されるフアン１１を備え、該フアン１１により送風される空気中の微塵をフィルタユニット１０にて捕捉できるようにした空気浄化装置において、電動モータ３１の駆動回路４０中に、当該電動モータ３１への電流値によりフィルタエレメントの交換時期を検知できるフィルタ交換時期検出装置４１を接続する。 - 特許庁

The mechanical detection element, wherein the minute force impressed on a cantilever 1A is detected by the change of resistance caused by the piezoelectric resistance effect, is constituted of: the micro-fabricated cantilever 1A; electrodes 2, 3 capable of measuring the resistance value of a resistance body composed of the cantilever 1A, and a carbon nanotube 4 for measuring the objective resistance through the electrodes 2, and 3.例文帳に追加

微細加工により作製した梁片持ち梁１Ａと、片持ち梁１Ａからなる抵抗体の抵抗値が測定できる電極２、３とを有し、片持ち梁１Ａに加わった微小な力を、ピエゾ抵抗効果により抵抗値の変化として検出するメカニカル検出素子において、電極２、３を通じて抵抗値を測定する対象がカーボンナノチューブ４により構成される。 - 特許庁

To ensure stable operation regardless of a mounting attitude, in an excess outflow check valve wherein when a flow rate of gas flowing through a main body exceeds a set value, a valve element is moved to the downstream side against the energization force of a first spring and closing operation is effected.例文帳に追加

筒状の主体(11)内に於いて該主体(11)の軸線方向に往復移動し且つ第１バネ(73)で上流側に付勢された弁体(31)を具備し、前記主体(11)内を流れるガスの流量が設定値を越えたときに前記弁体(31)が前記第１バネ(73)の付勢力に抗して下流側に移動して閉弁動作する過流出防止弁に於いて、取付け姿勢に関わらず安定した作動が確保できるようにする。 - 特許庁

Variation in format of a case 2 or an antenna element 6 is detected at a case format detecting section 14 or an antenna format detecting section 15 and, on the basis of the detection signals outputted from these detecting sections, a characteristics switching circuit section comprising an impedance matching switching circuit section 12 or a voltage supply circuit section 13 is driven thus performing control for sustaining an optimal antenna characteristic value.例文帳に追加

筐体２やアンテナ素子６の形態変化を筐体形態検出部１４やアンテナ形態検出部１５によって検出し、これら検出部から出力される検出信号に基づいてインピーダンス整合切換回路部１２や電圧供給回路部１３からなる特性切換回路部を駆動して最適なアンテナ特性値に保持する制御を行う。 - 特許庁

According to a phase difference Δϕ_M generated by reflection by the magneto-optical recording medium 50, a phase difference Δϕ_H generated by diffraction by the polarizing hologram 54A is generated to adjust the phase difference Δϕ to be a value which is as approximate as possible to mπ to suppress the signal level reduction of the high-frequency amplitude RF to dispense with a phase compensation element.例文帳に追加

光磁気記録媒体５０での反射により発生する位相差Δφ_Mに応じて光路分離用偏光性ホログラム５４Ａでの回折により発生する位相差Δφ_Hを発生させ、位相差Δφがｍπにできるだけ近い値となるよう調整することにより、高周波振幅ＲＦの信号レベル低下を抑制し、位相補償素子を不要とすることができる。 - 特許庁

To provide a simple matrix driving type display driving device capable of realizing a display device which is superior in response characteristic by quickly charging a junction capacitance or the like of a display element regardless of a driving current set to a relatively small current value and has a satisfactory display image quality and has a low power consumption and to provide a driving control method for the same.例文帳に追加

単純マトリクス駆動方式の表示駆動装置において、比較的小さな電流値に設定された駆動電流であっても、表示素子の接合容量等を迅速に充電して応答特性に優れ、かつ、表示画質が良好な低消費電力の表示装置を実現することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing crosstalk relating to the propagation in a horizontal direction of noise whose generation source is an element formed at a prescribed part of a semiconductor substrate, preventing the decline of a Q value of a Q factor, reducing signal loss and being suitable for forming an LSI integrated circuit even by a substrate with bad crystallinity such as a silicon substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板の所定の部分に形成された素子を発生源とするノイズの横方向への伝搬に係るクロストークの発生を抑制でき、ＱファクターのＱ値の低下を防止して信号損失を小さくでき、シリコン基板のような結晶性の良くない基板でもＬＳＩ集積回路を形成するのに好適な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The device has an image pickup element having a plurality of imaging regions corresponding to a plurality of output terminals and operates a correction value for correcting a charge mixture component included in the image signals from the respective imaging regions corresponding to an actual imaging by an operation means 200.例文帳に追加

複数の出力端子に対応する複数の撮像領域を有する撮像素子を有し、各撮像領域からの画像信号を転送するときに生じる電荷混入量を撮像素子からの画像信号のレベルに応じた補正信号に基づいて、実際の撮像に対応した各撮像領域からの画像信号に含まれる電荷混入成分を補正するための補正値を演算手段（２００）で演算するようにする。 - 特許庁

The drive device 20A includes a nonvolatile memory element 23 storing a coefficient α included in a function that represents correlation between a temperature change amount of the liquid crystal layer 12 with respect to a reference temperature T0 and a variation in a phase modulation amount in the liquid crystal layer 12, and computes to correct a voltage value by using the temperature indicated by the temperature signal Stemp and the coefficient α.例文帳に追加

駆動装置２０Ａは、液晶層１２の基準温度Ｔ０に対する温度変化量と、液晶層１２における位相変調量の変動量との相関を表す関数に含まれる係数αを予め記憶している不揮発性記憶素子２３を有し、温度信号Ｓｔｅｍｐに示された温度と係数αとを使用して、電圧の大きさを補正するための演算を行う。 - 特許庁

As shown in Fig.1, the phase control circuit which compares a voltage proportional to an absolute value of an AC power source instantaneous voltage and the threshold voltage of an element or a circuit for use as a reference voltage with each other and turns on/off a switching transistor connected to a load circuit which is substantially in series, according to the comparison result is a circuit very easy to use, capable of covering issues of SCRs and TRIACs.例文帳に追加

図１のように、交流電源瞬時電圧の絶対値に比例した電圧と、基準電圧として使用する素子または回路の閾値電圧との間で電圧の大小を比較し、その大／小により負荷回路に実質的に直列に接続されたスイッチング用トランジスタをオン／オフさせる位相制御回路にすれば、ＳＣＲやＴＲＩＡＣの問題点をカバーできる非常に使い易い回路になる。 - 特許庁

Output signals (pixel values) output from a sensor part where an image element having six kinds of color filters in different colors is disposed are classified corresponding to a tristimulus value, the number of colors is reduced by adding the output signals (pixel values) in respective classifications, the image signals of three bands are generated, preview is displayed using the generated image signals, and the photographed image is easily and instantaneously confirmed.例文帳に追加

色が異なる６種のカラーフィルタを有する撮像素子が配置されたセンサ部から出力された出力信号（画素値）を３刺激値に対応させて分類し、各分類における出力信号（画素値）を加算処理することにより色数を削減して３バンドの画像信号を生成し、生成された画像信号を用いてプレビュー表示を行うようにして、撮影画像を容易かつ即時に確認できるようにする。 - 特許庁

The image reading apparatus includes a sensor having a plurality of image pickup elements, a correcting section for correcting each of pixel data of the image data of the read image, according to the characteristics of each image pickup element, and a memory as an SDRAM for storing a plurality of kinds of correction data including a plurality of correction value data to be used in correction processing and different corresponding to each of the plurality of reading modes.例文帳に追加

画像読取装置は、複数の撮像素子を有するセンサーと、読み取った画像の画像データの各画素データに対して、撮像素子ごとの特性に応じた補正処理を行う補正部と、補正処理を行う際に用いる複数の補正値データを含む補正データであって、複数種の読取モード毎に対応した異なる複数種の補正データを格納するＳＤＲＡＭであるメモリーとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing variation in the resistance value of a polycrystalline silicon resistance layer due to the dispersion of hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer by a Ti system metal film, even if a difference occurs in the cover rate of the polycrystalline silicon resistance layer by the Ti system metal film formed above the polycrystalline silicon resistance layer of a thin film resistance element, and to provided the manufacture method.例文帳に追加

薄膜抵抗素子の多結晶シリコン抵抗層上方に形成されたＴｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層のカバー率に差異が生じる場合であっても、Ｔｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層からの水素吸収のバラツキに起因する多結晶シリコン抵抗層の抵抗値の変動を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the output of the light receiving element is larger than a reference output value in starting the detecting device, the wiper is wiped out at least once.例文帳に追加

発光素子から発せられた光を検知面で反射させ、該反射光を受光素子で受光して検知面における状態を検出する検出装置の結果をもとに、ワイパーを制御するワイパー駆動装置の制御方法であって、前記検出装置の起動時における前記受光素子の出力が、基準出力値より大きな場合に、ワイパーを少なくとも１回払拭するようにしたことを特徴とするワイパー駆動装置の制御方法である。 - 特許庁

The method includes the steps of: measuring resistance values of resistor elements having various length (L) and width (W) while varying a voltage applied to the resistor elements, respectively; calculating a voltage coefficient resist (VCR) by voltage of the resistor elements by expressing the measured resistance values as a linear function of voltage and calculating resistance value of a resistor element having a specific length and width using the VCR.例文帳に追加

多様な長さ（Ｌ）と幅（Ｗ）を有するそれぞれの抵抗素子に対して印加される電圧を変化させながら抵抗値を測定する段階と、測定された抵抗値を電圧に対する線形関数で表すことで、抵抗素子の電圧による抵抗変化係数（ＶＣＲ：Voltage Coefficient Resist）を算出する段階と、ＶＣＲを用いて特定の長さと幅を有する抵抗素子の抵抗値を算出する段階とを備える。 - 特許庁

Radiation elements are arranged to both the outsides of a 1st radiation element array 20 in the order of a lower frequency fn (where n is a positive integer) in the unit of two radiation elements, the interval between which is selected to be an Ln, where a value resulting from dividing the interval Ln by a wavelength equivalent to the frequency fn lower than a frequency fu is about p/2.例文帳に追加

第１放射素子列２０の両側に、ｎを正の整数とした際に、配列された２本の放射素子間の間隔がＬ_nとされ、周波数ｆ_uより低い周波数をｆ_nとした際に、その間隔Ｌ_nを前記周波数ｆ_nの波長で除算した値が、略ｐ／２となるような周波数ｆ_nとされていると共に、周波数ｆ_nが低くなる順に２本の放射素子を単位として外側に配列する。 - 特許庁

The image processor which generates the dither images represented by a multi-valued dither method has: a threshold table holding means for holding a table of thresholds for generating the dither images; an addition value register which holds addition values to be added for each element in the threshold table; and a threshold varying means for varying values of the thresholds by adding addition values for each of the elements in the threshold table.例文帳に追加

多値ディザ法によって表現されるディザ画像を生成する画像処理装置であって、前記ディザ画像を生成するための閾値のテーブルを保持する閾値テーブル保持手段と、前記閾値テーブルの要素毎に加算する値である加算値を保持する加算値レジスタと、前記閾値テーブルの要素毎に前記加算値を加算することにより閾値の値を変更する閾値変更手段とを有する画像処理装置。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical element having the multilayer film comprises: a step of measuring secondary radiation released from the multilayer film when light of wavelength 2 to 40 nm is made incident on the multilayer film and determining a phase difference between light made incident on the multilayer film in accordance with the measured value and light reflected from the multilayer film; and a step of controlling the film thickness of the multilayer film in accordance with the phase difference.例文帳に追加

多層膜を有する光学素子の製造方法において、前記多層膜に波長２乃至４０ｎｍの光を入射させた際に該多層膜から放出される二次放射線を計測し、該計測値に基づいて該多層膜へ入射する光と該多層膜から反射する光との位相差を決定するステップと、前記位相差に基づいて前記多層膜の膜厚を制御するステップとを設ける。 - 特許庁

An optical memory element comprising an aggregate of luminescent nanoparticles having a function to increase its intensity of fluorescence by irradiation with exciting light is irradiated with exciting light at an irradiation intensity controlled according to information to be recorded, and the intensity of the fluorescence of the aggregate of the luminescent nanoparticles within an area irradiated with the exciting light is selectively increased to a saturation value corresponding to the controlled irradiation intensity, whereby recording is achieved.例文帳に追加

励起光の照射により、その蛍光強度が増加する機能を持つ発光性微粒子の集合体を含む光メモリ素子に、励起光を、記録情報に応じて制御された照射強度で照射し、励起光が照射された領域内の発光微粒子の集合体の蛍光強度を、制御された照射強度に対応した飽和値まで、選択的に増加せしめ、記録を行う。 - 特許庁

The toner for electrostatic charge image development contains a resin, a colorant, a release agent and a metal element selected from a group consisting of copper, zinc, titanium, aluminum and calcium by 300 to 5,000 ppm, wherein the release agent is made of a compound having a peak value of 400 to 1,800 in the molecular weight distribution, and the toner contains a metal deactivator comprising a specified compound.例文帳に追加

本発明の静電荷像現像用トナーは、樹脂、着色剤、離型剤および銅、亜鉛、チタン、アルミニウムおよびカルシウムよりなる群から選ばれる金属元素を３００ｐｐｍ以上で５０００ｐｐｍ以下の割合で含有し、前記離型剤が分子量分布のピーク値が４００以上で１８００以下である化合物よりなり、特定の化合物よりなる金属不活性剤を含有することを特徴とする。 - 特許庁

Article 3 (1) The promotion of core manufacturing technology shall be actively implemented while establishing a social sentiment to respect abilities related to core manufacturing technology, considering that core manufacturing technology is an important element that increases the value of products or services supplied in the business of the manufacturing industry, etc. and that such core manufacturing technology is supported by manufacturing workers. 例文帳に追加

第三条　ものづくり基盤技術の振興は、ものづくり基盤技術が製造業等に属する事業において供給される製品又は役務の価値を高める重要な要素であり、そのものづくり基盤技術はものづくり労働者によって担われていることにかんがみ、ものづくり基盤技術に関する能力を尊重する社会的気運を醸成しつつ、積極的に行われなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor element by which a magnesium activation rate after annealing is made equal to or larger than a predetermined value irrespective of the Al composition of a p-type nitride semiconductor layer and the concentration of remaining hydrogen by forming the p-type nitride semiconductor layer by performing doping with magnesium and carbon such that the concentration ratio between magnesium and carbon in the layer reaches a predetermined concentration ratio.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、ｐ型窒化物半導体層のＡｌ組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element comprising a piezoelectric ceramic sandwiched by upper and lower electrodes has a lower field region (70 kV/cm or below) where the displacement δ in a field vs displacement characteristic curve A depends on the field E, and an intermediate field region (70 kV/cm-140 kV/cm) where the displacement δ does not depend on the field E but has a constant value.例文帳に追加

本発明の圧電体薄膜素子は、上部電極と下部電極に挟まれた圧電性セラミックスを備える圧電体薄膜素子であって、電界対変位特性曲線Ａが、変位δが電界Ｅに依存する低電界領域（７０ｋＶ／ｃｍ以下）と、変位δが電界Ｅに依存せずに一定の値を有する中電界領域（７０ｋＶ／ｃｍ以上１４０ｋＶ／ｃｍ以下）とを有する。 - 特許庁

The method for analyzing the depth direction element distribution of a sample consists of a process subjecting the surface of a sample to precise cross-sectional processing by converged ion beam 2', a process for measuring fine particles 3 generated from the cross section 17 obtained by the precise cross-sectional processing and a process for processing the measured value as a function of the depth direction scanning position of the converged ion beam.例文帳に追加

収束イオンビーム（２’）により試料表面を精密断面加工する工程と、前記精密断面加工により得られた断面（１７）から発生する微粒子（３）を測定する工程と、前記測定によって得た値を前記収束イオンビームの深さ方向走査位置の関数として処理する工程と、を具備することを特徴とする、試料の深さ方向元素分布分析を行う方法。 - 特許庁

The inkjet recording ink comprises a dispersion which has an average particle diameter of 50 to 300 nm and is prepared by dispersing a pigment with a polymer comprising ≥50 wt.% of benzyl acrylate and ≤15 wt.% of methacrylic acid and/or acrylic acid as constituents, and fine fluorine element-containing polymer particles having a glass transition temperature of ≤0°C and an acid value of ≤100 mgKOH/g.例文帳に追加

構成成分として５０重量％以上のベンジルアクリレートと、１５重量％以下のメタクリル酸および／またはアクリル酸とが重合されたポリマーを用いて顔料を水に分散可能とした、平均粒径が５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の分散体と、ガラス転移温度が０℃以下で、且つ酸価が１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であるフッ素元素を含む高分子微粒子とを含んでなるインクジェット記録用インク。 - 特許庁

In the phase correction optical element wherein a pair of electrodes at least one of which is light transmissive are disposed sandwiching an anisotropic optical medium whose optical characteristics are changed by an applied voltage value, two or more electrode areas 11 to 13 are provided on at least one electrode 10 and hole part formation areas 14 and 15 where numbers of hole parts 1 are formed are provided between at least two electrode areas.例文帳に追加

印加電圧値により光学的特性が変化する異方性光学媒質を挟んで少なくとも一方が光透過性とされる一対の電極が配置される位相補正光学素子であって、少なくとも一方の電極１０には、２以上の電極領域１１〜１３を設け、少なくとも２つの電極領域の間に、多数の孔部１が形成された孔部形成領域１４、１５を設ける。 - 特許庁

In this estimating method of actual measurement, an estimated value P of an actual measurement is calculated based on an analyzed value A obtained by analyzing energy density of rubber complex with respect to a specific state C by the finite element method.例文帳に追加

ゴム複合体のエネルギー密度を有限要素法により特定の状態Ｃについて解析した解析値Ａから、実測値の推定値Ｐを算出する実測値の推定方法であって、状態Ｃとして変動可能な物理量を選択し、その状態Ｃと実測値Ｍとの相関関係を近似式：Ｃ＝ｆ（Ｍ）として求める手順と、前記状態Ｃと解析値Ａとの相関関係を近似式：Ｃ＝ｇ（Ａ）として求める手順と、状態Ｃ_0 における解析値Ａ_0 、状態Ｃ_1 における解析値Ａ_1 、状態Ｃ_0 における実測値Ｍ_0 を、下記の式（１）に代入してＭ_1 について解くことにより、状態Ｃ_1 における推定値Ｐ_1 を算出する手順とを含む。 - 特許庁

In the ink-jet recording element including a support having a porous image receiving layer containing at least 90 mass% of particles and under 10 mass% of a binder on it, the image receiving layer additionally contains a nonionic surfactant having an HLB value under 10 in an amount to substantially prevent the formation of the bubbles of an application composition used for applying the image receiving layer on the support.例文帳に追加

粒子を少なくとも９０質量％、そしてバインダーを１０質量％未満含む多孔性画像受容層を上に有する支持体を含んで成るインクジェット記録要素であって、前記画像受容層がさらに、１０未満のＨＬＢ値を有する非イオン界面活性剤を、前記支持体に前記画像受容層を塗布するのに用いる塗布組成物の気泡形成を実質的に防止する量で含有しているインクジェット記録要素。 - 特許庁

The converter comprises a power conversion part 11 that converts supplied power; a smoothing filter 12 that smoothes the converted power; a voltage detector 8 that detects a voltage of the smoothed power; and a control part 17 that outputs a pulse signal for controlling a conduction ratio of a switching element in the power conversion part 11 so that an output voltage from the voltage detector 8 becomes a desired voltage value.例文帳に追加

供給された電力の電力変換行う電力変換部１１と、電力変換された前記電力を平滑化する平滑フィルタ１２と、平滑化された電力の電圧を検出する電圧検出器８と、電圧検出器８からの出力電圧が所望の電圧値になるように、電力変換部１１内のスイッチング素子の通流率を制御するためのパルス信号を出力する制御部１７とを備えている。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 10 is equipped with: a pair of electrodes comprising a first electrode 32 and a second electrode 34; an active layer 50 sandwiched between the pair of electrodes; and a metal layer 44 between the active layer and one of the pair of electrodes, having the absolute value of the work function, being ≥3.7 eV and ≤5.5 eV, and formed of a metal having semiconductor characteristics when oxidized.例文帳に追加

有機子電変換素子１０は、第１電極３２及び第２電極３４からなる一対の電極と、前記一対の電極間に挟持される活性層５０と、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極と前記活性層との間に金属層を有し、該金属層が、仕事関数の絶対値が３．７ｅＶ以上かつ５．５ｅＶ以下であり、酸化されたときに半導体特性を有する金属で形成された金属層４４とを備える。 - 特許庁