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ポテンシャル密度の英語
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英訳・英語 potential density
「ポテンシャル密度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
一電子縮約密度行列から密度を計算し（ステップ１０３）、求めた密度を用いて有効ポテンシャルＶ^RC(ｒ)を求め（ステップ１０４）、求めた有効ポテンシャルを用いて有効ＣＡＳＣＩ方程式を解き、エネルギー及び一電子縮約密度行列を計算する（ステップ１０５）。例文帳に追加
A density is calculated from the one-electron reduced density matrix (Step 103), an effective potential V^RC(r) is computed with the computed density (Step 104), and an effective CASCI equation is solved with the computed effective potential to calculate an energy and a one-electron reduced density matrix (Step 105). - 特許庁
ショットキー障壁ポテンシャルの古典的状態密度とトンネル状態密度から算出される全状態密度で全キャリア密度を計算し、古典的状態密度で計算した古典的キャリア密度と比較する。例文帳に追加
Total carrier density is calculated from all-state density calculated from classical state density of the Schottky barrier potential and the tunneling state density is calculated, and compared with the classical carrier density calculated from the classical state density. - 特許庁
これにより、ＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さが深くなり高電流密度化に有利である。例文帳に追加
By this setup, it is advantageous for an increase in the current density of the MOSFET that the potential well of the InGaAs channel layer is increased in depth. - 特許庁
古典的キャリア密度が全キャリア密度と等しくなるように、ショットキー障壁ポテンシャルを変更した補正ショットキー障壁ポテンシャルを用い、古典的・半古典的な輸送方程式を解き、ＭＯＳＦＥＴの電気的特性をシミュレーションする。例文帳に追加
The classical and semiclassical transport equations are solved using a corrected Schottky barrier potential obtained by varying the Schottky barrier potential so that the classical carrier density and all-carrier density become equal to each other, and electric characteristics of the MOSFET are simulated. - 特許庁
これにより、注入電荷によるポテンシャル変化の影響を無視できる領域で、電荷トラップ密度に比例した電荷捕獲率η（＝Ｎσ）または電荷トラップ密度Ｎを有効に算出することができる。例文帳に追加
As a result, a charge capture rate η(=Nα) proportioned to the charge trap density of the charge trap density N can be effectively calculated at a region where the effect of a change in a potential due to the injected charge can be ignored. - 特許庁
電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。例文帳に追加
The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5. - 特許庁
ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴのショットキー障壁ポテンシャルの、量子力学的トンネル効果によるトンネル状態密度を計算する。例文帳に追加
Tunneling state density by the quantum-mechanical tunneling effect through a Schottky barrier potential of the Schottky source/drain MOSFET is calculated. - 特許庁
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Weblio例文辞書での「ポテンシャル密度」に類似した例文 |
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ポテンシャル密度
of something, to be thick and heavy
the act of increasing the density of something
having the consistency of mush
the relative density of a substance when using pure water as the standard substance
a coil used in measuring the density of a magnetic field, called an exploring coil
a hydrometer that determines the concentration of salt solutions by measuring their density
special kind of densitometer that measures density variations over a very small area
「ポテンシャル密度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
実験的に得られるX線回折データにMEM構造解析を適用することで詳細な電子密度分布を求め，これをもとに観測されていないX線回折データを予測することで静電ポテンシャルを求める。例文帳に追加
An electron density distribution is found by applying the MEM structural analysis to an X-ray diffraction data obtained experimentally, and an X-ray diffraction data not observed is predicted based thereon to find the electrostatic potential. - 特許庁
MEM構造解析により得られる電子密度を、たんぱく質に代表される高分子に適用して、その高分子の静電ポテンシャルの計算に応用する。例文帳に追加
To apply electron density obtained by MEM structural analysis to a polymer represented by a protein to be applied to calculation of an electrostatic potential of the polymer. - 特許庁
ＩｎＧａＰをショットキー層に用いる場合におけるＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さを深くして、ＭＯＳＦＥＴの高電流密度化を図る。例文帳に追加
To increase the potential well of an InGaAs channel layer in depth to improve a MOSFET in current density when InGaP is used for a Schottky layer. - 特許庁
量子ドットの寸法と分布密度とを独立に制御することができ、かつ粒界に起因するポテンシャル障壁の影響を軽減させることができる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of controlling the density of the dimension and distribution of a quantum dot separately, and reducing an influence of a potential barrier caused by a grain boundary. - 特許庁
プラズマにより生じる汚れが付着しても精度良くプラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルのプラズマパラメータを測定できるようにする。例文帳に追加
To provide a plasma measuring device capable of measuring a plasma density, an electron temperature, and a plasma parameter of plasma potential with high accuracy even when the contamination caused by plasma is deposited thereon. - 特許庁
誘電体１２に振動電圧を印加して、通信媒体に用いる電気ベクトルポテンシャルを発信する際に、電圧印加状態での誘電体１２内の電束密度を不均一にする。例文帳に追加
When a vibration voltage is applied to a dielectric 12 and electric vector potential used for a communication medium is transmitted, dielectric flux in the dielectric 12 in a voltage applying state is made to be non-uniform. - 特許庁
イオン化ポテンシャルは、密度汎関数法及び基底関数を用いて構造最適化を行うことによって得られた構造のうち、最低エネルギーを有する構造（最安定構造）の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）エネルギーからクープマンの定理により求めた値を示す。例文帳に追加
The ionization potential is a value obtained according to the Koopmans' theorem from the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy of a structure having the lowest energy (the most stable structure) among structures obtained by structural optimization using the density functional theory and a basis function. - 特許庁
容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。例文帳に追加
The method also comprises the step of extracting the grain boundary fault from a potential and carrier density obtained from the capacity-voltage measurement, and a current-voltage measurement by using a depletion layer approximation at the boundary, drift diffusion equation and thermo-ionic emission equation. - 特許庁
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