「"Work function"」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Since this compound conductor has a work function of 5 eV or more, preferably 5.5 eV or more, the electron concentration of an oxide semiconductor film 106 can be kept so low that the leakage current between a source and a drain can be reduced.例文帳に追加

この化合物導電体は、仕事関数が５電子ボルト以上、好ましくは５．５電子ボルト以上であるので、酸化物半導体膜１０６の電子濃度を極めて低く維持でき、その結果、ソースドレイン間のリーク電流が低減する。 - 特許庁

By making the gate electrode be possible to be doped with the p-type dopant (for instance, boron), a transistor having a desired value (for instance, it conforms Fermi level of about 4.8 to 5.6 eV) and a relating work function can easily be formed.例文帳に追加

ゲート電極をｐ型ドーパント(例えば、ボロン)でドープさせることができることにより、所望の値を有する(例えば、約4.8から約5.6eVのフェルミ準位に一致する)、関連する仕事関数を有するトランジスタを形成することが容易になる。 - 特許庁

Consequently, the work function difference between a counter electrode substrate and a transparent common electrode is made small to manufacture the liquid crystal display device without causing the flicker and the sticking of liquid crystal inexpensively without increasing the number ofprocesses.例文帳に追加

これにより、対向電極基板の透明共通電極との仕事関数差を小さくし、フリッカや液晶の焼き付きの発生しない液晶表示装置を、工程数を増加させることなく低コストで製造することが可能である。 - 特許庁

To freely and continuously control a work function viewed from the gate insulating film side of a gate electrode to a value different from the characteristic value of the materials of the gate electrode, and to continuously control Vth in an MIS type transistor.例文帳に追加

ＭＩＳ型トランジスタにおいて、ゲート電極のゲート絶縁膜側から見た仕事関数を、そのゲート電極の材料のもつ特性値とは異なる値に自由に連続的に制御し、それによりVthを連続的に制御する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of easily manufacturing an electron emitting element coated with a low work function material and having a favorable electron emitting characteristic to suppress a variation in electron emitting characteristic among the elements with high reproducibility.例文帳に追加

低仕事関数材料が被覆された、良好な電子放出特性を備える電子放出素子を、素子間の電子放出特性のバラツキを抑制し、再現性よく、簡易に製造する製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can let a gate electrode include a conductive material having a preferable work function and need not consider a relationship in etching condition between component materials of the gate electrode and an interlayer insulating layer.例文帳に追加

ゲート電極を好適な仕事関数を有する導電材料から構成することができ、ゲート電極の構成材料と層間絶縁層のエッチング条件との関係を考慮する必要のない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including an insulated gate field-effect transistor with an N-type channel MISFET and a P-type channel MISFET, each of whose gate electrodes has appropriate work function and easily controllable threshold voltage.例文帳に追加

ＮチャネルＭＩＳＦＥＴのゲート電極およびＰチャネルＭＩＳＦＥＴのゲート電極が共に適切な仕事関数を持ち、しきい値電圧の制御が容易な絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置を実現する。 - 特許庁

Not only metal particles like indium-tin oxide or gold colloid, but also such a substance having an absolute value of work function ranging between 1.25 eV and 5.5 eV, and further, the mixture of above substances, are used as the particles 5.例文帳に追加

粒子５としてはインジウムスズ酸化物や金コロイドなどの金属粒子を始めとして、その仕事関数の絶対値が１．２５以上５．５ｅＶの範囲にあるような物質、さらにはそれらの混合物からなる粒子を用いる。 - 特許庁

To provide a reflective liquid crystal display which obtains a light display image and is free of a flicker and seizure by adjusting the work function of a counter transparent electrode side and a reflective pixel electrode side within ±2%.例文帳に追加

対向透明電極側と反射画素電極側の仕事関数が±２％以内の範囲内になるようにして、明るい表示画像が得られ、かつフリッカーや焼付きが発生しない反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Further, a first electrode 50 which has a work function similar to that of the second electrode 250 and is made of a transparent conductive material such as ITO is formed closer to a liquid crystal layer 300 than to the reflective layer 44, and connected to the TFT 110.例文帳に追加

さらに、反射層４４よりも液晶層３００側に第２電極２５０と同様の仕事関数を備え、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる第１電極５０を形成しＴＦＴ１１０と接続する。 - 特許庁

To provide, in FINFET (FIN Field Effect Transistor) whose threshold voltage is determined essentially by the work function of a gate electrode, a technology capable of adjusting the threshold voltage of FINFET without changing the material of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の仕事関数で本質的にしきい値電圧が決定されるＦＩＮＦＥＴにおいて、ゲート電極の材料を変えることなく、ＦＩＮＦＥＴのしきい値電圧を調整することができる技術を提供する。 - 特許庁

The surface of the reflecting electrode 44 is covered with the insulation film 46, a work function similar to that of the second electrode 250 is provided and a first electrode 50 consisting of transparent conductive materials such as the ITO is formed on the insulation film 46.例文帳に追加

反射電極４４の表面は絶縁膜４６によって覆われ、この絶縁膜４６の上に第２電極２５０と同様の仕事関数を備え、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる第１電極５０を形成する。 - 特許庁

A semiconductor element comprises a metal gate electrode 108', 109' having a double work function formed by selectively doping a single metal film with fluorine in an NMOS and with carbon in a PMOS.例文帳に追加

半導体素子は単一金属膜に対し、ＮＭＯＳにおいてはフッ素、ＰＭＯＳにおいては炭素をそれぞれ選択的にドーピングすることによって形成される二重仕事関数の金属ゲート電極１０８’、１０９’を有する。 - 特許庁

To provide a photoelectron microscope, having a light source system for reliably performing a high-resolution measurement, such as work function distribution measurement and magnetic domain distribution measurement, and to provide a high-sensitivity measurement method by the photoelectron microscope.例文帳に追加

仕事関数分布測定や磁気ドメイン分布測定など、高分解能測定を確実に行うための光源システムを備えた光電子顕微鏡、及び、この光電子顕微鏡による高感度測定方法を提供する。 - 特許庁

In this cold cathode, because adsorption ability of oxygen and hydrogen generated during light emission is improved and formation of oxide and generation of H ions are suppressed, work function is not elevated and a sputtering phenomenon is suppressed.例文帳に追加

この冷陰極では発光中に発生する酸素及び水素の吸着能が向上し、酸化物の生成及びＨイオンの発生が抑制されため、仕事関数も上昇することなく、スパッタリング現象も抑制される。 - 特許庁

In the solution of the organic semiconductor, fine particles having a work function smaller than that of the semiconductor are dispersed.例文帳に追加

本願発明においては、活性層がｐ型有機半導体により構成される薄膜トランジスタにあって、その有機半導体の溶液中に、該半導体よりも仕事関数が小さい微粒子を分散させることで、活性層用の半導体材料とした。 - 特許庁

Next, the scanning Kelvin force microscope having the conductive cantilever 1A wherein the work function A of the probe 2A is concretely calculated is used to measure the surface potential (y) of an unknown sample different from the standard sample 3A.例文帳に追加

次に、深針２Ａの仕事関数Ａが具体的に算出された導電性カンチレバー１Ａを有する走査型ケルビンフォース顕微鏡を用いて、標準試料３Ａとは異なる未知試料の表面電位ｙを測定する。 - 特許庁

When the element exhibits a mirror state, the difference Δϕ_1 in the work function between the first conductive layer 3 and the proton holding layer 4, and the difference Δϕ_2 in the work function between the second conductive layer 8 having light transmissiveness and the hydrogenated metal layer 7 satisfy |Δϕ_1-Δϕ_2|≤0.4 eV.例文帳に追加

透明基板２上に、光透過性を有する第１の導電層３と、プロトン保持層４と、プロトン伝導層５と、触媒層６と、水素化金属層７と、光透過性を有する第２の導電層８とを備え、鏡状態を呈しているときに、第１の導電層３の仕事関数とプロトン保持層４の仕事関数の差をΔφ_1、光透過性を有する第２の導電層８の仕事関数と水素化金属層７の仕事関数の差をΔφ_2とすると、｜Δφ_1− Δφ_2｜≦0.4 eVを満たすことを特徴とする。 - 特許庁

The NMOS work function control metal layer 7 is formed by the sputtering method, and the film thickness in the region b which is a region in the vicinity of the edge in which a divot part 2d is provided is formed more thinly than the film thickness in the region a which is another region.例文帳に追加

ＮＭＯＳ仕事関数制御メタル層７をスパッタ法により形成され、ディボット部２ｄが設けられるエッジ近傍領域である領域ｂにおける膜厚は、他の領域である領域ａにおける膜厚より薄く形成される。 - 特許庁

To provide a vehicle which can prevent an ascending speed of a spreader device from dropping extremely and also is excellent in drive efficiency and has a cargo work function easy of control, in the case of performing the running by running wheels and the cargo work by the spreader device.例文帳に追加

走行車輪による走行とスプレッダ装置による荷役とを同時に行う場合、スプレッダ装置の上昇速度が極端に低下してしまうのを防止でき、また、駆動効率が良く、コントロールが容易な荷役機能を有する車両を提供する。 - 特許庁

By changing the concentration of Al in the HfAlO_X film, control is made so that the work function of n-type polycrystalline silicon and that of p-type one becomes symmetric while sandwiching a mid gap (the threshold voltage of a MOS transistor=0).例文帳に追加

そこで、ＨｆＡｌＯ_X膜中のＡｌ濃度を変えることによって、ｎ型多結晶シリコンの仕事関数とｐ型多結晶シリコンの仕事関数とがミッドギャップ（ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧＝０）を挟んで対称となるように制御する。 - 特許庁

To provide a SBD(Schottky Barrier Diode) element where the Schottky contact area is increased, by providing it with a trench groove on the surface of silicon, and also where the forward voltage VF is small and its control is easy, by using plural kinds of barrier metals different in work function.例文帳に追加

シリコン表面にトレンチ溝を設けてショットキー接触面積を増大すると共に、仕事関数の異なる複数種類のバリア金属を用いることで、順方向電圧ＶＦが小さく且つその制御が容易なＳＢＤ素子を得る。 - 特許庁

To suppress low the amount of variation of threshold voltage by suppressing variation of a work function when adopting a high dielectric gate insulating film and a metal gate electrode, and hence restrain the increase of a gate leak current for preventing reliability from being lowered.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜やメタルゲート電極を採用する場合に、仕事関数の変動を抑えて閾値電圧の変動量を低く抑えることができるようにし、ゲートリーク電流の増大を抑えて、信頼性の低下を招かないようにする。 - 特許庁

To provide a high-luminance image display for reducing a work function and achieving high electron emission efficiency by optimizing the configuration ratio, film thickness ratio, and total film thickness of a material used for an upper electrode in a display using a thin-film type electron source.例文帳に追加

薄膜型電子源を用いた表示装置で、上部電極に用いる材料の構成比，膜厚比，全膜厚を最適化することで、仕事関数を低減し、高い電子放出効率を実現させた高輝度な画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The intermediate layer in the organic electroluminescent element is constituted of a laminate laminating an organometallic complex of electron releasing metal with work function which is 3.7 eV or lower or a mixed layer of metal carbonates and reducing metal and a layer of metal oxides.例文帳に追加

中間層が、仕事関数３．７ｅＶ以下の電子供与性の金属の有機金属錯体あるいは金属炭酸化物と、還元性金属との混合層、並びに金属酸化物層を積層した積層体からなることを特徴とする。 - 特許庁

Since the Si layer 11 has a flat surface state and excellent chemical stability, a good ohmic electrode 12 can be formed using aluminum or the like, having an appropriate work function for the Si layer 11.例文帳に追加

Ｓｉ層１１は表面状態が平坦で且つ化学的安定性に優れているので、Ｓｉ層１１に対して適切な仕事関数を有するアルミニウム等を用いて電極１２を形成することにより、良好なオーミック電極とすることができる。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 150 is formed of an amorphous thin film having, as principal components, indium oxide and zinc oxide the same material as the transparent electrode layer 160, wherein a difference in a work function is less than 0.3 eV and a difference in an energy bandgap is less than 0.2 eV.例文帳に追加

ｎ型半導体層１５０を、透明電極層１６０と同材質の酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分とし、仕事関数の差が０．３ｅＶ未満、エネルギーバンドギャップの差が０．２ｅＶ未満の非晶質薄膜に形成する。 - 特許庁

When built-in potential between the electron donor layer and the electronic acceptor layer is small, it is desirable that a work function of a conductive material making the first through electrode is different from that of a conductive material making the second through electrode.例文帳に追加

電子ドナー層と電子アクセプター層との間のビルトインポテンシャルが小さい場合には、前記第１貫通電極をなす導電材料と第２貫通電極をなす導電材料とは、その仕事関数が異なるものであることが好ましい。 - 特許庁

A capacitor has an electrode based on an n-type semiconductor of which the work function is 5.0 eV or more, preferably, 5.5 eV or more, provided in contact with one face of a dielectric and having nitrogen and at least one of indium, tin or zinc.例文帳に追加

誘電体の一つの面に接して設けられた、インジウム、錫あるいは亜鉛の少なくとも一つと窒素とを有する仕事関数が５．０電子ボルト以上、好ましくは５．５電子ボルト以上のｎ型半導体による電極を有するキャパシタである。 - 特許庁

To provide a reflective liquid crystal display device with which a bright display image is obtained and on which no flicker and no image persistence occur with high throughput and at a low cost by making a work function of the counter transparent electrode side and that of the reflection pixel electrode side be nearly in good agreement with each other.例文帳に追加

対向透明電極側と反射画素電極側の仕事関数をほぼ一致させて、明るい表示画像が得られ、かつフリッカーや焼付きが発生しない反射型液晶表示装置を、高いスループットと安いコストで提供する。 - 特許庁

The surface of an n-type Si wafer 10 is made hydrophobic by hydrofluoric acid and immersed in a Cu ion aqueous solution having a work function greater than that of the semiconductor, and a Schottky barrier is formed from an Si-Cu contact of one atom level, thereby manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型Siウエーハ１０の表面をフッ化水素酸で疎水性とし、該半導体より大きな仕事関数を有するCuイオン水溶液に浸漬し、１原子レベルのSi—Cuコンタクトで形成されるショットキー障壁を形成して半導体素子を製造する。 - 特許庁

To provide a field-emission electron source and a manufacturing method of its carbon nanotube, that can reduce work function on the nanotube surface and increase emission current, by causing vapor-deposition of lithium on the carbon nanotube and using it as a cathode.例文帳に追加

カーボンナノチューブにリチウムを蒸着させ陰極として用いることにより、ナノチューブ表面の仕事関数を下げ、放出電流の増大を図ることができる電界放出型電子源及びそのカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

The MOSFET 20 of the second conductivity type further includes a diffusion prevention film 3 formed between the first insulating film 2 and the second insulating film 4 to prevent the material for controlling the work function from being diffused to an interface of the first insulating film 2.例文帳に追加

また、第２導電型のＭＯＳＦＥＴ２０は、第１の絶縁膜２と第２の絶縁膜４との間に形成され、仕事関数を制御する材料が第１の絶縁膜２界面に拡散するのを防止する拡散防止膜３をさらに備える。 - 特許庁

To eliminate one of short-channel effects by allowing gate's work function to be different, for suppressing roll-off of a threshold without having to adopt difficult means, such as combining different materials for a gate for use, related to a semiconductor device and manufacturing method therefor.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートに異なる材料を複合して用いるなどの難しい手段を採ることなく、ゲートの仕事関数を異ならせてしきい値のロールオフを抑止し、短チャネル効果の一つを排除しようとする。 - 特許庁

The reflecting layer 44 is covered by a protective film 46 and a first electrode 50 having the work function similar to that of the second electrode 250 and consisting of a transparent conductive material, such as ITO, is formed on the protective film 46 and is connected to the TFT 110.例文帳に追加

反射層４４は保護膜４６で覆い、この保護膜４６上に第２電極２５０と同様の仕事関数を備えるＩＴＯ等の透明導電材料からなる第１電極５０を形成しＴＦＴ１１０と接続する。 - 特許庁

The common negative electrode 50 is composed of a first negative electrode 50a made of metal with low work function formed on the electron injection layer 52, and a second negative electrode 50b formed on and protecting the first negative electrode 50a.例文帳に追加

共通陰極５０が、電子注入層５２上に設けられた低仕事関数の金属からなる第１陰極５０ａと、第１陰極５０ａ上に設けられて第１陰極５０ａを保護する第２陰極５０ｂとからなっている。 - 特許庁

A work function ΦMn of a gate electrode 6 of nMOS is made into value between electron affinity χs of silicon and an energy difference Φi of intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of χs<ΦMn<Φi.例文帳に追加

ｎＭＯＳのゲート電極６の仕事関数ΦＭｎを、シリコンの電子親和力χsと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値にする、すなわち、χs＜ΦＭｎ＜Φｉの関係が成り立つように設定する。 - 特許庁

The metal layer 6 has a first surface at the side of the organic EL layer 9, and a second surface at the side of the oxide conductive layer 7, and the concentration of the low work-function metal on the first surface is larger than that of the one on the second surface.例文帳に追加

金属層６は、有機ＥＬ層９の側の第１表面および酸化物導電層７の側の第２表面を有し、第１表面における前記低仕事関数金属の濃度は、第２表面における前記低仕事関数金属の濃度よりも大きい。 - 特許庁

To provide an electron injected layer with which it is practicable to eliminate damage when attachment by high energy evaporation is used in fabricating an organic light emitting structure or organic EL medium and to enable the use of metal or metal oxide having a high work function in forming an effective cathode.例文帳に追加

有機発光構造体または有機ＥＬ媒体の作製に当り、高エネルギー蒸着を用いる際の損傷を排除すること、およびその有効な陰極の形成に当り、高仕事関数の金属または金属酸化物の使用を可能にすること。 - 特許庁

The negative electrode 5 has a first metal layer 6a containing a first metal and a low work-function metal, a second metal layer 6b containing a second metal the same as or different from the first metal, and an oxide conductive layer 7 in that order from the side of the organic EL layer 9.例文帳に追加

陰極５は、第１の金属および低仕事関数金属を含む第１金属層６ａと、第１の金属と同じまたは異なる第２の金属を含む第２金属層６ｂと、酸化物導電層７とを有機ＥＬ層９の側からこの順に有する。 - 特許庁

When a metal material such as Mg having a small work function is used as the material serving as an electron and hole source, any problem on luminous efficiency is not substantially caused if an area ratio of the metal material to the phosphor surface is made as low as about 20-30%.例文帳に追加

又、電子及び正孔の供給源となる材料として仕事関数の小さなMgなどの金属材料を用いる時は、蛍光体表面に占める面積比率を２０％〜３０％程度に低くすれば、発光効率上ほとんど問題がなくなる。 - 特許庁

An area surface, which is exposed through the openings of the lower dioxide silicon film 16A and the upper dioxide silicon film 18A in the silicon substrate 11, and a surface of the cathode 17 are coated with a thin surface coating film 20 formed from materials of lower work function.例文帳に追加

シリコン基板１１における下部酸化シリコン膜１６Ａ及び上部酸化シリコン膜１８Ａの開口部に露出した領域の表面及び陰極１７の表面は、低仕事関数材料からなる薄い表面被覆膜２０により覆われている。 - 特許庁

In the formula (3), I is the intensity of a photoelectron, hv is photon energy, ϕ is a work function, E_0 is the ionizing energy of a cluster condition generated on the surface of a substance such as adsorption or the like, σ is the standard deviation of the same state and CG/CF is a relative state density in the same state.例文帳に追加

式（３）において、Ｉ：光電子強度、ｈｖ：光子エネルギー、φ：仕事関数、Ｅ_０：吸着など物質表面に生じたクラスター状態のイオン化エネルギー、σ：同状態の標準偏差、ＣＧ/ＣＦ：同状態の相対的な状態密度である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has the thermal stability, while being capable of restricting a threshold voltage low when a metal film having a work function to such a degree that adhesive properties do not get worse or a film composed of a metal component is used as a gate electrode.例文帳に追加

熱的安定性がある一方、密着性が悪くならない程度の仕事関数を有する金属膜または金属化合物よりなる膜をゲート電極として使用した場合に、しきい値電圧を低く抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first electrode 50 consisting of a transparent conductive material provided with a work function similar to that of the second electrode directly covers reflective layer 44, is formed in one pixel region including a transmissive region and is connected with the TFTs 110 via a metal layer 42 for connection.例文帳に追加

第２電極と同様の仕事関数を備える透明導電材料からなる第１電極５０が反射層４４を直接覆い、透過領域を含む１画素領域内に形成され、接続用金属層４２を介してＴＦＴ１１０と接続される。 - 特許庁