絶縁伝達回路２１ａは、正論理の第１の駆動パルス信号を電気的に絶縁して増幅器２２ａに伝える。例文帳に追加

The insulation transfer circuit 21a electrically insulates the first drive pulse signal having a positive logic for transfer to an amplifier 22a. - 特許庁

絶縁伝達回路２１ｂは、負論理の第２の駆動パルス信号を電気的に絶縁して反転増幅器２２ｂに伝える。例文帳に追加

The insulation transfer circuit 21b electrically insulates the second drive pulse signal having a negative logic for transfer to an inverting amplifier 22b. - 特許庁

この半導体装置を形成する際には、まず、基板上にＳｉを含む絶縁膜を形成し、この絶縁膜の表面に、その組成が、絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもＳｉ過剰なＳｉリッチ層を形成する。例文帳に追加

When the semiconductor device is formed, the insulating film containing Si is firstly formed on a substrate, and then the Si-rich layer more rich in Si than the chemically logical composition of the material of the insulating film is formed on the surface of the insulating film. - 特許庁

絶縁性に優れることは勿論のこと、軽量で、優れた耐フッ化水素ガス性、高い耐熱性、高強度及び高弾性率を有する高信頼性のガス絶縁開閉器用絶縁部材を提供すること。例文帳に追加

To provide a light-weighted gas insulated switch of high reliability, excellent, of course, in insulating performance, excellent also in hydrogen fluoride resistance, and having high heat resistance, a high strength and a high elastic modulus. - 特許庁

金属配線４上に、Ｓｉ_3 Ｎ_4 の化学量論組成よりＳｉリッチな下層窒化シリコン系絶縁膜５ａと、この下層窒化シリコン系絶縁膜５ａよりもＮリッチな上層窒化シリコン系絶縁膜５ｂとを形成し、併せて窒化シリコン系絶縁膜５とする。例文帳に追加

An Si-rich lower silicon nitirde-based insulation film 5a than that of the stoichiometric composition of Si3N4 and an N-rich upper silicon nitride-based insulation film 5b than that of the insulation film 5a are formed on a metal wiring 4 in sequence, making them a silicon nitride-based insulation film 5. - 特許庁

論理回路部４０にはゲート絶縁膜３Ｂを介してゲート電極４Ｃ形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 4C is formed through a gate insulation film 3B in the logic circuit 40. - 特許庁

高Ｋ絶縁材料を用いて高出力デバイスから熱を散逸させると同時に低Ｋ絶縁材料を用いて低出力論理デバイスの低誘電率、低抵抗率の必要に対処する絶縁体を含む集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide an integrated circuit provided with an insulator for diffusing heat from a high output device while using high-K insulating materials and for dealing with the needs of a low dielectric constant and a low resistivity for a low output logic device while using low-K insulating materials at the same time. - 特許庁

薄膜積層体は、（任意選択として）絶縁層と、電極を形成する金属層と、センサと、ヒータと、トランジスタ又は論理デバイスと、上部の絶縁層とを備える。例文帳に追加

The thin film stack comprises an (optional) isolation layer, a metal layer forming an electrode, a sensor, a heater, a transistor or a logic device, and a top isolation layer. - 特許庁

実使用状態での電力設備を停止させることがなく、絶縁劣化が診断できることは勿論、間欠弧光地絡発生時には、地絡発生の有無及び事故回線を特定できる絶縁診断装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an insulation diagnostic device that does not stop power equipment in an actual operating condition, can diagnose insulation degradation, and can identify the occurrence of ground and an accident line when an intermittent arc light ground has occurred. - 特許庁

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に熱処理による脱水化または脱水素化を行うとともに、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜として、酸素を含む絶縁膜、好ましくは、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁膜を用いることで、該ゲート絶縁膜から酸化物半導体膜へ酸素を供給する。例文帳に追加

In a transistor including an oxide semiconductor film, dehydration or dehydrogenation is performed on the oxide semiconductor film through heat treatment and an insulation film including oxygen, preferably a gate insulation film including a region containing oxygen more than the stoichiometric composition ratio is used as a gate insulation film in contact with the oxide semiconductor film, whereby oxygen is supplied from the gate insulation film to the oxide semiconductor film. - 特許庁

また、１３族元素および酸素を含む第１の絶縁膜には、化学量論的組成比より酸素が多い領域が含まれる構成とする。例文帳に追加

The first insulation film containing oxygen and the element belonging to Group 13 includes a region containing oxygen more than the stoichiometric composition ratio. - 特許庁

クロム系コート並の優れた耐食性は勿論、その他の被膜特性も併せ持つクロムフリー絶縁被膜付き電磁鋼板を提供する。例文帳に追加

To provide an electromagnetic steel plate with a chromium-free insulating coating which not only has excellent corrosion resistance comparable to that of chromium type coating but also has other coating characteristics. - 特許庁

低誘電率層となる界面層の形成を抑えて、化学量論組成を持つ絶縁性金属酸化物膜を得られるようにする。例文帳に追加

To prevent the formation of an interface which acts as a low dielectric layer and to obtain an insulating metal oxide film having a stoichiometric composition. - 特許庁

つまり、入出力回路１０２と論理演算回路１０１とは、各フォトカプラにより電気的に絶縁されている。例文帳に追加

In other words, the input/output circuit 102 is electrically insulated from the logical arithmetic circuit 101 with the individual photocouplers. - 特許庁

難燃性は勿論、機械特性や絶縁抵抗等に優れた新規なノンハロゲン難燃電線・ケーブルの提供。例文帳に追加

To provide a new non-halogen flame-retardant electric wire cable superior in flame resistance and mechanical properties, and the insulating resistance or the like. - 特許庁

また、電源ノード側の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタの第一ゲートに入力された論信号に対応した微分波形が、出力ノード側の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタの第二ゲートにも生じるようにすることで解決する。例文帳に追加

Also, the differential waveform corresponding to the logical signal input to the first gate of the 4-terminal double insulation gate field effect transistor on the power source node side is generated in the second gate of the 4-terminal double insulation gate field effect transistor on the output node side as well. - 特許庁

ノーマリィ・オンの絶縁ゲート型ＦＥＴを使わなくても構成でき、「出力を開放する」という多値論理出力の仕方ができ、多値論理回路名からその機能が分かり、人の言葉で表現できる多値論理機能を持つ多値論理回路を提供する。例文帳に追加

To provide a multivalue logic circuit which can be constituted even if a normally-on insulated gate FET is not used, can perform a manner of a multivalue logic output such as "output is opened", can recognize its function from the name of the multivalue logic circuit, and has a multivalue logic function which can be expressed by a human language. - 特許庁

さらに該絶縁膜が、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素欠陥を低減する。例文帳に追加

When the insulation film includes a region containing oxygen more than a stoichiometric composition ratio, oxygen is supplied to the oxide semiconductor film and oxygen defects in the oxide semiconductor film are reduced. - 特許庁

所定の交叉部で絶縁膜に開口部を設けることにより上下の配線群の間にダイオードを形成し、各々のデータ電極毎にデータ信号を供給する論理回路を構成する。例文帳に追加

The opening is formed in the insulating film at a predetermined intersection part and diodes are formed between upper and lower wire groups to constitute a logic circuit which supplies data signals by the data electrodes. - 特許庁

半導体基板１は素子分離絶縁膜２により記憶回路部３０と論理回路部４０に区画され、記憶回路部３０には段差部１ａが形成されている。例文帳に追加

A semiconductor substrate 1 is sectioned into a memory circuit 30 and a logic circuit 40 by an isolation film 2 and a level difference step 1a is formed in the memory circuit part 30. - 特許庁

論理信号が縦積みされた二個の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタのどちらの第一ゲートに印加された場合でも、それに対応した微分波形がどちらの第二ゲートにも生じるようにする。例文帳に追加

No matter which of the first gates of two vertically stacked 4-terminal double insulation gate field effect transistors a logical signal is impressed to, a differential waveform corresponding to it is generated in both second gates. - 特許庁

スイッチング回路要素は、前記入力電圧領域が論理ゼロに相当するとき、前記供給電圧レールから前記パストランジスタの出力を絶縁するよう構成される。例文帳に追加

The switching circuit element is constructed so as to insulate the output of the pass transistor from the supply voltage rail, when the input voltage region corresponds to a logical zero. - 特許庁

また、脱水化または脱水素化処理が施された後に、酸化物絶縁膜が接して形成された酸化物半導体膜を利用することで、閾値の経時変化が抑制され、論理回路の信頼性を高められる。例文帳に追加

In addition, a change in a threshold voltage over time is suppressed and the reliability of a logic circuit can be improved by using an oxide semiconductor film which is formed when an oxide insulating film is in contact thereto after dehydration or dehydrogenation treatment. - 特許庁

本発明は、高さ寸法を低減することは勿論のこと、遮断部タンク内の絶縁ガスの漏洩を効率よく低減できるガス遮断器を提供することにある。例文帳に追加

To provide a gas-blast circuit breaker capable of reducing a height dimension and efficiently reducing leakage of insulating gas in a circuit break section tank. - 特許庁

この時、介在２３は、撚り合わせた４対の対より線心２２の中心に位置するのは勿論のこと、絶縁線心２９の側面にまで密着してこの側面を覆うようにして不均一に潰れる。例文帳に追加

At this time, the inclusion 23 is not only positioned in the center of the four stranded wire cores 22 but also is adhered up to a side surface of an insulation wire core 29 and is collapsed unevenly to cover the side surface. - 特許庁

メモリおよび論理切り換え用途に使用するための磁気トンネル接合セルが、第一の強磁性層と、第二の強磁性層と、第一および第二の強磁性層の間に介挿されて磁気トンネル接合素子を形成する絶縁層とで形成される。例文帳に追加

A magnetic tunnel junction(MTJ) cell comprises an MTJ element 200 of multiplayer structure having a first and second FM layers 302, 304 and insulating layers 306, 308, 310 interposed between them. - 特許庁

節点Ｎｖｓには第２の電源ＶＤＤ１から通常動作電圧Ｖｏｐが出力され、トランジスタ５が絶縁破壊されているので出力端子ＲＣがハイレベルになり、不揮発的に論理値１が記憶される。例文帳に追加

A normal operating voltage Vop is outputted from a first power supply VDD1 to the node Nvs, an output terminal RC goes to a high level, because the insulation of the transistor 5 is destroyed and the logical value 1 is stored in a non-volatile way. - 特許庁

自動列車制御システムの中央送電型無絶縁軌道回路において、軌道回路追跡結果と送信器、受信器の受信レベルの組合せ論理により軌道回路故障と送信器、受信器故障を検知する。例文帳に追加

In the central power transmission type non-insulated track circuit for an automatic train control system, track circuit failure, and transmitter or receiver failure are detected by track circuit trace results and a combination logic of receiving levels of the transmitter and the receiver. - 特許庁

高速動作の必要なＴＦＴ（例えば論理回路に用いられるＴＦＴ）と高耐圧の必要なＴＦＴ（例えば高電圧信号のスイッチングに用いられるＴＦＴ）のゲイト絶縁膜とチャネル長を調節する。例文帳に追加

The gate insulating film thickness and the channel length of the TFTs requiring high speed operation (e.g. the TFTs used in a logic circuit) and the TFTs requiring high breakdown voltage (e.g. the TFTs used in high voltage signal switching), are regulated. - 特許庁

論理部Ａ２およびＩ／Ｏ部Ａ３では、ＭＩＳトランジスタの拡散領域１２ｂ上の高誘電率絶縁膜７を除去して、その表面に低抵抗のシリサイド層１４を形成する。例文帳に追加

At a logic part A2 and an I/O part A3, a high dielectric-constant film 7 on a diffusion area 12b of the MIS transistor is removed and a silicide layer 14 with low resistance is formed on its surface. - 特許庁

即ち、固体撮像素子１では、絶縁膜１０３、１０５、１０８およびパッシベーション膜１０７等は勿論、カラーフィルタ膜１１０およびレンズ膜１０９、１１１を含めた全ての要素が無機材料から構成されている。例文帳に追加

That is, all the elements of the solid-state imaging element 1, including a color filter film 110 and lens films 109, 111 as well as insulation films 103, 105, 108 and a passivation film 107, are constituted of the inorganic materials. - 特許庁

また、高発泡度により、軽量化は勿論のこと、誘電率εの低下により絶縁体部分の薄膜化が可能となるため、ケーブル自体の小型化（小径化）も得られる。例文帳に追加

Furthermore, because the high foaming degree and thin-film formation of the insulator part as well as weight reduction are enabled due to reduction of the dielectric constant ε, down-sizing (downsizing of diameter) of the cable itself can be realized. - 特許庁

本発明は、シリコン基板上に、シリコンと酸素を必須成分とする絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に酸素が化学量論組成よりも不足した組成を持つ金属酸化物を形成する工程と、前記金属酸化物上に導電性膜を形成する工程と、この積層構造を熱処理する工程とを備える半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

This method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming an insulating film whose essential component is silicon and oxygen on a silicon substrate, a process for forming metal oxide having composition wherein quantity of oxygen is insufficient for that in stoichiometry composition on the insulating film, a process for forming a conductive film on the metal oxide, and a process for thermally treating the above laminated structure. - 特許庁

半導体化剤を含有したチタン酸ストロンチウム系の粒界絶縁型半導体セラミックスを作製するにあたり、結晶粒界を電気的に絶縁している成分及び半導体化剤をそれぞれ除いた組成でのチタン原子の割合を化学量論比よりも多くし、かつ、ストロンチウム原子の２０〜８０％をカルシウム原子で置換することによって解決した。例文帳に追加

At the time of manufacturing the strontium titanate-based grain-boundary-insulated semiconductor ceramic containing a semiconducting agent, the rate of titanium atoms in a composition from which a component electrically insulating crystal grain boundaries and the semiconducting agent are removed is made larger than the stoichiometric ratio of the composition and, in addition, the 20-80% of strontium atoms is replaced with calcium atoms. - 特許庁

半導体化剤を含有したチタン酸ストロンチウム系の粒界絶縁型半導体セラミックスを作製するにあたり、結晶粒界を電気的に絶縁している成分及び半導体化剤をそれぞれ除いた組成でのチタン原子の割合を化学量論比よりも多くし、かつ、ストロンチウム原子の１０％以下をマグネシウム原子で置換することによって解決した。例文帳に追加

The strontium titanate-based grain-boundary-insulated semiconductor ceramic containing a semiconducting agent is manufactured in a state where the rate of titanium atoms in a composition from which a component electrically insulating crystal grain boundaries and the semiconducting agent are removed is made larger than the stoichiometric ratio of the composition and, in addition, the ≤10% of strontium atoms is replaced with magnesium atoms. - 特許庁

ウェット酸化法により２００〜４００℃の温度範囲でＣＶＤ法等を用いて成膜した窒化タンタル膜を熱酸化することにより、非化学量論的組成膜とアモルファス構造を有する化学量論的組成膜との積層構造を有する酸化タンタル膜を上記絶縁膜として形成する。例文帳に追加

A tantalum nitride film formed by CVD, etc. in a temperature range of 200-400°C is thermally oxidized by the wet oxidizing method to form an insulation film, i.e., a tantalum oxide film having a laminate structure of a non-stoichiometric composition film, and a stoichiometric composition film having an amorphous structure. - 特許庁

半導体基板１０の上に、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１１を介して、ポリシリコン膜１２、化学量論組成比よりもチタンがリッチな窒化チタンからなるバリアメタル層１３、及びタングステン膜１４が順次堆積されている。例文帳に追加

A polysilicon film 12, a titanium nitride barrier metal layer 13 richer in titanium than the stoichiometric composition ratio and a tungsten film 14 are laminated via a silicon oxide film-made gate insulation film 11 on a semiconductor substrate 10. - 特許庁

保護構造は、半導体デバイス１０のメモリ記憶領域１２と、半導体デバイス１０の論理回路領域１４との間に形成された深いトレンチ分離領域５０を備え、深いトレンチ分離領域は絶縁材料で充てんされている。例文帳に追加

The protective structure is provided with a deep-trench isolation region 50 formed between a memory storing region 12 of the semiconductor device 10 and the logical operation circuit region 14 of the semiconductor device 10, while the deep-trench isolation region is filled with an insulation material. - 特許庁

ビアホール近傍の層間絶縁膜がレジスト剥離工程において劣化しその付近の比誘電率が他の部分のそれより大きくなることを、論理セルライブラリ生成過程において考慮に入れるようにしてシミュレーション精度を向上させる。例文帳に追加

To enable simulations to be improved in accuracy taking the fact that a part of an interlayer insulating film near a viahole is deteriorated in a resist separating process and becomes larger in permittivity than the other part into consideration in a logic cell library generating process. - 特許庁

カーボンナノチューブ１の成長起点側及び終点側の端部に第１及び第２の電極２，３を形成した後、層間絶縁膜９を成膜し、ｎ型ＦＥＴ２０ｎ及びｐ型ＦＥＴ２０ｐからなる論理回路を実装した半導体装置１００を完成する。例文帳に追加

After the formation of first electrodes 2 and second electrodes 3 at the growth starting side end sections and the growth terminating side end sections of the carbon nanotubes 1, interlayer insulating films 9 are formed, and then the semiconductor device 100 is completed, with a logic circuit comprising an n-type FET (field effect transistor) 20n and a p-type FET 20p mounted thereon. - 特許庁

スパークプラグ１００に用いられるアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分とするスパークプラグ用絶縁体２であって、少なくともケイ素（Ｓｉ）成分と、１種類以上の希土類元素（以下、ＲＥ．と表す）成分とを含有し、かつ、理論密度比が９５％以上であるアルミナ基焼結体により構成する。例文帳に追加

The insulator 2 used for the spark plug 100 and containing alumina (Al_2O_3) as a main component, is constituted of an alumina-based sintered body which includes at least a silicon (Si) component and one or more rare earth elements (hereinafter expressed as RE.) and has a theoretical density ratio of ≥95%. - 特許庁

本発明は、遅延時間補正回路、ビデオデータ処理回路及びフラットディスプレイ装置に関し、例えば絶縁基板上に駆動回路を一体に形成した液晶表示装置に適用して、ＴＦＴ等による論理回路において遅延時間の変化を有効に回避することができるようにする。例文帳に追加

To effectively avoid a delay time change in a logic circuit formed of TFTs by applying this invention to, for instance, a liquid display unit having an integral structure composed of an insulating board and a drive circuit formed thereon as to a delay time correction circuit, a video data processing circuit, and a flat display device. - 特許庁

冷媒流通用の隙間１０６ａに面したアノード側金属セパレータ１０１の表面にプライマー層１０７を介して絶縁被覆１０８を形成した構造において、プライマー層１０７として、（測定抵抗値／算出理論抵抗値）＝９５％以上を満たす膜質のものを採用する。例文帳に追加

In a structure where the insulating coating 108 is formed on a surface of an anode-side metal separator 101 facing to a space 106a for running a cooling medium through a primer layer 107, a layer having film quality satisfying (measured resistance value/calculated theoretical resistance value)≥95% is employed as the primer layer 107. - 特許庁

この接続により、論理部のｎチャネルＭＩＳＦＥＴのチャージアップによるゲート絶縁膜８の破壊を防ぐことができ、さらに後の工程において形成される上層の配線のチャネルを全てセル内またはセル間の配線に用いることができる。例文帳に追加

By such a connection, a gate insulating film 8 can be prevented from being broken due to the charge-up of the n-channel MISFET in the logical section, and all channels on the upper layer formed in the following steps can be used for wiring in the cell or between the cells. - 特許庁