Si lとは 意味・読み方・使い方

In addition, a P-type poly-Si empolyed for the emitter diffusion area 23 of the L-PNP transistor is used as a poly-Si for high resistance.例文帳に追加

また、Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に使用するＰ型ｐｏｌｙ−Ｓｉを高抵抗用のｐｏｌｙ−Ｓｉとしても使用する。 - 特許庁

Next, the processing part calculates an internal resistance value R_B of the battery (S3), and corrects the lower limit voltage value V_LR by using the internal resistance value R_B, the opening voltage value V_OR and a reference resistance value R_SI of the load L_S (S4).例文帳に追加

次に、処理部は、バッテリの内部抵抗値Ｒ_B を算出し（Ｓ３）、該内部抵抗値Ｒ_B 、開放電圧値Ｖ_OR、及び負荷Ｌ_S の基準抵抗値Ｒ_SIを用いて下限電圧値Ｖ_LRを補正する（Ｓ４）。 - 特許庁

Here, the holder 18 holds six Si substrates 20A to 20F so that they can be aligned along a circumferential direction L, and rotates in the circumferencial direction L.例文帳に追加

ここで、ホルダ１８は、その円周方向Ｌに沿って並ぶように６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆを保持すると共に、その円周方向Ｌに回転する。 - 特許庁

The two-dimensional optical beam deflector 100 includes a deflection element 10 which contains resin and deflects light L in one direction and a deflection element 50 which contains Si and deflects light L in other direction.例文帳に追加

２次元光偏向器１００は、樹脂を含み光Ｌを一方向に偏向する偏向素子１０とＳｉを含み光Ｌを他方向に偏向する偏向素子５０とを備える。 - 特許庁

Next, the molten metal L of an Al-Si based alloy such as an Al-23% Si based alloy is introduced into the inner circumferential wall side of the external cylindrical molded body 14 while rotating the cylindrical die 22, so as to form an internal cylindrical cast body.例文帳に追加

次に、円筒状金型２２を回転させながら外側円筒形状成形体１４の内周壁側にＡｌ−２３％Ｓｉ系合金等のＡｌ−Ｓｉ系合金の溶湯Ｌを導入して、内側円筒形状鋳造体を形成する。 - 特許庁

The conversion treatment solution for subjecting a magnesium alloy to the conversion treatment contains phosphoric acid of 4 g/l or more in terms of PO_4, calcium compound of 0.8 g/l or more in terms of Ca and silicon compound of 1g/l or more in terms of Si.例文帳に追加

マグネシウム合金を化成処理するための化成処理液であって、ＰＯ_4 換算で４ｇ／リットル以上のリン酸と、Ｃａ換算で０．８ｇ／リットル以上のカルシウム化合物と、Ｓｉ換算で１ｇ／リットル以上のケイ素化合物とを含有した化成処理液。 - 特許庁

On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。 - 特許庁

The compound (L) includes a compound (A) which contains M^1 (Al, Ti or Zr) having bond of a hydrolyzable characteristic group, and a compound (B) which contains Si having bond of a hydrolyzable characteristic group.例文帳に追加

化合物（Ｌ）は、加水分解性を有する特性基が結合したＭ^1（Ａｌ、Ｔｉ、またはＺｒ）を含有する化合物（Ａ）と、加水分解性を有する特性基が結合したＳｉを含有する化合物（Ｂ）とを含む。 - 特許庁