| 例文 |
"Work function"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 520件
The emitter 26 has a metal plating layer 42 formed on the cathode electrode 22, and plural granular or bar-shaped fine bodies 44 composed of a material selected from a group composed of fullerene, a carbon nanotube, graphite, a low work function material, a negative electronic affinity material, and a metallic material, and supported by the metal plating layer 42 in a dispersive state.例文帳に追加
エミッタ26は、カソード電極22上に形成された金属メッキ層42と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層42に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体44と、を有する。 - 特許庁
A second electrode 26 is constituted by a conductive material of which work function is smaller than the first electrode, has a bottom to contact the upper surface of a relay wiring 67, and comprises a cylindrical region projecting vertically upward so as to penetrate a first interlayer insulation film 21, the first electrode (bit line BL), and a second interlayer insulation film 22.例文帳に追加
第2電極26は第1電極よりも仕事関数が小さい導電性材料で構成されており、中継配線67の上面に接触する底面を有し、第1層間絶縁膜21、第1電極(ビット線BL)、及び第2層間絶縁膜22を貫通して鉛直上方に突出してなる筒形状を示す領域を備える。 - 特許庁
The emitter 26 is composed of a metal-plated layer 42 formed on the cathode electrode 22 and a plurality of grain-shaped or stick-shaped fine bodies 44, supported on the metal plated layer 42 in a scattered state, made of a material chosen from fullerene, carbon nanotube, graphite, a material with a low work function, a material with negative electron affinity force, and a metallic material.例文帳に追加
エミッタ26は、カソード電極22上に形成された金属メッキ層42と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層42に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体44と、を有する。 - 特許庁
The interlayer 3 is formed having a layer composed of an electron donor acceptor complex or metal, or a metal compound layer 3a having a work function of 3.7 eV or smaller, a light transmitting layer 3b containing a conductive material, a layer 3c composed of a charge transport organic material, and a layer 3d composed of a hole injection material.例文帳に追加
中間層3は、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、導電体材料を含有する光透過性の層3bと、電荷輸送性有機材料からなる層3cと、ホール注入材料からなる層3dとを備えて形成されている。 - 特許庁
The organic thin film electrode, composed of layers of a first electrode layer, hole transport layer, power generation layer, electron transport layer, and second electrode, laminated in this order on a substrate surface, is characterized by that resistance change rate of the hole transport layer after environmental resistance test is 1.1 or lower and work function of the hole transport layer is 4.9 eV or higher and 5.1 eV or lower.例文帳に追加
基板の表面に、第1電極層と、正孔輸送層と、発電層と、電子輸送層と、第2電極と、をこの記載順に積層してなる有機薄膜電極であって、前発正孔輸送層の耐環境性試験後の抵抗変化率が1.1以下であり、正孔輸送層の仕事関数が4.9eV以上5.1eV以下であること、を特徴とする、有機薄膜電極とした。 - 特許庁
In a field-enhanced oxide film producing apparatus 1, the tip of a conductive probe 5 is made of a material with a work function around the LUMO level of the organic layer 10 and an oxide film by the field enhanced oxidation is formed on the organic layer 10 arranged between the conductive probe 5 as a cathode and a conductive substrate 2 and an underlayer 3 as an anode.例文帳に追加
電界支援酸化膜作製装置1において、導電性探針5の先端部を、有機層10のLUMO準位付近の仕事関数を有する材料から構成し、陰極である導電性の導電性探針5と、陽極である導電性基板2および下地3との間に配置された有機層10上に、電界支援酸化による酸化膜を作製する。 - 特許庁
A p-type ohmic electrode is provided with an Se layer to maximally lower a barrier Φb of an Se Fermi level Ef and a wide band gap p-type semiconductor valence, so that the wide band gap p-type semiconductor can have an ohmic contact with a resistance far lower than that of a conventional ohmic electrode provided with a metal layer having a high work function.例文帳に追加
p型オーミック電極にSe層を有することにより、SeのフェルミレベルEfとワイドバンドギャップp型半導体の価電子帯との障壁Φbが最も低い構成となり、ワイドバンドギャップのp型半導体に従来の高い仕事関数を有する金属層を設けたものよりもはるかに低い抵抗を有するオーミックコンタクトを実現することが可能となる。 - 特許庁
The method includes steps of forming a gate oxide layer which is arranged on a channel region, forming a first metal layer which is arranged on the gate oxide layer and has a first thickness, forming a second metal layer which is arranged on the first metal layer and has a second thickness, and setting a gate work function corresponding to the combination of the first and second thicknesses.例文帳に追加
方法は、チャネル領域上に配置されるゲート酸化物層を形成するステップと、ゲート酸化物層上に配置される第1厚さを有する第1金属層を形成するステップと、第1金属層上に配置される第2厚さを有する第2金属層を形成するステップと、第1厚さおよび第2厚さの組み合わせに応じるゲート仕事関数を設定するステップとを含む。 - 特許庁
This device is provided with a buffer layer consisting of a material having a work function with a second insulating film of a small film thickness in-between after first electrodes acting as cathodes are formed, by which not only the carrier implantability to an organic compound layer can be improved but the influence to be exerted by the alkaline ions generated from the buffer layer on the characteristics of the TFTs can be prevented.例文帳に追加
陰極となる第一の電極を形成した後で、膜厚の薄い第二の絶縁膜を間に挟み仕事関数の小さい材料からなる緩衝層を設けることで、有機化合物層へのキャリアの注入性を向上させることができるだけでなく、緩衝層から生じるアルカリイオンがTFTの特性に影響を与えるのを防ぐことができる。 - 特許庁
The layer containing the light emitting material contains at least a base material of sulfide, oxide, or nitride and an impurity element, and the electron supplying layer contains a material of which work function is smaller than that of the parent material.例文帳に追加
第1の電極と第2の電極との間に、発光物質を含む層と、前記発光性の物質を含む層と接する電子供給層と、を有し、前記発光物質を含む層は、硫化物、酸化物又は窒化物である母体材料と、不純物元素と、を少なくとも含み、前記電子供給層は、前記母体材料の仕事関数よりも小さい仕事関数の物質を含む。 - 特許庁
The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加
マスクで第1領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層(2)と、N+ポリシリコンゲート(4)との間に、AlxOvの高誘電率界面誘電体層(3)が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、N+ポリシリコンのP−MOSの仕事関数は、P+ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁
In an electron gun including an emitter 10 that emits an electron, the emitter 10 is configured to include: a first member 11 that is made up of a first material having an electron emission characteristic; and a second member 12 that is made up of a second material having greater work function than that of the first material and coats the first member 11.例文帳に追加
電子を放出するエミッタ10を有する電子銃において、エミッタ10を、電子放射特性を有する第1の材料からなる第1の部材11と、第1の材料より仕事関数が大きい第2の材料からなる、第1の部材11を被覆する第2の部材12とを有するように構成し、さらに、第1の部材11と第2の部材12との間に溝15を設ける。 - 特許庁
The organic electroluminescence element comprises a first anode 301 formed on a substrate 308 and having a reflectance of at least 60%, a second anode formed on the first anode and composed of a conductive metal having a work function within a range of 4.3-5.8 eV or its oxide, and organic films (303-306) formed on the second anode and a cathode 307 formed on the organic film.例文帳に追加
基板308上に形成された反射率が60%以上の第1アノード301と,第1アノード上に形成された仕事関数が4.3から5.8eVの範囲内の伝導性金属またはその酸化物よりなる第2アノード302と,第2アノード上に形成された有機膜(303〜306)と,有機膜上に形成されたカソード307とを含むようにした。 - 特許庁
In the organic electroluminescent element 11 made by pinching an organic layer having at least a light-emitting layer 14c between the positive electrode 13 and a negative electrode 15, the positive electrode 13 has a first layer made of an alloy with aluminum as a main component, whose sub component contains at least one element with a relatively smaller work function than the main component.例文帳に追加
陽極13と陰極15との間に、少なくとも発光層14cを有する有機層14を狭持してなる有機電界発光素子11において、陽極13は、アルミニウムを主成分とする合金からなる第1の層を有し、前記合金の副成分は、前記主成分よりも相対的に仕事関数が小さい元素を少なくとも一つ含むことを特徴とする。 - 特許庁
By installing an inner electrode of a disc shape or bottomed cylindrical shape formed by aluminum or zirconium or their alloy having a smaller work function than that of nickel at a bottom part of a traditional electrode of cylindrical shape, spattering phenomenon of the electrode occurring inside of the electrode of the cylindrical shape is suppressed, and generation of the hole at the electrode wall is prevented.例文帳に追加
本発明により、従来の円筒形状の電極の円筒内側の底部に、ニッケルより仕事関数の小さいアルミニウムまたはジルコニウムまたはその合金で形成した円板形状または有底円筒形状の内部電極を設けることで、円筒形状の電極の円筒の内側で起る電極のスパッタ現象を抑制し、電極壁に穴が空くという従来の課題を解決するものである。 - 特許庁
Deuterium is run from the side of one surface 11A of a structure 11 to the side of the other surface 11B of it to a substance 14 to be nuclide-transformed which is put into contact with the one surface 11A of the structure 11 that has palladium or palladium alloy or hydrogen occluding metal other than palladium or that other than palladium alloy and a substance of a low work function.例文帳に追加
パラジウム又はパラジウム合金、或いは、パラジウム以外の水素吸蔵金属又はパラジウム合金以外の水素吸蔵合金と仕事関数が低い物質とを有する構造体11の一方の表面11A上に接触させられた核種変換を施す物質14に対して、構造体11の一方の表面11A側から他方の表面11B側へ向けて重水素を流すことを特徴とする。 - 特許庁
The organic electroluminescent element is equipped with a cathode, an anode and an organic film formed between the cathode and the anode, and the cathode includes a first cathode having aluminum (Al) and a second cathode having a metal with a work function of 3.5 to 5.0 eV and a metal carboxylic acid represented as chemical formula 1 and adjacent with the organic film positioned at a lower part of the first cathode.例文帳に追加
カソード、アノード及び前記カソードとアノードとの間に形成された有機膜を備える有機電子発光素子であって、前記カソードが、アルミニウム(Al)を含む第1カソードと、前記第1カソードの下部に位置して有機膜と隣接しており、仕事関数が3.5〜5.0eVである金属及び化学式1で表わされる金属カルボン酸を含む第2カソードと、を含むことを特徴とする有機電子発光素子。 - 特許庁
A semiconductor element and a manufacturing method thereof comprise a first electrode made of a silicon material, a stabilizing film which hydrophilizes a surface of the first electrode and readily forms a dielectric film, the dielectric film formed by supplying reactants in order, and a second electrode which is formed on the dielectric film and is larger in work function than the first electrode made of the silicon material.例文帳に追加
シリコン系物質で構成された第1電極と、前記第1電極の表面を親水性化させて誘電体膜の形成を容易にする安定化膜と、反応物を順次供給して形成された前記誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された、前記シリコン系物質で構成された第1電極より仕事関数が大きい第2電極とを含んで成ることを特徴とする半導体素子およびその製造方法。 - 特許庁
The organic photoelectric conversion element 10 is equipped with: a pair of electrodes comprising a first electrode 32 and a second electrode 34; an active layer 50 sandwiched between the pair of electrodes; and a metal layer 44 between the active layer and one of the pair of electrodes, having the absolute value of the work function, being ≥3.7 eV and ≤5.5 eV, and formed of a metal having semiconductor characteristics when oxidized.例文帳に追加
有機子電変換素子10は、第1電極32及び第2電極34からなる一対の電極と、前記一対の電極間に挟持される活性層50と、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極と前記活性層との間に金属層を有し、該金属層が、仕事関数の絶対値が3.7eV以上かつ5.5eV以下であり、酸化されたときに半導体特性を有する金属で形成された金属層44とを備える。 - 特許庁
The toner base particles comprise a binder resin and a colorant, the external additive particles comprise hydrophobic inorganic fine particles of a specified particle diameter and hydrophobic monodisperse spherical silica particles of a specified particle diameter, and a work function of the hydrophobic monodisperse spherical silica particles is smaller than that of the toner base particles.例文帳に追加
非磁性一成分負帯電球形トナーは、潜像坦持体をクリーナーレスとするフルカラー画像形成装置に適用されるトナーであって、トナーがトナー母粒子と外添剤粒子とからなり、微小圧縮試験を行う時に得られる圧縮変位曲線の10%変位荷重で求められる機械的強度が7〜19MPaであり、トナー母粒子が結着樹脂と着色剤とからなると共に外添剤粒子が特定粒径の疎水性無機微粒子と特定粒径の疎水性単分散球形シリカ粒子とからなり、疎水性単分散球形シリカ粒子の仕事関数をトナー母粒子の仕事関数より小さくした。 - 特許庁
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