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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "位相シフト"に関連した英語例文

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"位相シフト"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1550



例文

薄膜強誘電性位相シフト素子を採用した電力増幅器例文帳に追加

POWER AMPLIFIER EMPLOYING THIN FILM FERROELECTRIC PHASE SHIFT ELEMENT - 特許庁

位相シフト干渉測定装置及び方法、並びに記憶媒体例文帳に追加

MEASURING APPARATUS FOR INTERFERENCE OF PHASE SHIFT, METHOD THEREFOR AND RECORD MEDIUM - 特許庁

この構成を位相シフト回路としての基本構成とする。例文帳に追加

This constitution is regarded as the basic constitution of the phase shift circuit. - 特許庁

位相シフトマスク及び、それを用いたホールパターン形成方法例文帳に追加

PHASE SHIFT MASK AND HOLE PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME - 特許庁

例文

位相シフトマスクを使用したフォトリソグラフィによるLEDの作製例文帳に追加

PHOTOLITHOGRAPHIC LED FABRICATION USING PHASE-SHIFT MASK - 特許庁


例文

ブランクマスク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法例文帳に追加

BLANK MASK AND PRODUCTION OF PHASE SHIFT MASK USING SAME - 特許庁

さらに、当該素子は、位相シフト用導波路の近傍に形成され、少なくとも該位相シフト用導波路における光学的な屈折率を変化させるために、位相シフト用導波路に電界を印加するための電極対とを含む。例文帳に追加

The element is formed near the phase shift waveguide, and includes an electrode pair for applying an electric field to the phase shift waveguide, for varying an optical refractive index in at least the phase shift waveguide. - 特許庁

基板彫り込み型の位相シフトマスク用のマスクブランクス、基板彫り込み型の位相シフトマスク、および基板彫り込み型の位相シフトマスクの製造方法例文帳に追加

MASK BLANK FOR PHASE SHIFT MASK OF SUBSTRATE MORTISE TYPE, PHASE SHIFT MASK OF SUBSTRATE MORTISE TYPE AND METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK OF SUBSTRATE MORTISE TYPE - 特許庁

位相シフトセルAは、共通の入力信号を受理し、各々は、その他の位相シフトセルAとは異なる量だけ入力信号を位相シフトさせる。例文帳に追加

The phase shifting cells A receive a common input signal and each phase-shifts the input signal just by a different amount from the other phase shifting cells A. - 特許庁

例文

位相シフトユニットは、回折格子像の複数の位相シフトパターンを形成し、それを物体表面(16)上に反射して、複数の投影位相シフトパターンを形成するように構成される。例文帳に追加

The phase shift unit is composed to form a plurality of phase shift patterns of diffraction grating image, which is reflected on the surface of an object (16) to form a plurality of projection phase shift patterns. - 特許庁

例文

および、基板上に位相シフト膜が設けられ、位相シフト膜は金属及びシリコンを含み、スパッタ法でシリコンターゲットと、金属シリサイド等のターゲットを同時に放電させて成膜された位相シフトマスクブランク。例文帳に追加

The phase shift mask blank has a phase shift film deposited on a substrate, the phase shift film containing metals and silicon and deposited by discharging both of a silicon target and a metal silicide target or the like at a time by sputtering. - 特許庁

光を位相シフトマスク経由で基板に照射する場合に、位相シフトマスクの位相シフト効果を向上させ、解像度の高い転写像を得ることを可能にする。例文帳に追加

To obtain a transfer image with high resolution by enhancing a phase shift effect of a phase shift mask in irradiating a substrate with light via the phase shift mask. - 特許庁

回折格子に位相シフト部を備える分布帰還型半導体レーザにおいて、位相シフト部の位相シフト量を(8/40)Λ〜(9/40)Λ(Λは回折格子間隔の2倍)に設定する。例文帳に追加

In the distributed feedback semiconductor laser having a phase shift in a grating, a phase shift amount of the phase shift is set to (8/40)Λ to (9/40)Λ (Λ is twice as much as grating interval). - 特許庁

透明基板1上に、金属と珪素とを含み位相シフト機能を有する位相シフト膜2と、遮光膜3と、レジスト膜4とがこの順に形成されたハーフトーン型位相シフトマスクブランク10Bである。例文帳に追加

The halftone phase shift mask blank 10B has a phase shift film 2, containing metal and silicon and having a phase shift function, a light-shielding film 3 and a resist film 4 formed, in this order on a transparent substrate 1. - 特許庁

所望のパターン形状を容易に形成することのできる位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスクを用いた露光方法を提供する。例文帳に追加

To provide a phase shift mask which is capable of easily forming desired pattern shapes, a method of manufacturing the phase shift mask and an exposure method using the phase shift mask. - 特許庁

レベンソン位相シフト領域と非位相シフト領域間で生じる像強度の違いを、非位相シフト領域の堀込み量を調整することで克服する。例文帳に追加

To eliminate difference in image intensity between a Lebenson phase shift region and a non-phase shift region by adjusting digging amount to the non-phase shift region. - 特許庁

ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法例文帳に追加

HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING HALFTONE PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN - 特許庁

第1のイメージ区分30は、所定の周波数の電磁放射に関して所定の位相シフトを与え、第2のイメージ区分40は、第1のイメ−ジ区分の位相シフトより、180°大きいまたは小さい位相シフトを与える。例文帳に追加

The 1st image division 30 gives a prescribed phase shift with respect to electromagnetic radiation having a prescribed frequency and the 2nd image division 40 gives a phase shift which is 180° larger or smaller than the phase shift by the 1st image division. - 特許庁

反射型フォトマスクは、位相シフト部9と、位相シフト部9の外側に位置する反射部11と、位相シフト部9と反射部11との間に位置する半吸光部12とを備えている。例文帳に追加

The reflective photomask comprises: a phase shift part 9; a reflection part 11 located at the outside of the phase shift part 9; and a half absorption part 12 located between the phase shift part 9 and the reflection part 11. - 特許庁

位相シフトデータ生成部5は、位相シフトデータ・パターンを記憶したLUTを内蔵し、上記差に応じた位相シフトデータをLUTより読み出し出力する。例文帳に追加

A phase shift data generating section 5 includes an LUT storing a phase shift data pattern and reads a phase shift data corresponding to the above difference from the LUT to output it. - 特許庁

位相シフト装置(32)は位相シフト変圧器を備え、信号が合成される際に交互の出力(28)のノイズ成分が逆位相となりほぼ完全に互いを相殺するように、180°の位相シフトを導入する。例文帳に追加

The phase shift device (32) prepares a phase shift transformer which carries out a phase shift of 180° so that the components of the alternative output (28) become inverse, and nearly completely cancel each other when they are composed. - 特許庁

遮光層及び位相シフト層の黒欠陥のない、ガリウムステインによる透過率の低下、位相シフト層の厚み低下による位相差の変化のないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。例文帳に追加

To provide a halftone phase shift mask having no black defect in a light shielding layer or in a phase shift layer and no decrease in the transmittance due to gallium stain, and no change in the phase difference due to a decrease in the thickness of the phase shift layer. - 特許庁

本発明の位相シフトマスクにおいては、位相シフト効果によって発生する不要な露光イメージとなる暗部の光強度を意図的に大きくする機能を位相シフトマスクに持たせる。例文帳に追加

The phase shift mask is structured, in such a manner that the phase shift mask has a function to intentionally enhance the intensity of light in a dark portion which gives an unwanted exposure image caused by a phase shift effect. - 特許庁

ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン転写方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN - 特許庁

改善した減衰型の位相シフトマスク、こうした減衰型の位相シフトマスクの製造方法、およびこうした減衰型の位相シフトマスクの使用方法を提供する。例文帳に追加

To provide an improved attenuated phase shift mask, a method of manufacturing such an attenuated phase shift mask and a method for using such an attenuated phase shift mask. - 特許庁

これら3つの位相シフト領域の形成は、第1位相シフト430と第2位相シフト領域440を形成するための2回のエッチングステップによって達成される。例文帳に追加

These three phase shift regions are achieved by two times of etching steps for forming the first phase shift 430 and the second phase shift region 440. - 特許庁

透明基板1の上に位相シフト層2が形成される位相シフト層形成工程の後に、位相シフト層2の上の所定領域に遮光膜としてのCr膜6Aを形成する遮光膜形成工程が施される。例文帳に追加

After a step of forming the phase shift layer by which the phase shift layer 2 is formed on a transparent substrate 1, a step of forming a light shielding film for forming a Cr film 6A as a light shielding film in the prescribed regions on the phase shift layer 2 is performed. - 特許庁

位相シフト値を指定する操作子(摘まみ)と、操作子により指定された位相シフト値に基づいて位相調整を行う位相シフト回路と、を設ける。例文帳に追加

The sound adjusting console is provided with an operating knob (knob) for designating a phase shift value and a phase shift circuit for performing phase adjustment on the basis of a phase shift value designated by the operating knob. - 特許庁

位相シフトマスクとして露光光での屈折率及び消衰係数が満たされ、露光光での反射率や検査波長での透過率が制御され、正確なパターニングがされたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造に好適なハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス、及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。例文帳に追加

To provide a blank suitable for the manufacture of a halftone type phase shift mask having a halftone type phase shift film which has a refractive index and an extinction coefficient for exposure light satisfying the requirements as a phase shift mask, which has controlled reflectance for the exposure light and controlled transmittance at the inspection wavelength and which is accurately patterned, and to provide a halftone type phase shift mask. - 特許庁

光導波路素子は、光学基板の表面付近に形成された2つの位相シフト用導波路と、2つの位相シフト用導波路の入力側に接続された分岐用導波路と、2つの位相シフト用導波路の出力側に接続された合流用導波路とを含む。例文帳に追加

The optical waveguide element includes: two phase shift waveguides formed near the surface of an optical substrate; a branch waveguide connected to an input side of the two phase shift waveguides; and a merging waveguide connected to an output side of the two phase shift waveguides. - 特許庁

所望の透過率を有するとともにゼロ付近の位相シフト量を有し、比較的薄い膜厚の光半透過膜、この光半透過膜を利用した新規な位相シフトマスク及びその位相シフトマスクを製造できるフォトマスクブランク、並びに上記光半透過膜の設計方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optically semitransmissive film having a desired transmissivity, having a phase shift amount close to zero and having comparatively thin film thickness, a novel phase shift mask utilizing the optically semitransmissive film, a photomask blank capable of manufacturing the phase shift mask, and a method for designing the optically semitransmissive film. - 特許庁

復号出力を生じるように第1の出力に復号アルゴリズムを適用するデコーダ回路と、データセットの第2の位相が、位相シフトされた出力として供給される復号出力を位相シフトする位相シフト回路とを含む。例文帳に追加

The circuit further includes a decoder circuit that applies a decoding algorithm to the first output to yield a decoded output, and a phase shift circuit that phase-shifts the decoded output such that a second phase of the data set is provided as a phase shifted output. - 特許庁

遮光層の黒欠陥は除去され、位相シフト層の黒欠陥は発生させず、ガリウムステインによる透過率の低下、位相シフト層パターンの厚みの低下による位相差の変化のないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a halftone type phase shift mask in which black defects of a light shield layer are removed and black defects in a phase shift layer are not generated and transmissivity is not deduced due to gallium stain and phase difference due to decrease in thickness of a phase shift layer pattern is not varied. - 特許庁

位相シフトマスク毎の透過率や位相差などの出来映え(光学的特性の個体差)に応じて、検出すべき欠陥サイズの判定基準を適正化する位相シフトマスクの検査方法、位相シフトマスクの検査装置及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inspecting method for phase shift mask and an inspecting device for phase shift mask for optimizing a criterion for size of a defect to be detected according to results (individual differences of optical characteristics) of transmissivity, phase difference, etc., by phase shift masks, and the manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

受光素子の受光面積は微小であるため、回折光や多重反射光が入射することにより特異的な位相量を出力する受光素子の位相シフト量を除外し、残りの受光素子の出力信号から求めた位相シフト量に基づいて位相シフト量を決定する。例文帳に追加

Since the light-receiving area of the light-receiving element is very small, the phase shift amount of any light-receiving element outputting a specific phase amount due to the incidence of diffracted light or multiply-reflected light is excluded; and the phase shift amount is determined, based on the phase shift amount found from output signals of the remaining light-receiving elements. - 特許庁

透過光の位相を180°反転させるハーフトーン位相シフト膜1を用いて形成された位相シフト部を備え、上記位相シフト部は、中央部に上記透過光の位相を反転させない膜2を有することを特徴とする。例文帳に追加

The halftone phase shift mask is provided with a phase shift part formed by using a halftone phase shift film 1 which inverts the phase of transmitted light by 180°, and the phase shift part has a film 2 which does not make the phase of the transmitted light invert at the center part. - 特許庁

入力側の位相シフト30とサンプリング回路40をテストするために、出力側の位相シフト回路20においてDQとDQSの位相をそろえて出力し、DQSは位相シフト回路30で90度シフトされ、サンプリング回路40でDQがサンプルされる。例文帳に追加

In order to test the phase shift circuit 30 and the sampling circuit 40 of an input side, phases of DQ and DQS are adjusted and output in the phase shift circuit 20 of an output side, the DQS is shifted by 90 degrees by the phase shift circuit 30, and the DQ is sampled by the sampling circuit 40. - 特許庁

位相シフトマスク(1)を照明する照明系(2)を備え、位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を非晶質半導体膜(4)に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。例文帳に追加

The crystallization apparatus forming the crystalline semiconductor film is equipped with a lighting system (2) which illuminates a phase-shifting mask (1), and irradiates an amorphous semiconductor film (4) with light having a light intensity distribution of an inverted peak pattern showing that light is reduced to a minimum in intensity at a point corresponding to the phase shifting part of the phase-shifting mask. - 特許庁

正弦波格子位相シフト法を用いて、複数の照射部より正弦波状の明暗分布を持つパターンを照射しながら位相シフトさせ、その位相シフトに同期させて、複数の撮影部で撮影したパターン画像をもとに照射光の位相値を計算する。例文帳に追加

Phase shifting is performed while a plurality of emitting parts emit a pattern having sine wave-shaped contrast distribution by using a sine wave grid phase shift method, and a phase value of emitted light is calculated on the basis of a pattern image photographed by a plurality of photographing parts while synchronizing with the phase shifting. - 特許庁

基準クロックの位相をそのパルス幅の1/n幅ずつシフトして、n個の位相シフトパルスを出力し、各位相シフトパルスのうちの2つの位相シフトパルスを入力して、両者の位相差から微小幅パルスを生成する。例文帳に追加

A phase of a reference clock is shifted by 1/n width of a pulse width, n pieces of phase shift pulse are output, two phase shift pulses among each phase shift pulse are input, and a micro-width pulse is generated from a phase difference of both pulses. - 特許庁

透過光の位相を180°反転させるハーフトーン位相シフト膜1を用いて形成された位相シフト部10を備え、上記位相シフト部10は、所定の間隔で配置された、上記透過光の位相を反転させない複数の膜2を有することを特徴とする。例文帳に追加

The halftone phase shift mask is provided with a phase shift part 10, formed by using a halftone phase shift film 1 which inverts the phase of transmitted light by 180°, and the phase shift part 10 has a plurality of films 2, which are arranged at prescribed intervals and do not invert the phase of the transmitted light. - 特許庁

高い転写パタン寸法を実現できる位相シフトマスクが製造でき、さらに高い転写精度を実現することで高性能な大規模集積回路の製造が可能となる位相シフトマスク、該位相シフトマスクを用いたパタン形成法、該パタン形成法による固体素子を提供する。例文帳に追加

To produce a phase shifting mask capable of achieving high transfer pattern dimensions, to provide a phase shifting mask which enables production of a high performance large-scale integrated circuit by achieving higher transfer accuracy and to provide a pattern forming method using the phase shifting mask and a solid-state device produced by the pattern forming method. - 特許庁

ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いたレジストパターン形成方法、並びに半導体装置の製造方法。例文帳に追加

HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, RESIST PATTERN FORMING METHOD USING HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK, AS WELL AS METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

位相シフターは、位相シフト部を構成する点において交わる4本以上の偶数本の位相シフト線を有し、各位相シフト線について一方の側の領域と他方の側の領域とが約180度の位相差を有するように構成されている。例文帳に追加

The phase shifter constituted so that it is provided with even phase shift lines of four or more crossing at points forming the phase shift, and has a phase difference of about 180° between one area and the other area in the respective phase shift lines. - 特許庁

ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程数を減らし、高精度な位相差と透過率制御が可能な遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスクを提供することを目的とする。例文帳に追加

To decrease the number of production stages for a blank for a halftone type phase shift mask and the halftone type phase shift mask and to enable the control of a phase difference and transmittance with high accuracy. - 特許庁

(2)トラックピッチをP、ウォブル波長をλ、Nをディスク1回転中の位相シフト部の個数として、位相シフト部では、+2π×2πP/λ/Nの位相シフトがされていることを特徴とする請求項1記載の光ディスク。例文帳に追加

(2) The optical disk described in (1) is characterized in that phase shift of +2π×2πP/λ/N is performed in the phase shift parts by defining the track pitch as P, defining wobble wavelength as λ and defining N as the number of the phase shift parts in one rotation of the disk. - 特許庁

遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、半透明位相シフト膜パターンが、遮光膜パターンの寸法精度の影響を受けずに形成ができ、寸法精度が良好であるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a halftone phase shift mask, having a light shielding film in which a semitransparent phase shift film pattern can be formed, without being influenced by the dimensional accuracy of the light-shielding film pattern and proper dimensional accuracy can be obtained. - 特許庁

比較的簡単な構成によって、ハーフトーン型位相シフトマスク本来の利点を生かしつつその欠点である露光光の洩れをほぼ完全に防止することができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその素材たるハーフトーン型位相シフトマスクブランクを提供する。例文帳に追加

To provide a halftone phase shift mask capable of nearly perfectly preventing the leakage of light for exposure by a simple structure while making good use of its original advantages and a halftone phase shift mask blank as the material of the halftone phase shift mask. - 特許庁

2値位相シフトキーイング(BPSK)信号のコヒーレント復調のためのシステム例文帳に追加

SYSTEM FOR COHERENT DEMODULATION OF BINARY PHASE SHIFT KEYING (BPSK) SIGNAL - 特許庁

例文

位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法例文帳に追加

PHASE SHIFT MASK BLANK, PHOTOMASK BLANK AND THEIR MANUFACTURING DEVICES AND PROCESSES - 特許庁

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